JPH02312225A - 半導体結晶成長装置 - Google Patents
半導体結晶成長装置Info
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- JPH02312225A JPH02312225A JP13321589A JP13321589A JPH02312225A JP H02312225 A JPH02312225 A JP H02312225A JP 13321589 A JP13321589 A JP 13321589A JP 13321589 A JP13321589 A JP 13321589A JP H02312225 A JPH02312225 A JP H02312225A
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- epitaxial growth
- substrate wafer
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は［［［−Ｖ族化合物を用いた半導体結晶成長
装置に関するものである。
装置に関するものである。
第４図は従来１ｎＧａＡａフォトダイオード（以下ＦＤ
という）の製造を行う際、 ＩｎＰ基板ウェハ上に多層
膜を連続してエピタキシャル成長するタメに用いられる
半導体結晶成長装置であるスライドホードの断面側面図
である◎ 図において、（１）はスライダー、（２）は融液溜め、
（３）ハ成長用融液、＋４１ｉｊ基板ウエハである。“
次に、このスライドボートｌ用いてＦＤ用のエピタキシ
ャル成長を行う場合を例に説明する。まず、融液溜め（
２１の６槽にＩｎを溶媒として、多結晶のＩｎＡｓ、
Ｇ＊Ａ＠ｅ ＩｎＰ等を入れた後、ＩｎＰの基板ウェハ
（４１全所定の位置に設置する。次に、このスライドボ
ートを水素雰囲気中の高温のエピタキシャル成長炉の中
に挿入し、一定時間保持した後、〜１°Ｃ／ｍｉｎ程度
の降温速度で冷却し、成長開始温度まで下った時点で、
融液溜め＋２１全１榴分だけ移動し、基板ウェハ１４）
と成長用融液（３）が接触するようにする。
という）の製造を行う際、 ＩｎＰ基板ウェハ上に多層
膜を連続してエピタキシャル成長するタメに用いられる
半導体結晶成長装置であるスライドホードの断面側面図
である◎ 図において、（１）はスライダー、（２）は融液溜め、
（３）ハ成長用融液、＋４１ｉｊ基板ウエハである。“
次に、このスライドボートｌ用いてＦＤ用のエピタキシ
ャル成長を行う場合を例に説明する。まず、融液溜め（
２１の６槽にＩｎを溶媒として、多結晶のＩｎＡｓ、
Ｇ＊Ａ＠ｅ ＩｎＰ等を入れた後、ＩｎＰの基板ウェハ
（４１全所定の位置に設置する。次に、このスライドボ
ートを水素雰囲気中の高温のエピタキシャル成長炉の中
に挿入し、一定時間保持した後、〜１°Ｃ／ｍｉｎ程度
の降温速度で冷却し、成長開始温度まで下った時点で、
融液溜め＋２１全１榴分だけ移動し、基板ウェハ１４）
と成長用融液（３）が接触するようにする。
基板ウェハ（４１上には成長用融液（３１中の過飽和分
が単結晶となってエピタキシャル成長し、所定０時間保
持することによって所望の厚みを成長することができる
。さらに、融液溜め１２）を１槽分だけ移動すると次の
新しい成長用融液（３）が基板ウェイ１（４）と接飾し
、あらたに組成又はキャリア濃度の異な源エピタキシャ
ル層が成長できる。
が単結晶となってエピタキシャル成長し、所定０時間保
持することによって所望の厚みを成長することができる
。さらに、融液溜め１２）を１槽分だけ移動すると次の
新しい成長用融液（３）が基板ウェイ１（４）と接飾し
、あらたに組成又はキャリア濃度の異な源エピタキシャ
ル層が成長できる。
このように、スライドポートを用いると１ｎＰの基板ウ
ェハ（４）上に１ｏＰ ＊ＩｎＧａＡｓ等の薄膜を連続
的に結晶を成長させることができる。
ェハ（４）上に１ｏＰ ＊ＩｎＧａＡｓ等の薄膜を連続
的に結晶を成長させることができる。
従来の半導体結晶成長装置は以上のように構成されてい
るので、基板ウェハ上の成長用融液が完全にぬぐい切れ
ずにエピタキシャル成長後に基板ウェハの表面に部分的
に成長用融液が残る場合があり、後工程における処理（
加工）が複雑になると共に処理工程の自動化が難しくな
るなどの問題点があつ九。
るので、基板ウェハ上の成長用融液が完全にぬぐい切れ
