JPH01246193A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシャル成長装置Info
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- JPH01246193A JPH01246193A JP7236988A JP7236988A JPH01246193A JP H01246193 A JPH01246193 A JP H01246193A JP 7236988 A JP7236988 A JP 7236988A JP 7236988 A JP7236988 A JP 7236988A JP H01246193 A JPH01246193 A JP H01246193A
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- Japan
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- melt
- substrate wafer
- slider
- reservoir
- epitaxial growth
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
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- 101100401106 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) met-7 gene Proteins 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体を用いた半導
体素子（ＬＥＤ、ＬＤ、ＰＤ等）の製造方法に用いる液
相エピタキシャル成長装置に関するものである。
体素子（ＬＥＤ、ＬＤ、ＰＤ等）の製造方法に用いる液
相エピタキシャル成長装置に関するものである。
（従来の技術）
第２図はＩ ｎＧａＡｓフォトダイオード（ＰＤ）の製
造を行う際、ＩｎＰ基板ウェハ上にＩｎＰｎツバ９フ、
ＩｎＧａＡｓ光吸収層、ＩｎＧａＡｓ窓層を連続してエ
ピタキシャル成長するために用いられるスライドボート
の断面図である。この図において、１はスライダ、２は
融液溜で、複数の融液槽が設けられている。３は前記各
融液槽内に収容された成長用融液、４は基板ウェハであ
る。
造を行う際、ＩｎＰ基板ウェハ上にＩｎＰｎツバ９フ、
ＩｎＧａＡｓ光吸収層、ＩｎＧａＡｓ窓層を連続してエ
ピタキシャル成長するために用いられるスライドボート
の断面図である。この図において、１はスライダ、２は
融液溜で、複数の融液槽が設けられている。３は前記各
融液槽内に収容された成長用融液、４は基板ウェハであ
る。
次に、このスライドボートを用いてＰＤ用のエピタキシ
ャル成長を行う場合を例にして説明する。
ャル成長を行う場合を例にして説明する。
まず、融液溜２の各融液槽に、Ｉｎを溶媒としてＩｎＰ
に格子整合のとれたエピタキシャル層が成長できるよう
な量の多結晶のＩｎＡｓ、ＧａＡｓ、Ｉｎ等を入れた後
、基板ウェハ４を所定に位置に設置する。そして、この
スライドボートを水素雰囲気の高温のエピタキシャル炉
の中に挿入し、一定時間保持した後、〜１℃／ｍｉｍ程
度の降温速度で冷却し、成長開始温度まで下がった時点
で融液溜２を１槽分だけ６勤し基板ウェハ４と成長用融
液３が接触するようにする。基板ウェハ４上には融液中
の過飽和分がエピタキシャル成長し、所定の時間保持す
ることによって所望の厚みを成長することができる。さ
らに、融液溜２を１槽分だけ移動すると、次の新しい成
長用融液３が基板ウェハ４と接触し、新に組成の異なる
エピタキシャル層が成長する。
に格子整合のとれたエピタキシャル層が成長できるよう
な量の多結晶のＩｎＡｓ、ＧａＡｓ、Ｉｎ等を入れた後
、基板ウェハ４を所定に位置に設置する。そして、この
スライドボートを水素雰囲気の高温のエピタキシャル炉
の中に挿入し、一定時間保持した後、〜１℃／ｍｉｍ程
度の降温速度で冷却し、成長開始温度まで下がった時点
で融液溜２を１槽分だけ６勤し基板ウェハ４と成長用融
液３が接触するようにする。基板ウェハ４上には融液中
の過飽和分がエピタキシャル成長し、所定の時間保持す
ることによって所望の厚みを成長することができる。さ
らに、融液溜２を１槽分だけ移動すると、次の新しい成
長用融液３が基板ウェハ４と接触し、新に組成の異なる
エピタキシャル層が成長する。
このように、スライドボートを用いると、基板ウェハ４
上にＩｎＰ、ＧａＡｓ等の薄膜を連続的に成長させるこ
とができる。
上にＩｎＰ、ＧａＡｓ等の薄膜を連続的に成長させるこ
とができる。
第２図に示すようなスライドボートでは、基板ウェハ４
毎の厚みばらつきによって基板ウェハ４と融液溜２の仕
切部分の底とのす゛き間の間隔が異なるため、融液溜２
