JP3894836B2 - エッジ検出装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、平行な目盛線が複数本配列形成されたスケールの校正装置等に用いられる目盛線のエッジを光学的に検出するエッジ検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来スケールの目盛線エッジを光学的に検出する方法として、大きく分けて、目盛線エッジ像の明暗の変曲点を計測する変曲点法と、目盛線エッジ像の光相対強度を所定のレベルでスライスしてエッジ位置を求める光相対強度法とがある。前者には、受光素子前面に配置したスリットを振動させて得られる受光信号から変曲点を求める振動スリット法、二つの受光素子の出力信号を処理してその差動信号から変曲点を求める二元配置センサ法等がある。後者にも、ピンホール法、スリット法、画像処理法等がある。
【0003】
従来のエッジ検出法には、一長一短があった。例えば変曲点法は、再現性がよく、操作性にも優れており、目盛線のエッジ間隔の測定は高精度にできるが、エッジ位置の正確な検出は難しい。光相対強度法は、高精度のエッジ位置測定が可能であるが、反面、明暗の100%,0%合わせと、これらとの関係でスライスレベルの設定が必要である。
【0004】
そこで、本出願人は、エッジ像に対する位置を少しずつずらして配置された3つのスリットを使用した3スリット法によるエッジ検出装置を提案している(特開平8−145621号、特開2000−171210号公報)。この特開平8−145621号に開示されたエッジ検出装置を図6に基づいて説明する。
【0005】
スケール1の目盛像を形成する光束が対物レンズ2で拡大されて第1のビームスプリッタ3に入り、その透過光が第2のビームスプリッタ4に入る。第2のビームスプリッタ4を透過した光は第1の受光素子5aで受光される。また、第1のビームスプリッタ3で反射した光は第2の受光素子5bで受光され、第2のビームスプリッタ4で反射した光は第3の受光素子5cで受光される。なお、第1乃至第3の受光素子5a,5b,5cの前方には、それぞれスリット6a、6b、6cが配置され、各受光素子5a−5cは、このスリット6a−6cを介して光を受光するようになっている。
【0006】
スリット6a,6b,6cは、図7(a)に示すように、スケール1の移動方向に沿ってその配置位置が僅かずつ異なっている。このため、図7(b)に示すように、受光素子5a,5b,5cで受光され増幅器7a、7b,7cで増幅された増幅信号Ao,Bo,Coは、信号の立ち上がりのタイミングが僅かずつ異なっている。演算回路8において、この増幅信号を加減算した信号Do=Ao+Co−2Boを取得する。この信号Doのゼロクロス点が、スケール1の目盛エッジ位置と一致するので、このゼロクロス位置を検出することにより、スケール1の目盛エッジ位置を検出することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方式では、3スリットを使用するため、測定可能なスケールのピッチの下限が限られてしまうという問題があった。すなわち、3つのスリット6a,6b,6cのスリット幅が10μm、各スリット間の間隔が10μmだとすると、3スリット全体の幅は30μmとなってしまう。このため、測定対象としてのスケールの目盛の線幅は、解像度の高い光学系を使用したとしても、像側に換算して30μm程度が限界であり、それ以下の目盛ピッチのスケールの測定は困難であった。
【0008】
本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、より狭ピッチのスケールの測定を可能としたエッジ検出装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的達成のため、本発明に係るエッジ検出装置は、平行な目盛線が複数本配列形成されたスケールの目盛線エッジを光学的に検出するエッジ検出装置において、前記スケールに斜め方向から光を投影することにより前記目盛線エッジにおいて散乱光を生じさせ目盛線エッジの線像を生じさせる暗視野照明光学系と、前記目盛線エッジの線像を拡大する対物レンズと、この対物レンズにより拡大された前記目盛線エッジの線像を形成する光を分岐させるビームスプリッタと、前記目盛線エッジと平行な第1のスリットを介して前記ビームスプリッタで分岐された一方の光を検出する受光面を持つ第1の受光手段と、前記目盛線エッジと平行で前記第1のスリットとは異なる位置に配置された第2のスリットを介して前記ビームスプリッタで分岐された他方の光を検出する受光面を持つ第2の受光手段と、前記第1及び第2の受光手段の出力の差分を演算してエッジ検出信号を生成する演算手段とを備えていることを特徴とする。
【0010】
本発明によれば、暗視野照明光学系により、前記スケールに斜め方向から光が投影され、前記目盛線エッジにおいて散乱光を生じ、これにより前記目盛線エッジの線像を生じる。この前記目盛線エッジの線像が対物レンズにより拡大され、ビームスプリッタにより、第1のスリット、第2のスリットを介して第1の受光手段、第2の受光手段で検出される。そして、前記第1及び第2の受光手段の出力の差分が演算手段により演算されエッジ検出信号が生成される。暗視野照明による目盛線エッジの線像が鮮鋭な細い像となることから、エッジ検出信号はSカーブとなり、そのゼロクロス点より目盛線エッジの位置が検出できる。
