JPS5987823A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS5987823A JPS5987823A JP57198248A JP19824882A JPS5987823A JP S5987823 A JPS5987823 A JP S5987823A JP 57198248 A JP57198248 A JP 57198248A JP 19824882 A JP19824882 A JP 19824882A JP S5987823 A JPS5987823 A JP S5987823A
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- JP
- Japan
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- substrate
- epitaxial growth
- solution
- liquid phase
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- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａン 発明の技術分野
本発明は液相エピク牛シャル成長装置の改良に関する。
（ｂ） 技術の背景
赤外線検知素子のような光電変換素子形成用材料として
は一般にエネルギーギャップの狭い水銀、カドミウム、
テルル（Ｈｔｌ：工ＣｄｘＴｘ）（７）ようす化合物半
導体結晶が用いられている。
は一般にエネルギーギャップの狭い水銀、カドミウム、
テルル（Ｈｔｌ：工ＣｄｘＴｘ）（７）ようす化合物半
導体結晶が用いられている。
＼
このようなＨＦＩ−Ｘ Ｃｄｚ Ｔｅの結晶を素子形成
に都合が良いように薄層の状態で形成するには、一般に
大面積の単結晶が得やすいテルル化カドミウム（Ｃｄ
Ｔｅ）の単結晶の基板上にＨｆ１−ｘ Ｃｄ、 Ｔ６の
結晶を液相エピタキシャル成長方法で形成する方法がと
られている。
に都合が良いように薄層の状態で形成するには、一般に
大面積の単結晶が得やすいテルル化カドミウム（Ｃｄ
Ｔｅ）の単結晶の基板上にＨｆ１−ｘ Ｃｄ、 Ｔ６の
結晶を液相エピタキシャル成長方法で形成する方法がと
られている。
（ｃ） 従来技術と問題点
従来のこのようなＨｆ１−ｘｃｄｘＴｅの結晶の液相エ
ピタキシャル成長用装置を第１図を用いて説明する。
ピタキシャル成長用装置を第１図を用いて説明する。
図示するように直方体形状のカーボンよりなる支持台ｌ
にはＣｄ Ｔｅの基板２を埋設する凹所３を設け、また
該支持台上をスライドして移動し、直方体形状のカーボ
ンよりなるスライド部材４には基板２上に形成すべき”
ｂｓ：ｘ Ｃｄｘ Ｔｅの結晶層の材料５を収容する貫
通孔状の液だめ６を有している。
にはＣｄ Ｔｅの基板２を埋設する凹所３を設け、また
該支持台上をスライドして移動し、直方体形状のカーボ
ンよりなるスライド部材４には基板２上に形成すべき”
ｂｓ：ｘ Ｃｄｘ Ｔｅの結晶層の材料５を収容する貫
通孔状の液だめ６を有している。
このような支持台ｌの凹所３にＣｄ Ｔｅ基板２を埋設
し、スライド部材４の液だめ６内にＢ、ｘＣｄｘＴｅの
材料を収容した状態で前記支持１とスライド部材４とか
らなる液相エピタキシャル成長装置を水素（Ｈ２）ガス
雰囲気内の反応管中に挿入し該反応管を加熱炉にて加熱
する。
し、スライド部材４の液だめ６内にＢ、ｘＣｄｘＴｅの
材料を収容した状態で前記支持１とスライド部材４とか
らなる液相エピタキシャル成長装置を水素（Ｈ２）ガス
雰囲気内の反応管中に挿入し該反応管を加熱炉にて加熱
する。
’Ｆ” （Ｄ後）ｂ、−、ＣｄｘＴｅの材料が溶融した
時点でスライド部材４を矢印Ａ方向に移動させて、液だ
め６を基板２上に静置し、加熱炉の温度を所定の降温速
度で下降させ、基板上にＨｆ１−ｘＣｄｘＴ６のエビタ
キシャ／ｌ／層を形成する。その後更にスライド部材４
を矢印Ａ方向に移動させて基板上に残留しているエビタ
午シャｌし成長後の不要な溶液をスライド部材４の底面
でぬぐい去って除去するようにしている。
時点でスライド部材４を矢印Ａ方向に移動させて、液だ
め６を基板２上に静置し、加熱炉の温度を所定の降温速
度で下降させ、基板上にＨｆ１−ｘＣｄｘＴ６のエビタ
キシャ／ｌ／層を形成する。その後更にスライド部材４
を矢印Ａ方向に移動させて基板上に残留しているエビタ
午シャｌし成長後の不要な溶液をスライド部材４の底面
でぬぐい去って除去するようにしている。
