JPS58213695A - 液相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS58213695A JPS58213695A JP9347182A JP9347182A JPS58213695A JP S58213695 A JPS58213695 A JP S58213695A JP 9347182 A JP9347182 A JP 9347182A JP 9347182 A JP9347182 A JP 9347182A JP S58213695 A JPS58213695 A JP S58213695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid phase
- crystal layer
- reservoir
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（に）発明の技術分野
本発明は液相エピタキシャル成長方法の改良に関するも
のである。
のである。
（至）技術の背景
赤外線検知素子の形成材料としては、一般に水銀・カド
ミウム・テルル（Ｈｇｌ −ＸＣｄＸ’Ｉ’ｅ ）のよ
うなエネルギーギャップの狭い化合物半導体結晶が用い
られている。このような結晶を素子形成に都合が良いよ
うに大面積でしかも薄層の状態で得るようにするには、
比較的大面積の結晶が得やすいチルＩし化カドミウム（
ＣｄＴｅ ）の結晶基板上に■１−ｚｃｄｚ’ｒｅの結
晶層をスライディング法を用いた液相エピタキシャル成
長方法で形成している。
ミウム・テルル（Ｈｇｌ −ＸＣｄＸ’Ｉ’ｅ ）のよ
うなエネルギーギャップの狭い化合物半導体結晶が用い
られている。このような結晶を素子形成に都合が良いよ
うに大面積でしかも薄層の状態で得るようにするには、
比較的大面積の結晶が得やすいチルＩし化カドミウム（
ＣｄＴｅ ）の結晶基板上に■１−ｚｃｄｚ’ｒｅの結
晶層をスライディング法を用いた液相エピタキシャル成
長方法で形成している。
ｔｏ） 従来技術と問題点
このような従来の液相エビタギンヤＩし成長方法につい
て第１図を用いながら説明する。
て第１図を用いながら説明する。
図示するように直方体形状のカーボンよりなる支持台ｌ
の凹所２に（ｌｄＴｅの基板８を埋設し、その１をスラ
イドして移動する直方体形状のカーボンよりなるスライ
ド部材４の方形の貫通孔よりなる液だめ５には基板上に
形成すべきＨｇ １−ｘｃｄｘＴｅの結晶層の材料の水
銀＜Ｈｇ）、カドミウム（Ｃｄ、）。
の凹所２に（ｌｄＴｅの基板８を埋設し、その１をスラ
イドして移動する直方体形状のカーボンよりなるスライ
ド部材４の方形の貫通孔よりなる液だめ５には基板上に
形成すべきＨｇ １−ｘｃｄｘＴｅの結晶層の材料の水
銀＜Ｈｇ）、カドミウム（Ｃｄ、）。
チル７ｖ（’Ｉ”ｅ）を充填したのち水累（Ｈ２）ガス
算囲気の反応管中へ挿入し、該反応管を加熱炉にて約５
０００の温度になるまで加熱する。このようにして前述
しだＨｇ−Ｃｄ−Ｔｅの材料をＴｅを溶媒とした形で溶
融し液相とする。
算囲気の反応管中へ挿入し、該反応管を加熱炉にて約５
０００の温度になるまで加熱する。このようにして前述
しだＨｇ−Ｃｄ−Ｔｅの材料をＴｅを溶媒とした形で溶
融し液相とする。
その後スライド部材４を矢印Ａ方向へスフィ′ドさせて
移動し液だめ５を基板８上に静置したのち、加熱炉の温
度を所定の温度勾配で低下させ、基板８上に液相の成分
のＨｇ１−ｘｃｄｘ’ｒｅの結晶層を形成するようにし
ている。次いで所定の時間、基板Ｂ上に液だめ５を静置