【0011】
本発明における前記演算手段は、前記第1及び第2の受光手段からの出力信号を所定の閾値でカットした信号の差分を演算して前記エッジ検出信号を生成するようにすることができる。このようにすることにより、測定対象としてのスケールの目盛のピッチが第1、第2のスリット間の幅との関係で小さくなってきた場合でも、正確に目盛エッジを検出することができる。また、本発明において、前記第1のスリットと前記第2のスリットがそのスリット長手方向と垂直な方向に移動可能としてもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本実施の形態に係るエッジ検出装置の全体構成を示す。従来技術(図6)と同様の構成要素には同一の番号を付しその詳細な説明は省略する。このエッジ検出装置が従来技術のものと異なる点は次の2点である。
【0013】
(ア)スケール1に向けて斜め方向(投影角α)から光を投影することによりスケール1の目盛線エッジにおいて散乱光を生じさせ前記目盛線エッジの線像Eiを生じさせる暗視野照明光学系9を備えている。暗視野照明光学系9は、光源9aと、この光源9aからの光を平行光束とするコリメートレンズ9bと、スケール1で反射した光を反射させるミラー9cとを備えている。スケール1が、例えばガラス基板に金属膜を蒸着してエッチングするなどして目盛を形成したものである場合、スケール1はエッジ部分を除いて平滑である。このため、光源9a等から光を照射すると、その光は基本的にはスケール1上で反射され、対物レンズ2には入射しないが、目盛線のエッジ部分(角の部分)では散乱される。このため、受光素子5a,5bには、図2(a)に示すようなスケールの目盛の像そのものではなく、図2(b)に示すような目盛のエッジ部分が明るく浮かび上がった目盛線エッジの線像Eiとなる。本実施の形態では、左右のエッジ両側で均一強度分布となるように、左右両方から光を照射すべく、ミラー9cを設けているが、片側からの照射でも十分に均一な強度分布となるようであれば、ミラー9cは省略してもよい。
【0014】
なお、前述の投影角αは、対物レンズ2のNAとの関係で、α>sin-1NAとなるように選ぶ必要がある。投影された光の反射光が対物レンズ2に入射することを防止し、散乱光のみが対物レンズ2に入射するようにするためである。
【0015】
(イ)従来技術が3つのスリット板を利用する3スリット法を採用しているのに対し、本実施の形態では2枚のスリット板を利用する2スリット法を採用している。すなわち、本実施の形態では、この暗視野照明光学系9により浮かび上がる目盛線エッジの線像Eiは、2つのスリット板6a、6bを介して第1、第2の受光素子5a,5bにより取得される。スケール1が目盛線と垂直な方向に移動されることにより、目盛線エッジの位置が検出される。この目盛線エッジの線像Eiを形成する光束は対物レンズ2に入射され、ビームスプリッタ3に入射される。このビームスプリッタ3は、一部の光を透過し、残りの光を反射する。ビームスプリッタ3の透過光は第1の受光素子5aで受光され、ビームスプリッタ3の反射光は第2の受光素子5bで受光される。受光素子5aの受光面の前面には、スリット6aが配置され、受光素子5bの受光面の前面にはスリット6bが配置されている。
【0016】
スリット6a,6bは、スケール1の移動方向に関し互いに若干ずれた位置に配置されている。例えば、図2に示すように、スリット6a,6bの幅Wを10μm、長さを5mmとした場合、両者間の間隔Dを10−20μm程度とすることができる。これにより、スケール1をその目盛線と直交する方向に移動させたときに、ある目盛線エッジの線像を形成する光束が、受光素子5a、受光素子5bの順に(あるいはその逆)受光されるようになる。
【0017】
受光素子5a、5bの出力a,bは、それぞれアンプ7a,7bで増幅されて増幅信号a´,b´とされた後、演算部8に供給される。演算部8は、これらの増幅信号a´,b´の差分d=a´−b´からエッジ検出信号を生成すると共に、生成されたエッジ検出信号からエッジ位置を検出する。
【0018】
前述したように、受光素子5a,5bには、図2(b)に示すような目盛線のエッジ像Eiが形成される。目盛ピッチをp、光学系の拡大倍率をmとした場合、明視野照明された場合のスケール1の目盛像(図2(a))の目盛間の間隔はmpとなるが、本実施の形態のような暗視野照明がされた場合、各目盛線エッジの像Eiの間隔はその半分のmp/2となる。しかし、目盛線エッジの線像Ei自体の幅は狭いので、スケール1の移動により各受光素子5a,5bにより得られる信号a,bは、図3に示すように、その目盛線エッジの潜像Eiの部分で急峻に立ち上がり、目盛線エッジの線像EiとEiとの間の信号の振幅は略ゼロとなる。
【0019】
