JPH0376273A - 太陽電池用の半導体基板 - Google Patents
太陽電池用の半導体基板Info
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- JPH0376273A JPH0376273A JP1213601A JP21360189A JPH0376273A JP H0376273 A JPH0376273 A JP H0376273A JP 1213601 A JP1213601 A JP 1213601A JP 21360189 A JP21360189 A JP 21360189A JP H0376273 A JPH0376273 A JP H0376273A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、太陽電池用の新規な半導体基板に関するも
のである。
のである。
［従来の技術］
多結晶シリコンを基板材料に用いた太陽電池は、たとえ
ばＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ 。
ばＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ 。
ｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＰＶ
ＳＥＣ−１，Ｋｏｂｅ、Ｊａｐａｎ、１９８４Ｉｐｐ、
３７−４１において述べられている。
ＳＥＣ−１，Ｋｏｂｅ、Ｊａｐａｎ、１９８４Ｉｐｐ、
３７−４１において述べられている。
第５図は、多結晶シリコンのインゴットを示す斜視図で
ある。このようなインゴット１１は、シリコンベレット
（シリコン粒）を電気炉で溶解し、鋳型に流し込んで徐
冷することによって形成される。このとき、鋳型内の温
度分布の制御や徐冷の速度制御によって多結晶シリコン
の特性が決定されてしまうので、高精度の制御が必要と
される。
ある。このようなインゴット１１は、シリコンベレット
（シリコン粒）を電気炉で溶解し、鋳型に流し込んで徐
冷することによって形成される。このとき、鋳型内の温
度分布の制御や徐冷の速度制御によって多結晶シリコン
の特性が決定されてしまうので、高精度の制御が必要と
される。
しかし、インゴット内の不純物の不均一分布の存在は避
は難く、インゴットには太陽電池の基板材料として使用
できない部分も含まれる。
は難く、インゴットには太陽電池の基板材料として使用
できない部分も含まれる。
第６図は、第５図の多結晶シリコンインゴット１１から
スライスされた厚さ約数１００μｍの多結晶シリコン基
板１１ｇを複数枚示している模式的な斜視図である。こ
のとき、１枚の多結晶シリコン基板１１ａをインゴット
１１から切り出すのに、少なくとも約２００μｍの切り
しろを必要とする。
スライスされた厚さ約数１００μｍの多結晶シリコン基
板１１ｇを複数枚示している模式的な斜視図である。こ
のとき、１枚の多結晶シリコン基板１１ａをインゴット
１１から切り出すのに、少なくとも約２００μｍの切り
しろを必要とする。
第７図は、第６図の多結晶シリコン基板１１ａを用いて
形成された太陽電池の一例を示す概略的な拡大断面図で
ある。多結晶シリコン基板１１ａがｎ型であるならば、
熱拡散またはイオン注入などによって背面にｎ型の高濃
度ドーピング層１１ｂが形成される。高濃度背面層１１
ｂ上にはスクリーン印刷または蒸着などによって背面電
極層１７が形成される。ｎ型多結晶シリコン基板１１ａ
の前面には熱拡散またはイオン注入などによってｐ型の
高濃度前面層１１ｃが形成され、これによってｐｎ接合
が形成される。ｐ型の高濃度前面層１１ｃ上には、スパ
ッタリングなどによって酸化錫や酸化インジウムなどの
透明電極層１５が形成される。そして、透明電極層１５
上に集電電極帯１６がスクリーン印刷などによって形成
され、これによって太陽電池セルが完成する。
形成された太陽電池の一例を示す概略的な拡大断面図で
ある。多結晶シリコン基板１１ａがｎ型であるならば、
熱拡散またはイオン注入などによって背面にｎ型の高濃
度ドーピング層１１ｂが形成される。高濃度背面層１１
ｂ上にはスクリーン印刷または蒸着などによって背面電
極層１７が形成される。ｎ型多結晶シリコン基板１１ａ
の前面には熱拡散またはイオン注入などによってｐ型の
高濃度前面層１１ｃが形成され、これによってｐｎ接合
