JPH02107590A - 半導体結晶成長装置 - Google Patents
半導体結晶成長装置Info
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- JPH02107590A JPH02107590A JP25973188A JP25973188A JPH02107590A JP H02107590 A JPH02107590 A JP H02107590A JP 25973188 A JP25973188 A JP 25973188A JP 25973188 A JP25973188 A JP 25973188A JP H02107590 A JPH02107590 A JP H02107590A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はｍ−ｖ族化合物半導体を用いた半導体結晶成
長装置に関するものである。
長装置に関するものである。
第２図は従来のＩ ｎ Ｇａ Ａｓフォトダイオード（
以下ＰＯと呼ぶ）の製造を行なう際、ＩｎＰ 基板ウ
ェハ上に多層膜を連続してエピタキシャル成長をする為
に用いられるスライドボートの断面図である。
以下ＰＯと呼ぶ）の製造を行なう際、ＩｎＰ 基板ウ
ェハ上に多層膜を連続してエピタキシャル成長をする為
に用いられるスライドボートの断面図である。
図において％ｌはスライダー ２は融液溜め。
３は成長用融液、４は基板ウェハである。
次に、このスライドボートを用いてＰＯ用のエピタキシ
ャル成長を行う場合を例に説明する。まず、融液溜め２
の各種にＩｎを溶媒として、多結晶（Ｄ ＩｎＡｓ 、
ＧａＡｓ 、 ＩｎＰ等を入れた後、ＩｎＰ基板ウェハ
４をスライダー１の所定の位置に設置する。
ャル成長を行う場合を例に説明する。まず、融液溜め２
の各種にＩｎを溶媒として、多結晶（Ｄ ＩｎＡｓ 、
ＧａＡｓ 、 ＩｎＰ等を入れた後、ＩｎＰ基板ウェハ
４をスライダー１の所定の位置に設置する。
そして、このスライドボートを水素雰囲気の高温のエピ
タキシャル成長炉の中に挿入し、一定時間保持した後、
〜１℃／ｍ ｉ ｎ程度の降温速度で冷却し。
タキシャル成長炉の中に挿入し、一定時間保持した後、
〜１℃／ｍ ｉ ｎ程度の降温速度で冷却し。
成長開始温度まで下った時点で融液溜め２をｌ検分だけ
移動し、基板ウェハ４と融液３が接触する様にする。基
板ウェハ■には、融液３中の過飽和分が単結晶となって
エピタキシャル成長し、所定の時間保持することによっ
て、所望の厚みを成長することができる。さらに、融液
溜め２を１槽分だけ移動すると、次の新らしい融液３が
基板ウニ／）４と接触し、あらたに組成又はキャリア濃
度の異なるエピタキシャル成長層が成長する。
移動し、基板ウェハ４と融液３が接触する様にする。基
板ウェハ■には、融液３中の過飽和分が単結晶となって
エピタキシャル成長し、所定の時間保持することによっ
て、所望の厚みを成長することができる。さらに、融液
溜め２を１槽分だけ移動すると、次の新らしい融液３が
基板ウニ／）４と接触し、あらたに組成又はキャリア濃
度の異なるエピタキシャル成長層が成長する。
この様に、スライドボート１を用いるとＩｎＰ基板ウェ
ハ上にＩｎＰ ＩｎＧａＡｓ等の薄膜を連続的に成長さ
せることができる。
ハ上にＩｎＰ ＩｎＧａＡｓ等の薄膜を連続的に成長さ
せることができる。
従来のスライドボートは以１のように構成されていたの
で、融液溜めを移動させた時に基板ウェハ上のもとの融
液が完全にぬぐい切れずにメルト間の持ち越しがあり、
新らしい融液中に混ざり込みエピタキシャル成長後に、
基板ウェハの表面に部分的に融液が残る場合があり、後
工程における処理（加工）が複雑になると共に、処理工
程の自動化が難かしくなるなどの問題点があった。
で、融液溜めを移動させた時に基板ウェハ上のもとの融
液が完全にぬぐい切れずにメルト間の持ち越しがあり、
新らしい融液中に混ざり込みエピタキシャル成長後に、
基板ウェハの表面に部分的に融液が残る場合があり、後
工程における処理（加工）が複雑になると共に、処理工
程の自動化が難かしくなるなどの問題点があった。
この発明はと記の様な従来の問題点を解消するためにな
されたもので、エピタキシャル成長時において各種の融
液が基板ウェハの表面に残らないスライドボートを得る
ことを目的とするものである。
されたもので、エピタキシャル成長時において各種の融
液が基板ウェハの表面に残らないスライドボートを得る
ことを目的とするものである。
この発明による半導体結晶成長装置はスライドボートに
各槽、融液でエピタキシャル成長を行った後、融液溜め
を移動させると、基板ウェハ上の融液がすべてスライダ
ーに設けられたメルト溜め槽に流し落とし出される様に
したものである。
各槽、融液でエピタキシャル成長を行った後、融液溜め
を移動させると、基板ウェハ上の融液がすべてスライダ
ーに設けられたメルト溜め槽に流し落とし出される様に
したものである。
この発明によるスライドボートはスライダーにメルト溜
め槽を設けることにより、各層エピタキシャル成長後に
融液溜めを移動させた時に、所定の位置から基板ウェハ
上の融液全体をひきずってゆかずに、メルト溜め槽に流
し落とし出される。
め槽を設けることにより、各層エピタキシャル成長後に
融液溜めを移動させた時に、所定の位置から基板ウェハ
上の融液全体をひきずってゆかずに、メルト溜め槽に流
し落とし出される。
その結果、メルト間の混ざりがなくなりエピタキシャル
成長層の結晶の均一性が保持される。