を移動させた時にもとの融液が完全にぬぐい切れずに新
しい融液中に混ざり込むという問題点があった。
毎の厚みばらつきによって基板ウェハ４と融液溜２の仕
切部分の底とのす゛き間の間隔が異なるため、融液溜２
を移動させた時にもとの融液が完全にぬぐい切れずに新
しい融液中に混ざり込むという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、基板ウェハの厚みに関係なく融液溜の仕切
部分の底とのすき間の間隔を一定に保ち、融液が完全に
ぬぐい切れるようにしたものである。
れたもので、基板ウェハの厚みに関係なく融液溜の仕切
部分の底とのすき間の間隔を一定に保ち、融液が完全に
ぬぐい切れるようにしたものである。
この発明に係る液相エピタキシャル成長装置は、基板ク
エへが設置されるスライダの基板ウェハの設置部の下に
、基板クエへを浮上せしめるための融液を収容し、この
融液による浮力によって基板ウェハを上下方向に移動可
能とする下部融液槽を設け、基板ウェハ表面が下部融液
槽の底部に当接したとき、融液溜の仕切部分の底部との
間に一定の狭いすき間を形成するための段差をスライダ
に形成したものである。
エへが設置されるスライダの基板ウェハの設置部の下に
、基板クエへを浮上せしめるための融液を収容し、この
融液による浮力によって基板ウェハを上下方向に移動可
能とする下部融液槽を設け、基板ウェハ表面が下部融液
槽の底部に当接したとき、融液溜の仕切部分の底部との
間に一定の狭いすき間を形成するための段差をスライダ
に形成したものである。
（作用）
この発明によるスライドボートは、スライダ自身に〜５
０μｍ程度の段差を設け、この段差が基板ウェハと融液
溜の仕切り部分の底部とのすき間となるようにしたもの
であり、基板ウェハの設置部の下に下部融液槽を設け、
この下部融液槽内にＩｎ等の融液を入れることによって
、基板クエへが前記下部融液槽内の融液の浮力によって
常に上方向に押し上げられ、基板ウェハの厚みに関係な
くその基板ウェハ表面の高さが一定となる。
０μｍ程度の段差を設け、この段差が基板ウェハと融液
溜の仕切り部分の底部とのすき間となるようにしたもの
であり、基板ウェハの設置部の下に下部融液槽を設け、
この下部融液槽内にＩｎ等の融液を入れることによって
、基板クエへが前記下部融液槽内の融液の浮力によって
常に上方向に押し上げられ、基板ウェハの厚みに関係な
くその基板ウェハ表面の高さが一定となる。
（実施例）
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。第
１図において、１はスライダ、２は融液溜、３は成長用
融液、４は基板ウェハ、５は基板ウェハ保持用のホルダ
、６は前記基板ウェハ４の設置部の下に形成した下部融
液槽で、この下部融液槽６内に、例えばＩｎ融液７が収
容される。８は前記スライダ１に設けられた段差である
。
１図において、１はスライダ、２は融液溜、３は成長用
融液、４は基板ウェハ、５は基板ウェハ保持用のホルダ
、６は前記基板ウェハ４の設置部の下に形成した下部融
液槽で、この下部融液槽６内に、例えばＩｎ融液７が収
容される。８は前記スライダ１に設けられた段差である
。
次に、この発明によるスライドボートを用いてエピタキ
シャル成長を行う場合について説明する。
シャル成長を行う場合について説明する。
まず、融液溜２の各種にＩｎを溶媒として多結晶のＩ
ｎＡｓ、ＧａＡｓ、Ｉ ｎＰ等の成長用融液３を入れた
後、ウェハ設置部の下の下部融液槽６にＩｎ融液７を入
れ、その上にウェハホルダ５を載せ、さらにその上に基
板ウェハ４を載せる。このとき、基板ウェハ４の厚みに
ばらつきがあったとしても下部融液４！６内の融液７が
移動してこれを吸収するので、基板ウェハ４は常に融液
溜２の底部に当接して保持される。この状態で、このス
ライドボートを水素雰囲気の高温のエピタキシャル炉中
に挿入し、一定時間保持した後、〜１℃／ｍｉｍ程度の
降温速度で冷却し、成長開始温度まで下がった時点で融
液溜２を１槽分だけ移動し、基板ウェハ４と成長用融液
３が接触するようにする。所望の厚みのエピタキシャル
層が成長した後、さらに融液溜２を１槽分だけ移動する
が、融液溜２の仕切部分の底部が基板ウェハ４上を移動
する際には、その底部の部分と基板ウェハ４との間には
スライダ１に設けられた段差８の分だけすき間ができる
。なお、このすき間の間隔はもとの融液を完全にぬぐい
切れる程度に狭くする必要があるため、５０μｍ以下に
する。
ｎＡｓ、ＧａＡｓ、Ｉ ｎＰ等の成長用融液３を入れた
後、ウェハ設置部の下の下部融液槽６にＩｎ融液７を入
れ、その上にウェハホルダ５を載せ、さらにその上に基
板ウェハ４を載せる。このとき、基板ウェハ４の厚みに
ばらつきがあったとしても下部融液４！６内の融液７が
移動してこれを吸収するので、基板ウェハ４は常に融液
溜２の底部に当接して保持される。この状態で、このス
