JPH0374763B2 - - Google Patents

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JPH0374763B2
JPH0374763B2 JP58233728A JP23372883A JPH0374763B2 JP H0374763 B2 JPH0374763 B2 JP H0374763B2 JP 58233728 A JP58233728 A JP 58233728A JP 23372883 A JP23372883 A JP 23372883A JP H0374763 B2 JPH0374763 B2 JP H0374763B2
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、干渉法を利用し、透明体の厚み、
特に薄いフイルムの厚みを非接触でしかも高精度
に測定する厚み測定装置に関するものである。
薄いフイルムの厚みを測定する方法として、光
の干渉を利用する測定法が特開昭53−3363号に提
案されている。これは次のような技術であつた。
即ち、、透明板の面に可干渉光を入射角を変化
させつつ照射して、表面と裏面で反射した光によ
る干渉縞の強度の経時的変化を検出して、第6図
のaに示すような信号を得る。この信号をbのよ
うに矩形波にし、さらにこのbの矩形波の立上り
時と立下り時にパルス波形を生じるcの波形に変
換する。そして、第6図のaにおける最適の基準
入射角θCを中心とした1ピツチ分(即ち、干渉縞
の1ピツチ分)の時間幅、即ち、(θC−Δθ/2)と (θC+Δθ/2)との時間幅を測定して、 (ただしλ:波長、n:被測定物の屈折率) を演算して被測定物の厚みを測定していた。
しかして、一般にこの種の厚みの測定において
は、被測定物の表面のゴミ、極部的な凹凸、屈折
率の不均一性などにより干渉信号に歪みがあるの
が通常であるが、前記した従来の方法では、前記
したように干渉縞の1ピツチ分の狭い角度範囲か
ら求めた前記(A)式の演算によつて厚みを求めてい
るため、この干渉信号の歪みによる測定誤差が大
きかつた。
即ち、例えば、被測定物の屈折率n=1.5、厚
みt=50μmとして、λ=0.6358×10-3、基準入
射角θC=49.2°、(θC−Δθ/2)=48.39°、(θC
−Δ θ/2)=48.42°の場合に、(θC−Δθ/2)の値が
前記 干渉信号の歪みによつて0.03°大きい48.42°(即ち
48.39+0.03)が得られた場合には、 となる。即ち、(A)式の演算では、正しい厚み50μ
mに対して誤差率が3.2%と非常に大きくなると
いう欠点があつた。
本発明はこのような測定誤差が小さく高精度な
測定が可能で、且つ高速の測定を可能にした厚み
測定装置を提供することを目的としている。
以下、実施例に従いこの発明を具体的に説明す
る。
第1図はこの発明の第1実施例を示すものでa
は、測定原理をbは、被測定物近傍における光束
を詳しく示したものである。
この図において、コヒーレントな光束を発する
光源1として、レーザを用い、その光束をレンズ
2を通して、0点で絞り、被測定物の表面7−a
に発散光を照射する。その際、絞り3を用いて、
被測定物の表面7−aに入射する光束の入射角を
予め定めて、その範囲内θAからθBで表裏面反射光
束によつて生じる干渉縞に注目する。この入射角
θAからθBの範囲は、狭すぎて厚みtに近づくと良
好な干渉信号が得られないが、広すぎてこの幅A
とBとの間で厚みtが大きく変化することがない
ように、無視できる程度の厚みの変化間の幅に設
定することが必要である。
そして、反射光路中にレンズ8を設置し、被測
定物の表面7−aの近傍に生じた干渉縞を受光素
子として例えばイメージセンサ9上に写し、その
パターンを検知する。その際、被測定物7の位置
がある範囲で動いても、パターンがイメージセン
サ9から外れないように結像系を定める。そし
て、イメージセンサ9から得られたビデオ信号の
ピークを連ねて得られる干渉縞信号から厚みを測
定する。
干渉縞をイメージセンサで検知する際に、各素
子が並んでいる方向と垂直な方向の寸法を長くし
たイメージセンサを用いると、干渉縞に重なるレ
ーザ特有のスペツクルの影響を取り除くことがで
きる。
干渉縞パターンから厚みが求められる過程は、
次に説明する通りである。
第1−b図において、被測定物の表面7−a上
AB間に入射角θAからθBまでの光束が入射してい
る。入射角θAの光束をaとし、aが被測定物の表
面7−aを透過し、その後裏面7−bで反射さ
れ、再びA′点で表面7−aを透過したとき、そ
の光束と表面7−aで重なる光束a′があり、その
表面反射光は、aと干渉する。A′B間ではすべて
の点で干渉が起る。
干渉する2光束の位相差は、入射角がθAからθB
まで変わるに従つて単調に変化するので、A′B間
には次数が単調に変化する干渉縞が現れる。
平均入射角θCは、A′B間に現れる干渉縞の数が
最大となるように設定する。厳密にいえば、
AA′およびBB′間には、干渉すべき一方の光束が
ないため干渉縞は現れない。しかし厚みtが小さ
いときには、それぞれ無視できるので、A′B間と
いうべきところを、以下AB間と呼びかえること
とする。
さて、AB間の幅に対応する干渉縞次数差(即
ち、第6図でθAとθB間に対応する干渉縞次数差)
mは、(1)式で表わせる。
m=lA−lB/λ ……(1) ただし、lAはA点において干渉する2光束の光
路差であり、lBはB点におけるそれである。ま