して、基板８上にｆ（ｇｘ−ｘＣｄｘＴｅの結晶層を形
成してからスライド部材４を更に矢印Ａ方向にスライド
させて移動させ、基板上に残留している不要なＨｇ１−
ｚｃｄｚＴｅの液相をぬぐい去るようにしている。
移動し液だめ５を基板８上に静置したのち、加熱炉の温
度を所定の温度勾配で低下させ、基板８上に液相の成分
のＨｇ１−ｘｃｄｘ’ｒｅの結晶層を形成するようにし
ている。次いで所定の時間、基板Ｂ上に液だめ５を静置
して、基板８上にｆ（ｇｘ−ｘＣｄｘＴｅの結晶層を形
成してからスライド部材４を更に矢印Ａ方向にスライド
させて移動させ、基板上に残留している不要なＨｇ１−
ｚｃｄｚＴｅの液相をぬぐい去るようにしている。
ところでＨｇ ｌ ４ＣＣＩｚＴ６１の残留液相におい
てはＴｅが溶媒の形をとっており、このＴｅ （ｄ Ｃ
ｄＴｅの基板となじみが良（Ｃｄ、Ｔｅ基板表面に被着
して容易に除去されず、基板とにＨｇ１−ＸＣ（ＩＸＴ
ｅの使用層の液相が残留する不都合を生じている。
てはＴｅが溶媒の形をとっており、このＴｅ （ｄ Ｃ
ｄＴｅの基板となじみが良（Ｃｄ、Ｔｅ基板表面に被着
して容易に除去されず、基板とにＨｇ１−ＸＣ（ＩＸＴ
ｅの使用層の液相が残留する不都合を生じている。
このように基板上に使用層の液相が残留すると残留液相
が固化して基板上の結晶層の表面が凹凸状態を呈し平滑
な表面が得られず、このような凹凸形状を呈した結晶層
を有する基板を用いて素子を形成すると素子の形成歩留
が低下する不都合を生じる。
が固化して基板上の結晶層の表面が凹凸状態を呈し平滑
な表面が得られず、このような凹凸形状を呈した結晶層
を有する基板を用いて素子を形成すると素子の形成歩留
が低下する不都合を生じる。
（中 発明の目的
本発明は北述した欠点を除去し、エピタキシャル成長後
の不要な液相を容易にぬぐい去って除去でき、基板とに
形成される結晶層の表面が平滑となり得るような新規＋
１＆、相エピタキシャ／Ｉ／成長方法の提供を目的とす
るものである。
の不要な液相を容易にぬぐい去って除去でき、基板とに
形成される結晶層の表面が平滑となり得るような新規＋
１＆、相エピタキシャ／Ｉ／成長方法の提供を目的とす
るものである。
＋ｅ） 発明の構成
そしてこのような目的を達成するための本発明は、基板
を埋設する支持台と、その土をスライドして移動し、基
板上に形成すべき結晶層の材料で該結晶層形成材料の成
分を溶媒とした該結晶形成材料の液相を収容する液だめ
を有するスフイド部材とからなる成長装置を用い、前記
基板上に液だめを静置して基板上に結晶層を形成する方
法において、前記スライド部材に前記結晶層形成用材料
のうち前記基板に則し付着し難い液相を収容する２夜だ
めを別個に設け、基板とに所定の結晶層を形成してから
、該基板上にスライド部材を移動させて、前記基板に対
し付着し難い液相で基板上に残留しているエピタキシャ
ル成長後の不要な液相をぬぐい去って除去することを特
徴とするものである。
を埋設する支持台と、その土をスライドして移動し、基
板上に形成すべき結晶層の材料で該結晶層形成材料の成
分を溶媒とした該結晶形成材料の液相を収容する液だめ
を有するスフイド部材とからなる成長装置を用い、前記
基板上に液だめを静置して基板上に結晶層を形成する方
法において、前記スライド部材に前記結晶層形成用材料
のうち前記基板に則し付着し難い液相を収容する２夜だ
めを別個に設け、基板とに所定の結晶層を形成してから
、該基板上にスライド部材を移動させて、前記基板に対
し付着し難い液相で基板上に残留しているエピタキシャ
ル成長後の不要な液相をぬぐい去って除去することを特
徴とするものである。
（ト）発明の実施例