ずにエピタキシャル成長後に基板ウェハの表面に部分的
に成長用融液が残る場合があり、後工程における処理（
加工）が複雑になると共に処理工程の自動化が難しくな
るなどの問題点があつ九。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、エピタキシャル成長時において最終槽の成長
用融液が基板ウニ八表面に残らないようにした半導体結
晶成長装置を得ることを目的とするものである。
たもので、エピタキシャル成長時において最終槽の成長
用融液が基板ウニ八表面に残らないようにした半導体結
晶成長装置を得ることを目的とするものである。
この発明による半導体結晶成長装置は最終槽の成長用融
液でエピタキシャル成長を行った後、融液溜めを移動さ
せるとウェハホルダーが斜め４５６に傾き、基板ウェハ
上の成長用融液が基板ウェハの角に集り成長用融液すべ
て、廃液溜めに落ちるようにしたものである。
液でエピタキシャル成長を行った後、融液溜めを移動さ
せるとウェハホルダーが斜め４５６に傾き、基板ウェハ
上の成長用融液が基板ウェハの角に集り成長用融液すべ
て、廃液溜めに落ちるようにしたものである。
この発明による半導体結晶成長装［ｉｌは、エピタキシ
ャル成長中に融液溜めを移動させた時に、所定の位置に
おいてウェハホルダーのストッパーがはずれウェハホル
ダー自身がＲ４５＠に傾くことによって、基板ウェハ上
の成長用融液が基板ウェハの角に集り成長用融液がすべ
て落ち、残らないようにすることによって後工程の処理
を容易にし自動化を可能にする。
ャル成長中に融液溜めを移動させた時に、所定の位置に
おいてウェハホルダーのストッパーがはずれウェハホル
ダー自身がＲ４５＠に傾くことによって、基板ウェハ上
の成長用融液が基板ウェハの角に集り成長用融液がすべ
て落ち、残らないようにすることによって後工程の処理
を容易にし自動化を可能にする。
以下、この発明に係る半導体結晶成長装置の一実施例を
図について説明する。第１図及び第２図はスライドボー
トを示す断面側面図で、製造工程中の二つの状態を示す
。第３図は第２図の状態を示す斜視図である。図におい
て、（１）〜（４１は第４図の従来例に示し念ものと同
等であるので説明を省略する。
図について説明する。第１図及び第２図はスライドボー
トを示す断面側面図で、製造工程中の二つの状態を示す
。第３図は第２図の状態を示す斜視図である。図におい
て、（１）〜（４１は第４図の従来例に示し念ものと同
等であるので説明を省略する。
（６）ハウエバホルダー、（６）はウエハホルｆ −＋
５１のストッパーである。
５１のストッパーである。
融液溜め（２）の一部にはストッパー（６：を動かすた
めの凸部があり、所定の位［まで移動させるとストッパ
ー［６１’！１ｉｔｌかし、ウェハホルダー（６）が支
エヲ失って斜４５°に傾くような構造にし念ものである
。
めの凸部があり、所定の位［まで移動させるとストッパ
ー［６１’！１ｉｔｌかし、ウェハホルダー（６）が支
エヲ失って斜４５°に傾くような構造にし念ものである
。
次に、スライダーポートを用いてエピタキシャル成長を
行う方法について説明する。まず、第１図に示すごとく
、第４図の従来例の場合と同じく融液溜め１２）での各
種にＩｎｔ−溶媒として多結晶のＩｎＧａ＾ｓｅＧ畠＾
５ｐｌｎＰ等を入れた後、所定の位置にウェハホルダー
（６）ｔ−設置し、ストッパー（６１ヲ入れてウェハホ
ルダー（６）を水平に保つ。その上に基板ウェハ１４１
を乗せ念後、スライダーポートを水素雰囲気中の高温の
エピタキシャル成長炉の中に挿入し、従来の場合と同じ
方法で多層の工ぜタキシャル成長を連続的に行う。
行う方法について説明する。まず、第１図に示すごとく
、第４図の従来例の場合と同じく融液溜め１２）での各
種にＩｎｔ−溶媒として多結晶のＩｎＧａ＾ｓｅＧ畠＾
５ｐｌｎＰ等を入れた後、所定の位置にウェハホルダー
（６）ｔ−設置し、ストッパー（６１ヲ入れてウェハホ
ルダー（６）を水平に保つ。その上に基板ウェハ１４１
を乗せ念後、スライダーポートを水素雰囲気中の高温の
エピタキシャル成長炉の中に挿入し、従来の場合と同じ
方法で多層の工ぜタキシャル成長を連続的に行う。
最終槽によるエピタキシャル成長が終了した後、融液溜
め＋２１をさらに第２図の図示矢印（８）方向に移動さ
せると第２図に示すごとく融液溜め（２）の凸部がスト
