JPS61234562A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS61234562A JPS61234562A JP60077055A JP7705585A JPS61234562A JP S61234562 A JPS61234562 A JP S61234562A JP 60077055 A JP60077055 A JP 60077055A JP 7705585 A JP7705585 A JP 7705585A JP S61234562 A JPS61234562 A JP S61234562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- connecting surface
- solid
- state imaging
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は複数個のチップを配列し念固体撮像装置のチ９
プ構造に関する。
プ構造に関する。
本発明は複数個のチ〜プを配列し九固体撮像装置のチ９
プ接続部において、チップ同士ｈｔ向い合う梓続面内で
（埴１図の１４）受光素子ｈ”＝形成されている素子面
（第１図の１６）との交線から１０μｍ以上残して残り
の部分の接続面を１μｍ以上の深さで削りとることによ
り、チップの切！！！Ｆｌ′に容易にして切断時に起こ
る素子面の「かけ」や接続面の［凹凸Ｊ＃Ｚ滅る。した
がって、チリプーヒで素子を接続面に非常に近く配置で
きるとともＫ、配列精度がすぐれ定固体撮偉装置となり
、なおかつ接着剤の素子面への回り込みや接続部での乱
反射を防ぐものである。
プ接続部において、チップ同士ｈｔ向い合う梓続面内で
（埴１図の１４）受光素子ｈ”＝形成されている素子面
（第１図の１６）との交線から１０μｍ以上残して残り
の部分の接続面を１μｍ以上の深さで削りとることによ
り、チップの切！！！Ｆｌ′に容易にして切断時に起こ
る素子面の「かけ」や接続面の［凹凸Ｊ＃Ｚ滅る。した
がって、チリプーヒで素子を接続面に非常に近く配置で
きるとともＫ、配列精度がすぐれ定固体撮偉装置となり
、なおかつ接着剤の素子面への回り込みや接続部での乱
反射を防ぐものである。
固体撮像装置に用いられる素子チップの大型化が進んで
いるこの頃であるが、ファクシミリなどの応用分野にお
いて装置全体の小型化、経済化のす＜”ｈ友等価型で原
稿幅大の撮像素子の有用性が注目されている。さらに受
光素子の駆動部分も同一チップ内に形成することで外部
への引き出し配線数の少ない高速高性能で経済性のすぐ
れた固体撮像装置となる。しかし現在の高性能な半導体
能動素子を形成する装置を用いて原稿幅の大きさの素子
チ〜プを形成することは困難を極める。そこで複数個の
テ９プを配列するマルチチップ固体撮像装置が考えられ
るｈｚ−チップの配列精度や配列方法に未解決な問題ｈ
ｚ多い。
いるこの頃であるが、ファクシミリなどの応用分野にお
いて装置全体の小型化、経済化のす＜”ｈ友等価型で原
稿幅大の撮像素子の有用性が注目されている。さらに受
光素子の駆動部分も同一チップ内に形成することで外部
への引き出し配線数の少ない高速高性能で経済性のすぐ
れた固体撮像装置となる。しかし現在の高性能な半導体
能動素子を形成する装置を用いて原稿幅の大きさの素子
チ〜プを形成することは困難を極める。そこで複数個の
テ９プを配列するマルチチップ固体撮像装置が考えられ
るｈｚ−チップの配列精度や配列方法に未解決な問題ｈ
ｚ多い。
従来、接続部す１図に示すように隣同士の２つの接続面
は１枚の面と面６を平行に向い合って接続されていた。
は１枚の面と面６を平行に向い合って接続されていた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、従
来構造ではチップの属人が増加するにし７ ＭＳりてチ
ップの切断に伴なう素子面の「かけ」（第２図の２４）
や切断面（接続面）の「凹凸」も増加して受光素子を接
続面（切断面）に近づけることや互いの接続面間の距離
を零にすることけ困難を窮める。さらには互Ｖ１の接続
面を近づけることでチップ固定用の接着剤が基板（第２
図の２７）から接続面間を伝わって素子面Ｋまで回り込
んでしまい受光素子に光学的な悪影響を及ぼす。さらに
、この接続面間に入り込んだ接着剤は接続面間の距離Ｐ
Ｉ３度に誤差を生じさせる。以上の理由で、従来構造で
はチップを精度よく配電することは頗る困難であゆ、こ
れは属人のある石英チップなどを素子チ９プに用い友場
合に顕著となる。
来構造ではチップの属人が増加するにし７ ＭＳりてチ