このため、この両信号a´,b´の差分信号d=a´−b´は、図3に示すようなSカーブを描き、そのゼロクロス点が目盛線エッジの位置と一致する。また、Sカーブ間には信号a,bと同様に振幅がゼロの区間(区間長Dz)が存在する。この区間長Dzよりも、2つのスリット6a、6bの間の間隔Dと各スリット6a,6bの幅Wの和(W+D)が小さければ、エッジ検出が可能となる。
【0020】
この演算部8での演算及びエッジ位置の検出の様子を、図3に基づいて説明する。図3(a)(b)に示すように、信号a´は信号b´よりも早く立ち上がり早く立ち下がる。信号a´,b´の差分信号d´=a´−b´は図3(c)に示すようになる。信号dのゼロクロス点がスケール1の目盛線エッジの位置となるので、このゼロクロス点を検出することにより、エッジ位置の検出をすることができる。
【0021】
スケール1の目盛線の間隔が小さくなり、光学系の分解能に近づいて来ると、目盛線エッジの線像Eiを形成する光束が入射しない部分でも、信号a´,b´のレベルがゼロとならなくなる(図4(a)(b))。差分信号dにおいても、エッジ部分以外でもゼロクロス点が生じることになり(図4(c))、エッジ検出を正確に行うことができなくなる。
【0022】
そこで、本実施の形態では、図5に示すように、演算回路8において信号a´,b´について適当な閾値を設定して閾値以下の信号をカットし、このカット後の信号の差分信号d´によりエッジ位置の検出を行うようにする。閾値の大きさは、差分信号d´のゼロクロス点間に生じる振幅ゼロの領域の幅が、スリット6aと6bとの間の幅Dと各スリットの幅Wの和(W+D)よりも大きくなるようにする。これにより、エッジ部分以外では、差分信号d´にはゼロクロス点が生じず、エッジ位置の誤検出が回避される。
【0023】
なお、図1の2つのスリット6a,6bの位置は固定でもよいが、図8に示すように、スケール1の移動方向に移動可能とし(換言すれば、スリット6a,6bの長手方向と垂直な方向に移動可能とし)、これによりスリット6a,6b間の距離Dが可変になるようにしてもよい。測定対象としてのスケール1のピッチ等に応じて距離Dが可変となることにより、差分信号dの変化の度合を変えることができ、より正確な検出が可能となる。
【0024】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明に係るエッジ検出装置によれば、暗視野照明に基づくより目盛線エッジの線像を利用して2つのスリットのみで検出可能としているため、従来の3スリット法に比べスリット間の間隔を狭くすることができ、より狭ピッチのスケールの測定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態に係るエッジ検出装置の全体構成を示す図である。
【図2】 図1に示すエッジ検出装置における目盛線エッジの線像Eiとスリット6a,6bとの関係を示す。
【図3】 図1に示すエッジ検出装置における受光素子5a,5bで受光され増幅器7a,7bで増幅される検出信号a´,b´、及びその差分信号dの波形を示す。
【図4】 スケール1のピッチPが光学系の分解能に近づいた場合の検出信号a´,b´及び差分信号dの波形を示す。
【図5】 図4の場合の信号処理方法を示す。
【図6】 従来技術に係るエッジ検出装置の全体構成を示す。
【図7】 図6に示す従来技術に係るエッジ検出装置の検出原理を示す。
【図8】 スリット6a、6b間の距離を可変とした場合を説明したものである。
【符号の説明】
1・・・スケール、 2・・・対物レンズ、 3・・・第1のビームスプリッタ、 4・・・第2のビームスプリッタ、 5a・・・第1の受光素子、 5b・・・第2の受光素子、 5c・・・第3の受光素子、 6a,6b,6c・・・スリット、 7a,7b,7c・・・増幅器、 8・・・演算回路
Claims (3)
- 平行な目盛線が複数本配列形成されたスケールの目盛線エッジを光学的に検出するエッジ検出装置において、
前記スケールに斜め方向から光を投影することにより前記目盛線エッジにおいて散乱光を生じさせ目盛線エッジの線像を生じさせる暗視野照明光学系と、
前記目盛線エッジの線像を拡大する対物レンズと、
この対物レンズにより拡大された前記目盛線エッジの線像を形成する光を分岐させるビームスプリッタと、
前記目盛線エッジと平行な第1のスリットを介して前記ビームスプリッタで分岐された一方の光を検出する受光面を持つ第1の受光手段と、
前記目盛線エッジと平行で前記第1のスリットとは異なる位置に配置された第2のスリットを介して前記ビームスプリッタで分岐された他方の光を検出する受光面を持つ第2の受光手段と、
前記第1及び第2の受光手段の出力の差分を演算してエッジ検出信号を生成する演算手段とを備えていることを特徴とするエッジ検出装置。 - 前記演算手段は、前記第1及び第2の受光手段からの出力信号を所定の閾値でカットした信号の差分を演算して前記エッジ検出信号を生成するようにされた請求項1に記載のエッジ検出装置。
- 前記第1のスリットと前記第2のスリットがそのスリット長手方向と垂直な方向に移動可能とされた請求項1に記載のエッジ検出装置。
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