ライドボートを水素雰囲気の高温のエピタキシャル炉中
に挿入し、一定時間保持した後、〜１℃／ｍｉｍ程度の
降温速度で冷却し、成長開始温度まで下がった時点で融
液溜２を１槽分だけ移動し、基板ウェハ４と成長用融液
３が接触するようにする。所望の厚みのエピタキシャル
層が成長した後、さらに融液溜２を１槽分だけ移動する
が、融液溜２の仕切部分の底部が基板ウェハ４上を移動
する際には、その底部の部分と基板ウェハ４との間には
スライダ１に設けられた段差８の分だけすき間ができる
。なお、このすき間の間隔はもとの融液を完全にぬぐい
切れる程度に狭くする必要があるため、５０μｍ以下に
する。
このようにして、基板ウェハ４上に連続して多層の薄膜
結晶を成長させた場合、従来のような基板ウェハ４の厚
みのばらつきによる成長用融液３の混ざり込みがないの
で、組成の安定したエピタキシャル層を再現性良く成長
することができる。
結晶を成長させた場合、従来のような基板ウェハ４の厚
みのばらつきによる成長用融液３の混ざり込みがないの
で、組成の安定したエピタキシャル層を再現性良く成長
することができる。
なお、上記実施例では、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード
の液相エピタキシャル成長に使用するスライドボートに
ついて説明したが、このような構造を用いれば他の液相
エピタキシャル成長においても上記と同様な効果が得ら
れる。
の液相エピタキシャル成長に使用するスライドボートに
ついて説明したが、このような構造を用いれば他の液相
エピタキシャル成長においても上記と同様な効果が得ら
れる。
〔発明の効果）
以上説明したようにこの発明は、基板ウェハの設置部の
下に基板ウェハを浮上せしめるための融液を収容する下
部融液槽を設け、この下部融液槽内の融液による浮力に
よって基板ウェハを上下方向に６動可能とするとともに
、基板ウェハ表面が融液溜の底部に当接したとき、融液
溜の仕切部分の底部との間に一定の狭いすき間を形成す
るための段差をスライダに形成したので、基板ウェハの
厚みがばらついても基板ウェハは常時融液溜の底部に当
接されているので、基板ウェハ表面と融液溜の仕切部分
の底部とのすき間は常に一定となり、前工程の成長用融
液がぬぐい切れることから融液の混ざり込みがなく、一
定の組成をもったエピタキシャル層を再現性良く成長さ
せることができる。
下に基板ウェハを浮上せしめるための融液を収容する下
部融液槽を設け、この下部融液槽内の融液による浮力に
よって基板ウェハを上下方向に６動可能とするとともに
、基板ウェハ表面が融液溜の底部に当接したとき、融液
溜の仕切部分の底部との間に一定の狭いすき間を形成す
るための段差をスライダに形成したので、基板ウェハの
厚みがばらついても基板ウェハは常時融液溜の底部に当
接されているので、基板ウェハ表面と融液溜の仕切部分
の底部とのすき間は常に一定となり、前工程の成長用融
液がぬぐい切れることから融液の混ざり込みがなく、一
定の組成をもったエピタキシャル層を再現性良く成長さ
せることができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例によるスラ
イドボートを示す図で、第１図（ａ）はスライドボート
の断面側面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ
断面図、第１図（ｃ）は、第１図（ａ）のＢ−Ｂ断面図
、第２図は従来のスライドボートを示す断面側面図であ
る。 図において、１はスライダ、２は融液溜、３は成長用融
液、４は基板ウェハ、５はホルダ、６は下部融液槽、７
はＩｎ融液、８はスライダに設けた段差である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 （ａ） 第２図 手続補正−１！Ｆ（自発） ↑−１“訂庁長宮殿
ｄｌｌ、事ｆ′Ｆの表示 ↑−Ｙ願昭８３−７２３６
９号２、発明の名称 液相エビクキシャル成長装置訊補
正をする者 事件との関係 特許量ηｒｉ人 住 所 東京都千代ｍ区丸の内二丁［」２番；
３ ′；′ｉ名 称 （６０１）三菱電機株式会社代
表者 志 岐 守 故 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細ざの発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁２０行の「所定に」を、「所定の」
と補正する （２）同じく第３頁１１行の「新に」を、「新たに」と
補正する。 （３）同じく第３頁１４行のｒ’ｌｎＰ、ＧａＡｓ等」
を、ｒ Ｉ ｎＰ、Ｉ ｎＧａＡｓ等」と補正する。 １（４）同じく第３頁１９行２第４頁５行の「底」を、
それぞれ「底部」と補正する。 （５）同じく第５頁１０行の「第１図」を、［第１図（
−１〜（Ｃ）」と補正する。 （６）同じく第６頁５行の「融液７Ｊを、「Ｉｎ融液７