た、λはレーザの波長である。
一般にlA、lBを厳密に計算するのはかなり面倒
で、また厚みtとの関係を見通すのが難しい。そ
こで被測定物の厚みが十分薄い場合を考えると被
測定物の表面Aにおいて干渉する2つの光束aと
a′は平行であると仮定しても誤差はほとんどな
い。この場合の2光束の光路差lAは次のように求
められる。
lA=2×√22 A×t ……(2) ここでnは被測定物の屈折率で、またlBについ
ても同様である。
lB=2×√22 B×t ……(2)′ (1)式、(2)式および(2)′式より、干渉縞次数差m
と被測定物の厚みtは、次式のように比例関係に
あることがわかる。
したがつて、被測定物の屈折率n、レーザの波
長λ、θA、θBが既知であるから、被測定面上に現
れる干渉縞の数からその次数差mを検出すること
により、厚みtが求められる。
即ち、第6図において、角度θAからθBまでの間
で最初に現われる干渉縞が角度θ1、最後の縞がθ2
とすると、この角度θ1からθ2の間に全部でm′個の
干渉縞のピーク数があるとすると、厚みtは のように求められる。
しかしながら、θ1及びθ2を含んだ上記(3)′式の は極めて複雑であり、このため、式(3)′の計算を
高速(たとえば、1秒間に1000回の測定サイク
ル)で行なうことは難しい。
そこで、角度θ1からθ2までの干渉縞の個数m′を
検出して、角度θAからθBの幅に対応する干渉縞の
個数mを、その端数に至るまで、簡単な方法で求
めることができれば、(3)式をそのまま使うことが
できる。
即ち、λ、n、θA、θBは既知なので、式(3)は、
t=K×m(Kは定数)と表わすことができるか
ら、mを簡単に演算できるならば、式(3)は式(3)′
に比べて格段に簡単に、著しい高速で計算するこ
とができ、測定器の高速応答を確保することがで
きる。
次に、θ1からθ2間の次数差m′から、θAからθB
に対応した干渉縞の次数差mを演算する方法を説
明する。
第2図のaはイメージセンサ9のビデオ信号の
ピークを連ねて得られる干渉縞信号である。まず
次数差演算処理部15の波形整形回路11によ
り、第2図のbのように方形波信号に変換する。
そして、微分回路12により第2図のcのような
立ち上がりパルスおよび立ち下がりパルスを作
る。
次に、カウント演算回路13で、微分回路から
得られる全パルス数m0をカウントし、第6図に
示すようにθ1からθ2間の次数差m′は m′=m0−1/2 ……(4) なので、この全パルス数m0から、この(4)式の演
算を行なう。
次に、次数差演算回路14により、AB間に対
応する干渉縞の次数差mが、(5)式のように m=XAB/X0×m′XAB/X0×m0−1/2 ……(5) が得られる(ここで、第6図のaに示すように
AB間の長さをXABとし、第6図のcに示すよう
にθ1とθ2間の長さをX0とする。干渉縞ピツチはわ
ずかの入射角度の変化では変わらないと仮定でき
る。)。(5)式において、XABはθA−θBに比例しX0
θ1−θ2に比例するので、(5)式は次のように m=θA−θB/θ1−θ2×m′=θA−θB/θ1−θ2
×m0−1/2……(5)′ となる。このように極めて簡単にmが求められ
る。
従つて、厚み演算回路16により、前述の(3)式
の計算(即ちt=K×m)をすれば、被測定物7
の厚みtが、簡単に求められる。
なお、平均入射角度θCは、(1)式のmが最大にな
るように選ぶのがよい。このようにすると被測定
物のゆれや傾きの変化に対して測定値は安定で最
も影響が少なくなる。
即ち、平均入射角θCは、入射光束a,bのなす
角を一定として、被測定物7に投射する際に検出
される干渉縞の数が最大となるように設定してい
るので、被測定物が傾くことによる干渉縞の数の
変化率が最小となり、測定誤差への影響が最小と
なる。
例えば、第1実施例において、平均入射角θC
49.2deg、θAが47.2deg、θBが51.2degのとき、測定
装置の光学系と被測定物との距離hを100mm、被
測定物の厚みtが100μm、屈折率nが1.5の場合
において、平均入射光の照射する点を中心に±
1deg以内で回転したとき、測定値の変化の割合
Δt/tは6.4×10-4以内である。
このような簡便法を用いて求めたmの値と、m
の真値との差は小さい。√22がほぼ直線
とみなせるθの領域を使つているので、(5)式に含
まれる誤差は、次数にして0.05以下であり、mが
50のときは0.1%、mが10のときは0.5%といつた
オーダの高精度測定ができる。
次に第1図の実施例による厚み測定の誤差率
を、前記した第6図において説明する。
即ち従来例の説明の場合と同様に、n=1.5、
t=50μmとする。(1)、(2)、(2)′式よりP1点にお
ける縞次数M1は M1=lA/λ=2t/λ√22 となる。これにより となる。
M1が0.5の倍数で変化したときのθ1を計算し、
第6図のθ1、θ2及び各ポイントのθの値が求ま
る。次にn=1.5のときの最適入射角θC=49.2°で
あるから、それがまたがるようにθC−Δθ/2、θC +Δθ/2、θ1、θ2を求める。つまり、n、tが既 知であれば、第6図に示した干渉信号は一義的に
決まる。これにより θ1=45.53° θ2=50.76°を得る。
ここで干渉信号の歪みによりθ1が0.03°大きい
値、45.56°として得られたとする。従つて、厚み
tは となる。即ち、正しい厚み50μmに対して誤差率
は0.6%となる。従つて、前記した従来装置の誤
差率3.2%より著しく小さな誤差率となる。