が形成される。ｐ型の高濃度前面層１１ｃ上には、スパ
ッタリングなどによって酸化錫や酸化インジウムなどの
透明電極層１５が形成される。そして、透明電極層１５
上に集電電極帯１６がスクリーン印刷などによって形成
され、これによって太陽電池セルが完成する。
なお、多結晶シリコン基板１１ａがｐ型の場合は、高濃
度背面層１１ｂがｐ型にされ、高濃度前面層１１Ｃがｎ
型にされることが理解されよう。
度背面層１１ｂがｐ型にされ、高濃度前面層１１Ｃがｎ
型にされることが理解されよう。
また、基板１１ａとして、もちろん単結晶シリコンを用
いることも可能である。しかし、その場合には、インゴ
ット１１は溶融シリコンから単結晶引上法などによって
成長させなければならない。
いることも可能である。しかし、その場合には、インゴ
ット１１は溶融シリコンから単結晶引上法などによって
成長させなければならない。
［発明が解決しようとする課題］
以上のように、太陽電池用の従来の多結晶シリコン基板
の形成には、シリコンペレットを溶融させ、鋳型に溶融
シリコンを流し込んでインゴットを形成する工程が必要
である。この場合に、鋳型内の温度分布や徐冷速度を高
精度で制御する必要がある。しかも、不純物の不均一分
布が避は難く、インゴット全体を使用することは不可能
であり、材料の使用助出が良いとは言えない。
の形成には、シリコンペレットを溶融させ、鋳型に溶融
シリコンを流し込んでインゴットを形成する工程が必要
である。この場合に、鋳型内の温度分布や徐冷速度を高
精度で制御する必要がある。しかも、不純物の不均一分
布が避は難く、インゴット全体を使用することは不可能
であり、材料の使用助出が良いとは言えない。
また、単結晶シリコンを太陽電池用基板に用いる場合、
溶融シリコンから結晶引上法などによって単結晶のイン
ゴットを長時間かけて成長させなければならない。
溶融シリコンから結晶引上法などによって単結晶のイン
ゴットを長時間かけて成長させなければならない。
さらに、多結晶や単結晶のシリコンインゴットから板状
の基板をスライスする工程が必要である。
の基板をスライスする工程が必要である。
そのとき、約数１００μｍ厚さの１枚の基板をスライス
するのに少なくとも２００μｍ以上の切りしるが必要と
され、ここでも材料の使用効率の低下を余儀なくされる
。結局、インゴットの使用できない部分とこの切りしろ
とによって、最初に溶解したシリコンペレット材料の半
分近くが基板として利用できない結果となる。
するのに少なくとも２００μｍ以上の切りしるが必要と
され、ここでも材料の使用効率の低下を余儀なくされる
。結局、インゴットの使用できない部分とこの切りしろ
とによって、最初に溶解したシリコンペレット材料の半
分近くが基板として利用できない結果となる。
このような先行技術の課題に鑑み、本発明は、従来のよ
うに種々の装置や高精度の制御などを必要とすることな
く、高い材料の使用効率で安価に製造し得る太陽電池用
半導体基板を提供することを目的としている。
うに種々の装置や高精度の制御などを必要とすることな
く、高い材料の使用効率で安価に製造し得る太陽電池用
半導体基板を提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、太陽電池用半導体基板は、ほぼ同一の
粒径を有していて平面内で単一層に最密充填されたシリ
コン粒子層と、そのシリコン粒子層内の空隙を埋めて単
一板に成形する結合材料とを含み、シリコン粒子の各々
は少なくともその一部が単一板の表裏の双方の面で露出
されている。
粒径を有していて平面内で単一層に最密充填されたシリ
コン粒子層と、そのシリコン粒子層内の空隙を埋めて単
一板に成形する結合材料とを含み、シリコン粒子の各々
は少なくともその一部が単一板の表裏の双方の面で露出
されている。
［作用］
本発明による太陽電池用半導体基板は、平面内で最密充
填されたシリコン粒子の単一層を結合材料によって板状
に成形することによって製造し得る。したがって、従来
の太陽電池用基板のように、シリコンペレットを溶融す
る炉、インゴットを形成する鋳込装置、およびこれらの
装置の温度を高精度に制御する装置を必要としない。さ
らに、インゴットをスライスする切断装置とそれに伴う
高い割合のインゴットの切りしろをも必要とせず、材料
の使用効率を大きく高めることができる。
填されたシリコン粒子の単一層を結合材料によって板状
