JPS61235587A - 電解方法 - Google Patents

電解方法

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JPS61235587A
JPS61235587A JP7669885A JP7669885A JPS61235587A JP S61235587 A JPS61235587 A JP S61235587A JP 7669885 A JP7669885 A JP 7669885A JP 7669885 A JP7669885 A JP 7669885A JP S61235587 A JPS61235587 A JP S61235587A
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JP
Japan
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membrane
perfluorocation
electrolysis
concentration
strontium
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JP7669885A
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Manabu Kazuhara
学 数原
Yoshihiko Saito
義彦 斉藤
Masuo Sugizaki
杉崎 満壽雄
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AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
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  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はパーフルオロカチオン膜をもちいた食゛塩電解
方法に関するものである。
[従来の技術] 塩化ナトリウムを電解して苛性ソーダと塩素を製造する
方法として、フッ素樹脂陽イオン交換膜を隔膜とするイ
オン交換膜法は、従来の水銀法、アスベスト隔膜法に比
して、公害防止及び省エネルギーの観点から有利であり
、また塩化ナトリウム含量の極めて低い高品質苛性ソー
ダを製造できることから、近年注目されている。か\る
イオン交換膜法において使用されるフッ素樹脂陽イオン
交換膜としては、スルホン酸型膜に比して、カルボン酸
型膜が高濃度苛性ソーダを高い電流効率で製造可能なた
めに有利であるとされている。また、カルボン酸型フッ
素樹脂膜とスルホン酸型フッ素樹脂膜とを比較した場合
、後者に比して前者は電気抵抗が大きいという問題点を
有するということが指摘されている。
これまでに、塩化ナトリウムの電解用隔膜としてのフッ
素樹脂陽イオン交換膜について、前記問題点の解消を目
的とした種々の提案がなされている0例えば、特開昭5
0−120492号公報には、カルボン酸基及びスルホ
ン酸基を共有するパーフルオロカーボン重合体からなる
陽イオン交換膜として、カルボン酸型モノマーとスルホ
ン酸型モノマーの共重合によるもの及びスルホン酸型フ
ッ素樹脂膜にカルボン酸型モノマーを含浸重合したもの
が記載されている。これらは、カルボン酸基の特長に加
えて高い電気伝導性をもつスルホン酸基の寄与により、
高い電流効率と高い電気伝導度を兼備したものであると
されている。また、特開昭52−38589号公報には
、カルボン酸型パーフルオロカーボン重合体とスルホン
酸型パーフルオロカーボン重合体とのブレンド膜及びカ
ルボン酸型膜とスルホン酸型膜との積層膜が記載されて
いる。これらにおいては、スルホン酸型膜における高濃
度苛性ソーダを高い電流効率で製造するのが困難である
という難点を、カルボン酸型膜の積層あるいはカルボン
酸型重合体のブレンドによって解消し得るものであると
されている。
而して、スルホン酸型膜の電解性能の不充分さを改善す
