JPS58180056A - 電気−光学集積装置 - Google Patents

電気−光学集積装置

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JPS58180056A
JPS58180056A JP58005415A JP541583A JPS58180056A JP S58180056 A JPS58180056 A JP S58180056A JP 58005415 A JP58005415 A JP 58005415A JP 541583 A JP541583 A JP 541583A JP S58180056 A JPS58180056 A JP S58180056A
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は基板上に複数のエピタキシアル層を備えた光導
波路を具備する電気−光学集積装置に関する。
発明の背景 高速論理回路は大規模で複雑な半導体チップに製造され
ている。現在、これらの半導体チップは完全に電子デバ
イスで作られている。
もし、これらのチップが完全に電子式であシ続けるなら
ば、チップが外部信号を取扱うことができる速度は、チ
ップの成る部分から他の部分への電気信号を送出するの
に要する時間により制限されよう。駆動デバイスのＲＣ
時定数とチップ上の比較的長い接続導体、とはチップの
速度を決定するために最も重要な要因であろう。チップ
上の信号が光信号によシ伝達されるものであるならば、
大規模高速度集積回路をさらに高速で動作させるように
作ることができる。実質的に、導波路の一端が光源、す
なわちエミッタであって他端が検出器であるような光導
波路により導体を置換えることができる。
発明の概要 本発明による高速の多層光集積回路においては、少なく
とも３個の独立した半導体層のグループが基板上に作ら
れ、発光と、光伝送と、光検出とから成る３種類の光デ
バイス機能のひとつを実行するために各グループがそれ
ぞれ最適化されている。各グループの層は主要な多層を
有すると共に、最上部の主要な多層がデバイス表面上に
置かれている点を除いては、主要な多層の上と下とに一
層以上の第２の多層を有するものである。第２の多層は
大きい禁止帯幅エネルギを有するものであり、これによ
り同一グループにある主要な多層よりも屈折率が低い。
本実施例においては、単一の層が２つのグループの多層
に対して第２の多層として働らき、これにより、与えら
れた層はその上と下とに存在する主要な多層に対して第
２の多層として働らくものである。
３個の主要な多層は発光と、光伝送と、光検出とを行な
うために使用され、それらの間の禁止帯幅エネルギはき
わめて特有の関係を有する。光導波あるいは光伝送を行
なうために使用される主要な層は、この層が最大の禁止
帯幅エネルギＥ＋　を有するようにして製造する。発光
を行なうための主要な層はＥｌ　よりも小さな禁止帯幅
Ｅ２　ｋ有するようにしている。最後に、光検出を行な
うための主要な層は、発光をするための主要な層の禁止
帯幅エネルギよシも小さな禁止帯幅Ｅｓ　ｋ有するよう
に製造されている。これらの要求は次の数学的関係によ
シ表わすことができる。
Ｅｌ　＞Ｅ２　＞Ｅ３ 本実施例においては、多層光集積回路はＩｎ　Ｇａ　Ａ
ｓ　Ｐ材料系によシ作られた半導体チップに構成されて
いる。光源にエネルギを与えると共に検出された光学系
の信号を増幅を行なうためのＦＥＴデバイスを製造する
ことができるように、燐化インジウム上に最初に２つの
追加層を成長させている。他の実施例においては、半導
体デバイスの光学部分の主要な多層、および第２の層と
して使用されている各層を使って電気デバイスを作るこ
とができる。
次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
大規模集積回路１１を作るための半導体チップ１０を第
１図に示す。第１図において、チップ上の信号を発光デ
バイス１６に対して電気的に結合し、この電気信号を光
信号に変換するためには電界効果形トランジスタ１５を
使うことができる。光信号は光導波路１７により光検出
器１８に結合され、光検出器１８は電気信号を電界効果
形トランジスタ１９のゲートに与えている。このように
して。
半導体チップ１０の下の左側部分からの電気信号は、半
導体チップの下の右側部分に高速で結合されている。単
一の半導体デバイス上で光学回路と電子回路とを組合せ
ることは、光電子工学と言われる技術分野の当業者によ
り既に行なわれている。チップの成る部分を他の部分へ
同様にして゛電子光学的に結合することは、半導体チッ
プ１０の他の領域に構成された他の光源と、光導波路と
、光検出器とにより達成することができる。
第１図の素子１５〜１９により構成されている形の回路
の系統図を第４図に示す。第４図においては、ソースが
バイアスされていて、ドレーンが導体により発光ダイオ
ード１６に対して接続されている電界効果形トランジス
タのゲートに電気信号が印加されている。ダイオード１
６により発生した光は導波路１７により光検出器１８に
伝達され、光検出器１８は電気信号を第２の電界効果形
トランジスタ１９のゲートに結合するためのものである
。
ＦＥＴ１９のドレーンはバイアスされていて、そのソー
スは半導体チップの第２の領域において使用される出力
信号を与えるためのものである。
本発明によれば、第４図に示した機能は第２図に示した
多層光集積回路によシ具備されている。第２図に示すデ
バイスの製造は、次に説明する方法を使って第５図に示
した表に従って達成されている。簡単には、主要な層２
