JPS6123484B2 - - Google Patents

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JPS6123484B2
JPS6123484B2 JP56018854A JP1885481A JPS6123484B2 JP S6123484 B2 JPS6123484 B2 JP S6123484B2 JP 56018854 A JP56018854 A JP 56018854A JP 1885481 A JP1885481 A JP 1885481A JP S6123484 B2 JPS6123484 B2 JP S6123484B2
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JP
Japan
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diffraction pattern
diffraction
pivot
plane
lever
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JP56018854A
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English (en)
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JPS56129802A (en
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Peeta Kurainkunehito Hansu
Maiya Hainritsuhi
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RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
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Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of JPS56129802A publication Critical patent/JPS56129802A/ja
Publication of JPS6123484B2 publication Critical patent/JPS6123484B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T74/00Machine element or mechanism
    • Y10T74/18Mechanical movements
    • Y10T74/18888Reciprocating to or from oscillating
    • Y10T74/1892Lever and slide
    • Y10T74/18936Slidable connections

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は基板上に配置された材料の回折パタ
ンの横幅を光学的に検査する装置に関する。
米国特許第4200396号明細書には、基板上で回
路パタンに隣接する部分上にあつてテストパタン
として作用する回折パタンを形成する線の幅を検
査することによつて、回路構造の横幅寸法を測定
するために、集積回路ホトマスクやウエハ上の回
折テストパタンを検査する装置とその使用法が記
載されている。回折格子テストパタン上の線幅を
検査する利点は微細な線構造の幅を迅速正確に決
定し得ることである。この回折格子を利用する光
学的技法以前には、集積回路技法で基板上に形成
された回路の各線の測定を、それに限らないが一
般に光学顕微鏡を用いて行つていた。光学顕微鏡
は集積回路の線幅の測定には時間がかかり、また
操作員の判定を必要とする。2μ以下の線幅の測
定を手動の光学顕微鏡を用いて精密に行うのは困
難であるが、これに対して上記米国特許明細書記
載の方式による回折格子パタンに関する検査は、
レーザービームにパタンを露出し、回折次数の異
なる2つのビームの強度を測定すればよく、この
測定はマスクについては透過式で、ウエハについ
ては反射式で行うことができる。このようなパタ
ンにおける線幅は0.6μという細線に対して±5
%の精度で測定できる。回折次数の異なるビーム
の強度測定により算出される線幅の値は次式によ
つて決定される。
ここでaは回折格子を構成する条線の線幅、d
は格子の周期、I2は2次回折ビームの強度、I1
1次回折ビームの強度である。
この発明によれば、検査すべき回折格子の条線
に直交する平面上に、回折ビームの強度を測定す
る検知器を自由に移動できるように配置する。
以下添付図面を参照しつつこの発明をさらに詳
細に説明する。
