JPS6123010Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6123010Y2 JPS6123010Y2 JP1511282U JP1511282U JPS6123010Y2 JP S6123010 Y2 JPS6123010 Y2 JP S6123010Y2 JP 1511282 U JP1511282 U JP 1511282U JP 1511282 U JP1511282 U JP 1511282U JP S6123010 Y2 JPS6123010 Y2 JP S6123010Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid phase
- support base
- epitaxial growth
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
ａ 考案の技術分野
本考案は液相エピタキシヤル成長用治具の改良
に関するものである。
に関するものである。
ｂ 技術の背景
赤外線検知素子等の光電変換素子には、エネル
ギーギヤツプの狭い水銀Hg、カドミウムCdテル
ルTeの化合物よりなるHg0−xCdxTeの化合物半
導体結晶が材料として用いられている。そしてこ
れらの化合物半導体結晶を素子形成に都合の良い
ように、大面積でかつ薄層の状態で得るために一
般に液相エピタキシヤル成長方法が用いられてい
る。
ギーギヤツプの狭い水銀Hg、カドミウムCdテル
ルTeの化合物よりなるHg0−xCdxTeの化合物半
導体結晶が材料として用いられている。そしてこ
れらの化合物半導体結晶を素子形成に都合の良い
ように、大面積でかつ薄層の状態で得るために一
般に液相エピタキシヤル成長方法が用いられてい
る。
ｃ 従来技術と問題点
このような液相エピタキシヤル成長方法に用い
る従来のエピタキシヤル成長用治具について第１
図を用いながら説明する。
る従来のエピタキシヤル成長用治具について第１
図を用いながら説明する。
第１図は従来の液相エピタキシヤル成長用治具
の断面図で例えばテルル化カドミウムCdTeの基
板１を埋設する凹所２を有するカーボン製の直方
体形状の支持台３上にはその上をスライドするカ
ーボン製の直方体形状のスライド部材４が設置し
てある。そして該スライド部材４には直方体形状
の貫通孔よりなる液だめ５が設けられている。こ
こで前記凹所にCdTeの基板を埋設し、一方液だ
め内には該基板上に目的とするHg1−xCdxTeの
結晶層を形成する組成のHg、Cd、Teよりなる材
料６を充填した状態で、支持台とスライド部材で
構成されるエピタキシヤル成長用治具を水素H2
ガス雰囲気内の反応管内に導入したのち該反応管
を加熱炉にて加熱する。そして前記液だめ内の材
料を溶隔した時点でスライド部材４を矢印Ａ方向
に移動させて、基板上に液相を静置させ、加熱炉
の温度を低下させることで液相の温度を低下させ
て、基板上にHg0−xCdxTeの結晶層を形成して
いた。
の断面図で例えばテルル化カドミウムCdTeの基
板１を埋設する凹所２を有するカーボン製の直方
体形状の支持台３上にはその上をスライドするカ
ーボン製の直方体形状のスライド部材４が設置し
てある。そして該スライド部材４には直方体形状
の貫通孔よりなる液だめ５が設けられている。こ
こで前記凹所にCdTeの基板を埋設し、一方液だ
め内には該基板上に目的とするHg1−xCdxTeの
結晶層を形成する組成のHg、Cd、Teよりなる材
料６を充填した状態で、支持台とスライド部材で
構成されるエピタキシヤル成長用治具を水素H2
ガス雰囲気内の反応管内に導入したのち該反応管
を加熱炉にて加熱する。そして前記液だめ内の材
料を溶隔した時点でスライド部材４を矢印Ａ方向
に移動させて、基板上に液相を静置させ、加熱炉
の温度を低下させることで液相の温度を低下させ
て、基板上にHg0−xCdxTeの結晶層を形成して
いた。
ところで前述した従来の治具を用いた方法では
基板の周囲と該基板を埋設する凹所との間には隙
間があり、この隙間に液だめ内の液相が入りこん
で、エピタキシヤル成長をしている間に該液相が
凝固し、この凝固物が基板と支持台の凹所とを固
着するようになる。そのためエピタキシヤル成長
作業終了後、該スライド部材を矢印Ａ方向に移動
させ、基板より左側に液だめを移動させたのち、
加熱炉を放冷して、治具より基板を取り出す際に
基板が割れたり、欠けたりする不都合を生じる。
また基板の厚さがエピタキシヤル成長後変動する
ので、基板を凹所に埋設したとき、基板の表面と
支持台３との表面Ｃが一致せず、基板表面に成長
後の液相が残留して凝固し平滑なエピタキシヤル
結晶の表面が得られない不都合を生じている。
基板の周囲と該基板を埋設する凹所との間には隙
間があり、この隙間に液だめ内の液相が入りこん
で、エピタキシヤル成長をしている間に該液相が
凝固し、この凝固物が基板と支持台の凹所とを固
着するようになる。そのためエピタキシヤル成長
作業終了後、該スライド部材を矢印Ａ方向に移動
させ、基板より左側に液だめを移動させたのち、
加熱炉を放冷して、治具より基板を取り出す際に
基板が割れたり、欠けたりする不都合を生じる。
また基板の厚さがエピタキシヤル成長後変動する
ので、基板を凹所に埋設したとき、基板の表面と
支持台３との表面Ｃが一致せず、基板表面に成長
後の液相が残留して凝固し平滑なエピタキシヤル
結晶の表面が得られない不都合を生じている。
ｄ 考案の目的
本考案は上述した欠点を除去し、エピタキシヤ
ル成長後容易に基板が割れたり、欠けたりしない
状態で支持台より取り出し得るような、また基板
表面にエピタキシヤル成長後液相が残留して凝固
しないような、エピタキシヤル成長用治具の提供
を目的とするものである。
ル成長後容易に基板が割れたり、欠けたりしない
状態で支持台より取り出し得るような、また基板
