JPH01233762A - Ｃｃｄリニヤセンサ用半導体チップ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、複数個の半導体チップを直列に接続して固体
撮像装置を構成するＣＣＤリニアセンサ用半導体チップ
及びその製造方法に関する。

（従来の技術） 上記複数個の半導体チップを直列に並べ一本の固体撮像
索子として固体撮像装置を構成する、いわゆるマルチチ
ップ型固体撮像装置は、半導体ウェハを半導体チップｔ
；分離する必要がある。

従来この分離は、一般にダイシング装置に備えられたブ
レードを回転させつつ、このブレードを半導体ウェハの
鉛直上方から該半導体ウェハに当接させて、所定の大き
さに切断することによって行われていた。

このため、第６図に示すように、半導体チップ１の表面
の画素２を形成した素子面３と、他の半導体チップ１と
の接続部端面４とのなす角はほぼ直角であり、この対面
する接続部端面４，４が互いに平行になるように配置さ
れていた。

また、例えば特開昭６１−２３１７５７号として、半導
体チップの接続部で、このチップ同士が向かい合う接続
部端面と固体素子がのる素子面の２面で作られる角度が
９０＠未満となるようにしたものや、特開昭６２−１７
６１５７号として、センサの形成に先立って予め基板に
切断用の溝部を形成しておき、この溝部の位置で基板を
切断するようにしたもの等が提案されている。

（発明が解決しようとする課題） 上記第６図に示す、接続部端面４，４同士の良好な接続
のためには、この端面４の表面の凹凸の精度を上げなけ
ればならないが、例えば第７図に示すように、ブレード
の摩耗や真円度等によって、ブレードの傾斜に沿って、
素子面２と接続部端面４とのなす角αが鈍角となってし
まう部分が発生してしまうことがある等、高精度の接続
部端面４を得ることが一般に困難であった。

そして、高精度の接続部端面が得られないと、半導体チ
ップ１の配置精度が悪くなり、この接続部を挾む両半導
体チップ１，１の互いに隣接する画素２．２の間の距離
りに大きな誤差が生じてしまう。このことは、特にＣＣ
Ｄリニヤセンサにおいては、この間隔りは他の隣接する
画素間のピッチＰ（第５図）の間隔と等しくなるように
配置することにより、この長さ方向における画像の均一
化を図る必要から、大きな問題であるばかりでなく、今
後、解像度の高い装置の出現に伴い、ますます大きな問
題となると考えられる。

また、接続部端面４の表面の凹凸の精度が得られたとし
ても、ブレードによる切断では、第６図に示すような粉
砕部分５が切断時に発生してしまい、この粉砕部分５の
発生を防止することは一般に困難である。

このため、接続部での特性劣化、例えば解像度劣化等を
生じてしまうことがあるばかりでなく、上記と同様に両
半導体チップ１．１の互いに隣接する画素２．２の間の
距離りを他の隣接する画素間のピッチＰと等しくするこ
とが困難で、しかもこの粉砕部５が接続部端面４の近傍
に形成された画素２に大きな影響を与えてしまうことが
ある“といった問題点があった。

このことは、上記特開昭６１−２３１７５７号公報及び
特開昭６２−１７６１５７号公報に記載のものも、本質
的にブレードを使用して切断することを前提としている
ものであると考えられるため、はぼ同様であると考えら
れる。

本発明は上記に鑑み、半導体チップの接続部端面に粉砕
部分が発生してしまうことがなく、シかも半導体チップ
同士を精度良く配列することができるもの、及びその製
造方法を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明による半導体チップは
、複数個の半導体チップを直列に配列して固体撮像装置
を構成するＣＣＤリニアセンサ用半導体チップにおいて
、この半導体チップの他の半導体チップとの接続部端面
を、表面から鉛直方向下方に延びる異方性の良いエツチ
ングで形成した鉛直部と、この垂直部に連続し内方に傾
斜した傾斜部とから構成したものであり、この製造方法
は、半導体ウェハの表面の、切断した時に他の半導体チ
ップとの接続部となる部分に、異方性の良いエツチング
により直線で横断面矩形状の溝部を形成し、この溝部の
内部に下端部を該溝部の内側の鉛直壁に当接させつつダ
イシングのブレードを傾斜させて挿入して切断するとと
もに、この切断部と直交する方向に切断して分離するよ
うにしたものである。