第1図は複数本の条線で構成された回折テスト
パタン34を示す。この回折格子34は第1b図
にさらに詳示されるように基板34cの表面34
b上の材料層をエツチングして形成される。各条
線34aの幅はa、周期はdで、この格子の形成
法は上記米国特許明細書に記載されている。
テストパタン34は通常一辺が約0.2〜0.5mmの
正方形で、格子周期dに対してa/dの比は0.25
または0.75にほぼ等しくなければならない。式(1)
からこの比についてa/dの比が僅か変化しても
I2/I1の比が大きく変ることが判る。この点にお
いてa/d≒0.25またはa/d≒0.75が最高の感
度を与える。この回折格子テストパタンを用いる
レーザ技法の信頼度は検査試料の内部反射を避け
ることにより向上するが、このために第1図に示
すようにブリユースタ入射角ζを用いる。
tanζ=n (2) ここでζは入射角、nは基板34cの材料の屈
折率で、レーザービーム49の偏光面は第1a図
に示すように入射平面内にある。
レーザービーム49aは格子が不透明基板34
cを持つウエハ上にあるときに用いられ、0次、
1次および2次の回折ビームを表わす反射回折ビ
ーム50,52,54を発生する。テストパタン
がガラスのような透明材料の基板を用いたマスク
上にあるときは、テストパタンの下側からレーザ
ービーム49を通過させて回折ビームを発生す
る。1次および2次の回折ビームを表わす回折ビ
ーム52,54がこの発明の実施に用いるのに好
ましいが、必要に応じてさらに高次の回折ビーム
を用いることもできることを理解すべきである。
この発明によれば、回折格子テストパタン34
の平面の延長に直角または垂直な、換言すれば格
子線34aに直角な平面60上に設けられたホト
ダイオードを可とする検知器56,58によつて
1次ビーム52と2次ビーム54がそれぞれ検知
される。検知器56,58は円弧62に沿う両者
の間隔が後述のように回折格子周期dによつて予
め決定されるように移動自在に配置されている。
さらにその円弧状径路62に沿つて検知器を正し
く位置決めするために、点Pを平面60上の基準
として用いる。この点Pは回折パタン34の条線
の1本を格子線34aの方向に延長したg線64
が平面60と交つて決まる。0次回折ビーム50
は円弧62に沿つて線64に垂直な位置の点62
aで平面60に交わることに注意されたい。次に
テストパタン34に対して検知器を位置決めする
方法を説明する。
第2図a,b,cはこの発明の装置の一般構造
の推奨実施例を示す。ここに説明する特定の試験
装置はマスクの検査用で透過式で働らく。この試
験装置10はHe−Neレーザ(従つて波長0.6238
μ)を可とする偏光レーザ12を含み、これによ
つて発生された単色光ビーム49は鏡面16で反
射されてチヨツパ18を通る。このチヨツパ18
は光ビームを公知の方式で約1000Hzで断続するも
のが望ましく、ロツクイン増幅器48(電子回路
20に含まれ、第7図について後述する)がこの
断続光ビームにより発生される交流信号だけを拾
うように同調されているとき背景の雑音を減じ
る。チヨツパ18により発生された基準電圧はロ
ツクイン増幅器48に供給される。
電子回路20は電動機操作用の制御手段、種々
の信号を増幅し、検知器56,58の信号を処理
する増幅器並びに線幅aを決定し、要すれば線幅
aを所定値と比較して所要基準に対する線幅誤差
を表示するコンピユータを含んでいる。このよう
な機能を電子回路20は公知の適当方式で構成さ
れている。第7図は後述のようにこの発明の実施
に有用な代表的電子回路の回路図である。
チヨツパからの光は適当に付勢されたシヤツタ
22と、レーザービームを平行化してビームの発
散をすべて補償するビーム視準器24を通過した
後、鏡面26,28,30でそれぞれ反射されて
テストパタン34を通る。ビーム49はパタン3
4を上述のブリユースタ入射角で通過することが
望ましい。この格子パタンを通過したビーム49
は0次ビーム50、1次ビーム52、2次ビーム
54およびより高次の回折ビーム(図示せず)を
生ずる。
1次ビーム52と2次ビーム54はテストパタ
ン34の格子線34aの延長に垂直な平面60上
のホトダイオード56,58にそれぞれ入射す
る。
検知器56,58は、後述のように、頂点T
(第1図)が回折格子34の平面上にあり、旋回
軸()が格子線34aに沿う正円錐の共通円
弧62上に設けられていることに注意すべきであ
る。
ホトダイオード検知器56,58は電子回路2
0(第7図)のロツクイン増幅器48に適当に接
続され、各検知器の強度I1,I2が測定されて式(1)
に依つて処理され、後述のマイクロプロセツサ6
5(第7図)によつて線幅aが決定される。
マスク32上のテストパタンをビーム49内に
正しく位置決めするために、マスク支持台33は
架台35上を通常のXYマニピユレータで移動し
得る適当な機構(図示せず)を有する。架台構体
35の全体が案内棒38上を両限位置間で移動さ
れる。その一方の位置36は第2図aに実線で示
