JPH047803B2 - - Google Patents
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- JPH047803B2 JPH047803B2 JP2153784A JP2153784A JPH047803B2 JP H047803 B2 JPH047803 B2 JP H047803B2 JP 2153784 A JP2153784 A JP 2153784A JP 2153784 A JP2153784 A JP 2153784A JP H047803 B2 JPH047803 B2 JP H047803B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えばビデオデイスクのような基
本パターンが略規則的に配列されている凹凸パタ
ーンの平均的な幅，深さ，およびピツチを測定す
るもので、特に測定面に歪のある場合でも測定可
能とするようにした形状測定装置の改良に関する
ものである。
本パターンが略規則的に配列されている凹凸パタ
ーンの平均的な幅，深さ，およびピツチを測定す
るもので、特に測定面に歪のある場合でも測定可
能とするようにした形状測定装置の改良に関する
ものである。
従来、ビデオデイスクに見られるような規則的
な凹凸パターンの形状測定装置には、レーザ光を
照射してその回折光より測定するものが提案され
ている。（特開昭57−187604号公報参照）しかし
このような装置においては、被測定面が歪んでい
たり傾いていたりすると上記凹凸パターンの平均
ピツチの測定が不正確となり、いわゆる面ぶれと
いわれる影響をうけ凹凸の深さ測定等にも不正確
となるなどの欠点があつた。
な凹凸パターンの形状測定装置には、レーザ光を
照射してその回折光より測定するものが提案され
ている。（特開昭57−187604号公報参照）しかし
このような装置においては、被測定面が歪んでい
たり傾いていたりすると上記凹凸パターンの平均
ピツチの測定が不正確となり、いわゆる面ぶれと
いわれる影響をうけ凹凸の深さ測定等にも不正確
となるなどの欠点があつた。
また面ぶれがあると、回折光が検出器の受光面
よりはずれやすくなり、ピツチ等の変化に対して
測定可能な範囲がせまいと言う欠点もあつた。
よりはずれやすくなり、ピツチ等の変化に対して
測定可能な範囲がせまいと言う欠点もあつた。
この発明は、上記の問題点を各良したもので被
測定面の歪み等に影響されずに面ぶれを補正し、
高精度に形状を測定することのできる形状測定装
置を提供することを目的とする。
測定面の歪み等に影響されずに面ぶれを補正し、
高精度に形状を測定することのできる形状測定装
置を提供することを目的とする。
この発明は、第０次回折光および第ｎ次回折光
（第１次回折光を主に使用する。）の検出にそれぞ
れ２次元型半導体位置検出器または２次元受光面
を有する半導体位置検出器を用いる。すなわち第
０次回折光（反射光）の位置を、２次元型半導体
位置検出器により検出することにより被測定面の
面ぶれ量を測定する。次に第１次回折光の位置を
２次元型半導体位置検出器により検出し、先の第
０次回折光との位置の差により第１次回折角を算
出し、面ぶれ量を補正し、正確なピツチを測定す
る。この値を用いて深さ等の形状を算出する。
（第１次回折光を主に使用する。）の検出にそれぞ
れ２次元型半導体位置検出器または２次元受光面
を有する半導体位置検出器を用いる。すなわち第
０次回折光（反射光）の位置を、２次元型半導体
位置検出器により検出することにより被測定面の
面ぶれ量を測定する。次に第１次回折光の位置を
２次元型半導体位置検出器により検出し、先の第
０次回折光との位置の差により第１次回折角を算
出し、面ぶれ量を補正し、正確なピツチを測定す
る。この値を用いて深さ等の形状を算出する。
さらに種々のピツチを有する被検体が入力され
た場合、面ぶれがあると測定可能な範囲がせまく
なる。そこで各次数の回折光を検出する検出器を
自由に移動可能な駆動系にのせて最適な位置に移
動して測定する。このようにして測定可能な範囲
を拡げる。
た場合、面ぶれがあると測定可能な範囲がせまく
なる。そこで各次数の回折光を検出する検出器を
自由に移動可能な駆動系にのせて最適な位置に移
動して測定する。このようにして測定可能な範囲
を拡げる。
上記のように面ぶれ量を測定してその値により
補正して正確な形状を算出しているため、高精度