に成形することによって製造し得る。したがって、従来
の太陽電池用基板のように、シリコンペレットを溶融す
る炉、インゴットを形成する鋳込装置、およびこれらの
装置の温度を高精度に制御する装置を必要としない。さ
らに、インゴットをスライスする切断装置とそれに伴う
高い割合のインゴットの切りしろをも必要とせず、材料
の使用効率を大きく高めることができる。
［発明の実施例］
第１Ａ図、第１Ｂ図および第１Ｃ図は、本発明の一実施
例による太陽電池用半導体基板の製造工程を示す概念的
な断面図である。まず、第１Ａ図のように、ほぼ粒径の
均一なｎ型またはｐ型のいずれかのシリコンペレット１
が上下に重ならない状態で平面内に最密充填され、シリ
コンペレット１の単一層が形成される。これらのシリコ
ンペレットの粒径は、数１０μｍから数ｍｍの範囲内で
選択することができる。第１Ｂ図において、シリコンペ
レット１の単一層はＰＰ５Ｑ （ｐｏ ｌ ｙｐｈｅｎ
ｙｌｓｉｌｓｅｑｕｉｏｘａｎｅ）のようなシリコンポ
リマーなとの充填材料（結合材料でもある）２が塗布さ
れた後に焼成される。これによって、シリコンペレット
の単一層からなる単一板が形成される。なお、結合材料
２は、この焼成後に５ＩＯ２になる。第１Ｃ図において
、シリコンペレットの単一層を含む単一板の表裏面がラ
ッピングされ、このシリコンペレット１の各々の少なく
とも一部がその単一板の表裏面の両面に露出される。こ
れによって、太陽電池用の半導体基板が完成する。
例による太陽電池用半導体基板の製造工程を示す概念的
な断面図である。まず、第１Ａ図のように、ほぼ粒径の
均一なｎ型またはｐ型のいずれかのシリコンペレット１
が上下に重ならない状態で平面内に最密充填され、シリ
コンペレット１の単一層が形成される。これらのシリコ
ンペレットの粒径は、数１０μｍから数ｍｍの範囲内で
選択することができる。第１Ｂ図において、シリコンペ
レット１の単一層はＰＰ５Ｑ （ｐｏ ｌ ｙｐｈｅｎ
ｙｌｓｉｌｓｅｑｕｉｏｘａｎｅ）のようなシリコンポ
リマーなとの充填材料（結合材料でもある）２が塗布さ
れた後に焼成される。これによって、シリコンペレット
の単一層からなる単一板が形成される。なお、結合材料
２は、この焼成後に５ＩＯ２になる。第１Ｃ図において
、シリコンペレットの単一層を含む単一板の表裏面がラ
ッピングされ、このシリコンペレット１の各々の少なく
とも一部がその単一板の表裏面の両面に露出される。こ
れによって、太陽電池用の半導体基板が完成する。
第２図は、第１Ｃ図の太陽電池用半導体基板を用いて形
成された太陽電池の一例を示す概念的な断面図である。
成された太陽電池の一例を示す概念的な断面図である。
シリコンペレット１がｎ型であるならば、熱拡散または
イオン注入などによって各シリコンペレット１の背面に
ｎ型の高濃度ドーピング層１ａが形成される。次いで、
ペレット１の前面側にはｐ型の高濃度前面層１ｂが形成
され、これによってｐｎ接合が形成される。ｐ型の高濃
度前面層１ｂ上には、スパッタリングなどによって酸化
錫や酸化インジウムなどの透明電極層５が形成される。
イオン注入などによって各シリコンペレット１の背面に
ｎ型の高濃度ドーピング層１ａが形成される。次いで、
ペレット１の前面側にはｐ型の高濃度前面層１ｂが形成
され、これによってｐｎ接合が形成される。ｐ型の高濃
度前面層１ｂ上には、スパッタリングなどによって酸化
錫や酸化インジウムなどの透明電極層５が形成される。
そして、透明電極層５上に集電電極帯６がスクリーン印
刷などによって形成される。
刷などによって形成される。
最後に、背面のｎ型高濃度層１ａ上に背面金属電極層７
が蒸着またはスクリーン印刷によって形成され、これに
よって太陽電池が完成する。なお、シリコンペレット１
がｐ型の場合には、高濃度背面層１ａがｐ型にされ、高
濃度前面層１ｂがｎ型にされることが理解されよう。
が蒸着またはスクリーン印刷によって形成され、これに
よって太陽電池が完成する。なお、シリコンペレット１
がｐ型の場合には、高濃度背面層１ａがｐ型にされ、高
濃度前面層１ｂがｎ型にされることが理解されよう。
第３図は、本発明のもう１つの実施例による太陽電池用
半導体基板を示す概念的断面図である。
半導体基板を示す概念的断面図である。
この実施例においては、十分な導電性を有するように高
濃度にドーピングされたｎ型のシリコンペレット１が、