」と補正する。 （７）同じく第８頁１１行のｒＡ−Ａ断面図」を、Ｆ
Ａ −Ａ ’断面図」と補正する。 （８）同じく第８頁１２行のｒＢ−８断面図」を、ｒＢ
−Ｂ’断面図」と補正する。 以 上
イドボートを示す図で、第１図（ａ）はスライドボート
の断面側面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ
断面図、第１図（ｃ）は、第１図（ａ）のＢ−Ｂ断面図
、第２図は従来のスライドボートを示す断面側面図であ
る。 図において、１はスライダ、２は融液溜、３は成長用融
液、４は基板ウェハ、５はホルダ、６は下部融液槽、７
はＩｎ融液、８はスライダに設けた段差である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 （ａ） 第２図 手続補正−１！Ｆ（自発） ↑−１“訂庁長宮殿
ｄｌｌ、事ｆ′Ｆの表示 ↑−Ｙ願昭８３−７２３６
９号２、発明の名称 液相エビクキシャル成長装置訊補
正をする者 事件との関係 特許量ηｒｉ人 住 所 東京都千代ｍ区丸の内二丁［」２番；
３ ′；′ｉ名 称 （６０１）三菱電機株式会社代
表者 志 岐 守 故 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細ざの発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁２０行の「所定に」を、「所定の」
と補正する （２）同じく第３頁１１行の「新に」を、「新たに」と
補正する。 （３）同じく第３頁１４行のｒ’ｌｎＰ、ＧａＡｓ等」
を、ｒ Ｉ ｎＰ、Ｉ ｎＧａＡｓ等」と補正する。 １（４）同じく第３頁１９行２第４頁５行の「底」を、
それぞれ「底部」と補正する。 （５）同じく第５頁１０行の「第１図」を、［第１図（
−１〜（Ｃ）」と補正する。 （６）同じく第６頁５行の「融液７Ｊを、「Ｉｎ融液７
」と補正する。 （７）同じく第８頁１１行のｒＡ−Ａ断面図」を、Ｆ
Ａ −Ａ ’断面図」と補正する。 （８）同じく第８頁１２行のｒＢ−８断面図」を、ｒＢ
−Ｂ’断面図」と補正する。 以 上
Claims (1)
- スライダと、このスライダ上をスライドする複数の融
液槽を備えた融液溜とからなるスライドボートを用いて
前記スライダに載置された基板ウェハ上にエピタキシャ
ル成長を行う装置において、前記基板ウェハの設置部の
下に、前記基板ウェハを浮上せしめるための融液を収容
し前記融液による浮力によって前記基板ウェハを上下方
向に移動可能とする下部融液槽を設け、前記基板ウェハ
表面が前記下部融液槽の底部に当接したとき、前記融液
溜の仕切部分の底部との間に一定の狭いすき間を形成す
るための段差を前記スライダに形成したことを特徴とす
る液相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236988A JPH01246193A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236988A JPH01246193A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246193A true JPH01246193A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13487329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7236988A Pending JPH01246193A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246193A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7048797B2 (en) * | 2002-09-19 | 2006-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid-phase growth process and liquid-phase growth apparatus |
-
1988
- 1988-03-26 JP JP7236988A patent/JPH01246193A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7048797B2 (en) * | 2002-09-19 | 2006-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid-phase growth process and liquid-phase growth apparatus |
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