しかし、前述したエピタキシャル成長装置を多数回、使
用することでスライド部材４の底面と支持台１の上面と
が摩耗等によってすき間を生じるようになり、したがっ
てＣｄ Ｔｅの基板の上面とスライド部材の下面とをす
きまがない状態にすることが困難で、基板の表面に残留
しているエピタキシャル成長後の不要なＨ２□−ｘｃｄ
ＸＴｅの溶液をぬぐい去って除去することが困難となる
。
用することでスライド部材４の底面と支持台１の上面と
が摩耗等によってすき間を生じるようになり、したがっ
てＣｄ Ｔｅの基板の上面とスライド部材の下面とをす
きまがない状態にすることが困難で、基板の表面に残留
しているエピタキシャル成長後の不要なＨ２□−ｘｃｄ
ＸＴｅの溶液をぬぐい去って除去することが困難となる
。
（ｄ） 発明の目的
本発明は、エピタキシャル成長後、基板上に残留してい
る不用なエピタキシャル成長用溶液を容易にぬぐい去っ
て除去でき得るような新規な液相エピタキシャル成長装
置の提供を目的とするものである。
る不用なエピタキシャル成長用溶液を容易にぬぐい去っ
て除去でき得るような新規な液相エピタキシャル成長装
置の提供を目的とするものである。
（ｅ） 発明の構成
かかる目的を達成するための本発明の液相エピタキシャ
ル成長装置は、基板を埋設する支持台とその上をスライ
ドして移動し、基板上に形成すべきエピタキシャル層の
溶液を収容する液だめを有したスライド部材とからなる
液相エピタキシャル成長装置の前記スライド部材の液だ
めの後に貫通孔を設け、該貫通孔内に前記スライド部材
を移動させて基板上に残留しているピタキシャＩし層成
長後の不要な溶液を除去するための溶液排出部材を挿入
配設してなることを特徴とするものである。
ル成長装置は、基板を埋設する支持台とその上をスライ
ドして移動し、基板上に形成すべきエピタキシャル層の
溶液を収容する液だめを有したスライド部材とからなる
液相エピタキシャル成長装置の前記スライド部材の液だ
めの後に貫通孔を設け、該貫通孔内に前記スライド部材
を移動させて基板上に残留しているピタキシャＩし層成
長後の不要な溶液を除去するための溶液排出部材を挿入
配設してなることを特徴とするものである。
（ｆ） 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。第２図（ａ）は本発明の液相エピタキシャル成長装
置の断面図で、第２図（ｂ）は該エピタキシャル成長装
置の平面図である。
る。第２図（ａ）は本発明の液相エピタキシャル成長装
置の断面図で、第２図（ｂ）は該エピタキシャル成長装
置の平面図である。
図に示すように本発明の液相エピタキシャル成長装置を
構成するスライド部材１１の矢印Ｂに示すスライド方向
から見て後側に貫通孔１２を設け、該負通孔稔内に石英
またはカーボン等よりなり、該貫通孔内で上下に自在に
移動する板状の溶液排出部材１３を設置する。
構成するスライド部材１１の矢印Ｂに示すスライド方向
から見て後側に貫通孔１２を設け、該負通孔稔内に石英
またはカーボン等よりなり、該貫通孔内で上下に自在に
移動する板状の溶液排出部材１３を設置する。
このようなエビタキシャｌし成長装置の支持部材１４の
凹所１５内にＣｄ Ｔｅの基板１６を埋設し、スライド
部材１１の液だめ１７内に基板１６上に形成すべきＨｔ
ｌ−ｘＣｄｘＴｅのエピタキシャル層形成用材料１８を
充填する。その後該エビタキシャｌし成長装置を水素（
Ｈ２）ガス雰囲気の反応管中に導入し、該反応管を加熱
炉にて加熱し、該エピタキシャル層形成材料を溶融する
。その後スライド部材１１を矢印Ｂ方向に移動し、基板
１６上に液だめ１７を設置して加熱炉の温度を降下させ
て基板上にエピタキシャル層を形成する。次いで更にス
ライド部材１１を矢印Ｂ方向に移動させて基板１６上に
残留しているエピタキシャル成長後の不要な溶液を溶液
排出部材１３にてぬぐい去って除去する。この排出部材
１３の厚さは貫通孔１２の縦寸法ｔよりも薄くしておき
、また基板を埋設する凹所石より巾を広くしておく。そ
して貫通孔内でスライド方向と垂直に自在に移動するよ
うにしておけば、エピタキシャル成長後スライド部材を
移動させる際、段差があっても基板上に自重で落下する
ようになり、容易に基板上に残留しているエピタキシャ
ル成長後の不要な溶液をぬぐい去って除去できる。この
ようにすればエピタキシャル成長装置を多数回使用して
装置が摩耗してスライド部材の底面と支持台の上面とが
一致しなくなっても、基板上に使用後の不要なエビタキ
シキル層形成用溶液が残留するようなことがなくなり表
面が平坦なエビタ午シャル層が得られる。