なお、第1実施例において、被測定物の表面7
−aに照射する光束を発散光であるとしたが、他
に収束光を用いたり、ビームウエストを形成し、
その近傍に被測定物を置くこともできる。
被測定物に照射する光束が発散光および収束光
の場合、また、被測定物を光束のビームウエスト
付近に設置した場合において、入射光路中に絞り
3を入れることにより、入射角度範囲を定めてあ
るために、光源と被測定物と距離hがある範囲変
化しても、すべての光束が受光素子から外れない
かぎり、光路差lは変化しない。このことは、前
述の被測定物の厚みtと測定範囲内の干渉縞の次
数差と関係を表わした(3)式においても光源と被測
定物との距離hを含んでいないことからも明らか
である。
また、この実施例では反射光路中にレンズ8を
設置し、被測定物の表面7−a近傍に生じる干渉
縞をセンサ上に投影しているが、被測定物7の表
面および裏面がなめらかな場合にはレンズ8を用
いず、イメージセンサ上に形成される干渉縞を直
接検知することもできる。
次に第2の実施例として、シリンドリカルレン
ズを用いた測定系を第3図に示す。第1の実施例
と異なる点は、照明系にシリンドリカルレンズを
挿入し、被測定物の表面7−a上で、入射面に垂
直に細長くライン状に絞られるようにしたことで
ある。この場合にはセンサ上にできる像は被測定
物表面にできたものではなく、少し離れたところ
にできるものとなる。これにより、被測定物の厚
み分布を平均化でき、また、レーザ特有のスペツ
クルや、被測定物表面上の小さなゴミや汚れなど
の影響を小さくして、安定に測定ができる。
第4図はこの発明の第3実施例の測定系であ
る。この例では入射光束にθAからθBまでの角度分
布を持たせて一度に照射するのではなくθAからθB
まで時間的にスキヤニングすることにより第1の
実施例と同じ目的を達するようにしている。
レーザ光束をレンズ2を通して光束を絞り、そ
のレンズ2と焦点Fの間に音叉振動子の先端にミ
ラーを取り付けた音叉偏向器を設置し、駆動部1
0で駆動させる。被測定物の表面7−aの微小部
分に照射するために、レンズ2の焦点Fを共有す
るようにレンズ6を入れ、音叉偏向器5上の偏向
点Eの像を被測定物の表面7−a上のD点につく
る。このようにすると入射光は、平行または、平
行に近い光束となり、必要な入射角の範囲でスキ
ヤニングすることになる。そして、D点の像をレ
ンズ8を用いて、光強度を検知する受光素子9′
で受ける。そして、受光素子9′より得られる信
号は、第2図aと同じ種類のものとなるので、次
数差演算処理部15′で干渉縞の次数変化を求め、
厚み演算部16で被測定物の厚みtに変換して出
力する。音叉振動の位相をモニタすれば、任意の
時刻における光束の入射角度θA、θB、θ1、θ2を知
ることができるので(5)′式の演算が容易にできる。
ここで、音叉偏向器5によりスキヤニングされ
る入射光束は平行または平行に近いので(2)式の関
係が近似的にではなく正しく得られる。スキヤニ
ングされる入射光束の平均入射角は所定の角度範
囲(θB−θA)において干渉縞次数差が最大になる
ようにするのが望ましい。このことは第1の実施
例と同様である。
また、この実施例では偏向器として音叉を用い
ているが、これに限ることなく、回転ミラーや超
音波偏向点Eの像を被測定物の表面7−aの近傍
に作るような構成を示したが、この他に被測定物
の位置を偏向点Eの像より十分手前になるように
することもでき、レンズ2およびレンズ6を取り
除いてしまうことも可能である。
第5図の光学系は被測定物の厚みが増した場合
に用いた第4の実施例を示すものである。入射光
束を2分割し、被測定面の法線に対称にしかも入
射角を小さくして、入射させる。その際、入射光
路中に絞り3′を入れ、測定範囲をそれぞれ定め
ることは、前述の実施例と同じである。それぞれ
の光束において、第1実施例と同様に測定を行な
い両方で得られた測定値の平均を求める。平均入
射角が小さく最適値になつていないため、被測定
物が測定装置の検出部光学系に対して傾くとそれ
ぞれの光束を用いて得られた測定値は変化する。
しかし、傾きが小さい場合には平均することによ
り変化を互いに打消すことができる。
本発明は、以上のようにわずかの入射角度の変
化では干渉縞ピツチは変わらないことを利用し
て、入射角θAから入射角θBまでの照射によつて生
じる、最初の入射角θ1における干渉縞と最後の入
射角θ2における干渉縞との示数差m′を、干渉縞
パターン信号に基づいて発生させたパルス数をカ
ウントした全パルス数m0から演算し、この入射
角θ1からθ2までの次数差m′に基づいて前記入射角
範囲θAからθBに対応した干渉縞次数差mを演算
し、この次数差mに定数Kを乗算して厚みを求め
るようにしたから、演算が著しく簡単となつて演
算速度がスピードアツプされ、また、入射角の変
化範囲θAからθBに対応した範囲での干渉縞の次数
差mによつて、前記演算を行なうようにしたか
ら、測定誤差を著しく小さくし、且つ高速測定を
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1−a図は第1実施例における測定原理図で
ある。第1−b図は第1−a図における被測定物
近傍における光束を示した図である。第2図は第
1−a図におけるイメージセンサより得られるビ
デオ信号の処理波形を示した図である。第3図
は、第2の実施例における光学系を示した図であ
る。第4図は、第3実施例における光学系を示し
た図である。第5図は、第4実施例における光学