以「図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第２図は本発明の面相エピタキシャル成長方法を実施す
るのに用いる液相エピタキシャル成長装置の断面図で従
来と異っているのはスライド部材１１に結晶層形成用材
料のＨｇ −Ｃ（１・′ｒｅの材′料を収容する液だめ
【２の池に別個にＣｄＯ液相１Ｂを収容している液だめ
１４を設けている点にある。
るのに用いる液相エピタキシャル成長装置の断面図で従
来と異っているのはスライド部材１１に結晶層形成用材
料のＨｇ −Ｃ（１・′ｒｅの材′料を収容する液だめ
【２の池に別個にＣｄＯ液相１Ｂを収容している液だめ
１４を設けている点にある。
このようなＯ（１の液相１８を収容している液だめ１４
を有するスフイド部材を用いて第２図のＣｄＴｅ〕基板
１５上にＨｇ １−ＸＣｄｚＴｅ （７）−ｆ−ビタキ
シャル結晶層を形成する場合について述べると、第２図
に示すように−まずＣｄＴｅの基板１５を埋設した支持
台１６と該基板１５上に形成すべき邸１−ｘＣｄｚＴｅ
の液相１７を収容する液だめ１２とＣｄの液相ｌＢを収
容する液だめ１４とを有するスフイド部材１１とをＨ９
ガス算囲気の反応管中に導入し、該反応管を加熱炉にて
約５００Ｃの温度に加熱する。
を有するスフイド部材を用いて第２図のＣｄＴｅ〕基板
１５上にＨｇ １−ＸＣｄｚＴｅ （７）−ｆ−ビタキ
シャル結晶層を形成する場合について述べると、第２図
に示すように−まずＣｄＴｅの基板１５を埋設した支持
台１６と該基板１５上に形成すべき邸１−ｘＣｄｚＴｅ
の液相１７を収容する液だめ１２とＣｄの液相ｌＢを収
容する液だめ１４とを有するスフイド部材１１とをＨ９
ガス算囲気の反応管中に導入し、該反応管を加熱炉にて
約５００Ｃの温度に加熱する。
その後スライド部材１１を矢印Ｂ方向に移動させてＣｄ
Ｔｅ （７）基板１５上にＨｇ １ 、、ｚＣｄｚＴｅ
の液だめ１２を静置させ、加熱炉の温度を低下させてＣ
ｄＴｅ基板１５土にｆ（ｇ １−ｚｃｄｚＴｅの結晶層
を形成する。
Ｔｅ （７）基板１５上にＨｇ １ 、、ｚＣｄｚＴｅ
の液だめ１２を静置させ、加熱炉の温度を低下させてＣ
ｄＴｅ基板１５土にｆ（ｇ １−ｚｃｄｚＴｅの結晶層
を形成する。
次いで更にスライド部材１１ｉ矢印Ｂ方向に移動させて
、０ｄＴｅ基板玉にＣｄＯ液相１８が収容されている液
だめｌ ４ ｆ ＣｄＴｅの基板１５上に静置する。
、０ｄＴｅ基板玉にＣｄＯ液相１８が収容されている液
だめｌ ４ ｆ ＣｄＴｅの基板１５上に静置する。
その後更にスライド部材１１を矢印Ｂ方向に移動させて
ＣｄＴｅの基板１５上に付着しているＴ。
ＣｄＴｅの基板１５上に付着しているＴ。
を溶媒としたＨｇ１−ｘＣｄＸＴｅの不要な液相をＣｄ
の液相１８をぬぐい去るようにする。
の液相１８をぬぐい去るようにする。
するとＣｄの液相はＣｄＴｅの基板となじみが悪（Ｃｄ
の液相がＣｄＴｅの基板上より容易に分離され、その時
に０ｄＴｅの基板上に付着しているＴｅをｍ謀とした不
要’１１ Ｈｇ１−ｘｏｄＸＴｅの液相が除去されるよ
うになる。
の液相がＣｄＴｅの基板上より容易に分離され、その時
に０ｄＴｅの基板上に付着しているＴｅをｍ謀とした不
要’１１ Ｈｇ１−ｘｏｄＸＴｅの液相が除去されるよ
うになる。
従ってＨｇ１−ｘＣｄｚＴｅのエビタキシャ／ｌ／層玉
に不要なＨＥ！、ｔ−ｘＣｄｘＴｅの残留液相が残るよ
うなことが少なくなり平坦な表面を有するＨｇ １−ｘ
ＣｄｘＴｅのエピタキシャル結晶層が形成されることに
なり、このようなエピタキシャル層を有する基板を用い
れば赤外線検知素子の形成歩留が向上する利点を生じる