る目的で、これまでに種々の提案が多数なされている0
例えば、スルホン酸基を有するパーフルオロカーボン重
合体からなる膜の表面を、還元処理及び/又は酸化処理
することにより、スルホン酸基をカルボン酸基に化学変
換せしめてスルホン酸型膜の表面にカルボン酸型薄層を
形成する方法(特開昭52−24175、同52−24
178、同52−24177)等が知られている。
これらのカチオン交換膜を用いて長期間にわたり電解性
能を維持せしむる為には、供給塩水中のカルシウム及び
マグネシウムをキレート樹脂を用いて除去することが重
要であることは公知である。(特開昭51−88100
.同54−75487)また、塩水中にシリカが存在す
るとカチオン交換膜の陽極側面に沈着し、電解電圧を上
げる場合があり、塩水中のシリカを除去する方法も提案
されている。(特開昭53−130298)  かかる
シリカの影響については、本発明者らパーフルオロカル
ボン酸膜をもちいて塩水中のシリカレベルを50pp量
にだ保ちつつ電解を30日実施したが、1を圧、電流効
率は変らず、膜表面への沈着も認められなかった。シリ
カレベルを340pp■の保ちつつ電解を2B日実施し
たところ、電流効率は変らないものの摺電圧は経時的に
0.2マ上昇した。電槽を解体したところ、膜へのシリ
カの沈着は認められないが、陽極にシリカが沈着し、過
電圧が0.2マ上昇していることが判明した。
かかる試験より明らかなように、塩水中のシリカはそれ
自体として必ずしも膜に悪影響は与えないことが判明し
た。
一方、食塩電解用原料塩中にはCa 、 Ngの他にス
トロンチウム及びバリウムも多量に含まれている。
塩水中のストロンチウムは、水銀性電解において水銀バ
ターの形成を防止したり、隔膜法電解において陽極摩耗
を防止する為に3重量%ないし15ppmのストロンチ
ウムを0.3pp膳ないし0.4pp腸まで精製するこ
とが提案されている。
(米国特許第395491号、特開昭52−94897
号)塩水中のCa及びlegは、キレート樹脂塔を用い
ることにより除去できるが、(米国特許第420274
3号)、キレート樹脂塔の運転条件を適切に選ぶことに
より0.1ppm以下更には0゜O1ppm以下までス
トロンチウムを除去することが出来る。しかし、不必要
にストロンチウムを除去することは塩水精製費の増大を
招くので好ましくない。
ストロンチウム及びバリウムは、その水酸化物の溶解度
がカルシウム或はマグネシウムの水酸化物のそれよりか
なり高いが故に膜に沈着せず、性能に影響を及ぼさない
と考えられていた。
[発明の解決しようとする問題点] 本発明者らは、パーフルオロカルボン酸基を陰極側に有
するパーフルオロカチオン膜をもちい、小型電槽をもち
いて塩水中のカルシウムとマグネシウムの濃度を例えば
1Oppb以下に保ちつつ電解性能を維持するのに必要
な条件について種々検討を行なった。
その結果、塩水中のストロンチウム濃度が高い場合、膜
に沈着し、効率の低下を招くこと、及び、このストロン
チウムの影響は塩水中のシリカ濃度にも大きく依存する
ことが判明した。
かかる現象は電解エネルギーの増大を招くので好ましく
ない。
本発明の目的は、膜の電流効率を長期に維持せしめる方
法を新規に提供することにある。
〔問題点を解決するための手段] 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、パーフルオロカチオン膜をもちいた食塩電解により
30%以上の濃度の苛性ソーダ水溶液を取得するにあた
り、供給塩水中のストロンチウム濃度を0.1pp腸以
下にすることを特徴とする電解方法を提供するものであ
る。
ここでいうパーフルオロカチオン膜とは、膜の全部又は
少なくとも陰極に対向する面がパーフルオロカルボン酸
ポリマーからなる膜を意味する。陰極側にパーフルオロ
カルボン酸基を有する膜は、高濃度苛性ソーダを高電流
効率で取得できるので好ましい、低抵抗、高電流効率で
苛性ソーダを取得し、かつ、実用上に膜強度を賦与する
為に、陰極側ポリマーよりイオン交換容量の大きいパー
