JPS61231757A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS61231757A JPS61231757A JP60072891A JP7289185A JPS61231757A JP S61231757 A JPS61231757 A JP S61231757A JP 60072891 A JP60072891 A JP 60072891A JP 7289185 A JP7289185 A JP 7289185A JP S61231757 A JPS61231757 A JP S61231757A
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
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- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
- H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ル９ｂ 「！ＩＪ ｌ↓愉酌、ｎｎ＾イ−イナー１割１
へ田仕黒掩オ装置の実装構造に関する。
へ田仕黒掩オ装置の実装構造に関する。
本発明は複数個のチップを配列した固体撮像装置におい
て、チップの接続面が素子面と９０’以外の角度を有す
ることにより、接着剤の逃げ場が作られ接着剤の素子面
への影響が無くなるとともに接続部での乱反射を減少し
、なおかつ線接続に近くなり配列精度が向上するように
したものである。
て、チップの接続面が素子面と９０’以外の角度を有す
ることにより、接着剤の逃げ場が作られ接着剤の素子面
への影響が無くなるとともに接続部での乱反射を減少し
、なおかつ線接続に近くなり配列精度が向上するように
したものである。
固体撮像装置に用いられる素子チップの大型化が進んで
いるこの項であるが、ファクシミリなどの応用分野にお
いて装置全体の小型化、経済化のすぐれた等倍型で原稿
幅大の撮像素子の有用性が注目されている。さらに受光
素子の駆動部分も同一チップ内に形成することで外部へ
の引き出し配線数の少ない高速高性能で経済性のすぐれ
た固体撮像装置となる。しかし現在の高性能な半導体能
動素子を形成する装置を用いて原稿幅の大きさの素子チ
ップを形成することは困難を極める。そこで複数個のチ
ップを配列するマルチチップ型固体撮像装置が考えられ
るが、チップの配列精度や配列方法に未解決な問題が多
い。
いるこの項であるが、ファクシミリなどの応用分野にお
いて装置全体の小型化、経済化のすぐれた等倍型で原稿
幅大の撮像素子の有用性が注目されている。さらに受光
素子の駆動部分も同一チップ内に形成することで外部へ
の引き出し配線数の少ない高速高性能で経済性のすぐれ
た固体撮像装置となる。しかし現在の高性能な半導体能
動素子を形成する装置を用いて原稿幅の大きさの素子チ
ップを形成することは困難を極める。そこで複数個のチ
ップを配列するマルチチップ型固体撮像装置が考えられ
るが、チップの配列精度や配列方法に未解決な問題が多
い。
従来、接続部で第２図に示すように接続面（２３）は素
子面（２２）に垂直に切断されており２つの接続面は而
と面が平行に向かい合っていた。
子面（２２）に垂直に切断されており２つの接続面は而
と面が平行に向かい合っていた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、従
来技術では基板（２１）にチップを接着剤で固定する際
に２つの接続面の間を伝わって接着剤が素子面（２２）
にまで回り込んでしまい素子面の受光素子に光学的悪影
響をおよぼすばかりでなく能動素子を含めて信頼性にま
で影響をおよぼした。この傾向は素子面同士を近づけて
隣接素子の配置精度をよくすればするほど強くなるもの
である。また、さらに面同士の接続のため接続面の表面
の凹凸をミクロンオーダにおとすことは頗る困難であり
、配置精度が悪くなって隣接素子間距離に大きな誤差を
生じる。これはまた、接続面間に入り込んだ接着剤の厚
みでも生じる誤差である。以上のように、従来技術では
接続する２つのチップ上の瞬接素子（ビット）を近づけ
ることも精度よく配置することもできないというマルチ
チップ固体撮像装置の本質的な問題点となっていた。
来技術では基板（２１）にチップを接着剤で固定する際
に２つの接続面の間を伝わって接着剤が素子面（２２）
にまで回り込んでしまい素子面の受光素子に光学的悪影
響をおよぼすばかりでなく能動素子を含めて信頼性にま
で影響をおよぼした。この傾向は素子面同士を近づけて
隣接素子の配置精度をよくすればするほど強くなるもの
である。また、さらに面同士の接続のため接続面の表面
の凹凸をミクロンオーダにおとすことは頗る困難であり
、配置精度が悪くなって隣接素子間距離に大きな誤差を
生じる。これはまた、接続面間に入り込んだ接着剤の厚
みでも生じる誤差である。以上のように、従来技術では
接続する２つのチップ上の瞬接素子（ビット）を近づけ
ることも精度よく配置することもできないというマルチ
チップ固体撮像装置の本質的な問題点となっていた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはマルチチップ固体撮像装置におい