系を示した図である。第6図は誤差率を説明する
ための波形図である。 1……光源(レーザ)、2……レンズ、3,
3′……絞り、4……シリンドリカルレンズ、5
……音叉偏向器、6……レンズ、7……被測定
物、8……レンズ、9,9′……受光素子、10
……音叉偏向器の駆動部、11,11′……波形
整形回路、12,12′……微分回路、13,1
3′……カウント演算回路、14,14′……次数
差演算回路、15,15,15″……次数差演算
処理部、16……厚さ演算部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 コヒーレントな光束を発する既知の波長の光
    源と、 該光束を透明な被測定物の表面においてのA点
    からB点までの所定幅で予め定めた所定の入射角
    θAからθBまでの角度分布をもつような光束として
    照射する手段と、 前記被測定物の表面および裏面で反射した光束
    とが重なりその光路差より前記A点からB点まで
    の前記入射角のθAからθBまでの変化によつて生じ
    る干渉縞のパターンを表わす干渉縞パターン信号
    を出力する受光素子と、 前記干渉縞パターン信号を方形波に波形整形
    し、該方形波の立上り及び立下りごとにパルス信
    号を出力するパルス発生手段と、 前記入射角θAから入射角θBまでの照射によつて
    生じる最初の入射角θ1における干渉縞から最後の
    入射角θ2における干渉縞までの間で前記パルス発
    生手段から出力される全パルス数m0をカウント
    し、該最初の入射角θ1から最後の入射角θ2までの
    干渉縞次数差m′を m′=m0−1/2 として演算するカウント演算回路と、 前記入射角θ1からθ2までの干渉縞次数差に基づ
    いて前記入射角θAからθBの範囲に対応する干渉縞
    次数差mを m=θA−θB/θ1−θ2×m0−1/2 として演算する次数差演算手段と、 前記次数差演算手段の出力を前記被測定物の厚
    みに対応する値に変換する演算 (ただしn:=被測定物の屈折率、λ:光源から
    の光の波長) を行なう厚み演算手段とを備えた厚み測定装置。 2 コヒーレントな光束を発する既知の波長の光
    源と、 該光束を一定角度だけ走査する光偏向手段と、 該偏向光束を透明な被測定物の表面に対し、略
    平行光束として予め定めた所定の入射角θAからθB
    まで連続して照射するための照射手段と、 前記被測定物の表面および裏面で反射した光束
    を検出する受光素子と、 該受光素子の出力信号を受けて、一走査で前記
    入射角のθAからθBまでの変化によつて得られる干
    渉縞パターン信号を方形波に波形整形し、該方形
    波の立上り及び立下りごとにパルス信号を出力す
    るパルス発生手段と、 一走査で前記入射角θAから入射角θBまでの照射
    によつて生じる最初の入射角θ1における干渉縞か
    ら最後の入射角θ2における干渉縞までの間で前記
    パルス発生手段から出力される全パルス数m0
    カウントし、該最初の入射角θ1から最後の入射角
    θ2までの干渉縞次数差m′を m′=m0−1/2 として演算するカウント演算回路と、 前記入射角θ1からθ2までの干渉縞次数差に基づ
    いて一走査での前記入射角θAからθBの範囲に対応
    する干渉縞次数差mを m=θA−θB/θ1−θ2×m0−1/2 として演算する次数差演算手段と、 前記次数差演算手段の出力を前記被測定物の厚
    みに対応する値に変換する演算 (ただしn:=被測定物の屈折率、λ:光源から
    の光の波長) を行なう厚み演算手段とを備えた厚み測定装置。
JP58233728A 1983-12-13 1983-12-13 厚み測定装置 Granted JPS60127403A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6453101A (en) * 1987-05-25 1989-03-01 Kurashiki Boseki Kk Equal tilt angle interference type film thickness gauge
US4927485A (en) * 1988-07-28 1990-05-22 Applied Materials, Inc. Laser interferometer system for monitoring and controlling IC processing
US4999014A (en) * 1989-05-04 1991-03-12 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for measuring thickness of thin films
US5289266A (en) * 1989-08-14 1994-02-22 Hughes Aircraft Company Noncontact, on-line determination of phosphate layer thickness and composition of a phosphate coated surface
US5513533A (en) * 1993-04-15 1996-05-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Detection of vibrational energy via optical interference patterns