表面にエピタキシヤル成長後液相が残留して凝固
しないような、エピタキシヤル成長用治具の提供
を目的とするものである。
ｅ 考案の構成
かかる目的を達成するための本考案の液相エピ
タキシヤル成長治具は基板を埋設する支持台と、
該支持台上をスライドし、基板上に形成すべき結
晶層の液相を収容する液だめを有するスライド部
材とからなり、前記支持台の基板を埋設する凹所
が、該支持台に脱着自在なブロツクを設置するこ
とで形成され、前記ブロツクが設置される箇所の
支持台に貫通孔を有する開口部を設けたことを特
徴とする。
タキシヤル成長治具は基板を埋設する支持台と、
該支持台上をスライドし、基板上に形成すべき結
晶層の液相を収容する液だめを有するスライド部
材とからなり、前記支持台の基板を埋設する凹所
が、該支持台に脱着自在なブロツクを設置するこ
とで形成され、前記ブロツクが設置される箇所の
支持台に貫通孔を有する開口部を設けたことを特
徴とする。
ｆ 考案の実施例
以下図面を用いて本考案の一実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
第２Ｂ図は本考案による液相エピタキシヤル治
具のうちの支持台の平面図で、第２Ａ図はそのＸ
−X′断面図である。
具のうちの支持台の平面図で、第２Ａ図はそのＸ
−X′断面図である。
図示するように本考案の支持台１１は第１図に
示す支持台の基板を埋設すべき凹所２を該支持台
１１に挿着および取り外しが可能な直方体形状の
ブロツク１２にて形成した点にある。そして該ブ
ロツクの表面Ｂは支持台の表面Ｃより埋設すべき
基板の厚さとエピタキシヤル成長層の厚さの和に
等しい寸法Ｄだけくぼみを設けるとよい。また前
記ブロツクの表面Ｂの面積および形状は、埋設す
べき基板の面積および形状に等しくなるようにし
ておけばよい。また支持台１１のブロツクが挿着
される部分の下部にはスリツト状の細い貫通孔を
有する開口部１３を形成して、該スリツト状の貫
通孔を有する開口部１３の下の方より細い石英棒
等を用いて押し上げるようにすれば容易にブロツ
ク１２が取り外すことができ、そのため該ブロツ
ク上に設置してある基板も容易に取り外すことが
できる。また基板の厚さに応じて適当な深さの寸
法の凹所が形成されるように、適宣ブロツクの高
さの寸法Ｈを変えて用いれば、凹所に埋設された
基板の表面と支持台１１の表面Ｃとが同一平面と
なり、基板の表面にエピタキシヤル成長後の液相
が残留してそれぞれ凝固するような不都合もなく
なり、表面が平滑なエピタキシヤル結晶が得られ
る。
示す支持台の基板を埋設すべき凹所２を該支持台
１１に挿着および取り外しが可能な直方体形状の
ブロツク１２にて形成した点にある。そして該ブ
ロツクの表面Ｂは支持台の表面Ｃより埋設すべき
基板の厚さとエピタキシヤル成長層の厚さの和に
等しい寸法Ｄだけくぼみを設けるとよい。また前
記ブロツクの表面Ｂの面積および形状は、埋設す
べき基板の面積および形状に等しくなるようにし
ておけばよい。また支持台１１のブロツクが挿着
される部分の下部にはスリツト状の細い貫通孔を
有する開口部１３を形成して、該スリツト状の貫
通孔を有する開口部１３の下の方より細い石英棒
等を用いて押し上げるようにすれば容易にブロツ
ク１２が取り外すことができ、そのため該ブロツ
ク上に設置してある基板も容易に取り外すことが
できる。また基板の厚さに応じて適当な深さの寸
法の凹所が形成されるように、適宣ブロツクの高
さの寸法Ｈを変えて用いれば、凹所に埋設された
基板の表面と支持台１１の表面Ｃとが同一平面と
なり、基板の表面にエピタキシヤル成長後の液相
が残留してそれぞれ凝固するような不都合もなく
なり、表面が平滑なエピタキシヤル結晶が得られ
る。
ｇ 考案の効果
以上述べたように本考案の液相エピタキシヤル
成長用治具を用いれば、成長作業終了後基板を取
り出す際に基板と治具が固着することがなくな
り、基板が割れたり欠けたりしないで容易に治具
より取り外すことができ、エピタキシヤル結晶成
長の作業歩留が向上する。また基板上にエピタキ
シヤル成長後の液相が残留して凝固することがな
くなり、平滑な基板が得られ、このような基板を
用いて光電変換素子を形成すれば素子形成の歩留
も向上する。
成長用治具を用いれば、成長作業終了後基板を取
り出す際に基板と治具が固着することがなくな
り、基板が割れたり欠けたりしないで容易に治具
より取り外すことができ、エピタキシヤル結晶成
長の作業歩留が向上する。また基板上にエピタキ
シヤル成長後の液相が残留して凝固することがな
くなり、平滑な基板が得られ、このような基板を
用いて光電変換素子を形成すれば素子形成の歩留
も向上する。
また以上の実施例においてCdTeは基板にHg0
−xCdxTeの結晶層を形成した場合に例を用いて
述べたが、その他テルル化鉛PdTe基板にPbを含
む化合物半導体結晶を形成するような、化合物半
導体の結晶を液相エピタキシヤル成長する場合に
すべて適用できる。
−xCdxTeの結晶層を形成した場合に例を用いて
述べたが、その他テルル化鉛PdTe基板にPbを含
む化合物半導体結晶を形成するような、化合物半
導体の結晶を液相エピタキシヤル成長する場合に
すべて適用できる。
またブロツクの形状は直方体形状に限らず基板
の形状に対応して円柱状でも差し支えない。
の形状に対応して円柱状でも差し支えない。
第１図は従来の液相エピタキシヤル成長用治具
を示し、第２Ａ図、第２Ｂ図は本考案による液相
エピタキシヤル成長用治具の一実施例の断面図お
よび平面図を示す。 図において１はCdTe基板、２は凹所、３，１
１は支持台、５は液だめ、６はHg1−xCdxTeの
液相、１２はブロツク、１３は開口部、Ａはスラ
イド方向を示す矢印、Ｂはブロツクの表面、Ｃは
支持台の表面、Ｄは凹所の寸法、Ｈはブロツクの
高さを示す。
を示し、第２Ａ図、第２Ｂ図は本考案による液相
エピタキシヤル成長用治具の一実施例の断面図お