（作　用） 上記のように構成された半導体チップにおいては、この
接続部端面の表面から鉛直下方に延びてドライエツチン
グ等の異方性の良いエツチングにより鉛直部が形成され
ているため、ダイシング等による粉砕部分の発生が防止
され、しかも凹凸をなくして精度良くこの鉛直部が形成
され、更にこの垂直部に連続し内方に傾斜して傾斜部が
形成されているため、半導体チップを配列する際にこの
傾斜部同士の干渉を防止して、上記鉛直部を整合させる
ことにより、この配列を精度良く行うようにすることが
できる。

（実施例） 以下、実施例について図面を参照して説明する。

第１図において、半導体チップ１の表面の素子面３には
、画素２が形成されている。この半導体チップ１の長さ
方向両端の、他の半導体チップ１との接続部端面４は、
表面から鉛直方向下方に延びる異方性の良いドライエツ
チングやＲＩＥで形成した鉛直部４ａと、この鉛直部４
ａに連続し、内方、即ち他の隣接する半導体チップ１の
接続部端面４と離れる方向に傾斜した傾斜部４ｂとから
構成されている。

このように、ドライエツチング等の異方性の良いエツチ
ングにより鉛直部４ａを形成することにより、ダイシン
グ等による粉砕部分の発生を防止し、しかも凹凸をなく
して精度良くこの鉛直部４ａを形成するのであり１、更
にこの垂直部４ａに連続し内方に傾斜して傾斜部４ｂを
形成することにより、半導体チップ１を配列する際にこ
の傾斜部４ｂ同士が干渉してしまうことを防止するので
ある。

そして、この半導体チップ１を一列に配列して固体撮像
装置を構成する時には、上記鉛直部４ａを互いに平行に
対面させつつ、しかも両半導体チップ１．１の互いに隣
接する画素２，２の間の距ｉ！ｔｌＥＬが他の隣接する
画素２，２間のピッチＰ（第５図）と等しくなるよう整
合することにより、上記傾斜部４ｂの干渉を防止して、
この配列を精度良く行うようにすることができる。

上記鉛直部４ａの長さｄは、互いに隣接する半導体チッ
プ１の厚さバラツキを考慮して、この厚さのバラツキよ
り十分に大きくとることが、上記配列の際にこの接続部
端面４が互いに対面することなく重合して、ここに段差
が発生してしまうことを確実に防止する上で望ましい。

即ち、この種の半導体チップ１の厚さのバラツキは、通
常的３０μｍ程度存在するため、この鉛直部４ａの長さ
ｄは、この値３０μｍより十分大きく、例えば１００μ
ｍ程度（ｄ初１０１００ｕとしている。

上記半導体チップ１の製造方法を第２図乃至第５図を参
照して説明する。

この半導体チップ１は、半導体ウェハ６を切断して製造
するのであるが、先ず第２図に示すように、半導体ウェ
ハ６の表面の、切断した時に他の半導体チップ１との接
続部となる部分に、異方性の良い、例えばドライエツチ
ングやＲＩＥ等により直線で横断面矩形状の溝部６ａ、
６ａを形成する。この角溝部６ａの深さｄ′は、上記と
同様に、例えば１００μｍ程度（ｄ’　初１００μｍ）
　、最低でも２０μｍ程度とし、この幅Ｗは、下記のダ
イシングのグレード８のこの溝部６ａ内部への挿入の際
に、これを阻害しない程度の幅、例えば２０μｍ程度（
Ｗ’＝２０．ｃｚｍ）としている。