す左側にあつてパタン34がレーザービーム49
を遮る位置であり、以下便宜上36′で示す他方
の位置は右側にあつて点線で示されている。この
位置36′ではマスク32が顕微鏡40の下に
来、その顕微鏡は適当な十字線接眼レンズを有
し、マスク32を顕微鏡の光軸に対して手動で方
向位置決めするようになつている。この2つの位
置の幾何学的関係は、操作員が最初架台を右位置
36′(配向位置)に滑らせてマスク支持台33
のXYマニピユレータを調節し、テストパタンが
顕微鏡40の十字線の中央に来、格子線34aが
検知器56,58を含む面60に垂直に整合され
るようにし得るようになつている。然る後架台を
左位置(測定位置)36に移動すると、テストパ
タン34は自動的にレーザービーム49と正しく
一直線上に位置決めされる。この正しい位置決め
を達成する方法を以下に述べる。
簡単に言えば、架台35の位置36′から36
への移動は始動スイツチ66と電動機駆動回路6
7(第7図)に応じて電動機76(第3a図,第
7図)により行われる。架台が左位置36に来る
ときスイツチ77が作動して線幅aを決める測定
動作を開始する。この左位置36ではさらに架台
35が第2図a,bに示す装置の左位置を蔽う外
被(図示せず)により形成される遮光箱に完全に
封入されることが望ましい。このようにこの配置
によれば装置が顕微鏡40を含む位置を除いて完
全に包囲される。さらに架台35がこの位置にあ
るときレーザービーム49のシヤツタ22を開く
適当なレバー46を作動させる手段が設けられて
いる。この構成により与えらる機械的連動手段は
例えば米国保健教育厚生省により設定された放射
線保健の最も厳しい条件に合うように働らくこと
が判る筈である。
次にこの装置の成分のいくつかを詳細に説明す
る。想像されるように、XYマニピユレータ(図
示せず)やマスク支持台33を乗せた架台35は
精度と安定度のために比較的重いから、これを第
2図aに示す両端位置36,36′でこのデリケ
ートな装置に衝撃を与えないで一方の位置から他
方の位置に移動させることは均一な電動機駆動に
よつても不可能である。この架台の移動の一端か
らの開始時は低速で大きな移動力を要し、両端間
では比較的高速で移動し、移動の終了時には比較
的低速で移動する必要があることは明らかであ
る。その上両端位置では架台35を精確に位置決
めする必要がある。これらの要件はすべて原理的
には公知形式のいわゆる「正弦運動」機構によつ
て果すことができるが、この正弦運動は一般に溝
や案内レールの緑等を滑動するピン等の素子を用
いて精密位置決めを要する架台35等の機構を支
持しており、このような機構にも極めて良好な機
械的公差と極めて平滑な表面が要求される上、架
台の移動中の遊びを全くなくするために極めて高
価で大型のスプリング加圧機構を必要とする。
この発明の1特徴によれば、正弦運動機構が通
常の回転軸受例えば球軸受上を移動する2本のレ
バー70,71(第3a図,第3b図)を有し、
この機構により特別の努力をせずに10μ以下の精
度で均一な位置再現性が得られる。第3a図に示
すように、第1のレバー70は歯車72に固定さ
れ、歯車72は架台35の外囲器または基板に取
付けられた軸(図示せず)に適当に位置決めされ
た球軸受73の周りを電動機76により回転する
ようになつている。レバー70の他端は同様な球
軸受74によつて第2のレバー71に接続されて
いる。レバー71の他端71aは球軸受75を介
して架台35の基板に取付けられている。このよ
うにしてこのレバー71の端部71dは案内棒3
8の一方に沿つて水平に移動されるようになつて
いる。歯車72は電子回路20(第7図)の制御
の下に電動機76により駆動される。
第3a図には架台35の両端位置36,36′
が点線で、中間位置36″が実線で示されてい
る。両端位置においてレバー70は端部スイツチ
77か78を作動させる。すなわち、架台位置3
6′ではレバー70,71が端から端まで一直線
に延び、レバー70の側面70tがスイツチ78
に当つてこれを点線で示す位置から作動させる。
この点線位置36′では後述の第7図の回路に適
当に接続されたスイツチ78が動作している電動
機76を停止させる。
電動機76の逆方向回転によつて到達した架台
位置36では、レバー70,71が重なり、レバ
ー70の側面70uがスイツチ77に当つてこれ
を点線で示す位置から実線で示す位置まで作動さ
せる。点線位置において第7図の回路に接続され
たスイツチ77もまた動作中の電動機76を停止
する。機械的係止部材80,81はレバー70の
機械的移動を制限して架台の両端における精確な
位置を決定する働らきをする。スイツチ77,7
8は適当な単極双投スイツチで、電子回路67,
65(第7図)に適当に接続されてその回路を付
勢し、後述のような機能を果させる。
第3b図はレバー70,71と枢支点74,7
3,75との幾何学的関係を示す。各レバーの長
さをそれぞれLa,Lbで表わし、レバー70の角