な測定が可能となる。また光デイスクプレイヤー
で見られるような高精度なオートフオーカス機構
が不用であり、機構が簡単となる。またそのため
高信頼化・高速化が可能となる。また面ぶれ量の
検出に２つの半導体位置検出器を用いて行つてい
るため高速であり、また光強度も同時に検出され
るため、形状測定用の光強度検出用の特別な検出
器が不要となるため検出系が単純となる等の効果
がある。
補正して正確な形状を算出しているため、高精度
な測定が可能となる。また光デイスクプレイヤー
で見られるような高精度なオートフオーカス機構
が不用であり、機構が簡単となる。またそのため
高信頼化・高速化が可能となる。また面ぶれ量の
検出に２つの半導体位置検出器を用いて行つてい
るため高速であり、また光強度も同時に検出され
るため、形状測定用の光強度検出用の特別な検出
器が不要となるため検出系が単純となる等の効果
がある。
またそれぞれの検出器を最適な位置に移動が可
能となるため、面ぶれがあつても種々のピツチに
対して測定可能な範囲が広がる。
能となるため、面ぶれがあつても種々のピツチに
対して測定可能な範囲が広がる。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例につ
いて説明する。なお最初に測定原理と面ぶれ補正
について説明し、次に検出器を最適移動して測定
可能な範囲を広げる例について説明する。
いて説明する。なお最初に測定原理と面ぶれ補正
について説明し、次に検出器を最適移動して測定
可能な範囲を広げる例について説明する。
第１図において、被検体１１は光ビデオデイス
クのような円盤状のものである。レーザ装置より
なる光源１２から出力された光は、ミラー１３に
より反射され、被検体１１の法線に対してθ0角度
で入射する。被検体１１に入射後、反射回折され
た光は２個の２次元型半導体位置検出器（例えば
米国ユナイテツドデラクター社または浜松ホトニ
クス社製等）１４，１５と１個のフオトダイオー
ド１６より検出され、それぞれ信号処理される信
号処理計算器１７において、ピツチＰ、幅ａおよ
び深さｈが求められ、表示部１８に表示される。
クのような円盤状のものである。レーザ装置より
なる光源１２から出力された光は、ミラー１３に
より反射され、被検体１１の法線に対してθ0角度
で入射する。被検体１１に入射後、反射回折され
た光は２個の２次元型半導体位置検出器（例えば
米国ユナイテツドデラクター社または浜松ホトニ
クス社製等）１４，１５と１個のフオトダイオー
ド１６より検出され、それぞれ信号処理される信
号処理計算器１７において、ピツチＰ、幅ａおよ
び深さｈが求められ、表示部１８に表示される。
光ビデオデイスクの表面形状が第２図に示され
るような形状をしているものとする。この場合に
ｐ，ａ，ｈを求めるには、第０次回折光強度をI0
第ｎ次回折光強度をInとし、第2n次回折光強度を
I2nとすれば、特許（特願昭57−187604号公報）
によると次に示す各式を用いれば良い。
るような形状をしているものとする。この場合に
ｐ，ａ，ｈを求めるには、第０次回折光強度をI0
第ｎ次回折光強度をInとし、第2n次回折光強度を
I2nとすれば、特許（特願昭57−187604号公報）
によると次に示す各式を用いれば良い。
Ｐ＝λ／cosθ0sinθ ……(1)
ｈ＝cosθ0・λ／4πcos-1｛１−P2／2a〔１／（In／
I0）ａ sinc2（na／Ｐ）＋（Ｐ−ａ）〕｝……(3) ここで、角度θ0およびθは第１図よりレーザ先
の入射角であり、第１回折光の回折角である。
I0）ａ sinc2（na／Ｐ）＋（Ｐ−ａ）〕｝……(3) ここで、角度θ0およびθは第１図よりレーザ先
の入射角であり、第１回折光の回折角である。
さて、ここで被検体１１の全面を測定するには
信号処理用計算機１７の制御のもとに、モータ１
９を駆動して被検体を回転させるとともにモータ
２０により被検体１１を平行移動させて測定を行
なうようにすればよい。なお逆に光源１１、ミラ
ー１３検出器１４，１５，１６を同一のステージ
上に設けて平行移動し、被検体１１をモータ２０
により回転運動のみを行つて被検体の全面を測定
しても良い。次に面ぶれ補正処理について説明す
る。
信号処理用計算機１７の制御のもとに、モータ１
９を駆動して被検体を回転させるとともにモータ
２０により被検体１１を平行移動させて測定を行
なうようにすればよい。なお逆に光源１１、ミラ