ッパー１６１を押し、ウェハホルダー（６）が支え全失
って斜４５°に傾き、基板ウェハ（４１上の成長用融液
（３１が基板ウェハ（４１の角に集り、すべて下部の廃
液溜めの中にすべり落ちる。
め＋２１をさらに第２図の図示矢印（８）方向に移動さ
せると第２図に示すごとく融液溜め（２）の凸部がスト
ッパー１６１を押し、ウェハホルダー（６）が支え全失
って斜４５°に傾き、基板ウェハ（４１上の成長用融液
（３１が基板ウェハ（４１の角に集り、すべて下部の廃
液溜めの中にすべり落ちる。
このようにして、エピタキシャル成長終了後の基板ウェ
ハ（４）表面には従来のような成長用融液（３１の残り
がなくなり平坦な面が得られる。
ハ（４）表面には従来のような成長用融液（３１の残り
がなくなり平坦な面が得られる。
なお、上記実施例ではＩｎＧａＡ＠フォトダイオードの
液相エピタキシャル成長に使用するスライドボートの場
合について説明したが、他の液相エピタキシャル成長に
おいても上記と同様な効果が得られる。
液相エピタキシャル成長に使用するスライドボートの場
合について説明したが、他の液相エピタキシャル成長に
おいても上記と同様な効果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、エピタキシャル成長後
に基板ウェハ表面に成長用融液が残ることがないので、
後工程における処理（加工）が簡単になり、処理工程の
自動化を計ることが可能になる。
に基板ウェハ表面に成長用融液が残ることがないので、
後工程における処理（加工）が簡単になり、処理工程の
自動化を計ることが可能になる。
、第１図及び第２図はこの発明に係る半導体結晶成長装
置の一実施例によるスライドホードを示す断面側面図で
、製造工程中の二つの状態を示す。 第３図は第２図の状態を示す斜視図、第４図は従来のス
ライドボートを示す断面側面図である。 図中、１１１μスライダー、（２）は融液溜め、（３）
は成長用融液、１４１［基板ウェハ、（６）はウェハホ
ルダー、（６１はストッパーを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
置の一実施例によるスライドホードを示す断面側面図で
、製造工程中の二つの状態を示す。 第３図は第２図の状態を示す斜視図、第４図は従来のス
ライドボートを示す断面側面図である。 図中、１１１μスライダー、（２）は融液溜め、（３）
は成長用融液、１４１［基板ウェハ、（６）はウェハホ
ルダー、（６１はストッパーを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 化合物半導体のエピタキシャル成長の１つである液相エ
ピタキシャル成長方法において、スライドボートを用い
る場合にエピタキシャル成長中に融液溜めを所定の位置
に移動させた時に基板ウェハを乗せたウェハホルダーが
斜め４５゜に傾き、成長用融液が基板ウェハの角に集ま
り成長用融液の落ちが良くなるようにしたことを特徴と
する半導体結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13321589A JPH02312225A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13321589A JPH02312225A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02312225A true JPH02312225A (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15099420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13321589A Pending JPH02312225A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02312225A (ja) |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13321589A patent/JPH02312225A/ja active Pending
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