。
に不要なＨＥ！、ｔ−ｘＣｄｘＴｅの残留液相が残るよ
うなことが少なくなり平坦な表面を有するＨｇ １−ｘ
ＣｄｘＴｅのエピタキシャル結晶層が形成されることに
なり、このようなエピタキシャル層を有する基板を用い
れば赤外線検知素子の形成歩留が向上する利点を生じる
。
リ 発明の効果
以北述べたように本発明の液相エピタキシャル成長方法
によれば、形成されるエピタキシャル成長層の表面が平
坦となり、このようなエピタキシャル結晶層を有する基
板を用いて赤外線検知素子のような光電変換素子を形成
すれば、素子形成の歩留が向上する利点を生じる。
によれば、形成されるエピタキシャル成長層の表面が平
坦となり、このようなエピタキシャル結晶層を有する基
板を用いて赤外線検知素子のような光電変換素子を形成
すれば、素子形成の歩留が向上する利点を生じる。
第１図は従来の液相エピタキシャル成長方法に用いる装
置の断面図、第２図は本発明の液相エピタキシャル成長
方法に用いる装置の断面図である。 図において１．１６は支持台、２は凹所、８゜１５はＣ
ｄＴｅ （Ｄ基板、４．１１はスライド部材、６．１２
はＨｇ １−ｚＣｄｚＴｅの液だめ、１ＢはＣｄ。 液相、１４はＣｄの液相の液だめ、Ａ、Ｂはスライド方
向を示す矢印を示す。
置の断面図、第２図は本発明の液相エピタキシャル成長
方法に用いる装置の断面図である。 図において１．１６は支持台、２は凹所、８゜１５はＣ
ｄＴｅ （Ｄ基板、４．１１はスライド部材、６．１２
はＨｇ １−ｚＣｄｚＴｅの液だめ、１ＢはＣｄ。 液相、１４はＣｄの液相の液だめ、Ａ、Ｂはスライド方
向を示す矢印を示す。
Claims (1)
- 基板を埋設する支持台と、その土をスライドして移動し
、基板とに形成すべき結晶層の材料で該結晶層形成材料
の成分を溶課とした該結晶形成材料の液相を収容する液
だめを有するスライド部材とからなる成長装置を用い、
前記基板上に液だめを静置して基板上に所定の結晶層を
形成する方法において、前記スライド部材に前記結晶層
形成用材料のうち前記基板に対し付着し難い液相を収容
する液だめを別個に設け、基板上に所定の結晶層を形成
してから、該基板上にスライド部杭を移動させて、前記
基板に対し付着し難い液相で基板上に残留しているエピ
タキシャル成長後の不要な液相をぬぐい去って除去する
ことを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9347182A JPS58213695A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9347182A JPS58213695A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58213695A true JPS58213695A (ja) | 1983-12-12 |
Family
ID=14083249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9347182A Pending JPS58213695A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58213695A (ja) |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP9347182A patent/JPS58213695A/ja active Pending
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