ー１３検出器１４，１５，１６を同一のステージ
上に設けて平行移動し、被検体１１をモータ２０
により回転運動のみを行つて被検体の全面を測定
しても良い。次に面ぶれ補正処理について説明す
る。
今、第３図に示されるようにデイスク表面が
θkだけ傾いた場合について考える。このとき、
光デイスクに入射する光の入射角がθ0からθ0−θk
に変化したと考えればよいので、ピツチＰと深さ
ｈは(1)式および(3)式よりそれぞれ次式となる。
θkだけ傾いた場合について考える。このとき、
光デイスクに入射する光の入射角がθ0からθ0−θk
に変化したと考えればよいので、ピツチＰと深さ
ｈは(1)式および(3)式よりそれぞれ次式となる。
Ｐ＝λ／cos（θ0−θk）sinθ ……(4)
ｈ＝cos（θ0−θk）・λ／4πcos-1｛１−P2／2a〔
（１／In／I0）ａ sinc2（na／Ｐ）＋（Ｐ−ａ）〕｝
……(5) さてここで、０次回折光（反射光）の角度θ0は
第３図より次式となる。
（１／In／I0）ａ sinc2（na／Ｐ）＋（Ｐ−ａ）〕｝
……(5) さてここで、０次回折光（反射光）の角度θ0は
第３図より次式となる。
θ0＝θ0−2θk
よつて
θk＝１／２（θ0−θ0） ……(6)
となる。また第１次回折光の角度θ1は第３図より
次式となる。
次式となる。
θ1＝θ0−θ
よつて
θ＝θ0−θ1 ……(7)
となる。したがつて(4)式，(5)式は、(6)式，(7)式で
求めたθkおよびθを用いれば良い。このように
して面ぶれの影響を補正することが可能となる。
求めたθkおよびθを用いれば良い。このように
して面ぶれの影響を補正することが可能となる。
次に具体的に２次元半導体位置センサー
（PSD）の出力信号を用いた処理方法について説
明する。
（PSD）の出力信号を用いた処理方法について説
明する。
第４図に見られるように２個のPSDを配置す
る。第０次光検出用のPSDの中心位置をθc0とし、
第１次光検出用のPSDの中心位置をθc1とする。
PSDの出力信号は、PSDに入射した光の位置に
比例した出力信号が得られるため、０次回折光の
位置θ0と第４図に記されているPSD１４の出力信
号X0 1とX0 2とに次の関係がある。
る。第０次光検出用のPSDの中心位置をθc0とし、
第１次光検出用のPSDの中心位置をθc1とする。
PSDの出力信号は、PSDに入射した光の位置に
比例した出力信号が得られるため、０次回折光の
位置θ0と第４図に記されているPSD１４の出力信
号X0 1とX0 2とに次の関係がある。
θ0＝tan-1（γ／Ｒ・X0 2−X0 1／X0 2＋X0 1）＋θc0…
…(8) ここでγはPSDの検出サイズの1/2であり、Ｒ
は光デイスクの反射面から検出器までの距離であ
る。
…(8) ここでγはPSDの検出サイズの1/2であり、Ｒ
は光デイスクの反射面から検出器までの距離であ
る。
同様にして、第１次回折光の位置θ1とPSD１５
の出力信号X1 1，X1 2とに次の関係がある。
の出力信号X1 1，X1 2とに次の関係がある。
θ1＝tan-1（γ／Ｒ・X1 2−X1 1／X1 2＋X1 1） ……(9)
また、０次回折光強度I0、第１次回折光強度I1
とすればPSDの出力との関係は次式となる。
とすればPSDの出力との関係は次式となる。
I0＝X0 1＋X0 2＋Y0 1＋Y0 2
I1＝X1 1＋X1 2＋Y1 1＋Y1 2 ……(10)
そこでIn＝I1とすれば(4)，(2)，(5)式より、ｐ，
ａ，ｈをそれぞれ求めることが出来る。またこの
ときの各数値は(6)，(7)，(8)，(9)，(10)式より求めれ
ば、面ぶれの影響を受けずに形状のパラメータ
ｐ，ａ，ｈを求めることが可能となる。
ａ，ｈをそれぞれ求めることが出来る。またこの
ときの各数値は(6)，(7)，(8)，(9)，(10)式より求めれ
ば、面ぶれの影響を受けずに形状のパラメータ
ｐ，ａ，ｈを求めることが可能となる。
すなわち、第１図のように各センサ１４，１
５，１６の出力をそれぞれ増幅してアナログマル
チプレクサ−２１に入力する。そこでCPU１７
よりアナログマルチプレクサー２１に信号を送
り、各出力信号を選択し、それをＡ／Ｄ変換器２
２に送りデジタル信号に変換して、その信号を
CPU１７に入力する。
５，１６の出力をそれぞれ増幅してアナログマル
チプレクサ−２１に入力する。そこでCPU１７
よりアナログマルチプレクサー２１に信号を送