第１Ｃ図におけると同様に、結合材料２によって板状に
成形されている。しかし、この実施例では、ペレット板
の表面上にｎ型のシリコン多結晶層８が形成されている
。このような基板を用いて太陽電池を形成する場合、シ
リコン多結晶層８の表面からｐ型の高濃度前面層を形成
し、それによって、そのシリコン多結晶層８内にｐｎ接
合が形成される。以後は第２図の太陽電池と同様な前面
電極や背面電極を形成すればよい。なお、高濃度のｐ型
シリコンベレット１をベースとした場合、表面多結晶層
８もｐ型にされ、多結晶層８の表面からｎ型の高濃度前
面層を形成すればよいことが理解されよう。ところで、
第３図の実施例においては、シリコンペレット１は背面
電極までの導電材料としてのみ働き、光電変換部として
は作用しないので、比較的安価なペレットを使用するこ
とができる。
濃度にドーピングされたｎ型のシリコンペレット１が、
第１Ｃ図におけると同様に、結合材料２によって板状に
成形されている。しかし、この実施例では、ペレット板
の表面上にｎ型のシリコン多結晶層８が形成されている
。このような基板を用いて太陽電池を形成する場合、シ
リコン多結晶層８の表面からｐ型の高濃度前面層を形成
し、それによって、そのシリコン多結晶層８内にｐｎ接
合が形成される。以後は第２図の太陽電池と同様な前面
電極や背面電極を形成すればよい。なお、高濃度のｐ型
シリコンベレット１をベースとした場合、表面多結晶層
８もｐ型にされ、多結晶層８の表面からｎ型の高濃度前
面層を形成すればよいことが理解されよう。ところで、
第３図の実施例においては、シリコンペレット１は背面
電極までの導電材料としてのみ働き、光電変換部として
は作用しないので、比較的安価なペレットを使用するこ
とができる。
第４Ａ図、第４Ｂ図および第４Ｃ図は、微細なシリコン
ペレットを用いて基板を形成する場合の好ましい工程例
を示す概念的断面図である。シリンペレット１の粒径が
約数１００μｍ以下の場合、ペレットの最密充填層を安
定して平面に保持するのが困難となる。したがって、第
４Ａ図に示されているように、そのような微細なペレッ
ト１はグラファイト板９上に単一層で最密充填される。
ペレットを用いて基板を形成する場合の好ましい工程例
を示す概念的断面図である。シリンペレット１の粒径が
約数１００μｍ以下の場合、ペレットの最密充填層を安
定して平面に保持するのが困難となる。したがって、第
４Ａ図に示されているように、そのような微細なペレッ
ト１はグラファイト板９上に単一層で最密充填される。
そして、そのペレット層はグラファイト板９に支持され
たままの状態で結合材料２によって一体化される。その
後、第４Ｂ図に示されているように、グラファイト板９
で支持した状態で結合材料２の表面をラッピングし、各
ペレット１の一部を表面に露出させる。最後に、第４Ｃ
図に示されているように、ペレット板のラッピングされ
た表面と裏面とを反転させ、ラッピングされた表面側を
グラファイト板って支持しながら裏面をラッピングする
ことによって、太陽電池用の半導体基板を得ることがで
きる。すなわち、微細な粒径を有するシリコンペレット
からでも、グラファイト板を有効に利用することによっ
て太陽電池用半導体基板を得ることができるのである。
たままの状態で結合材料２によって一体化される。その
後、第４Ｂ図に示されているように、グラファイト板９
で支持した状態で結合材料２の表面をラッピングし、各
ペレット１の一部を表面に露出させる。最後に、第４Ｃ
図に示されているように、ペレット板のラッピングされ
た表面と裏面とを反転させ、ラッピングされた表面側を
グラファイト板って支持しながら裏面をラッピングする
ことによって、太陽電池用の半導体基板を得ることがで
きる。すなわち、微細な粒径を有するシリコンペレット
からでも、グラファイト板を有効に利用することによっ
て太陽電池用半導体基板を得ることができるのである。
もちろん、このようなグラファイト板９は微細なシリコ
ンペレットを含む薄い半導体基板を用いて第２図のよう
な太陽電池を形成する工程においても有効に利用するこ
とができる。すなわち、そのような非常に薄い半導体基
板の一方の面から不純物を熱拡散またはイオン注入した
り電極層を形成するときに、他方の面をグラファイト板
９で支持することが好ましい。そして、最後に太陽電池
セル板上にカバーガラス層（太陽電池用強化保護ガラス
層）をラミネート（層を重ねること）した後に裏面のグ