US5461007A (en) * 1994-06-02 1995-10-24 Motorola, Inc. Process for polishing and analyzing a layer over a patterned semiconductor substrate
US5982500A (en) * 1995-05-07 1999-11-09 Platsch; Hans Georg Device for measuring the surface of a print product
US5650851A (en) * 1995-06-26 1997-07-22 National Research Council Of Canada Speckle interference method for remote thickness measurement of a sheet and layer and an apparatus therefor
US5609718A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5655951A (en) * 1995-09-29 1997-08-12 Micron Technology, Inc. Method for selectively reconditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5729343A (en) * 1995-11-16 1998-03-17 Nikon Precision Inc. Film thickness measurement apparatus with tilting stage and method of operation
US6075606A (en) 1996-02-16 2000-06-13 Doan; Trung T. Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates
US5777739A (en) * 1996-02-16 1998-07-07 Micron Technology, Inc. Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5777729A (en) * 1996-05-07 1998-07-07 Nikon Corporation Wafer inspection method and apparatus using diffracted light
US5638176A (en) * 1996-06-25 1997-06-10 International Business Machines Corporation Inexpensive interferometric eye tracking system
US5666197A (en) * 1996-08-21 1997-09-09 Polaroid Corporation Apparatus and methods employing phase control and analysis of evanescent illumination for imaging and metrology of subwavelength lateral surface topography
US5838448A (en) * 1997-03-11 1998-11-17 Nikon Corporation CMP variable angle in situ sensor
US6007408A (en) * 1997-08-21 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical polishing of substrates
WO1999054924A1 (fr) 1998-04-21 1999-10-28 Hitachi, Ltd. Dispositif et procede permettant de mesurer l'epaisseur d'un film mince, et procede et dispositif de production d'un film mince utilisant les premiers
US6046111A (en) * 1998-09-02 2000-04-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6190234B1 (en) * 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
US6247998B1 (en) 1999-01-25 2001-06-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining substrate layer thickness during chemical mechanical polishing
US6994607B2 (en) * 2001-12-28 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US6368881B1 (en) * 2000-02-29 2002-04-09 International Business Machines Corporation Wafer thickness control during backside grind
