JP5350012B2 - 基板表面のパターン検査装置およびパターン検査方法 - Google Patents
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Description
図1により、本発明の実施の形態1に係る基板表面のパターン検査装置の構成について説明する。図1は本発明の実施の形態1に係る基板表面のパターン検査装置の構成を示す構成図である。
実施の形態2は実施の形態1において、近接場光ヘッド101をプラズモン現象を用いたヘッドとしたものである。
実施の形態3は、実施の形態1において、位置ずれ以外の欠陥を検出するようにしたものである。
実施の形態4は、実施の形態1において、被検査基板900に対して近接場光ヘッド101と同じ側に検出系201を置いて、基板上パターン901からの散乱光を検出するようにしたものである。
実施の形態5は、実施の形態1において、近接場光ヘッド101と被検査基板900の相対移動を別の構成で行うようにしたものである。
Claims (13)
- 検査対象基板上の微細パターンを検査する基板表面のパターン検査装置であって、
光を照射すると周期的な近接場光を発生する微細な繰り返しパターンを有するヘッドと、
前記ヘッドと前記検査対象基板とを相対的に走査させる駆動機構と、
前記ヘッドと前記検査対象基板との間隙を一定に保つ間隙保持機構と、
前記ヘッドに光を照射する照射機構と、
前記ヘッド上の前記微細な繰り返しパターンによって発生した周期的な近接場光と前記検査対象基板の表面の微細パターンとの相互作用によって生じた散乱光強度を検出する検出系と、
前記検出系の出力に基づいて、前記検査対象基板上の微細パターンを検査する第1の信号処理部とを備えたことを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項1記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記ヘッドは、少なくとも2つの位相の異なるパターン領域を有し、
前記検出系は、前記位相の異なるパターン領域のそれぞれに対応した散乱光を個別に検出することを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項1記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記ヘッド上のパターンは、前記検査対象基板上の検査対象パターンと僅かに角度が異なるように形成され、前記ヘッド上のパターンの少なくとも2つの領域において、前記検査対象基板上の検査対象パターンとの位相が異なり、
前記検出系は、前記位相の異なるパターン領域のそれぞれに対応した散乱光を個別に検出することを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記照射機構は、全反射の条件を満たすように前記光を照射することを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記ヘッド上のパターンが前記検査対象基板上の検査したいパターンと略等しいピッチのパターンであることを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記ヘッド上のパターンが前記検査対象基板上の検査したいパターンの略整数倍のピッチを有するパターンであることを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項4〜6のいずれか1項に記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記ヘッド上のパターンが縞状のパターンであることを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項4〜6のいずれか1項に記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記ヘッド上のパターンが光近接場増強素子を1次元あるいは2次元に配置したパターンであることを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板表面のパターン検査装置において、
レーザを前記検査対象基板に照射し、前記検査対象基板の表面からの散乱光を検出する光学系と、
前記光学系の出力に基づいて、前記検査対象基板上の異物を検出する第2の信号処理部とを備えたことを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項9記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記第2の信号処理部による異物の検出結果に基づいて、前記検査対象基板上の異物検出箇所の前記駆動機構による走査の停止、または前記間隙保持機構による異物の回避を行うことを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記照射機構で照射される光は、シリコン基板を透過する1.2μmから8μmの帯域の光であることを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の基板表面のパターン検査装置において、
前記照射機構で照射される光は、クオーツ基板を透過する170nmから3.7μmの帯域の光であることを特徴とする基板表面のパターン検査装置。 - 検査対象基板上の微細パターンを検査する基板表面のパターン検査装置のパターン検査方法であって、
前記パターン検査装置全体を制御する全体制御装置により、光を照射すると周期的な近接場光を発生する微細な繰り返しパターンを有するヘッドと前記検査対象基板とを相対的に走査させ、前記ヘッドと前記検査対象基板との間隙を一定に保ち、前記ヘッドに光を照射し、前記ヘッド上の前記微細な繰り返しパターンによって発生した周期的な近接場光と前記検査対象基板の表面の微細パターンとの相互作用によって生じた散乱光強度を検出し、その検出結果に基づいて、前記検査対象基板上の微細パターンを検査することを特徴とするパターン検査方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009045707A JP5350012B2 (ja) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | 基板表面のパターン検査装置およびパターン検査方法 |
US13/145,968 US8736830B2 (en) | 2009-02-27 | 2009-12-10 | Pattern inspection device of substrate surface and pattern inspection method of the same |
PCT/JP2009/070694 WO2010098000A1 (ja) | 2009-02-27 | 2009-12-10 | 基板表面のパターン検査装置およびパターン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009045707A JP5350012B2 (ja) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | 基板表面のパターン検査装置およびパターン検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010197347A JP2010197347A (ja) | 2010-09-09 |
JP5350012B2 true JP5350012B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=42665221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009045707A Expired - Fee Related JP5350012B2 (ja) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | 基板表面のパターン検査装置およびパターン検査方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8736830B2 (ja) |
JP (1) | JP5350012B2 (ja) |
WO (1) | WO2010098000A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5520736B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-06-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP5345169B2 (ja) | 2011-03-25 | 2013-11-20 | 株式会社東芝 | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
JP6461904B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2019-01-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 表面増強電場を用いた欠陥検出 |
KR102208964B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2021-01-28 | 삼성전자주식회사 | 근접장 렌즈 및 이를 포함하는 영상 장치 |
US11287375B2 (en) * | 2018-04-12 | 2022-03-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Inspection device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4330213A (en) * | 1980-02-14 | 1982-05-18 | Rca Corporation | Optical line width measuring apparatus and method |
JP4109736B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ検出方法 |
JPH11311608A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Nikon Corp | 検査装置 |
US20020053647A1 (en) * | 2000-11-06 | 2002-05-09 | Masataka Shiratsuchi | Pattern detection, processing and testing apparatus |
JP3774395B2 (ja) * | 2000-11-06 | 2006-05-10 | 株式会社東芝 | 凹凸パターン検知装置、凹凸パターン検知処理装置 |
JP2008082999A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Hitachi Ltd | 基板表面の欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP2008096252A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Nec Electronics Corp | 近接場検査方法及び装置 |
-
2009
- 2009-02-27 JP JP2009045707A patent/JP5350012B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-10 WO PCT/JP2009/070694 patent/WO2010098000A1/ja active Application Filing
- 2009-12-10 US US13/145,968 patent/US8736830B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120013890A1 (en) | 2012-01-19 |
US8736830B2 (en) | 2014-05-27 |
WO2010098000A1 (ja) | 2010-09-02 |
JP2010197347A (ja) | 2010-09-09 |
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