位置を角βで、架台の位置を座標yで表わす。架
台35がy=2Laの顕微鏡位置36′からy=0
のレーザービーム49の位置36まで移動する
と、角βは0゜から180゜まで変る。初等幾何学
により架台位置36は角βの関数であることが示
される。この関係は第4図にこの設計で実際に用
いたレバー70,71の長さ比(Lb/La)=
1.5:1に対するy対βの形で曲線82として示
されている。定速電動機駆動を用いて角βを0
(顕微鏡位置36′)から一定割合で増大すると、
距離yは最初極めて緩漫に増大するが、移動の中
間帯では次第に速さを増し、最後に架台のレーザ
ー位置36に対応する180゜に近付くと速さが低
下する。
さらにまた架台位置36′,36に対するレバ
ーの両端位置は、0゜および180゜と僅か異なる
角βで架台35の移動が停止しても極めて精確に
一定である。第3b図に示す幾何学的関係と上述
のレバー70,71の寸法を用いると、両端の係
止部材の位置に1mmもの誤差があつても顕微鏡位
置36′の誤差は17μに過ぎず、レーザ位置36
の誤差は3μに過ぎないことが計算される。(こ
の数値の非対称性は曲線82の非対称性に対して
追跡することができる。) 次にレーザービーム49がホトマスク32を通
過する態様を説明する。第1a図および第2図c
に示すように、レーザービーム49はホトマスク
32の下方から一般に屈折率1.5のガラスの場合
56゜の上述のブリユースタ角ζでそのマスクに入
射してそれを通過する。
第5a図,第5b図には薄いガラス板90と厚
いガラス板92(破線)を通過するビームの屈折
効果が示されている。実際にはこの発明の線幅測
定用試験装置を用いると、ガラス板の厚さがマス
クの形式の差により0.75mmも変つても問題がない
筈である。このガラス板を支持するマスク支持台
33は、テストパタン34を持つ上面33aが常
に同じ高さになるように設計することができる。
実際にはパタン34自体はガラス板に比して薄い
(1μ)が、ガラス板の厚さの違いによつてレー
ザービームが第5a図に示すように僅かに変位す
る。この変位は屈折率n=1.5で厚さの差0.75mm
の場合、Δx=0.625mmである。このレーザービ
ームの変位は第5b図に示すようにこれに対応し
て鏡面30を位置30aから30bに変位させる
ことにより補償相殺しなければならない。この鏡
面は適当な表示器を持つ較正用マイクロメータに
よつて移動し得る小型架台29に乗せることによ
り適当に変位される。このようにすると、ガラス
90,92の屈折率と厚さが既知であれば、テス
トパタン34を通るレーザービーム49に適正な
屈折を起させる鏡面30の正しい位置を計算する
ことができる。ブリユースタ角ζで入射すると上
述のようにガラス板を通過するレーザービームの
不都合な内部反射が防除される。
マスク32の面と回折格子テストパタン34の
格子線に対して垂直な平面60上に光検知器5
6,58を置くことによつて2つの顕著な利点が
得られる。第1に、比較的簡単な機構を用いて、
単にダイヤルその他の適当な表示器(例えばスイ
ツチ42)を既知の正しい格子定数dに設定すれ
ば、検知器56,58が1次と2次の回折ビーム
52,54を遮る正しい位置に設定される。第2
に、この構成によると、すべての格子定数におい
て1次と2次の回折ビームが垂直に入射するよう
に光検知器56,58を配向することができる。
これらの利点の生じる理由は前述(第1a図,
第1b図)のように全回折ビームが円錐の半分を
形成するという事実である。この現象は実験的に
確認されており、通常の干渉理論で説明すること
もできる。全次数の回折線が入射角ζ一定の場合
一点の半径62bの円に沿つて垂直平面60と交
わることが判る筈である。軸TP(第1a図)の
周りに回転し得るレバー100,102にホトダ
イオード56,58を取付け、これをそのレバー
上においてテストパタン34上の点Tを向くよう
に配向した理由はこれである。このように構成す
るとすべての回折ビームが検知器56,58を始
めとする全使用検知器に垂直に入射するようにな
る。
第6図に示すレバーの構造を説明する前に、こ
の発明の原理の他の特徴を説明する。第1a図に
おいて半径62bから平面60と交わる1次およ
び2次の回折ビーム52,54までの距離を表わ
す水平距離X1およびX2は次式で与えられる。
X1=gλ/sinζ・d (3) X2=2gλ/sinξ・d (4) ここでgは(第1a図では破線64で示す)格
子34と平面60との距離すなわち距離、λ
はレーザの波長で、この実施例では0.6328μであ
る。
この実施例の諸定数によると、距離X2は距離
X1の2倍であり、どちらも格子定数dと共に同
様に変る。換言すれば、後述のように格子定数を
試験のため変える必要があれば、これに従つて距
離X1,X2を第6図の機構により変える。
この実施例では入射レーザービーム49が第1
a図に実線で示すようにテストパタンを通過す
る。この装置はいわゆる透過型回折におけるホト