ラファイト板９を除去することによって、太陽電池が完
成され得る。
ンペレットを含む薄い半導体基板を用いて第２図のよう
な太陽電池を形成する工程においても有効に利用するこ
とができる。すなわち、そのような非常に薄い半導体基
板の一方の面から不純物を熱拡散またはイオン注入した
り電極層を形成するときに、他方の面をグラファイト板
９で支持することが好ましい。そして、最後に太陽電池
セル板上にカバーガラス層（太陽電池用強化保護ガラス
層）をラミネート（層を重ねること）した後に裏面のグ
ラファイト板９を除去することによって、太陽電池が完
成され得る。
［発明の効果］
以上のように、本発明によれば、シリコンペレットを結
合材料で一体化することによってペレットの単一層から
なる太陽電池用半導体基板を提供することができる。し
たがって、本発明による太陽電池用半導体基板の製造に
は、従来の半導体基板のようにシリコンペレット溶解用
の炉や鋳込装置を必要とせず、それらの装置の高精度の
温度制御をも必要としない。また、従来の太陽電池用半
導体基板のように、インゴットから基板をスライスする
切断装置を必要とせず、その切断のための切りしろをも
必要としない。したがって、本発明による太陽電池用半
導体基板はその製造のために従来のような種々の装置を
必要とすることなく、さらに材料の使用効率を大きく改
善し得るものである。その結果、本発明による太陽電池
用半導体基板は低コストで容易に製造し得るものである
。
合材料で一体化することによってペレットの単一層から
なる太陽電池用半導体基板を提供することができる。し
たがって、本発明による太陽電池用半導体基板の製造に
は、従来の半導体基板のようにシリコンペレット溶解用
の炉や鋳込装置を必要とせず、それらの装置の高精度の
温度制御をも必要としない。また、従来の太陽電池用半
導体基板のように、インゴットから基板をスライスする
切断装置を必要とせず、その切断のための切りしろをも
必要としない。したがって、本発明による太陽電池用半
導体基板はその製造のために従来のような種々の装置を
必要とすることなく、さらに材料の使用効率を大きく改
善し得るものである。その結果、本発明による太陽電池
用半導体基板は低コストで容易に製造し得るものである
。
第１Ａ図、第１Ｂ図および第１Ｃ図は、本発明の一実施
例による太陽電池用半導体基板の製造工程を示す概念的
な断面図である。 第２図は、第１Ｃ図の半導体基板を用いて形成された太
陽電池の例を示す概念的な断面図である。 第３図は、本発明のもう１つの実施例による太陽電池用
半導体基板を示す概念的断面図である。 第４Ａ図、第４Ｂ図および第４Ｃ図は、微細なシリコン
ペレットを含む太陽電池用半導体基板の製造工程例を示
す概念的断面図である。 第５図は、従来の太陽電池用半導体基板の形成に用いら
れるシリコンインゴットを示す斜視図である。 第６図は、第５図のシリコンインゴットからスライスさ
れた複数枚のシリコン基板を示す斜視図である。 第７図は、第６図に示されたシリコン基板を用いて形成
された従来の太陽電池を示す概念的な断面図である。 図において、１はシリコンペレット、１ａは背面高濃度
層、１ｂは前面高濃度層、２は結合材料、５は前面透明
電極層、６は集電電極帯、７は背面金属電極層を示す。 なお、各図において、同一符号は同一内容または相当部
分を示す。 第１Ａｌ１
例による太陽電池用半導体基板の製造工程を示す概念的
な断面図である。 第２図は、第１Ｃ図の半導体基板を用いて形成された太
陽電池の例を示す概念的な断面図である。 第３図は、本発明のもう１つの実施例による太陽電池用
半導体基板を示す概念的断面図である。 第４Ａ図、第４Ｂ図および第４Ｃ図は、微細なシリコン
ペレットを含む太陽電池用半導体基板の製造工程例を示
す概念的断面図である。 第５図は、従来の太陽電池用半導体基板の形成に用いら
れるシリコンインゴットを示す斜視図である。 第６図は、第５図のシリコンインゴットからスライスさ
れた複数枚のシリコン基板を示す斜視図である。 第７図は、第６図に示されたシリコン基板を用いて形成
された従来の太陽電池を示す概念的な断面図である。 図において、１はシリコンペレット、１ａは背面高濃度
層、１ｂは前面高濃度層、２は結合材料、５は前面透明
電極層、６は集電電極帯、７は背面金属電極層を示す。 なお、各図において、同一符号は同一内容または相当部