て、２つのチップの瞬接素子を近づけて精度よく配置で
きる構造を提供するところにある。
の目的とするところはマルチチップ固体撮像装置におい
て、２つのチップの瞬接素子を近づけて精度よく配置で
きる構造を提供するところにある。
本発明の固体撮像装置は複数個の素子チップを配列した
固体撮像装置において、各々のチップの接続部で該チッ
プ同士が向かい合う接続面（第１図の１４）と固体素子
がのる素子面（第１図の１２）の２面で作られる角度が
９０’未満であることを特徴とする。
固体撮像装置において、各々のチップの接続部で該チッ
プ同士が向かい合う接続面（第１図の１４）と固体素子
がのる素子面（第１図の１２）の２面で作られる角度が
９０’未満であることを特徴とする。
第１図は本発明により配列された２つのチップの接続部
の図面である。この図で画素Ａ（１７）と画素Ｂ（１Ｂ
）は同一チップ上の隣接素子間隔（１６ドツト／ｍｍの
装置で６２．５μｒｎ）と同一間隔にする必要がある。
の図面である。この図で画素Ａ（１７）と画素Ｂ（１Ｂ
）は同一チップ上の隣接素子間隔（１６ドツト／ｍｍの
装置で６２．５μｒｎ）と同一間隔にする必要がある。
つまり、それぞれの素子幅を５０μｍとすると素子端で
は１２．５μ溪幅で接続しなければならない。本発明で
は素子面（１２）と接続１（１４）とで作られる角（１
５）の角度を９０°未満の鋭角として、チップ側面から
見ると逆くさび状の空間を有して接続されることになる
。この角度の大きさについては後に述べるが、この様な
形状にすることで２つのチップの接触部分は１３の接続
線となり線接触となる。このことで接続間隔は接続面の
凹凸にほとんど影響されずにゼロに近くなる。チップ材
料として厚さ１閏程度の石英板を用いたときにこの凹凸
を切断のみで１０μ等以下にすることは困難である。２
つのチップを単につき合わせるだけで十分な配列精度を
得ることができる。
は１２．５μ溪幅で接続しなければならない。本発明で
は素子面（１２）と接続１（１４）とで作られる角（１
５）の角度を９０°未満の鋭角として、チップ側面から
見ると逆くさび状の空間を有して接続されることになる
。この角度の大きさについては後に述べるが、この様な
形状にすることで２つのチップの接触部分は１３の接続
線となり線接触となる。このことで接続間隔は接続面の
凹凸にほとんど影響されずにゼロに近くなる。チップ材
料として厚さ１閏程度の石英板を用いたときにこの凹凸
を切断のみで１０μ等以下にすることは困難である。２
つのチップを単につき合わせるだけで十分な配列精度を
得ることができる。
上記の構造でチップを基板（１１）に固定する訳である
が、固定に接着剤を用いると従来例では第２図で２５の
接着剤が接続面を伝わって２２の素子面にまで回り込ん
でしまい、レンズ作用などをして画素に影響を及ぼす。
が、固定に接着剤を用いると従来例では第２図で２５の
接着剤が接続面を伝わって２２の素子面にまで回り込ん
でしまい、レンズ作用などをして画素に影響を及ぼす。
本発明では接続が線接触となるばかりでなく、この接着
剤の回り込みが互いの接続面（１４）の間の逆くさび状
の隙間で緩和され、素子ＷＪ（１２）へ回り込むことは
なくなる。つまり、画素などの素子への影響が無くなる
訳である。
剤の回り込みが互いの接続面（１４）の間の逆くさび状
の隙間で緩和され、素子ＷＪ（１２）へ回り込むことは
なくなる。つまり、画素などの素子への影響が無くなる
訳である。
ここで、基板（１１）及びチップの材料に透明なものを
用いて１１の基板側から光を入射するタイプの固体撮像
装置を考えた場合、接続面に近づけて画素を配置するこ
と（第１図の画素Ａ、Ｂなど）は接続面で光の乱反射を
生じる。このために、たとえば接続面間に基板材料の屈
折率に近い接着剤ご充填する方法が考えられるが、前記
の理由で素子間に回り込んでしまい実装上で重要な問題
となっていた。本発明の構造を用いれば、この問題も必
然的に解決され難無く接着剤をチップ間（接続面間）に
充填可能である。
用いて１１の基板側から光を入射するタイプの固体撮像
装置を考えた場合、接続面に近づけて画素を配置するこ
と（第１図の画素Ａ、Ｂなど）は接続面で光の乱反射を
生じる。このために、たとえば接続面間に基板材料の屈
折率に近い接着剤ご充填する方法が考えられるが、前記
の理由で素子間に回り込んでしまい実装上で重要な問題
となっていた。本発明の構造を用いれば、この問題も必
然的に解決され難無く接着剤をチップ間（接続面間）に
充填可能である。
第１図で１５の角であるが、チップの材料や接着剤の種
類、またチップの形状によって変わってくる。例として
、チップ材料として石英の厚さがｃＬ２＋＋ｍから１Ｏ
ｒｒａｎのものを用い、接着剤として粘度が１０ ｐｏ
ｉθｅでＵＶ硬化型を用いて配列した結果を示す。第１
図の１５の角度を８９５度（上記の条件で接続線（１３
）が完全に接触しているとチップ下部での隙間は２０μ
ｍ程度となる角度）以上とすると、そろそろ素子面への
接着剤の回り込みが現われるとともに接続面（１４）（
切断面）の凹凸（１０μｍ程度）が影響して配列精度が
悪くなってくる。また、８４．５度（チップ下部での隙
間が２００μｍ程度となる角度）以上になるとチップ間
の接続部分である接続線（Ｂ）の強度が不足しはじめて
、チップ材料である石英が欠けて画素などの素子に影響