フルオロカルボン酸ポリマーまたは含水率のより高いパ
ーフルオロスルホン酸ポリマーを陽極側にもちいた謂ゆ
る非対称構造を有し、布、耐触性フッ素樹脂からなるミ
クロフィブリル又は不織布等で補強することが知られて
いる。
本発明において、上記各層を構成するカルボン酸型パー
フルオロカーボン重合体及びスルホン酸型パーフルオロ
カーボン重合体としては、上記の特定要件を満足する限
り、従来より公知乃至周知のものなど特に限定されるこ
となく種々採用され得る。好適な実施態様においては、
以下の(イ)、(ロ)の構造からなる重合体の使用が好
ましい。
(イ)  (CFz−CFX ) 、  (ロ)(:C
Fz−CX)ご覧で、XはF又は−CF3 、好ましく
はFであり、Yは次のものから選ばれる。
+CF?)XA、  −0(−CF2)xA、  (0
−CF2−CF)、A。
−Ch −04CF2矢、A。
−O(CF2−0F−0汽(CF2)xA。
r X、L Zは、ともに0〜10であり、Z及びRfは−
F又は炭素数1−10のパーフルオロアルキル基から選
ばれる。また、Aは一303M、 −COON又は加水
分解によりこれらの基に転化しうる−503 F 。
−CM、−COF又は−〇〇ORであり、Xは水素又は
アルカリ金属、Rは炭素数1〜lOのアルキル基を示す
本発明に使用する膜は、その全体の厚さ60〜350 
ミクロン、好ましくは 100〜300 ミクロンのも
のが採用され、必要により、好ましくはポリテトラフル
オロエチレンなどからなる布、網などの織布、不織布、
又は金属製のメツシュ、多孔体などで補強することがで
きる。
また、特開昭53−目9881号、同54−1283号
、同54−107479号、同54−157777号公
報などに記載されているポリテトラフルオロエチレンの
フィブリル化繊維あるいは特開昭58−7111110
号公報などに記載されている酸型官能基含有モノマーを
少量共重合して変性したポリテトラフルオロエチレンの
フィブリル化繊維をブレンドして補強してもよく、その
他低分子量体の配合による補強を採用してもよい、更に
、本発明の膜は、その表面を粗面化したりあるいは金属
酸化物粒子からなる電極活性を有しない多孔質薄層をそ
の表面に形成することなども可能である。
本発明において、上記の如き各種補強手段を採用する場
合には、これをカルボン#膜主体層に適用するのが望ま
しい。
本発明においては、各層を製膜したりあるいはブレンド
共存8Mにおける混合を行なったりする場合には、従来
より公知乃至周知の種々の方法にて行なわれ得る0例え
ば、イオン交換基含有パーフルオロカーボン重合体の水
性ディスパー ジョンや有機溶液、有機ディスバージ、
ンなどを使用して混合を湿式で行なったり、かへる有機
溶液や有機ディスバージ、ンなどからキャスト法などで
製膜することなども可能である。勿論、トライブレンド
方式の採用や加熱溶融成形により製膜することもできる
。加熱溶融成形による各層の製膜の際に、原料重合体は
その有するイオン交換基の分解を招かないような適宜の
イオン交換基の形態、例えばカルボン酸基のときは酸又
はエステル型で行なうのが好ましく、またスルホン酸基
のときは一5O3F Mで行なうのが好ましい、さらに
は、jXX重重合体予め加熱溶融成形してペレット化し
、それを押出成形やプレス成形などにより製膜すること
もできる。
本発明に使用する複層型膜は、通常は、カルボン酸膜主
体層、スルホン酸膜表面層、カルボン酸膜表面層、及び
必要に応じ共存膜層やカルボン酸膜中間層を、夫々別々
に所定のフィルム状に製膜し、これら各層を積層一体化
することによって製造され得る。各層を積層一体化する
方法としては、平板プレス、ロールプレス等が挙げられ
る。積層プレス温度は60〜280℃、圧力は平板プレ
スで0.1−100 kg/cm″、ロールプレステ0
.1〜100 kg/crn’にて行なわれる。
本発明に使用する複層型膜は、各種の電解において広範
囲に使用されるが、かかる際には。
いずれの形式の電極も使用される0例えば、多孔板、網
又はエキスパンデッドメタルなどの空隙性電極が使用さ