マスク等の透明試料の線幅測定に用いられるが、
上述のようにウエハ等の不透明試料の反射型回折
にも同じ線幅測定理論を使用することができる。
後者の場合は第1a図に示すように入射ビーム4
9aがウエハ面34で角ζで反射される。この反
射型によるウエハの線幅測定を行うには鏡面1
6,26,28,30の位置決めをやり直す必要
があることは言うまでもない。従つて実際にはウ
エハとマスクの検査に両用の試験装置を備えるよ
り、各別の試験装置を用いる方が実用的である。
次に第6図について検知器の位置決め用レバー
機構を説明する。レバー100,102は平板6
0の外被構体に適当に結合された軸受104に取
付けられている。レバー100,102にそれぞ
れ取付けたピン108,109を案内するため
に、案内部材106には溝孔107が設けられ、
この案内部材106はその両端113,114に
取付けられた案内線112のかかる溝車110,
111を含むプーリ系により水平に移動される。
溝車110はマイクロプロセツサ65および電動
機制御器68(第7図)の制御の下に電動機11
5によつて駆動される。
レバー102,100の各角位置は軸受104
の位置する点Pからピン108,109までの距
離C1,C2によつて決まる。案内部材106はプ
ーリ系により水平に移動するが、電動機115に
よる溝車110の回転位置によつて、初等幾何学
により検知器56,58の位置が決まる。このよ
うにしてC1:C2=2:1のときは前述の式(3),
(4)により要求されるようにX1:X2=1:2にな
る。従つて溝車110の回転位置は式(3),(4)に従
い、格子定数dによつて較正することができる。
レバー機構や溝車の精度はホトダイオード56,
58の有効面積が充分大きければそれほど高い必
要はない。この発明の原理を応用した実際の実施
例では、1辺10mmの正方形のホトダイオードが1
次および2次の回折ビーム52,54を極めて満
足に遮る動作をした。
試験装置10の動作を第7図の略示ブロツク図
について説明する。まず架台35は位置36′に
あり、試験すべきマスク32が操作員によりマス
ク支持台33に挿入されているとする。通常の
XYマニピユレータを用いてテストパタン34の
中心T(第1a図)が顕微鏡40の接眼レンズの
十字線と一致するようにマスク32を調節する。
テストパタン34を持つマスク32を位置決め
する場合、パタンの線34aが顕微鏡の十字線の
Y方向に一致するように回転して調節することが
できる。マスクの方向を調節した後、第2図a,
bに示す外囲器に取付けた始動スイツチ66を入
れて電動機制御回路67を介し電動機76を付勢
する。電動機76は第3a図について上述した歯
車およびレバー機構を用いて架台を位置36′か
ら36に駆動する。スイツチ77はまた作動時に
電路84を介してマイクロプロセツサ65のプロ
グラムを開始する。マイクロプロセツサ65は第
2図a,bに示すように外囲器に取付けた入力ス
イツチ42からd値を読取つて電路85を介し検
知器駆動用電子回路68に適当な指令を与え、第
6図について上述したように選ばれたd値に従つ
て光検知器56,58を位置決めするステツプ電
動機115を制御する。
その中に架台が位置36に達すると、架台35
とシヤツタ22を連結する機械的結合手段46に
よつてシヤツタ22が作動し、シヤツタ22が開
くと適当な連続動作モードのレーザ12からチヨ
ツパ18を介して鏡面30にビーム49が照射さ
れ、これが回折格子34(第1a図,第1b図)
を通つて回折ビーム群50,52,54を生ず
る。
回折ビーム52,54に応ずる検知器56,5
8の出力信号I1,I2はそれぞれ電路86,87を
介してロツクイン増幅器48に印加される。この
増幅器48の増幅出力信号は電路88を介してマ
イクロプロセツサ65に供給され、マイクロプロ
セツサ65はこの信号を入力スイツチ42から読
取られたd値と組合せ、式(1)による適当な見取表
または必要に応じて式(1)を直接用いて線幅aに対
する値を計算する。ここで得られた線幅aは第2
図a,dに示すように外囲器10に取付けた表示
器44に表示される。この線幅aはまた必要に応
じて電路89を介し処理制御装置90に送り、所
要の用途に供することもできる。
【図面の簡単な説明】
第1a図はこの発明により回折格子による単色
ビームの透過または回折によつてテストパタン面
と格子線の双方に垂直な表面上に配置された1対
の検知器に入る回折を示す略図、第1b図は第1
a図のテストパタンの線1b−1cに沿う部分断
面図、第2図a,bおよびcはそれぞれこの発明
の1実施例による装置の平面図、正面図および側
面図、第3a図は第2図aの装置の一部を示す
図、第3b図は第3a図の装置の幾何学的関係を
示す略図、第4図は第3b図の角βと架台の位置
yの関係を示す曲線図、第5a図および第5b図
は第2c図に示す鏡面の1つと第1図に示す回折
格子テストパタンとの角関係を示す略図、第6図
は回折ビーム強度検知器を可動的に位置決めする