を与えはじめる。したがって素子面と接続面がなす角度
は８４．５度から８９５度までが上記材料、形状では最
適である。しかし、材料や形状、接着剤の種類などによ
って適する角度は大きく変化する。
類、またチップの形状によって変わってくる。例として
、チップ材料として石英の厚さがｃＬ２＋＋ｍから１Ｏ
ｒｒａｎのものを用い、接着剤として粘度が１０ ｐｏ
ｉθｅでＵＶ硬化型を用いて配列した結果を示す。第１
図の１５の角度を８９５度（上記の条件で接続線（１３
）が完全に接触しているとチップ下部での隙間は２０μ
ｍ程度となる角度）以上とすると、そろそろ素子面への
接着剤の回り込みが現われるとともに接続面（１４）（
切断面）の凹凸（１０μｍ程度）が影響して配列精度が
悪くなってくる。また、８４．５度（チップ下部での隙
間が２００μｍ程度となる角度）以上になるとチップ間
の接続部分である接続線（Ｂ）の強度が不足しはじめて
、チップ材料である石英が欠けて画素などの素子に影響
を与えはじめる。したがって素子面と接続面がなす角度
は８４．５度から８９５度までが上記材料、形状では最
適である。しかし、材料や形状、接着剤の種類などによ
って適する角度は大きく変化する。
以上述べたように本発明によれば、素子面と接続面で作
られる角度を９０°未満とすることで接続面間に逆くさ
び状の隙間を作り、接続面の凹凸の接続精度への影響を
無くシ、接着剤の素子面への回り込みを防ぐとともにチ
ップ間の実質的な接着剤の詰り（接着剤がスペーサとな
るのを実質的に防ぐ）を無くす。また、ひいては接着剤
を逆くさび状の隙間に詰めることで基板側から光を入れ
るタイプの固体撮像装置での効果も著しい。
られる角度を９０°未満とすることで接続面間に逆くさ
び状の隙間を作り、接続面の凹凸の接続精度への影響を
無くシ、接着剤の素子面への回り込みを防ぐとともにチ
ップ間の実質的な接着剤の詰り（接着剤がスペーサとな
るのを実質的に防ぐ）を無くす。また、ひいては接着剤
を逆くさび状の隙間に詰めることで基板側から光を入れ
るタイプの固体撮像装置での効果も著しい。
このように、マルチチップ型の固体撮像装置でのチップ
配列精度は著しく向上し、接着剤が素子面に回り込むと
いう問題も解決されるという優れた効果を有する。
配列精度は著しく向上し、接着剤が素子面に回り込むと
いう問題も解決されるという優れた効果を有する。
第１図は本発明による構造での接続部の拡大図であり、
第２図は従来の接続部の拡大図である。 以上
第２図は従来の接続部の拡大図である。 以上
Claims (2)
- （１）複数個の素子チップを配列した固体撮像装置にお
いて、各々のチップの接続部で該チップ同士が向かい合
う接続面（第１図の１４）と固体素子がのると素子面（
第１図の１２）の２面で作られる角度が９０°未満であ
ることを特徴とする固体撮像装置。 - （２）チップ材料として厚さ０．２ｍｍから３．０ｍｍ
の石英板を用いた該固体撮像装置において該角度が８４
．５度以上８９．５度以下であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60072891A JPH0654802B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60072891A JPH0654802B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231757A true JPS61231757A (ja) | 1986-10-16 |
| JPH0654802B2 JPH0654802B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=13502422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60072891A Expired - Lifetime JPH0654802B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654802B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141762A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-25 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 同一アレイを組み立てて長いアレイを形成するための画像センサアレイの製造方法 |
| JPS62145881A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63139473A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-11 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JPH01233762A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Toshiba Corp | Ｃｃｄリニヤセンサ用半導体チップ及びその製造方法 |