れる。空隙性電極としては長径1.0”l0m5+、短
径0.5〜lO1腸、線径0.1〜1.3 vr腸、開
孔J30〜80%のエキスパンデッドメタルが例示され
る。また、複数の板状電極を使用することもできるが、
゛空隙度の違う複数枚の電極を使用して空隙度の小さい
ものを膜に近い側に使用するのが好ましい。
陽極材質としては、通常白金族金属、その導電性酸化物
又はその導電性還元酸化物等が使用され、一方陰極とし
ては白金族金属、その導電性酸化物又は鉄族金属等が使
用される。なお、白金族金属としては白金、ロジウム、
ルテニウム、パラジウム、イリジウムが例示され、また
鉄族金属としては、鉄、コバルト、ニッケル。
ラネーニッケル、安定化ラネーニッケル、ステンレス、
アルカリエツチングステンレス(特公昭54−1922
9号公報)、ラネーニッケルメッキ陰極(特開昭54−
112785号公報)、ロダンニッケルメッキ陰極(特
開昭53−115876号公報等)が例示される。
空隙性の電極を使用する場合は、該電極は上記陽極又は
陰極を形成する物質それ自体からこれを形成することが
できる。しかし、白金族金属又はその導性酸化物等を使
用するときには通常チタンやタンタルなどの弁金属のエ
キスノくンデッドメタルの表面にこれらの物質を被覆せ
しめて形成するのが好ましい。
電極を配置する場合、電極は複y#型膜に接触して配置
しても、また適宜の間隔をおいて配置してもよい、電極
はむしろイオン交換膜面に強固に押圧するよりも、電極
はイオン交換膜面に例えば0〜2.0 kg/cm″に
て好ましくは緩かに押接される。
本発明に使用する電解槽は、単極型でも複極型でもよい
、また電解槽を構成する材料は1例えば塩化アルカリ水
溶液の電解の場合には陽極室の場合には、塩化アルカリ
水溶液及び塩素に耐性があるもの、例えば弁金属、チタ
ンが使用され、陰極室の場合には水酸化アルカリ及び水
素に耐性がある鉄、ステンレス又はニッケルなど使用さ
れる。
本発明に使用する複層覆膜を使用して塩化アルカリ水溶
液の電解を行なうプロセス条件としては、既知の条件が
採用できる0例えば陽極室には好ましくは2.5〜5.
0規定(N)の塩化アルカリ水溶液を供給し、陰極室に
は水又は稀釈水酸化アルカリを供給し、好ましくは80
〜120℃、電流密度10〜100A/drn’で電解
される。かかる場合、塩化アルカリ水溶液中のカルシウ
ム及びマグネシウムなどの重金属イオンは、イオン交換
膜の劣化を招くので、可及的に小さくせしめるのが好ま
しい、また、陽極における酸素の発生を極力防止するた
めに塩酸などの酸を塩化アルカリ水溶液に添加すること
ができる。
本発明者らは、Hの高電流効率を長期に維持せしめる方
法について検討を重ねた結果、少くとも陰極に対向する
面にパーフルオロカルボン酸基をもちいた食塩電解によ
り30%以上の濃度の苛性ソーダ水溶液を取得するにあ
たり、供給塩水中のストロンチウム濃度をO,lpp■
以下にすることにより電流効率が維持できることを見出
した。更にストロンチウムの影響は塩水中にシリカが共
存することにより助長されるので、シリカ濃度が高い場
合にはストロンチウム濃度を、更により低く保つE′と
が好ましいことを見出した。即ち、シリカ濃度が10p
pm以上 ではストロンチウム濃度を20/ppb以下
に保ち、シリカ濃度が1〜5ppmでは80ppb以下
、シリカ濃度がtpp■以下ではストロンチウム濃度を
100ppb以下に保つ4とが効果が顕著であるので特
に好ましい。
本発明において取得苛性ソーダ濃度が30%以下の場合
は、ストロンチウムが膜に沈着せずに通過しやすくなる
ので本発明の効果は顕著でない、また、生成苛性ソーダ
を製品苛性ソーダ50%まで濃縮する為のエネルギーが
増加するので好ましくない、32〜38%と高濃度の苛
性ソーダをイオン膜性で製造することは、濃縮エネルギ
ーが少なくてすむので工業的に有利である一方、ストロ
ンチウムも膜内に沈着しやすくなるので特に本発明の効
果が顕著である。
[作用] 本発明において、供給塩水中のストロンチウム濃度を低
下させることによる電流効率の維持効果は、膜に侵入し