０７は光エネルギの発生に適した禁止帯幅を有する材料
で作られている。第２図に示すデバイスにおいては、主
要な層２１０とその上のクラッド層２１１とにテーパを
つけた形状を採用することにょシ、層２０７からの光エ
ネルギは幾分、層２１０に結合されていて。
層２１０は多層光学集積回路の２区画間で導波路と貝で
作用する。主要な層２１０の遠隔端においては、層２１
０とクラッド層２１１とにおける同様なテーパは、第２
図におけるデバイスの各層ｔｉって、導波された光エネ
ルギ全反射し、他の２つの禁止帯幅のどちらかよシも低
い禁止帯幅を有するように作られた主要な層２０５に対
して伝達されているため、テーパは光エネルギの検出器
として動作させることができる。第５図に示したように
、発光と、光検出と、光導波とを行なうための主要な多
層は高い禁止帯幅エネルギを有する第２の層により取巻
かれていて、屈折率が低い。
デバイスの製造は第２図に示されていて、第５図におい
て燐化インジウム基板２０１上で規矩されたエピタキシ
アル層２０２〜２１１を成長させることにより開始する
。それぞれの不純物添加層の厚さとその組成とは、第５
図に示しである。この成長は標準の半導体成長技術を使
い、液相エピタキシを使用して達成できる。第５図に示
すように、得られたウェハはｐ形層とｎ形層とを交互に
形成した多層と、禁止帯幅エネルギを変えるために厚さ
と化学的組成とを変えた一群の層とを具備して成立つも
のである。
本実施例においては、発光と光検出とに使用すべきデバ
イス領域は、ｐ形材料により完全に取巻かれたｎ形層領
域を形成するためのマスクを介して亜鉛を拡散すること
によシ分離されている。（これらのｎ形材料領域は、第
２図に示されているようなｐ形ドーナツツ形材料により
領域２２０，２２１として完全に取巻かれている。これ
らの領域の構造は第３図にも示してあり、第３図は第２
図に示したデバイスの頂面図である。第３図に示すよう
に、亜鉛全不純物として添加した領域は本質的にドーナ
ッツ形であり、第２図に示すようにバッファ層２０３の
深さ方向に亜鉛は拡散されている。
半４体チップの処理における次のステップの必要性を理
解するために、チップの成る領域から他の領域へと、光
波を導びく独特の方法に関係した本発明の特徴をまず最
初に理解することが必要である。この独特の方法は第６
図に示す形のリッジ装荷形導波路構造を含むものである
。第６図に示すように、層２１０は層２０９に対して有
限の幅を有するものであり、頂部のクラッド層２１１に
よシ装荷されている層２１０の領域のもとでのみ、層２
１０へ光が導かれている。導波された完全シングルモー
ドに限定するため、本実施例において層２１０のｔは０
．５ミクロンに等しく選んである。本実施例においては
、層２０９゜２１１が燐化インジウムで作られたもので
あるので、これらの層の屈折率はほぼ１．３５に等しい
。導波路を通った伝播光のスラブモード理論から得られ
る式を使用し、層２１０の屈折率を計算機で求めること
ができ、この屈折率は、第５図において示した層２１０
の組成全決定するものである。ティー・タミアによって
スプリンガ出版社から１９７５年に出版された文献１集
積光学“の２３〜２４ページにエイチ・ダブリュー・コ
ージエルニクにより発表された論文から得られた方程式
を使用すれば、この形の導波路においてしングルモード
の伝播を保持するための最低の厚さは計算機で求めるこ
とができる。（Ｈ，Ｗ。
Ｋｏｇｅｌｎｉｋ　、　　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　０ｐ
ｔｉｃｓ　ｂｙ　Ｔ、Ｔａｍ１ｒ。
Ｓｐｒｆｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ、１９７５．　　ｐｐ
、２３−２４　）この層が第５図に示した組成を有する
場合には、この厚さの最低値はほぼ０．３ミクロンに等
しい。
光伝播をシングルモードに限定するりフジ装荷形クラッ
ド層２１１の幅Ｗの値は、実験的な方法により最良値が
得られるように決定できるが、この幅は２〜５ミクロン
の範囲に入ることは理論的に予測される。
層２０９〜２１１ｒ対して上に示したパラメータを使い
、層２１０，２１１’に介して第２図に示すようなテー
パをエツチング法により形成することにより、半導体チ
ップ上の低い位置へ導波路からの光を偏向させることが
できる。もしテーパが層２１０全介して完全に切断され
ているならば、内部の全反射により光が偏向されるであ
ろう。しかしながら、テーパは層２１１を介して切断す
る必要がちシ、シングルモードの伝播を保持するのに必
要な厚さの半分にほぼ等しい厚さに層２１０を切断する
必要があることは注意すべきである。層２１１の幅にほ
ぼ等しい層２１１のそれぞれの面上に領域を構成するに
十分な幅のみを層２１０に必要である。
第２図に示す半導体層の成長と、亜鉛全不純物として添
加した領域２２０，２２１の装着との後で、層２１０，
２１１’（ｚ第６図に示すようなりフジ形構造に形成す
ることにより半導体チップの処理上紐けることができる
。
層２１０，２１１のためのこれらのリッジ形導波路スト
ライプは、ストライプ領域をマスクするためのホトリソ
グラフ法全使用し、層２１０．２１１’ｉ介してエツチ
ングをするための反応性イオンプラズマエツチング、あ
るいは化学的エツチングの組合せを使用して製造する。
他のホトリソグラフ法過程を使用し、光導波路ストライ
プの先端近くの領域を除いて、ウェハにはすべてマスク
をする。化学的エツチング全使用して層２１０，２１１
上にテーパ端を生ぜしめ、これによって光導波路の先端
と、光源と、下の光検出器層との間に光学的結合をさせ
ている。
種々の層の禁止（帯幅には差があるので、ある種の層を
急速にエツチングし、次の層に到達した時には相当に速
度の遅いエツチングをするような選択性エツチング剤を
使用するととが可能である。これら３つの過程の性能に
ついて、デバイスの製造者を指導することができる文献
ては種々のものがある。例えば、米国電気化学学会雑誌
、固体科学と技術、第１２６巻、第２号、１９７９年２
月号の２８７〜２９２ページに記載のニス・ビー・ファ
クタ等による論文’　Ｉｎ　Ｇａ　Ａｓ　ｐ／Ｉｎ　Ｐ
系における材料選択性化学的エツチング“と、日本応用
物理学会英文雑誌、ｇ１９巻、第１号、１９８０年１月
の７９〜８５ページに記載の神林等による論文ル−ザダ
イオードと集積光学回路との製造全するためのＩｎ　Ｐ
とＧａ　ＩｎＡｓ　Ｐ　　との化学的エツチングＷと、
米国電気化学学会雑誌、固体科学、第１１８巻、第５号
、１９７１年５月の７６８〜７７１ページに記載のニス
・リダによる論文 ゝゝＨ２Ｓ　０４−Ｈ２０２Ｈ２０系におけるガリウム
砒素結晶の選択性エツチングとを参照されたい。
第２図において次の層２０９が除去されるべき領域であ
る場合を除き、ホトリソグラフ法のマスクを使ってすべ
ての領域全種う。層２０９心２１１は露光した部分であ
って除去される。第２図において次の層２０８が除去さ
れるべき領域である場合を除き、新しいホトリソグラフ
法のマスクを使ってすべての領域全種い、露光した後で
層２０８を除去する。
この過程は第２図における残りの層２０７〜２０２に対
して繰返される。
３００ＯＡ厚のＳｉＯのような絶縁性誘電体膜２３１を
ウェハ上に蒸着し、前のエツチング過程により露光され
た点で半導体層へ電気的な接触をするために希望する穴
が開けである場合を除き、ホトリソグラフ法によるマス
クによりこの膜２３１を覆う。これらの穴は誘電体全エ
ツチングして開け、金属の導電性膜２１２，２１３　（
１００ＯＡ厚のクロムと４０００八厚の金との合成）を
ウェハ上に蒸着する。ホトリソグラフ法によるマスクを
使って電気的相互接続をするための金属ストライブ全種
い、これらのストライプの外側の金属全エツチング法に
よシ除去する。
ウェハを熱処理（合金化）して金属と半導体との間のオ
ーム性接触特性全改善する。それぞれのチップは最後に
分離して容器に実装する。
上記は単に本発明の一実施例を説明したものにすぎない
。従って、本発明の範囲を越えることなく当業者により
数々の変形を作ることができる。例えば、主要な導波路
層２１０がシングルモード以上で導波されるのを期待す
る場合には、頂部のクラッド層２１１は特に完全な形で
存在することができない。このような場合には、主要な
層２１０全空気に露出させるか、あるいは酸化膜２３１
により覆うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による多層光集積回路の絵画的な頂面図
である。 第２図は本発明による多層光集積回路の断面図である。 第３図は第２図に示す装置の頂面図である。 第４図は第２図および第３図に示す装置の系統図である
。 第５図はこれらの層のそれぞれの組成を与えるため第２
図に示した半導体層の一覧表である。 第６図は第２図および第３図に示す半導体チップの導波
路部分の断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ２０１・・・・・基板 ２０５．２０７，２１０・・・・・主要な層２０６．２
０９・・・・・障壁層 ２１２．２１３・・・・・電極手段 ２２０．２２１　・・・・・領域 （ 手続補正書（方式） 昭和５８年５　月２５日 特許庁長官若杉和夫　殿 １事件の表示昭和５８年　特許願第　５４１５　　号３
　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 ４代理人 （１）明細書第１０頁第１９行〜第２０行目の「第５図
（二本した表に従って達成されている。」を次の如く訂
正する。 「下記表Ｉに示すところ（二従って達成される。 （２）明細書第１１頁第１６行目の 「第５図に示したように」を 「前記表１に示したように」と訂正する。 ３）同上第１２頁第２行目、第５〜６行目及び第８行目
の 「第５図」を「前記表Ｉ」と訂正する。 ４）同上第１５頁第１１〜１２行目及び第１３行目の「
第６図」を「第５図」と訂正する。 ５）同上第１４頁第６行目及び第１７行目の「第５図」
を「前記表■」と訂正する。 ３）同上第１６頁第１行目の 「第６図」を「第５図」と訂正する。 ７）同上第２０頁第５〜７行目の ［第５図は・・・・・・・・・である。］を削除する。 ８）同上第２０頁第８行目の 「第６図」を「第５図」と訂正する。 ）第１図を別添第１図と差替える。 め第５図を削除する。 ０図面のｒ　Ｆ’ＩＯ，６Ｊをｒ　ＦＩＱ５　Ｊと訂正
する。 ８、添付書類の目録 （１）図　面（第１図）　　　　１通 （２）訂正図面（第５図）　　　　　１通ＦＩＧ、　１

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、　複数のエピタキシアル層全上面に成長させた基板
    からなる電気−光学集積装置において、 前記複数のエピタキシアル層の少なくとも３つの層が主
    要な多層音形成し、 前記主要な多層における第１の層が光検出に適した禁止
    帯幅ケもつように成長したものであり、 前記主要な多層における第２の層が前記主要な多層にお
    ける第１の層により検出することができる光の発生に適
    した広い禁止帯幅ケもつように成長したものであり。 前記主要な多層におけるｇ３の層が前記主要な多層にお
    ける第１の層または第２の層のうちのどちらかの禁止帯
    幅よりも大きな禁止帯幅上もつように成長したものであ
    り、 前記複数のエピタキシアル層の少なくとも２つの領域が
    電気的に分離されたものであり、 前記２つの領域のうちの１つにおける第１の層に対して
    電気的接続をするための第１の電極手段を設け、 前記少なくとも２つの領域における第２の層に対して電
    気的接続をするための第２の電極手段を設けてなり、 前記第１、第２、第３の層が前記近接した主要な多層の
    いずれかよりも大きい禁止帯幅金有していて、近接した
    前記主要な多層間におかれた少なくともひとつの障壁層
    を備えていることを特徴とした電気−光学集積装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の電気−光学集積装置に
    おいて、 前記主要が多層における第１の層力！前ｉ己基板に最も
    近接した主要な層であシ、 前記主要な多層における第３の層が前記基板から最も遠
    い主要な層であることを特徴とした電気−光学集積装置
    。 ３、特許請求の範囲第２項記載の電気−光学集積装置に
    おいて、 前記複数のエピタキシアル層が前記主要な多層における
    第３の層上にリッジとして形成されたストライプ層を含
    み、 前記ストライプ層の幅が前記主要な多層における第３の
    層により導波された光をあらかじめ定めたモード数に限
    定するよう選定したものであることを特徴とした電気−
    光学集積装置。 ４、特許請求の範囲第３項記載の電気−光学集積装置に
    おいて、 前記ストライプ層と第３の層とが少なくともテーパの一
    点で終端し、 これにより第３の層の内部で導波光が前記複数のエピタ
    キシアル層の方向に偏向されるように構成したことを特
    徴とする電気−光学集積装置。 ５、特許請求の範囲第４項記載の電気−光学集積装置に
    おいて、 前記少なくとも２つの領域が前記複数のエピタキシアル
    層へ拡散した添加不純物により電気的に分離され、 前記ストライプ層と第３の層とを終端するためのテーパ
    が少なくとも前記２つの領域の１つの内部に存在するよ
    うに構成したことを特徴とする電気−光学集積装置。 ６、特許請求の範囲第１項記載の電気−光学集積装装置
    において、 前記基板がインジウムと燐とから主としてなシ、 前記複数のエピタキシアル層がインジウムと、燐と、ガ
    リウムと、砒素との群から選択されたイ素から主として
    なるものであることｆｆ：％徴とした電気−光学集積装
    置。 ７、特許請求の範囲第６項記載の電気−光学集積装置に
    おいて、 前記基板上に成長させた複数のエピタキシアル層が眠気
    デバイスの製造に適した添加特性をもって成長され、前
    記基板に近接した少なくとも２つのエピタキシアル層を
    含む様に構成したことを特徴とする電気−光学集積装置
    。 ８、特許請求の範囲第７項記載の電気−光学集積装置に
    おいて、 前記基板に近接した前記複数のエピタキシアル層が真性
    不純物添加を行なうために成長した少なくともひとつの
    層を含む様に構成したことを特徴とする電気−光学集積
    装置。
JP58005415A 1982-01-18 1983-01-18 電気−光学集積装置 Granted JPS58180056A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/339,849 US4438447A (en) 1982-01-18 1982-01-18 Multilayered optical integrated circuit
US339849 1982-01-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58180056A true JPS58180056A (ja) 1983-10-21
JPS6329418B2 JPS6329418B2 (ja) 1988-06-14

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ID=23330892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58005415A Granted JPS58180056A (ja) 1982-01-18 1983-01-18 電気−光学集積装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4438447A (ja)
JP (1) JPS58180056A (ja)
CA (1) CA1182549A (ja)
DE (1) DE3300986A1 (ja)
FR (1) FR2520158B1 (ja)
GB (1) GB2113912B (ja)
HK (1) HK80286A (ja)
SE (1) SE8300038L (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2132016B (en) * 1982-12-07 1986-06-25 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd A semiconductor device
US4588451A (en) * 1984-04-27 1986-05-13 Advanced Energy Fund Limited Partnership Metal organic chemical vapor deposition of 111-v compounds on silicon
US4771325A (en) * 1985-02-11 1988-09-13 American Telephone & Telegraph Co., At&T Bell Laboratories Integrated photodetector-amplifier device
US4744616A (en) * 1985-02-25 1988-05-17 California Institute Of Technology Monolithic electro-optic modulator array
JPH0728022B2 (ja) * 1985-05-07 1995-03-29 株式会社日立製作所 光信号伝達系を備えた電子デバイス
FR2592739B1 (fr) * 1986-01-06 1988-03-18 Brillouet Francois Structure semi-conductrice monolithique d'un laser et d'un transistor a effet de champ et son procede de fabrication
DE3726235A1 (de) * 1987-08-06 1989-02-16 Siemens Ag Monolithisch integrierte wellenleiter-fotodioden-fet-kombination
US4775876A (en) * 1987-09-08 1988-10-04 Motorola Inc. Photon recycling light emitting diode
US5064684A (en) * 1989-08-02 1991-11-12 Eastman Kodak Company Waveguides, interferometers, and methods of their formation
US5023944A (en) * 1989-09-05 1991-06-11 General Dynamics Corp./Electronics Division Optical resonator structures
US5029297A (en) * 1989-10-13 1991-07-02 At&T Bell Laboratories Optical amplifier-photodetector device
US4997246A (en) * 1989-12-21 1991-03-05 International Business Machines Corporation Silicon-based rib waveguide optical modulator
US5391896A (en) * 1992-09-02 1995-02-21 Midwest Research Institute Monolithic multi-color light emission/detection device
GB9509499D0 (en) * 1995-05-10 1995-07-05 Ultra Silicon Techn Uk Ltd Optical read and write systems
US5640474A (en) * 1995-09-29 1997-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Easily manufacturable optical self-imaging waveguide
JPH1022520A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Nec Corp 半導体受光素子及びその製造方法
EP0889529A1 (en) * 1997-07-01 1999-01-07 Nec Corporation Semiconductor light-receiving device and method of fabricating the same
US6437891B1 (en) * 1998-10-27 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Integrated dual-wavelength transceiver
US6931003B2 (en) * 2000-02-09 2005-08-16 Bookline Flolmstead Llc Packet prioritization protocol for a large-scale, high speed computer network
DE60206132T2 (de) * 2002-01-31 2006-06-22 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren und Einrichtung zur hervorragenden galvanischen Isolierung zwischen zwei Niederspannungsschaltungen in einer intergrierten Opto-Isolator-Einrichtung
US7043106B2 (en) * 2002-07-22 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Optical ready wafers
US7110629B2 (en) * 2002-07-22 2006-09-19 Applied Materials, Inc. Optical ready substrates
US7072534B2 (en) * 2002-07-22 2006-07-04 Applied Materials, Inc. Optical ready substrates
US7378681B2 (en) * 2002-08-12 2008-05-27 Agility Communications, Inc. Ridge waveguide device surface passivation by epitaxial regrowth
KR20060026027A (ko) * 2003-05-29 2006-03-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광신호의 연속 라우팅
WO2005004295A2 (en) * 2003-06-27 2005-01-13 Applied Materials, Inc. Pulsed quantum dot laser system with low jitter
US20050016446A1 (en) 2003-07-23 2005-01-27 Abbott John S. CaF2 lenses with reduced birefringence
US20060222024A1 (en) * 2005-03-15 2006-10-05 Gray Allen L Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region
US20060227825A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 Nl-Nanosemiconductor Gmbh Mode-locked quantum dot laser with controllable gain properties by multiple stacking
WO2007027615A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Applied Materials, Inc. Ridge technique for fabricating an optical detector and an optical waveguide
US8411711B2 (en) * 2005-12-07 2013-04-02 Innolume Gmbh Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser
US7561607B2 (en) * 2005-12-07 2009-07-14 Innolume Gmbh Laser source with broadband spectrum emission
US7835408B2 (en) * 2005-12-07 2010-11-16 Innolume Gmbh Optical transmission system
JP2009518833A (ja) * 2005-12-07 2009-05-07 インノルメ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 広帯域スペクトル発光を有するレーザ光源
JP4840062B2 (ja) * 2006-10-06 2011-12-21 ソニー株式会社 半導体装置および光検出方法
US8290325B2 (en) * 2008-06-30 2012-10-16 Intel Corporation Waveguide photodetector device and manufacturing method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2422330A1 (de) * 1974-05-08 1975-11-13 Siemens Ag Optoelektronisches halbleiter-koppelelement
FR2328293A1 (fr) * 1975-10-17 1977-05-13 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur de couplage optoelectronique
US4136928A (en) * 1977-05-06 1979-01-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical integrated circuit including junction laser with oblique mirror
EP0067566A3 (en) * 1981-06-13 1985-08-07 Plessey Overseas Limited Integrated light detection or generation means and amplifying means

Also Published As

Publication number Publication date
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