ップの切断に伴なう素子面の「かけ」（第２図の２４）
や切断面（接続面）の「凹凸」も増加して受光素子を接
続面（切断面）に近づけることや互いの接続面間の距離
を零にすることけ困難を窮める。さらには互Ｖ１の接続
面を近づけることでチップ固定用の接着剤が基板（第２
図の２７）から接続面間を伝わって素子面Ｋまで回り込
んでしまい受光素子に光学的な悪影響を及ぼす。さらに
、この接続面間に入り込んだ接着剤は接続面間の距離Ｐ
Ｉ３度に誤差を生じさせる。以上の理由で、従来構造で
はチップを精度よく配電することは頗る困難であゆ、こ
れは属人のある石英チップなどを素子チ９プに用い友場
合に顕著となる。
さらに、この場合にけ切断の離しさも加わって接続面に
近接して受光素子をチップ上で配置することも困難とな
り、撮像装置として標準になりつつある分解能８〜６ド
ツ）／ｕｔなどけ接続部で受光素子ｈζ数ドヴト抜けて
しまって撮像装置として不完全なものとなってしま５と
いう大きな問題点を抱えていた。
近接して受光素子をチップ上で配置することも困難とな
り、撮像装置として標準になりつつある分解能８〜６ド
ツ）／ｕｔなどけ接続部で受光素子ｈζ数ドヴト抜けて
しまって撮像装置として不完全なものとなってしま５と
いう大きな問題点を抱えていた。
そこで１本発明けこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところはマルチチップ固体撮像装置にか
いて、チップの配置精度を向上させ、ざら釦高分解能（
８〜１６ドツト／ｍ ｌを有する固体撮像装置に適する
構造を提供するところＫある。
その目的とするところはマルチチップ固体撮像装置にか
いて、チップの配置精度を向上させ、ざら釦高分解能（
８〜１６ドツト／ｍ ｌを有する固体撮像装置に適する
構造を提供するところＫある。
本発明の固体撮像装置は、複数個の素子チップを配列し
た固体撮像装置内の各々のチーノブが接続される部分に
おいて、チップ同士の向い合う接続面（第１図の１４）
内で受光素子（＄１図の１７）が形成されている素子面
（第１図の１６）との交線から１０μｍ以上残して残り
部分の接続面を１μｍ以上の深さで削り取る（笛１図の
１３）ことを特徴とする。
た固体撮像装置内の各々のチーノブが接続される部分に
おいて、チップ同士の向い合う接続面（第１図の１４）
内で受光素子（＄１図の１７）が形成されている素子面
（第１図の１６）との交線から１０μｍ以上残して残り
部分の接続面を１μｍ以上の深さで削り取る（笛１図の
１３）ことを特徴とする。
〔実施例Ｊ
第１図は本発明により配列された２つのチ９プの接続部
の構造図である。この図で１７の受光素子は１４の接続
面に近づけて配置する必要がある。
の構造図である。この図で１７の受光素子は１４の接続
面に近づけて配置する必要がある。
念とえば、１６ドヴト廓の場合に素子中心から接続面ま
で約３０μｍである。素子幅を５０μｍとすると１７の
受光素子端から１４の接続面まで約５μｍとなり、さら
に１４の接続面は相手チップの接続面トサブミクロンの
オーダーで近接させる必要ｈｔあることになる。
で約３０μｍである。素子幅を５０μｍとすると１７の
受光素子端から１４の接続面まで約５μｍとなり、さら
に１４の接続面は相手チップの接続面トサブミクロンの
オーダーで近接させる必要ｈｔあることになる。
本発明では各チップの接続部から削り部分（１３］を削
り堰ってしまうことで一ヒ肥の要求をかな憂ている。具
体的なチップの加工方法として種々の方法が考えられる
ｈｚ、以下に例を示す。いずれの方法もチ９プに切断加
えするときにまとめて加工する方法が効率１！＋ｔよい
。
り堰ってしまうことで一ヒ肥の要求をかな憂ている。具
体的なチップの加工方法として種々の方法が考えられる
ｈｚ、以下に例を示す。いずれの方法もチ９プに切断加
えするときにまとめて加工する方法が効率１！＋ｔよい
。
（１） まず接続面を形成する次めにダイヤモンド粒
を粘結剤で固めた刃（以下、ダイヤモンド・ブレードと
呼ぶ）で粒度をできるだけ細かくして（必然的に刃の強
度はなくなるので）所望の場所に浅く溝を入れることで
接続面（１ル）の凹凸をサブミクロンオーダもしくけミ
クロンオーダにまで落とし、かつ素子面の「かけＪ （
１５）をミクロンオーダにする。次にチップの裏面より
弾度があり深く溝入れｂ−できるダイヤモンド・グレー
ド（粘度が比較的荒く、刃幅のあるもの）ｆ用いて１３
の削り部分を削り増る。
を粘結剤で固めた刃（以下、ダイヤモンド・ブレードと
呼ぶ）で粒度をできるだけ細かくして（必然的に刃の強
度はなくなるので）所望の場所に浅く溝を入れることで