装置の略図、第7図は第2図aの電子回路20を
示す略図である。 34……回折パタン、34a……条線、56,
58……検知器、65……線幅決定手段、10
0,102……検知器移動手段。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 線幅aを有する材料の条線を周期dをもつて
    互に間隔を隔てゝ平面的に配列して成る回折パタ
    ンを単色光のビームに露出してそのビームを各種
    次数の回折ビームに回折させる手段と、その回折
    ビームの少なくとも2つの強度を測定して少なく
    とも2つの強度信号を得るための検知器を含む検
    知手段と、上記両強度信号に応じて上記線幅aを
    決定する手段とを具備し、 更に、上記回折パタンの条線に直交する平面上
    の各点に、上記回折ビームを遮断するように上記
    検知器を移動させる手段であつて、上記回折パタ
    ンの条線の延長上にこれと平行に設けられた軸の
    周りに回転できるように軸支されその一端に上記
    検知器を1個ずつ取付けた1対の軸支レバーを有
    する手段と、 上記両検知器の間隔を上記周期dに対応する所
    定値に制御する手段とを具え、 上記両検知器の間隔を制御する手段は、 上記各軸支レバー上に設けられたピンと、 上記回折パタンの条線の面と平行でかつ上記軸
    支レバー軸に対し直向する方向に自身を位置決め
    する手段を有する案内部材と、 上記案内部材中にこの案内部材の移動方向と直
    交する方向に延び、上記各ピンを受入れて上記案
    内部材が移動したとき上記レバーに軸支運動を行
    なわせる溝孔と、を有し、 各ピンと上記レバーの支軸との間の距離および
    上記案内部材の位置が上記検知器のそれぞれの位
    置を決定するようになつていることを特徴とする
    回折パタンの横幅を光学的に検査する装置。 2 線幅aを有する材料の条線を周期dをもつて
    互に間隔を隔てゝ平面的に配列して成る回折パタ
    ンを単色光のビームに露出してそのビームを各種
    次数の回折ビームに回折させる手段と、その回折
    ビームの少なくとも2つの強度を測定して少なく
    とも2つの強度信号を得るための検知器を含む検
    知手段と、上記両強度信号に応じて上記線幅aを
    決定する手段とを具備し、 上記回折パタンは所定の屈折率を有する材料よ
    り成る透明支持体上に支持されており、 更に、上記回折パタンの条線に直交する平面上
    の各点に、上記回折ビームを遮断するように上記
    検知器を移動させる手段と、 上記単色光のビームを上記支持体と回折パタン
    とを通して反射させる鏡面と、上記屈折率による
    上記ビームの偏移誤差を補償するように上記鏡面
    を位置付けするための較正された手段とを有する
    ことを特徴とする、回折パタンの横幅を光学的に
    検査する装置。
JP1885481A 1980-02-14 1981-02-09 Device for optically examining width of diffraction pattern Granted JPS56129802A (en)

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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305977A1 (de) * 1983-02-21 1984-08-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur schnellen indirekten bestimmung von fotolacklinienbreiten bei der optischen projektionsbe lichtung
US4703434A (en) * 1984-04-24 1987-10-27 The Perkin-Elmer Corporation Apparatus for measuring overlay error
US4849916A (en) * 1985-04-30 1989-07-18 Ade Corporation Improved spatial resolution measurement system and method
US4825394A (en) * 1985-05-07 1989-04-25 General Dynamics Corporation Vision metrology system
FR2594190B1 (fr) * 1986-02-07 1988-05-20 Farnier & Penin Dispositif d'accouplement d'un element mene et d'un element menant possedant des trajectoires de deplacement differentes