| EP0642178A2 (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-08 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device for converting light and radiations into electricity |
| EP0654825A1 (fr) * | 1993-11-17 | 1995-05-24 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif de détection de rayonnement, à éléments de détection aboutés, et procédé de fabrication de ce dispositif |
| JP2010154245A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Kyocera Corp | 光学素子ヘッドの製造方法 |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP60072891A patent/JPH0654802B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141762A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-25 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 同一アレイを組み立てて長いアレイを形成するための画像センサアレイの製造方法 |
| JPS62145881A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63139473A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-11 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JPH01233762A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Toshiba Corp | Ｃｃｄリニヤセンサ用半導体チップ及びその製造方法 |
| JP2609670B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1997-05-14 | 株式会社東芝 | Ｃｃｄリニヤセンサ用半導体チップ及びその製造方法 |
| EP0642178A2 (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-08 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device for converting light and radiations into electricity |
| EP0642178A3 (en) * | 1993-08-31 | 1995-09-13 | Seiko Instr Inc | Semiconductor device for converting light and radiation into electrical energy. |
| EP0654825A1 (fr) * | 1993-11-17 | 1995-05-24 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif de détection de rayonnement, à éléments de détection aboutés, et procédé de fabrication de ce dispositif |
| FR2712693A1 (fr) * | 1993-11-17 | 1995-05-24 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de détection de rayonnement, à éléments de détection aboutés, et procédé de fabrication de ce dispositif. |
| US5591959A (en) * | 1993-11-17 | 1997-01-07 | Commissariat A L'energie Atomique | Radiation detection device having abutting detection elements and process for the production of said device |
| JP2010154245A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Kyocera Corp | 光学素子ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0654802B2 (ja) | 1994-07-20 |
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