接続面（１ル）の凹凸をサブミクロンオーダもしくけミ
クロンオーダにまで落とし、かつ素子面の「かけＪ （
１５）をミクロンオーダにする。次にチップの裏面より
弾度があり深く溝入れｂ−できるダイヤモンド・グレー
ド（粘度が比較的荒く、刃幅のあるもの）ｆ用いて１３
の削り部分を削り増る。
（２） （１）と順序を逆にして、まず削り部分を削
り取っ之後に細かい粒Ｉ変のダイヤモンド・ブレードを
用いて接続面の加工に入る方法である。
り取っ之後に細かい粒Ｉ変のダイヤモンド・ブレードを
用いて接続面の加工に入る方法である。
（３）第１図の１４の接続面は浅い溝加工に相当する念
めにレーぜ−を用いる方法や工ヴチングによって加工す
る方法ｈ”−ある。これは１手記の（１）や（２）でｌ
゛イヤモンドブレードにかわりに用いることが可能であ
り、チ９プ材料によっては削り部分（１３）の加工も可
能である。
めにレーぜ−を用いる方法や工ヴチングによって加工す
る方法ｈ”−ある。これは１手記の（１）や（２）でｌ
゛イヤモンドブレードにかわりに用いることが可能であ
り、チ９プ材料によっては削り部分（１３）の加工も可
能である。
以上の方法で接続面ｆ＃初に作る方法では、素子を形成
する以前の状態で加工することも可能である。
する以前の状態で加工することも可能である。
いずれの方法を用いても優り、た結果が得られるが、以
下には（２）の方法による接続部の形成方法を述べる。
下には（２）の方法による接続部の形成方法を述べる。
チ・ｌプ材料としては厚さ１．２鶴の石英板（材料強度
より０２〜３．０認が適当）を用いて、受光素子及び能
動素子には非晶質シリコン及び多結晶シリコンの薄膜素
子を用いる。まず、チップ基板で裏面（素子を形成しな
い面）より幅が２００μｍ（これは、請求の範囲でいう
削り部分の深さにきいてくる）で粒度が３２０番相当の
ダイヤモンド・ブレード１．１報深さの溝を形成する。
より０２〜３．０認が適当）を用いて、受光素子及び能
動素子には非晶質シリコン及び多結晶シリコンの薄膜素
子を用いる。まず、チップ基板で裏面（素子を形成しな
い面）より幅が２００μｍ（これは、請求の範囲でいう
削り部分の深さにきいてくる）で粒度が３２０番相当の
ダイヤモンド・ブレード１．１報深さの溝を形成する。
これはダイヤモンド・ブレードの強度を考えると適切な
値でありこのブレードで「かけ」は１００μ情以上に達
する。
値でありこのブレードで「かけ」は１００μ情以上に達
する。
次に、素子面から刃幅３５μｍで粒度２０００番相当の
ｌ°イヤモンド・ブレードで残り量０．１ ｍ （これ
以上の深さでは刃の強度より不可能）の接続面を形成す
る。これは本の一例であるが、この方法により素子面の
「かけ」け５μｍ以下となり、接続面の凹凸は１μｍ以
下となる。
ｌ°イヤモンド・ブレードで残り量０．１ ｍ （これ
以上の深さでは刃の強度より不可能）の接続面を形成す
る。これは本の一例であるが、この方法により素子面の
「かけ」け５μｍ以下となり、接続面の凹凸は１μｍ以
下となる。
以上で接続面の強度を得る几めにはチップ材料に依存す
るｈ−１一般に接続面は１０μ常（特には５０μｍ）以
上必要であり、削り部分の凹凸を考えて削り部分（１３
）は接続面ｆ １ μｆｒＬ（特には １０μｍ）以上
（上記例では刃幅に相当する方向） 削ることｈ−必要
である。また、削り部分（１３）は空洞となり接着剤の
素子面への回り通入け、この部分でふせげる。さらに、
チップ裏面より光入射のあるタイプの固体撮儂装置では
、チップ材料に近い屈折率を持った接着剤を用い空洞部
（削り部分）を充填すればよい結果が得られる。
るｈ−１一般に接続面は１０μ常（特には５０μｍ）以
上必要であり、削り部分の凹凸を考えて削り部分（１３
）は接続面ｆ １ μｆｒＬ（特には １０μｍ）以上
（上記例では刃幅に相当する方向） 削ることｈ−必要
である。また、削り部分（１３）は空洞となり接着剤の
素子面への回り通入け、この部分でふせげる。さらに、
チップ裏面より光入射のあるタイプの固体撮儂装置では
、チップ材料に近い屈折率を持った接着剤を用い空洞部
（削り部分）を充填すればよい結果が得られる。
以上述べ念ように、本発明によればマルチチップ型固体
撮像装置において、接続部で第１図に示すように接続面
（１４）と削り部分（１３）を作り込むことで、受光素
子を接続面に近接して配置することが可能であり、接続
面の凹凸ｈ＝ ｓクロンオーＩ゛以下になり、さらには
接着剤の逃げ場もしくは充填場所ができる。した＾ｔつ
て、高分解能（８ドツト、Ａｘ〜１６ ト’ −７）７
ｍ１以上）型のマルチチップ型固体撮像装置の製作六−
可能となり、さら・に配置精度をミクロンオーダ以下に