分を示す。 第１Ａｌ１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ほぼ同一の粒径を有していて平面内で単一層に最密充填
されたシリコン粒子層と、 前記シリコン粒子層内の空隙を埋めて単一板に成形する
結合材料とを含み、 前記シリコン粒子の各々は少なくともその一部が前記単
一板の表裏の双方の面で露出されていることを特徴とす
る太陽電池用の半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213601A JPH0376273A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 太陽電池用の半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213601A JPH0376273A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 太陽電池用の半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376273A true JPH0376273A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16641891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213601A Pending JPH0376273A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 太陽電池用の半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376273A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986206A (en) * | 1997-12-10 | 1999-11-16 | Nanogram Corporation | Solar cell |
| US6399412B1 (en) | 1999-11-17 | 2002-06-04 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Photovoltaic panel and method of producing same |
| US6762359B2 (en) | 2001-01-15 | 2004-07-13 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Photovoltaic panel and method of producing same |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1213601A patent/JPH0376273A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986206A (en) * | 1997-12-10 | 1999-11-16 | Nanogram Corporation | Solar cell |
| US6399412B1 (en) | 1999-11-17 | 2002-06-04 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Photovoltaic panel and method of producing same |
| US6528717B2 (en) | 1999-11-17 | 2003-03-04 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Photovoltaic panel and method of producing same |
| US6762359B2 (en) | 2001-01-15 | 2004-07-13 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Photovoltaic panel and method of producing same |
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