このように、異方性の良いエツチングにより、粘度の良
い、即ち鉛直部及び水平部に凹凸が極めて少ない溝部６
ａ、６ａを形成するのである。

次に、第３図に示すように、溝部６ａ、６ａを付けた半
導体ウェハ６の表面にＣＣＤパターン７を形成する。

なお、この溝部６ａとＣＣＤパターン７との寸法関係は
、画＄２．　２間のピッチＰ（第５図）と接続した両半
導体チップ１．１の互いに隣接する画素２．２間の距離
りとが等しくなるように設定する。

最終のＣ’ＣＤパターン７の形成を完了した時点で、第
４図に示すように、ダイシングのブレード８の下端部を
上記溝部６ａの内側の鉛直壁に当接させつつ、該ブレー
ド８を溝部６ａ内に傾斜させて挿入し、これ回転するこ
とによりここを切断する。

この時のブレード８と水平面とのなす角θは、９０″未
満で、例えば７０″以上とする（７０゜≦θ＜９０”）
ことが望ましい。

そして、最後の半導体チップ１の個々の分離は、接続部
端面のような精度を必要としないので、第５図に示すよ
うに、従来同様、溝等を付けることなく、ダイシングの
ブレード８を回転させて行い、これにより、第１図に示
す半導体チップ１の分離成形を行い、同図に示すように
必要個数−列に配列して固体撮像装置を構成するのであ
る。

〔発明の効果〕

本発明は上記のような構成であるので、半導体チップの
接続部端面は、粉砕部分がなく精度が良い鉛直部とこの
垂直部に連続し内方に傾斜した傾斜部とから構成され、
この鉛直部を整合させることによって、精度良く半導体
チップ同士を配列するようにすることができる。従って
、この半導体チップを使用することにより、接続部の精
度が向上し、特性劣化が生じない高性能な固体撮像装置
を構成するようにすることがきる。

更に、本製造方法によれば、上記効果を備えた半導体チ
ップを比較的容品に、しかも確実に製造することができ
るといった効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体チップの接続部を示す斜視図、第２図乃
至第５図は半導体チップの製造を工程順に示し、第２図
（イ）は半導体ウェハに溝部を形成した状態の平面図、
同図（ロ）は同じく正面図、第３図はＣＣＤパターンを
形成した状態の平面図、第４図は溝部に沿って切断する
状態を示す正面図、第５図は個々の半導体チップに分離
する状態を示す斜視図、第６図は従来の半導体チップの
接続部を示す斜視図、第７図は第６図のＡ部を拡大して
示す正面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・画素、３・・・素子面
、４・・・接続部端面、４ａ・・・同鉛直部、４・ｂ・
・・同傾斜部、６・・・半導体ウェハ、６ａ・・・同溝
部、７・・・ＣＣＤパターン。 出願人代理人　　佐　　藤　　−雄 第１　図 、第　２　図 第４　図 第６　図　　　　　　第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数個の半導体チップを直列に配列して固体撮像装
   置を構成するＣＣＤリニアセンサ用半導体チップにおい
   て、この半導体チップの他の半導体チップとの接続部端
   面を、表面から鉛直方向下方に延びる異方性の良いエッ
   チングで形成した鉛直部と、この垂直部に連続し内方に
   傾斜した傾斜部とから構成したことを特徴するＣＣＤリ
   ニヤセンサ用半導体チップ。 ２、半導体ウェハの表面の、切断した時に他の半導体チ
   ップとの接続部となる部分に、異方性の良いエッチング
   により直線で横断面矩形状の溝部を形成し、この溝部の
   内部に下端部を該溝部の内側の鉛直壁に当接させつつダ
   イシングのブレードを傾斜させ挿入して切断するととも
   に、この切断部と直交する方向に切断して分離すること
   を特徴とするＣＣＤリニヤセンサ用半導体チップの製造
   方法。