JPS626684Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は−族化合物半導体等をエピタキシ
ヤル成長させるのに使用する液相エピタキシヤル
成長用ボートの構造に関するものである。

液相エピタキシヤル成長は第１図に示す様なス
ライド式のボートを用いる方法が一般的であり、
レーザーダイオード，LED，太陽電池等はこの
方法で得られるエピ・ウエハを用いて製作され
る。

LED、レーザーダイオードの素子は素子が小
さい為、エピ・ウエハの量産に関してはあまり問
題ではなかつた。

これに対し、太陽電池の様に素子が大きくなる
とエピ・ウエハの量産が大変重要になつてくる。

単に量産という点に着目すれば、基板を垂直に
立てた状態でエピタキシヤル成長を行なうと、１
回の成長過程で大量のエピ・ウエハが得られる
が、この方法は単層で厚い成長層を必要とする場
合に最良の方法と思われる。

太陽電池やレーザーダイオードの様に、必要と
する成長層が薄かつたり多層構造である場合、基
板を垂直に立てることは、基板内に温度分布が生
じ、成長層の厚さに分布がみられる可能性がある
ので最良の方法とはいえない。又、この方法では
多層構造の成長層を必要とする場合、非常に困難
となる。

第１図の様にメルト槽１と基板ホルダー２とが
相嵌合してスライドするスライド式のボートを用
いてエピタキシヤル成長を行わせるにはメルト槽
１のメルト溜３に入つている飽和Ga融液４を取
り出して基板ホルダー２の箇所５に基板６を設置
し、メルト槽１と基板ホルダー２を嵌合して再び
飽和Ga融液４をメルト溜３に入れる。

成長終了後、再びメルト溜３の飽和Ga融液４
を取り出した後、エピタキシヤル成長を行なつた
基板６を取り出す。この方法は作業が複雑になる
ばかりでなく、飽和Ga融液４の汚染が考えられ
る。

ここで考案したスライド式のボートは上述の欠
点を防ぐ為、メルト槽の側面から基板の出し入れ
ができる様、メルト槽の側板の取りはずしが可能
で、又、メルト槽の基板設置個所に仕切り板をも
うけることでエピタキシヤル成長時にメルトが下
に落ちない様な構造で、なお且つ、基板ホルダー
をメルト槽の垂直方向に隔設することで、１回の
成長過程により均一で薄い成長層や多層構造のエ
ピ・ウエハを大量に得ることが可能なボートであ
る。

以下、本考案の実施例について、図面を用いて
詳細に説明する。

第２図において、メルト槽１に基板ホルダー
２，７を嵌合設置する。

メルト槽１のメルト溜３にGa，Ａ，GaAs，
Znから成る飽和Ga融液４を入れる。メルト溜３
及び基板設置個所５を上下に分割する位置に設け
られた基板ホルダー７はメルト槽１のメルト溜３
に位置する部分に貫通穴９があいている為、飽和
Ga融液４は基板ホルダー７にさまたげられるこ
となく基板ホルダー２を底とするメルト溜３にと
どまつている。

基板ホルダー２，７に基板６を設置する場合、
メルト槽１の基板設置個所５の側板８を取りはず
す。

前処理を終えた基板６を基板ホルダー２，７に
設置すると、メルト槽１の側板８を元通りにす
る。

エピタキシヤル成長を行なうには、この状態で
液相成長炉の石英管内にボートを挿入する。ボー
トが所定の温度で平衡に達するとメルト槽１に設
置した基板ホルダー２，７を移動させて基板６に
飽和Ga融液４をコンタクトする。

メルト溜３に位置していた基板ホルダー７は貫
通穴９があいている為、基板ホルダー７を移動さ
せた時、基板ホルダー７の穴９の部分にあつた飽
和Ga融液４は基板ホルダー７と一緒に移動す
る。移動した飽和Ga融液４はメルト槽１の基板
設置個所５に基板ホルダー７の位置より下位にも
うけてある仕切り板１′によつて基板ホルダー７
と同じ位置にとどまり、下に落ちることはない。

この状態でエピタキシヤル成長を行ない、エピ
タキシヤル成長終了後、基板ホルダー２，７を元
の位置まで移動させる。

この時、基板ホルダー７の穴９の部分にあつた
飽和Ga融液４は元の位置までかえり、エピタキ
シヤル成長に使用された飽和Ga融液４と一緒に
なる。

この様にして２枚の基板ホルダー２，７により
４枚の基板６をエピタキシヤル成長させることが
できる。

以上のように、本考案のボートによれば１回の
成長過程で大量のエピ・ウエハが得られる。

尚、第２図のものを多層構造にすることも可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来から使用されているスライド式ボ
ートを示す図であり、ａ，ｂ，ｃはメルト槽１の
正面図と側面図と平面図、ｄ，ｅは基板ホルダー
２の平面図と側面図である。第２図は本考案の一
実施例によるボートを示す図であり、ａ，ｂはボ
ートの断面図と側面図、ｃ，ｄはメルト槽１の正
面図と平面図、ｅ，ｆ，ｇは第１の基板ホルダー
２の平面図と正面図と側面図、ｈ，ｉ，ｊは第２
の基板ホルダー７の平面図と正面図と側面図であ
る。 図に於て、１はメルト槽、１′は仕切り板、
２，７は基板ホルダー、８は側板、３はメルト
溜、４は飽和Ga融液、５は基板設置個所、６は
基板、９は貫通穴を示す。尚、各図中同一符号は
同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. メルト溜と、基板設置個所と、この基板設置個
   所に脱着自在に設けられた側板とを有するメルト
   槽、このメルト槽にスライド自在に設けられ上記
   メルト溜にメルトを保持すると共に上記基板設置
   個所に第１の基板を保持する第１の基板ホルダ
   ー、上記メルト槽の上記メルト溜及び上記基板設
   置個所を上下に分割する位置にスライド自在に設
   けられ上記メルト溜に於てメルトを上下に連通さ
   せる貫通穴を有し上記基板設置個所に第２の基板
   を保持する第２の基板ホルダーを備え、上記第２
   の基板ホルダーが移動してその貫通穴が上記メル
   ト槽の基板設置個所に対向した時に上記貫通穴が
   保有していたメルトが上記第１の基板ホルダー上
   に落下するのを防止する仕切り板を上記メルト槽
   に於ける上記第１，第２の基板ホルダー設置位置
   間に形成した液相エピタキシヤル成長用ボート。