US6290572B1 (en) 2000-03-23 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Devices and methods for in-situ control of mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6612901B1 (en) * 2000-06-07 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing of web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6428386B1 (en) 2000-06-16 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Planarizing pads, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6609947B1 (en) * 2000-08-30 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and control systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of micro electronic substrates
US6447369B1 (en) 2000-08-30 2002-09-10 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and alignment systems for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
SE519918C2 (sv) * 2000-11-24 2003-04-22 Cervitrol Ab Förfarande och anordning för radiometrisk mätning av tunna vätskefilmer
US8049172B2 (en) * 2000-11-24 2011-11-01 Microfluid Ab Radiometric measuring of thin fluid films
US6593238B1 (en) 2000-11-27 2003-07-15 Motorola, Inc. Method for determining an endpoint and semiconductor wafer
US6731380B2 (en) 2001-06-18 2004-05-04 Applied Optics Center Of Delaware, Inc. Method and apparatus for simultaneous measurement of the refractive index and thickness of thin films
US6975410B1 (en) * 2002-04-15 2005-12-13 Sturgill Dennis T Measuring device
US7341502B2 (en) * 2002-07-18 2008-03-11 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing workpieces, e.g., microelectronic workpieces
US7869057B2 (en) * 2002-09-09 2011-01-11 Zygo Corporation Multiple-angle multiple-wavelength interferometer using high-NA imaging and spectral analysis
US7139081B2 (en) * 2002-09-09 2006-11-21 Zygo Corporation Interferometry method for ellipsometry, reflectometry, and scatterometry measurements, including characterization of thin film structures
US7106454B2 (en) * 2003-03-06 2006-09-12 Zygo Corporation Profiling complex surface structures using scanning interferometry
US7324214B2 (en) * 2003-03-06 2008-01-29 Zygo Corporation Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features
US7271918B2 (en) * 2003-03-06 2007-09-18 Zygo Corporation Profiling complex surface structures using scanning interferometry
WO2005029193A2 (en) * 2003-09-15 2005-03-31 Zygo Corporation Interferometric analysis of surfaces.