たストロンチウムが沈着せずに通過すること、及び/又
はストロンチウムの膜に侵入する速度が低く、長期電解
しても電流効率に影響する程度まで沈着しないことによ
るものと考えられる。
特に塩水中にシリカ又はシリケートが共存する場合は、
ストロンチウムシリケートが水酸化ストロンチウムより
苛性ソーダ水溶液に対する溶解度が低いため、特にスト
ロンチウムが膜に沈着しやすくなるものと考えられる。
[実施例] 実施例1 テトラフルオロエチレンと Ch−CFO(CF2)3 COOCH3を触媒重合せ
しめ、イオン交換容量1.44meq/g及び1.25
meq/gである共重合体を得た。前者の共重合体をA
、後者の共重合体をBとする。共重合体Aを押出成型し
、厚さ 200ルのフィルムを得た。該フィルムをA−
1とする。共重合体Bを押出成型し、厚さ20μのフィ
ルムを得た。該フィルムを8−1 とする、フィルムA
−1とフィルムB−1を熱ロールプレスにより積層し、
複合膜を得た。
一方、粒径1uLの酸化ジルコニウム粉末10部、メチ
ルセルロース(2%水溶液の粘度1500センチポイズ
)0.4部、水19部、シクロヘキサノール2部および
シクロヘキサノン1部を含む混合物を混練してペースト
を得た。該ペーストをメッシ数200、厚さ75絡のテ
トロン製スクリーン、その下に厚さ30ルのスクリーン
マスクを施した印刷板及びポリウレタンスキージを用い
て、前記積層して作成したイオン交換膜のAポリマー2
00川側の面にスクリーン印刷した。膜面に得られた付
着層を空気中で乾燥した。
一方、かくして得られた多孔質層を有する膜の他方の面
に同様にして、平均粒径0.3鉢のβ−炭化ケイ素粒子
を付着させた。しかる後、温度140℃、圧力30kg
/ctn’の条件で各膜面の粒子層をイオン交換膜面に
圧着することにより、膜の陽極側面及び陰極側面には、
酸化ジルコニウム粒子及び炭化ケイ素粒子が、それぞれ
膜面1crn’当りそれぞれ1.0部g、 1.0層g
付着したイオン交換膜を作成した。
該層を25%苛性ソーダ水溶液で70℃、18時間加水
分解を行ないナトリウム型のイオン交換膜とした。
かくして得られた膜のA−1層の側に、チタンのパンチ
トメタル(短径21層、長径5@−)に酸化ルテニウム
と、酸化イリジウムと酸化チタンの固溶体を被覆した低
い塩素過電圧を有する陽極を、またB−1IJ側にはS
US 304製パンチトメタル(短径2層厘、長径5厘
層)にルテニウム入りラネーニッケル(ルテニウム5%
、ニッケル50%、アルミニウム45%)を電着して、
低い水素過電圧を有するようにした陰極を陽極と0.5
鵬濡離して配置し、陽極室に300g/ lの塩化ナト
リウム水溶液を、陰極室に水を供給しつつ陽極室の塩化
ナトリウム濃度を200g/4に、また陰極室の苛性ソ
ーダ濃度を35重量%に保ちつつ、90℃、30 A/
drrfの条件で電解を行った。有効膜面積は0.25
dm″であった。5日間電解を行ない、初期電流効率が
96±0.33%であることを確認した後、供給塩水を
ストロンチウム及びシリカを含み、かつCa及びM、濃
度が夫々10 P PJ以下である塩水に切り替えて電
解を行なった。
ストロンチウム及びシリカ濃度は、それぞれ塩化ストロ
ンチウム及び、無水ケイ酸ソーダを塩水に溶解させて所
望の濃度に調整した。電解を終了した後、膜を塩酸−酢
酸混合水溶液にて抽出し、膜内沈着物を定量した。
試験結果を第1表に示す。
第1表よりストロンチウム濃度をO,lppm以下に保
つと電流効率が低下しないことがわかる。
特に塩水中のシルカ網度が低いとストロンチウムの沈着
量が少なくなるので長期間にわたり電流効率の低下が起
こりがたいことが予想される。
実施例2 テトラフルオロエチレンと CF2・CFO(CF2 ) 3 COOCH3を触媒
重合せしめ、イオン交換容量1.44meq/g及び1
.25meq/gである共重合体を得た。前者の共重合
体をA、後者の共重合体をBとする。一方テドラフルオ
ロエチレン、!: CF2−ICFOCF?OF (C
F3 )O(CF2) 2 SO2Fも触媒重合せしめ