US4806457A (en) * 1986-04-10 1989-02-21 Nec Corporation Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device
US4815856A (en) * 1986-06-05 1989-03-28 Storage Technology Partners Ii Method and apparatus for measuring the absolute thickness of dust defocus layers
US4964726A (en) * 1988-09-27 1990-10-23 General Electric Company Apparatus and method for optical dimension measurement using interference of scattered electromagnetic energy
US5002631A (en) * 1990-03-09 1991-03-26 At&T Bell Laboratories Plasma etching apparatus and method
US5076692A (en) * 1990-05-31 1991-12-31 Tencor Instruments Particle detection on a patterned or bare wafer surface
US5114233A (en) * 1990-10-09 1992-05-19 At&T Bell Laboratories Method for inspecting etched workpieces
US5164790A (en) * 1991-02-27 1992-11-17 Mcneil John R Simple CD measurement of periodic structures on photomasks
US5337146A (en) * 1992-03-30 1994-08-09 University Of New Orleans Diffraction-grating photopolarimeters and spectrophotopolarimeters
US5361137A (en) * 1992-08-31 1994-11-01 Texas Instruments Incorporated Process control for submicron linewidth measurement
US5666201A (en) * 1992-09-18 1997-09-09 J.A. Woollam Co. Inc. Multiple order dispersive optics system and method of use
US5805285A (en) * 1992-09-18 1998-09-08 J.A. Woollam Co. Inc. Multiple order dispersive optics system and method of use
US5422723A (en) * 1992-09-21 1995-06-06 Texas Instruments Incorporated Diffraction gratings for submicron linewidth measurement
JPH07142383A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Nec Corp 現像用センサ装置
US6483580B1 (en) * 1998-03-06 2002-11-19 Kla-Tencor Technologies Corporation Spectroscopic scatterometer system
US20020030813A1 (en) * 1999-03-29 2002-03-14 Norton Adam E. Spectroscopic measurement system using an off-axis spherical mirror and refractive elements
US6057249A (en) * 1998-04-21 2000-05-02 Vanguard International Semiconductor Corp. Method for improving optical proximity effect in storage node pattern
US6184984B1 (en) 1999-02-09 2001-02-06 Kla-Tencor Corporation System for measuring polarimetric spectrum and other properties of a sample