よび平面図を示す。 図において１はCdTe基板、２は凹所、３，１
１は支持台、５は液だめ、６はHg1−xCdxTeの
液相、１２はブロツク、１３は開口部、Ａはスラ
イド方向を示す矢印、Ｂはブロツクの表面、Ｃは
支持台の表面、Ｄは凹所の寸法、Ｈはブロツクの
高さを示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 基板を埋設する支持台と、該支持台上をスライ
ドし、基板上に形成すべき結晶層の液相を収容す
る液だめを有するスライド部材からなり、 前記支持台の基板を埋設する凹所が、該支持台
に脱着自在なブロツクを設置することで形成さ
れ、前記ブロツクが設置される箇所の支持台に貫
通孔を有する開口部を設けたことを特徴とする液
相エピタキシヤル成長用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1511282U JPS58117772U (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 液相エピタキシヤル成長用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1511282U JPS58117772U (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 液相エピタキシヤル成長用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58117772U JPS58117772U (ja) | 1983-08-11 |
| JPS6123010Y2 true JPS6123010Y2 (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=30027556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1511282U Granted JPS58117772U (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 液相エピタキシヤル成長用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58117772U (ja) |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP1511282U patent/JPS58117772U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58117772U (ja) | 1983-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6123010Y2 (ja) | ||
| US4697543A (en) | Liquid phase epitaxy slider/stator assembly having non-wetting growth well liners | |
| JPS5918644A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS5926998A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS58190893A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0625955Y2 (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS59147440A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS626684Y2 (ja) | ||
| JPS56149399A (en) | Liquid phase epitaxial growing method | |
| JPS5821830A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS58212142A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS5987823A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JP2547187Y2 (ja) | 基板用ホルダー | |
| JPS5937855B2 (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS6123009Y2 (ja) | ||
| JPH0551963U (ja) | 液相エピタキシャル成長用基板ホルダ | |
| JPS621258Y2 (ja) | ||
| JPS5710922A (en) | Sliding type liquid phase epitaxial growth device | |
| JPS58180029A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS58131737A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS6120042Y2 (ja) | ||
| JPS58213695A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS6120041Y2 (ja) | ||
| JPS58107640A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS5368570A (en) | Formation method of semiconductor epitaxial film |