り、各出力信号を選択し、それをＡ／Ｄ変換器２
２に送りデジタル信号に変換して、その信号を
CPU１７に入力する。
この信号を上記に述べたように処理を行う。そ
の結果を例えばカラーCRTからなる表示部１８
に色わけを行つてマツプの形で表示したり、グラ
フ等に変換して表示する。このようにして光デイ
スクの案内溝形状を面ぶれの影響を受けずに測定
することが可能となる。
の結果を例えばカラーCRTからなる表示部１８
に色わけを行つてマツプの形で表示したり、グラ
フ等に変換して表示する。このようにして光デイ
スクの案内溝形状を面ぶれの影響を受けずに測定
することが可能となる。
次にそれぞれの検出器１４，１５，１６を最適
な位置に移動し、色々なピツチや面ぶれの多いデ
イスクについても測定可能となる例について説明
する。第５図ａは、検出器の移動系についての図
である。第５図ｂは第５図ａの矢印Ａ点より見た
図である。
な位置に移動し、色々なピツチや面ぶれの多いデ
イスクについても測定可能となる例について説明
する。第５図ａは、検出器の移動系についての図
である。第５図ｂは第５図ａの矢印Ａ点より見た
図である。
レーザ光源１２より発した光がミラー１３によ
り光デイスク１１に照射される。光デイスク１１
の面で反射した０次回折光の方向は、面ぶれがな
ければ固定である。また面ぶれが多少あつても、
あまり大きくなければ固定した検出器で検出可能
である。例えば(8)式でＲ＝60mm，γ＝６mm（有効
受光面12mm□の検出器の場合）とすれば、第０次
回折光の検出範囲は±5.70となる。したがつて、
(6)式よりデイスク面で±2.80以内の変動に対して
も検出可能となる。なお通常の光デイスク面での
面ぶれ量は、この値よりはるかに小さい値であ
る。
り光デイスク１１に照射される。光デイスク１１
の面で反射した０次回折光の方向は、面ぶれがな
ければ固定である。また面ぶれが多少あつても、
あまり大きくなければ固定した検出器で検出可能
である。例えば(8)式でＲ＝60mm，γ＝６mm（有効
受光面12mm□の検出器の場合）とすれば、第０次
回折光の検出範囲は±5.70となる。したがつて、
(6)式よりデイスク面で±2.80以内の変動に対して
も検出可能となる。なお通常の光デイスク面での
面ぶれ量は、この値よりはるかに小さい値であ
る。
次に１次回折光の回折位置は、面ぶれ量とピツ
チＰによる。したがつて種々のピツチＰのサンプ
ルが入るものでは、この１次回折光の位置が大き
く動くため、検出器を固定して検出することは出
来なくなる。なお、通常の製造工程では種々のピ
ツチの光デイスクを検査することはあり得ないが
開発中のものでは種々のピツチのものがありう
る。この場合においても、ピツチを連続して変化
させて製作することは困難であり、一定の範囲の
み一定のピツチで製作する場合がほとんどであ
る。この場合には次のようにして検出器を最適な
位置に移動させる。
チＰによる。したがつて種々のピツチＰのサンプ
ルが入るものでは、この１次回折光の位置が大き
く動くため、検出器を固定して検出することは出
来なくなる。なお、通常の製造工程では種々のピ
ツチの光デイスクを検査することはあり得ないが
開発中のものでは種々のピツチのものがありう
る。この場合においても、ピツチを連続して変化
させて製作することは困難であり、一定の範囲の
み一定のピツチで製作する場合がほとんどであ
る。この場合には次のようにして検出器を最適な
位置に移動させる。
まず、０次回折光の位置が検出器１４のほぼ中
央になるような面ぶれのない点を光デイスク上に
見つける。これには第(8)式の第１項がほぼ０とな
るまで光デイスクを移動して見つければ良い。次
に検出器１５を移動させ、第１次回折光の位置を
検出器１５の中央にもつてくる。これには第５図
ｂに示されているパルスモータ５１を回転させ、
この回転力をこのモータに付いている腕５２に伝
え、円を描くようにして腕口の先端に設けられた
検出器１５を移動させる。このとき(9)式の第１項
がほぼ０となるように移動させる。この移動量よ
りθc1が決定される。次に第２次回折光の検出器
１６の位置は、この回折光（第２次）に２次元半
導体位置検出器を用いるならば上記のアルゴリズ
ムと同様に行えば良い。しかし、第２次回折光の
検出は２次元半導体位置検出器である必要はな
い。ここでは、光強度のみ測定可能な半導体検出
器を使用する。この場合には、(8)式，(9)式およ(7)
式により第１次回折角θを求める。次に２倍の回