凹所１５内にＣｄ Ｔｅの基板１６を埋設し、スライド
部材１１の液だめ１７内に基板１６上に形成すべきＨｔ
ｌ−ｘＣｄｘＴｅのエピタキシャル層形成用材料１８を
充填する。その後該エビタキシャｌし成長装置を水素（
Ｈ２）ガス雰囲気の反応管中に導入し、該反応管を加熱
炉にて加熱し、該エピタキシャル層形成材料を溶融する
。その後スライド部材１１を矢印Ｂ方向に移動し、基板
１６上に液だめ１７を設置して加熱炉の温度を降下させ
て基板上にエピタキシャル層を形成する。次いで更にス
ライド部材１１を矢印Ｂ方向に移動させて基板１６上に
残留しているエピタキシャル成長後の不要な溶液を溶液
排出部材１３にてぬぐい去って除去する。この排出部材
１３の厚さは貫通孔１２の縦寸法ｔよりも薄くしておき
、また基板を埋設する凹所石より巾を広くしておく。そ
して貫通孔内でスライド方向と垂直に自在に移動するよ
うにしておけば、エピタキシャル成長後スライド部材を
移動させる際、段差があっても基板上に自重で落下する
ようになり、容易に基板上に残留しているエピタキシャ
ル成長後の不要な溶液をぬぐい去って除去できる。この
ようにすればエピタキシャル成長装置を多数回使用して
装置が摩耗してスライド部材の底面と支持台の上面とが
一致しなくなっても、基板上に使用後の不要なエビタキ
シキル層形成用溶液が残留するようなことがなくなり表
面が平坦なエビタ午シャル層が得られる。
はノ 発明の効果
以上述べたように、本発明のエピタキシャル成長装置に
よればエピタ午シャル層成長後の不要な溶液が容易にぬ
ぐい去られて除去できるので、平坦な表面を有するエピ
タキシャルノ音が得られ、こる。
よればエピタ午シャル層成長後の不要な溶液が容易にぬ
ぐい去られて除去できるので、平坦な表面を有するエピ
タキシャルノ音が得られ、こる。
’ｌ’：Ｊ １図は従来の液相エピタキシャル成長装置
の断１ｍ図、第２図（ａ）および第２図（ｂ）は本発明
の液相エピタキシャル成長装置の断面図およびその平面
図である。 図において１，１４は支持台、２，１６はＣｄ Ｔｅ基
板、３，１５は凹所、４，１１はスライド部材、５゜１
８はＨＦ＋−ｘ Ｃｄｚ Ｔｅの材料、６，１７は液だ
め、１２は貫通孔、Ｂは溶液排出部材である。 第１図 第２１１２１（０） β
の断１ｍ図、第２図（ａ）および第２図（ｂ）は本発明
の液相エピタキシャル成長装置の断面図およびその平面
図である。 図において１，１４は支持台、２，１６はＣｄ Ｔｅ基
板、３，１５は凹所、４，１１はスライド部材、５゜１
８はＨＦ＋−ｘ Ｃｄｚ Ｔｅの材料、６，１７は液だ
め、１２は貫通孔、Ｂは溶液排出部材である。 第１図 第２１１２１（０） β
Claims (1)
- （１） 基板を埋設する支持台とその上をスライドし
て移動し、基板上に形成すべきエピタキシャル層の溶液
を収容する液だめを有したスライド部材とからなる液相
エピタキシャＭ成長装置の前記スライド部材の液だめの
後に貫通孔を設け、該貫通孔内に、前記スライド部材を
移動させて基板上に残留しているエピタキシャル層成長
後の不要な溶液を除去するための溶液排出部材を挿入配
設してなることを特徴とする液相エピタキシャル成長装
置。 求の範囲第（１ン項に記載の液相エピタキシャル成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198248A JPS5987823A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198248A JPS5987823A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987823A true JPS5987823A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16387963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198248A Pending JPS5987823A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987823A (ja) |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57198248A patent/JPS5987823A/ja active Pending
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