US8531678B2 (en) 1999-07-09 2013-09-10 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and system for measuring patterned structures
IL130874A (en) * 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
US7382447B2 (en) * 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US20030052084A1 (en) * 2001-09-18 2003-03-20 Tabery Cyrus E. In-situ or ex-situ profile monitoring of phase openings on alternating phase shifting masks by scatterometry
ATE367884T1 (de) * 2001-11-06 2007-08-15 Raylase Ag Verfahren und vorrichtung zur steuerung des laserstrahlenergiemittels zweier in eine entgegengesetzte richtung drehenden brewster- elemente
JP4938219B2 (ja) * 2001-12-19 2012-05-23 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 光学分光システムを使用するパラメトリック・プロフィーリング
US6774989B1 (en) 2002-01-16 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Interlayer dielectric void detection
KR100552692B1 (ko) * 2003-10-02 2006-02-20 삼성전자주식회사 개인 정보를 보호하고 의료 연구를 지원하기 위한 의료정보 시스템 및 의료 정보 제공 방법
US7515253B2 (en) 2005-01-12 2009-04-07 Kla-Tencor Technologies Corporation System for measuring a sample with a layer containing a periodic diffracting structure
JP5350012B2 (ja) * 2009-02-27 2013-11-27 株式会社日立製作所 基板表面のパターン検査装置およびパターン検査方法
CN113048887B (zh) * 2021-03-03 2022-09-30 西北工业大学 一种基于四区域等线宽相位调制光栅的面外位移传感单元

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1005824A (en) * 1962-10-22 1965-09-29 Nat Res Dev Spectrometers employing diffraction gratings
CH482252A (de) * 1969-04-16 1969-11-30 Landis & Gyr Ag Verfahren und Vorrichtung zum Nachweis einer Oberflächenstruktur mit optischer Vorzugsrichtung, insbesondere zum Nachweis von Tiefdruck zur Echtheitsprüfung von Banknoten
GB1474191A (en) * 1974-01-21 1977-05-18 Nat Res Dev Measurement of surface roughness
US4200396A (en) * 1977-12-19 1980-04-29 Rca Corporation Optically testing the lateral dimensions of a pattern
US4236823A (en) * 1978-09-18 1980-12-02 Rca Corporation Diffractometer for measuring signal depth and width

Also Published As

Publication number Publication date
DE3103949A1 (de) 1982-01-21
US4330213A (en) 1982-05-18
GB2069691B (en) 1984-02-01
JPS56129802A (en) 1981-10-12
GB2069691A (en) 1981-08-26

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