折角とθc0との和、すなわち2θ＋θc0だけ第２次回
折光の検出用の検出器１６を移動すればよい。こ
れには第５図ｂに示されているパルスモータ５３
を回転させギヤ５４，５５を介して腕５２と同軸
に設けられた腕５６により検出器１６を移動させ
る。
央になるような面ぶれのない点を光デイスク上に
見つける。これには第(8)式の第１項がほぼ０とな
るまで光デイスクを移動して見つければ良い。次
に検出器１５を移動させ、第１次回折光の位置を
検出器１５の中央にもつてくる。これには第５図
ｂに示されているパルスモータ５１を回転させ、
この回転力をこのモータに付いている腕５２に伝
え、円を描くようにして腕口の先端に設けられた
検出器１５を移動させる。このとき(9)式の第１項
がほぼ０となるように移動させる。この移動量よ
りθc1が決定される。次に第２次回折光の検出器
１６の位置は、この回折光（第２次）に２次元半
導体位置検出器を用いるならば上記のアルゴリズ
ムと同様に行えば良い。しかし、第２次回折光の
検出は２次元半導体位置検出器である必要はな
い。ここでは、光強度のみ測定可能な半導体検出
器を使用する。この場合には、(8)式，(9)式およ(7)
式により第１次回折角θを求める。次に２倍の回
折角とθc0との和、すなわち2θ＋θc0だけ第２次回
折光の検出用の検出器１６を移動すればよい。こ
れには第５図ｂに示されているパルスモータ５３
を回転させギヤ５４，５５を介して腕５２と同軸
に設けられた腕５６により検出器１６を移動させ
る。
このようにすることにより、０次回折光、第１
次回折光、第２次回折光を検出する検出器１４，
１５，１６は、ほぼ検出器の中央で光を検出する
ことになり、ずれる量は面ぶれによる大きさのみ
となる。すると、先の０次回折光の場合と同様と
なるので、この場合には、光デイスクが±2.80以
内まで面ぶれがあつても測定することが可能とな
る。
次回折光、第２次回折光を検出する検出器１４，
１５，１６は、ほぼ検出器の中央で光を検出する
ことになり、ずれる量は面ぶれによる大きさのみ
となる。すると、先の０次回折光の場合と同様と
なるので、この場合には、光デイスクが±2.80以
内まで面ぶれがあつても測定することが可能とな
る。
上記の説明では光デイスクの案内溝の例につい
て述べたが、特開昭57−187604号公報で述べた応
用例についても、本発明が適用可能である。
て述べたが、特開昭57−187604号公報で述べた応
用例についても、本発明が適用可能である。
第１図はこの発明の一実施例の構成図、第２図
は被検体の具体的構成を示す断面図、第３図は面
ぶれのある状態の回折光の位置を示す図、第４図
は２次元型半導体位置検出器と回折光との位置関
係を示す図、第５図は検出器の移動系を示す図で
ある。 １１……被検体、１２……光源、１３……ミラ
ー、１４，１５……２次元型半導体位置検出器、
１６……光電変換器、１７……CPU、１８……
表示部、１９……回転ステージ、２０……水平移
動ステージ、２１……マルチプレクサー、２２…
…Ａ／Ｄ変換器、５１，５３……パルスモータ。
は被検体の具体的構成を示す断面図、第３図は面
ぶれのある状態の回折光の位置を示す図、第４図
は２次元型半導体位置検出器と回折光との位置関
係を示す図、第５図は検出器の移動系を示す図で
ある。 １１……被検体、１２……光源、１３……ミラ
ー、１４，１５……２次元型半導体位置検出器、
１６……光電変換器、１７……CPU、１８……
表示部、１９……回転ステージ、２０……水平移
動ステージ、２１……マルチプレクサー、２２…
…Ａ／Ｄ変換器、５１，５３……パルスモータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被測定物を保持する保持手段と、略コヒーレ
ントな光をその被測定物に照射する光源と、その
被測定物に照射される光の入射光軸と反射光軸を
含む面上に設けられ第０次回折光を検出する１次
元以上の受光面を有する第１の受光素子と、前記
入射光軸と反射光軸を含む面に垂直な方向に設け
られ、第ｎ次回折光を検出する１次元以上の受光
面を有する第２の受光素子と、前記入射光軸と反
射光軸を含む面に垂直な方向に設けられ、第２・
ｎ次回折光を検出する１次元以上の受光面を有す
る第３の受光素子と、前記第１の受光素子の検出
サイズと前記被測定物の測定面から前記第１の受
光素子までの距離と前記第１の受光素子からの出
力信号とから、第０次回折光の受光位置を求める