イオン交換容量1.1量eq/ Hの共重合体を得た。
該重合体をCとする。共重合体Aと共重合体Ct−1:
 1にブレンドした後熱ロール混練したものをDとする
。押出成型法により夫々Aより膜厚18iのフィルムE
、Bより膜厚20ルのフィルムF、Cより膜厚20uL
のフィルムG、Dより膜厚15pのフィルムHを得た0
次いで各フィルムをG、H,E、Fの順に重ね合せ熱ロ
ールを用い200°Cで積層した。該積層膜を実施例1
と同じ方法でG層の側に酸化ジルコニウム粒子、F層の
側に炭化ケイ素を付着させた。
線膜を実施例1と同様な方法で加水分解を行ない電解試
験を行なった。電流密度30A/drn’ 、陽極室塩
化ナトリウム濃度を200g/ l、陰極室の苛性ソー
ダ濃度を35%に保ちつつ80℃で電解を行なった。実
施例1と同様な方法でストロンチウム添加電解試験と膜
分析を行なった。
試験結果を第2表に示す。
ストロンチウム添加前の電流効率はいずれもS8土 0
.3%であった。
第2表よりストロンチウム濃度を 0.lppm以下に
保つと電流効率が低下しないことがわかる。特に塩水中
のシリカ濃度が低いとストロンチウムの沈着量が少なく
なるので長期間にわたり効率低下が起こりがたいことが
予想される。
実施例3 テトラフルオロエチレンと CF2 =GFOCF20F CCF3 )0(CF2
 )2000G)1zの触媒重合により、イオン交換容
−fILO,9(1量eq/gである共重合体Aを得た
。テトラフルオロエチレンとCF2−CFOCF2 C
F (CF3 ) 0CF20F2 S02 Fの触媒
重合により、イオン交換容lO,91meq/gである
共重合体Bを得た。ポリマーAとポリマーBを夫々押出
成型し、Aポリマーからなる50pのフィルムとBポリ
マーからなる 200弘のフィルムを得た。
両フィルムをエンボスロールを用いて積層し、両表面に
微細な凹凸のある複合膜を得た。
該層をジメチルスルホキシド−KO)l混合水溶液で、
80℃20分間加水分解を行ないイオン交換膜とした。
実施例1と同様な方法で積層膜のAポリマー側を陰極に
対向せしめてストロンチウム添加電解試験と膜分析を行
なった。
試験結果をN43表に示す。
ストロンチウム添加前の電流効率は85.7±0.3%
であった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)パーフルオロカチオン膜をもちいた食塩電解によ
    り30%以上の濃度の苛性ソーダ水溶液を取得するにあ
    たり、供給塩水中のストロンチウム濃度を0.1ppm
    以下にすることを特徴とする電解方法。 (2)パーフルオロカチオン膜がイオン交換基としてカ
    ルボン酸型パーフルオロカーボン重合体のみからなる特
    許請求の範囲第1項の電解方法。 (3)パーフルオロカチオン膜が、陽極に面する側のイ
    オン交換容量が陰極に面する側のイオン交換容量よりも
    大きなパーフルオロカーボン重合体からなる非対称膜で
    ある特許請求の範囲第1項の電解方法。 (4)パーフルオロカチオン膜が、陰極に面する側はカ
    ルボン酸型パーフルオロカーボン重合体から成り、陽極
    に面する側は、スルホン酸型パーフルオロカーボン重合
    体からなる非対称膜である特許請求の範囲第1項の電解
    方 法。 (5)パーフルオロカチオン膜がフィブリル、織布又は
    不織布等で補強された膜である特許請求の範囲第1項の
    電解方法。 (8)パーフルオロカチオン膜が、その表面が粗面化さ
    れたものであるか、その表面に金属の酸化物または炭化
    物粒子からなる電極活性を有しない多孔質層を形成せし
    めたものである特許請求の範囲第1項の電解方法。 (7)供給塩水中のシリカ又はシルケートの濃度が15
    ppm以下である特許請求の範囲第1項の電解方法。 (8)供給塩水中のシリカ又はシリケートの濃度が7p
    pm以下である特許請求の範囲第1項の電解方法。
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