成長層の結晶の均一性が保持される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａｌ ｆｂｌにおいて、１はスライダー ２は融液
溜め、３は成長用融液、４はＩｎＰ基板ウニつＸ、５は
スライダー１に設けられたメルト溜め槽である。
図（ａｌ ｆｂｌにおいて、１はスライダー ２は融液
溜め、３は成長用融液、４はＩｎＰ基板ウニつＸ、５は
スライダー１に設けられたメルト溜め槽である。
次に、この発明によるスライドボートを用いてエピタキ
シャル成長を行う場合について説明する。
シャル成長を行う場合について説明する。
まず、従来のものと同じく、融液溜め３の各種にＩｎを
溶媒として多結晶のＩｎＡｓ 、ＧａＡｓ 、 ＩｎＰ
等を入れた後、 ＩｎＰ 基板ウェハ４をスライダ
ーｌの所定の位置に設置する。そして、このスライドボ
ートを水素雰囲気の高温のエピタキシャル成長炉の中に
挿入し、一定時間保持した後、〜１℃／ｍｌｎ程度の降
温速度で冷却し、成長開始温度まで下った時点で融液溜
め２を１槽分だけ移動し、基板ウェハ４と融液３が接触
する様にする（第１図（ａ））。
溶媒として多結晶のＩｎＡｓ 、ＧａＡｓ 、 ＩｎＰ
等を入れた後、 ＩｎＰ 基板ウェハ４をスライダ
ーｌの所定の位置に設置する。そして、このスライドボ
ートを水素雰囲気の高温のエピタキシャル成長炉の中に
挿入し、一定時間保持した後、〜１℃／ｍｌｎ程度の降
温速度で冷却し、成長開始温度まで下った時点で融液溜
め２を１槽分だけ移動し、基板ウェハ４と融液３が接触
する様にする（第１図（ａ））。
所望の厚みのエピタキシャル成長層が成長した後、さら
に融液溜め３を１槽分だけ移動させると、基板ウェハ４
上の融液がすべてメルト溜め槽５に流し落とし出される
（第１図（ｂ））。
に融液溜め３を１槽分だけ移動させると、基板ウェハ４
上の融液がすべてメルト溜め槽５に流し落とし出される
（第１図（ｂ））。
この様にして、ＩｎＰ基板ウェハ４上に連続して多層の
薄膜結晶を成長させた場合、従来の様なメルト間の持ち
越しが無くなると共に、メルト残渣もなくなり、平坦な
成長表面が得られる。
薄膜結晶を成長させた場合、従来の様なメルト間の持ち
越しが無くなると共に、メルト残渣もなくなり、平坦な
成長表面が得られる。
なお、上記実施例ではＩｎＧａＡｓフォトダイオードの
液相エピタキシャル成長に使用するスライドボートの場
合について説明したが、この発明の構造を用いれば、他
の液相エピタキシャル成長においても上記と同様な効果
が得られる。
液相エピタキシャル成長に使用するスライドボートの場
合について説明したが、この発明の構造を用いれば、他
の液相エピタキシャル成長においても上記と同様な効果
が得られる。
、以上の様にこの発明によれば、融液の混ざり込みがな
く、ウェハ表面に融液が残ることがなく、一定の組成を
もったエピタキシャル層を再現性良く成長させることが
でき、また、後工程における処理（加工）が簡単になり
処理工程の自動化を計ることが可能となる。
く、ウェハ表面に融液が残ることがなく、一定の組成を
もったエピタキシャル層を再現性良く成長させることが
でき、また、後工程における処理（加工）が簡単になり
処理工程の自動化を計ることが可能となる。
第１図（ａｌ（ｂｌはこの発明の一実施例によるスライ
ドボードによる成長工程を示す断面側面図、第２図は従
来のスライドボートを示す断面側面図である。 図中、１はスライダー ２は融液溜め、３は成長用融液
、４は基板ウェハ、５はメルト溜め槽を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ドボードによる成長工程を示す断面側面図、第２図は従
来のスライドボートを示す断面側面図である。 図中、１はスライダー ２は融液溜め、３は成長用融液
、４は基板ウェハ、５はメルト溜め槽を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 化合物半導体のエピタキシャル成長法の一つである液相
エピタキシャル成長装置においてスライドボートを用い
る場合そのスライドボートに成長後の成長融液を流し出
せるメルト溜め槽を設けたことを特徴とする半導体結晶
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25973188A JPH02107590A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25973188A JPH02107590A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107590A true JPH02107590A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17338161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25973188A Pending JPH02107590A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02107590A (ja) |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP25973188A patent/JPH02107590A/ja active Pending
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