TWI335417B (en) 2003-10-27 2011-01-01 Zygo Corp Method and apparatus for thin film measurement
US20060012582A1 (en) * 2004-07-15 2006-01-19 De Lega Xavier C Transparent film measurements
US7884947B2 (en) * 2005-01-20 2011-02-08 Zygo Corporation Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination
EP2108919B1 (en) * 2005-01-20 2015-03-11 Zygo Corporation Interferometer for determining characteristics of an object surface
TWI394930B (zh) * 2005-05-19 2013-05-01 Zygo Corp 取得薄膜結構資訊之低同調干涉信號的分析方法及裝置
WO2007044786A2 (en) * 2005-10-11 2007-04-19 Zygo Corporation Interferometry method and system including spectral decomposition
US7986404B2 (en) * 2006-03-30 2011-07-26 Orbotech Ltd. Inspection system employing illumination that is selectable over a continuous range angles
WO2008011510A2 (en) * 2006-07-21 2008-01-24 Zygo Corporation Compensation of systematic effects in low coherence interferometry
DE102007043937B4 (de) * 2006-09-13 2010-10-07 Innovent E.V. Verfahren zur Bestimmung der Dicke und des Brechungsindex von optisch transparenten Schichten auf optisch transparenten planparallelen Substraten
JP4974626B2 (ja) * 2006-09-20 2012-07-11 日東電工株式会社 粘着テープ切断方法およびこれを用いた粘着テープ貼付け装置
JP5502491B2 (ja) * 2006-12-22 2014-05-28 ザイゴ コーポレーション 表面特徴の特性測定のための装置および方法
US20080158572A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Honeywell, Inc. System and method for measurement of thickness of thin films
US7889355B2 (en) * 2007-01-31 2011-02-15 Zygo Corporation Interferometry for lateral metrology
US7619746B2 (en) * 2007-07-19 2009-11-17 Zygo Corporation Generating model signals for interferometry
US8072611B2 (en) * 2007-10-12 2011-12-06 Zygo Corporation Interferometric analysis of under-resolved features
US20100274525A1 (en) * 2007-10-31 2010-10-28 Corning Incorporated Laser Scanning Measurement Systems And Methods For Surface Shape Measurement Of Hidden Surfaces
JP5222954B2 (ja) * 2007-11-13 2013-06-26 ザイゴ コーポレーション 偏光スキャンを利用した干渉計
WO2009079334A2 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Zygo Corporation Analyzing surface structure using scanning interferometry
US8004688B2 (en) 2008-11-26 2011-08-23 Zygo Corporation Scan error correction in low coherence scanning interferometry
US9244290B2 (en) 2011-01-06 2016-01-26 Applied Materials Israel Ltd. Method and system for coherence reduction
WO2012138344A1 (en) 2011-04-07 2012-10-11 Applied Materials Israel, Ltd. Inspection method and an inspection system exhibiting speckle reduction characteristics
US9581433B2 (en) * 2013-12-11 2017-02-28 Honeywell Asca Inc. Caliper sensor and method using mid-infrared interferometry
US20150253127A1 (en) * 2014-03-04 2015-09-10 Honeywell Asca Inc. Thickness Determination of Web Product by Mid-infrared Wavelength Scanning Interferometry
US20160041089A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 Minna Hovinen Systems and methods utilizing long wavelength electromagnetic radiation for feature definition
CN104536172A (zh) * 2015-01-22 2015-04-22 合肥京东方光电科技有限公司 一种检测装置和检测方法
US10094653B2 (en) 2015-01-22 2018-10-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Detection device and detection method
US9597839B2 (en) 2015-06-16 2017-03-21 Xerox Corporation System for adjusting operation of a printer during three-dimensional object printing to compensate for errors in object formation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS533363A (en) * 1976-06-30 1978-01-13 Canon Inc Measurement method and measurement device
JPS5535214A (en) * 1978-09-04 1980-03-12 Asahi Chem Ind Co Ltd Method and device for film-thickness measurement making use of infrared-ray interference

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2999944A (en) * 1959-12-29 1961-09-12 Jones & Laughlin Steel Corp Non-contacting width gage
US3645625A (en) * 1970-12-22 1972-02-29 Karl Leistner Test device for an image motion compensation aerial camera
US3824017A (en) * 1973-03-26 1974-07-16 Ibm Method of determining the thickness of contiguous thin films on a substrate
JPS5948323B2 (ja) * 1978-05-29 1984-11-26 日本板硝子株式会社 透明板の厚み測定方法
JPS5622902A (en) * 1979-08-01 1981-03-04 Nippon Sheet Glass Co Ltd Measuring method for thickness of transparent plate
US4377343A (en) * 1981-07-10 1983-03-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Dual-beam skin friction interferometer
IT1155284B (it) * 1982-02-10 1987-01-28 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento e apparecchiatura per la misura dell'indice di rifrazione e dello spessore di materiali trasparenti
US4533250A (en) * 1983-04-11 1985-08-06 Honeywell Inc. Readout apparatus for a ring laser angular rate sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS533363A (en) * 1976-06-30 1978-01-13 Canon Inc Measurement method and measurement device
JPS5535214A (en) * 1978-09-04 1980-03-12 Asahi Chem Ind Co Ltd Method and device for film-thickness measurement making use of infrared-ray interference

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60127403A (ja) 1985-07-08
US4660980A (en) 1987-04-28

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