手段と、前記第２の受光素子の検出サイズと前記
被測定物の測定面から前記第１の受光素子までの
距離と前記第２の受光素子からの出力信号とか
ら、第ｎ次回折光の受光位置を求める手段と、被
測定物に照射される光が前記被測定物の測定面に
入射する入射角と前記光源から発生した光の波長
とから前記被測定物に配置されたパターンのピツ
チを演算する手段と、この第２の受光素子により
変換された信号の信号値と前記第３の受光素子に
より変換された信号の信号値と前記光源から発生
した光の波長とから、前記被測定物に配置された
パターンの幅を演算する手段と、前記第１の受光
素子により変換された信号の信号値及び前記第２
の受光素子により変換された信号の信号値と前記
演算されたパターンの幅より前記パターンの深さ
を演算する手段と、前記求められた第０次回折光
及び第ｎ次回折光の受光位置から被測定物の傾き
情報を演算する手段とを備えたことを特徴とする
形状測定装置。 ２ 前記第２の受光素子または前記第３の受光素
子を移動させる移動手段を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の形状測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153784A JPS60166808A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 形状測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153784A JPS60166808A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 形状測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60166808A JPS60166808A (ja) | 1985-08-30 |
| JPH047803B2 true JPH047803B2 (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=12057711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2153784A Granted JPS60166808A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 形状測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60166808A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2623757B2 (ja) * | 1988-09-05 | 1997-06-25 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ装置 |
| JP2810121B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1998-10-15 | 三井化学株式会社 | 光ディスク用スタンパー検査装置 |
| JPH07302441A (ja) * | 1994-04-30 | 1995-11-14 | Nec Corp | 溝形状測定装置 |
| US6483580B1 (en) | 1998-03-06 | 2002-11-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Spectroscopic scatterometer system |
| CN109945805A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-06-28 | 北方民族大学 | 一种高精度角度传感器 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP2153784A patent/JPS60166808A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60166808A (ja) | 1985-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |