JPS61231555A - マスクレジストのアツシング方法 - Google Patents
マスクレジストのアツシング方法Info
- Publication number
- JPS61231555A JPS61231555A JP7288885A JP7288885A JPS61231555A JP S61231555 A JPS61231555 A JP S61231555A JP 7288885 A JP7288885 A JP 7288885A JP 7288885 A JP7288885 A JP 7288885A JP S61231555 A JPS61231555 A JP S61231555A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask resist
- ashing
- mask
- plasma
- time
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
本発明はマスクレジストのアッシング方法に関し、アッ
シングの簡略化に関するものである。
シングの簡略化に関するものである。
本発明はマスクレジストをプラズマアッシングする方法
において、酸素ガスにＳ〜５０％のフレオンガスを混合
し、プラズマアッシングすることにより１．アッシング
時間を約１０分の１にしたものである。
において、酸素ガスにＳ〜５０％のフレオンガスを混合
し、プラズマアッシングすることにより１．アッシング
時間を約１０分の１にしたものである。
従来のマスクレジストのアッシング方法は、酸素ガス雰
囲気中でプラズマアッシングを行なっていた。
囲気中でプラズマアッシングを行なっていた。
しかし、前述の従来技術では、イオン注入法あるいはフ
レオンガス等を用いたプラズマエツチング用マスクレジ
ストの様に表面近傍が炭化し、硬化したマスクレジスト
のアッシングに非常に多くの時間を要する。
レオンガス等を用いたプラズマエツチング用マスクレジ
ストの様に表面近傍が炭化し、硬化したマスクレジスト
のアッシングに非常に多くの時間を要する。
本発明はこの様な問題点を解決するものであり、その目
的とするところはアッシング時間を短縮できるマスクレ
ジストのアッシング方法を提供することにある。
的とするところはアッシング時間を短縮できるマスクレ
ジストのアッシング方法を提供することにある。
本発明のマスクレジストのアッシング方法は、酸素ガス
にフレオンガスを混入したガスを用い、このガスの雰囲
気中でプラズマアッシングしたことを特徴とする。
にフレオンガスを混入したガスを用い、このガスの雰囲
気中でプラズマアッシングしたことを特徴とする。
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例を工程順に示す図である。まず
６図の如く、ウェハー１上にマスクレジスト２をイオン
打込み部以外に形成する。
６図の如く、ウェハー１上にマスクレジスト２をイオン
打込み部以外に形成する。
次いでｂ図の如くマスクレジスト２をマスクにＢ＋イオ
ン、Ｂ１．イオン等のイオンビーム３を照射しウェハー
にイオン注入を行ない、イオン注入部１αを形成する。
ン、Ｂ１．イオン等のイオンビーム３を照射しウェハー
にイオン注入を行ない、イオン注入部１αを形成する。
この際マスクレジスト表面は、イオン打込み時の発熱等
により炭化し、炭化部２αが形成される。
により炭化し、炭化部２αが形成される。
次にＣ図の様に、酸素とフレオンの混合ガスによるプラ
ズマを照射することにより、イオン打込みにより表面が
炭化したマスクレジストのアッシングを容易に行なう事
ができ、ｄ図の如く、イオン打込み工程を終了すること
ができる。
ズマを照射することにより、イオン打込みにより表面が
炭化したマスクレジストのアッシングを容易に行なう事
ができ、ｄ図の如く、イオン打込み工程を終了すること
ができる。
上述の如く本発明の製造工程によれば、ウェハー上に形
成したマスクレジストをマスクにイオン打込みを行ない
表面が炭化したマスクレジストが酸素ガスのみの算囲気
中でプラズマアッシングした場合の約１０分の１の時間
でプラズマアッシングが完了する。
成したマスクレジストをマスクにイオン打込みを行ない
表面が炭化したマスクレジストが酸素ガスのみの算囲気
中でプラズマアッシングした場合の約１０分の１の時間
でプラズマアッシングが完了する。
第１図（α）〜（ｄ）は本発明のイオン注入法の一実施
例を示す工程図である。 １ ・・・ ・・・ ウ エノ１− １α・・・イオン注入部 ２・・・・・・マスクレジスト ２α・・・炭化部 ５・・・・−イオンビーム ４・・・・・・酸素とフレオンのプラズマ以上
例を示す工程図である。 １ ・・・ ・・・ ウ エノ１− １α・・・イオン注入部 ２・・・・・・マスクレジスト ２α・・・炭化部 ５・・・・−イオンビーム ４・・・・・・酸素とフレオンのプラズマ以上
Claims (1)
- ホトリソグラフィー技術に用いるマスクレジストのプラ
ズマアッシング方法において、酸素ガスに３〜５０％の
フレオンガスを混入した雰囲気中でプラズマアッシング
することを特徴とするマスクレジストのアッシング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7288885A JPS61231555A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | マスクレジストのアツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7288885A JPS61231555A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | マスクレジストのアツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231555A true JPS61231555A (ja) | 1986-10-15 |
Family
ID=13502331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7288885A Pending JPS61231555A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | マスクレジストのアツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61231555A (ja) |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7288885A patent/JPS61231555A/ja active Pending
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