までざげることが可能であるという優れた効果を有する
。
撮像装置において、接続部で第１図に示すように接続面
（１４）と削り部分（１３）を作り込むことで、受光素
子を接続面に近接して配置することが可能であり、接続
面の凹凸ｈ＝ ｓクロンオーＩ゛以下になり、さらには
接着剤の逃げ場もしくは充填場所ができる。した＾ｔつ
て、高分解能（８ドツト、Ａｘ〜１６ ト’ −７）７
ｍ１以上）型のマルチチップ型固体撮像装置の製作六−
可能となり、さら・に配置精度をミクロンオーダ以下に
までざげることが可能であるという優れた効果を有する
。
第１図は、本発明により配列されたチップの接続部であ
り、第２図は従来の方法で配列され友チ、プの接続部図
である。 １３・・・・・・削り部分 １４・・・・・・接続面 １６１６１１９．素子面 １７・・・・・・受光素子 ２７・・・・・・接着剤 以 上
り、第２図は従来の方法で配列され友チ、プの接続部図
である。 １３・・・・・・削り部分 １４・・・・・・接続面 １６１６１１９．素子面 １７・・・・・・受光素子 ２７・・・・・・接着剤 以 上
Claims (2)
- （１）複数個の素子チップを配列した固体撮像装置内の
各々のチップが接続される部分において、チップ同士の
向い合う接続面（第１図の１４）内で受光素子（第１図
の１７）が形成されている素子面（第１図の１６）との
交線から１０μｍ以上残して残り部分の接続面を１μｍ
以上の深さで削り取る（第１図の１３）ことを特徴とす
る固体撮像装置。 - （２）チップ材料として厚さ０．２ｍｍから３．０ｍｍ
の石英板を用いて接続面を５０μｍ以上残し、残りを１
０μｍ以上の深さで削り取ることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077055A JPS61234562A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077055A JPS61234562A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234562A true JPS61234562A (ja) | 1986-10-18 |
Family
ID=13623098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60077055A Pending JPS61234562A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61234562A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141762A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-25 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 同一アレイを組み立てて長いアレイを形成するための画像センサアレイの製造方法 |
| JPH01233762A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Toshiba Corp | Ｃｃｄリニヤセンサ用半導体チップ及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-04-11 JP JP60077055A patent/JPS61234562A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141762A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-25 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 同一アレイを組み立てて長いアレイを形成するための画像センサアレイの製造方法 |
| JPH01233762A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Toshiba Corp | Ｃｃｄリニヤセンサ用半導体チップ及びその製造方法 |
| JP2609670B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1997-05-14 | 株式会社東芝 | Ｃｃｄリニヤセンサ用半導体チップ及びその製造方法 |
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