JPS61225214A - アニリン酸化重合体薄膜の製造方法 - Google Patents
アニリン酸化重合体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS61225214A JPS61225214A JP60067928A JP6792885A JPS61225214A JP S61225214 A JPS61225214 A JP S61225214A JP 60067928 A JP60067928 A JP 60067928A JP 6792885 A JP6792885 A JP 6792885A JP S61225214 A JPS61225214 A JP S61225214A
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- Japan
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- aniline
- polymer
- electrode
- thin film
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はアニリン酸化重合体薄膜の製造方法に関し、特
に一般的な成形法では薄膜化が困難なアニリン酸化重合
体の薄膜を製造する方法に関するものである。
に一般的な成形法では薄膜化が困難なアニリン酸化重合
体の薄膜を製造する方法に関するものである。
〈従来技術及びその問題点〉
近年、電子材料として導電性を有する有機重合体が注目
を集めており、かかる有機重合体としてポリアセチレン
、ポリピロール等が知られている。
を集めており、かかる有機重合体としてポリアセチレン
、ポリピロール等が知られている。
しかしながらポリアセチレンは、空気中の酸素に対する
安定性が極めて乏しく酸化劣化によりその電導度が急激
に減少し、またポリピロールはポリアセチレンにくらべ
て比較的安定であるものの、未だ満足し得るものではな
かった０ 本発明者らは、非常に安定で高導電性を有する有機重合
体として、電解酸化重合により得られるアニリン酸化重
合体を既に提案している０（％願昭５８−２１２２８１
号）ｏしかしながら上記アニリン酸化重合体は通常粒−
状として得られ、溶剤に不溶あるいは難溶、又は不融で
あってそれを薄膜化することは困難であった０ 一方、ポリマードープ剤を用いてアニリン酸化重合体を
フィルム化する方法も特開昭５９−９８１６５号公報に
提案されているが、得られるフィルムは非常にもろく、
満足するものは未だ得られていなかった。
安定性が極めて乏しく酸化劣化によりその電導度が急激
に減少し、またポリピロールはポリアセチレンにくらべ
て比較的安定であるものの、未だ満足し得るものではな
かった０ 本発明者らは、非常に安定で高導電性を有する有機重合
体として、電解酸化重合により得られるアニリン酸化重
合体を既に提案している０（％願昭５８−２１２２８１
号）ｏしかしながら上記アニリン酸化重合体は通常粒−
状として得られ、溶剤に不溶あるいは難溶、又は不融で
あってそれを薄膜化することは困難であった０ 一方、ポリマードープ剤を用いてアニリン酸化重合体を
フィルム化する方法も特開昭５９−９８１６５号公報に
提案されているが、得られるフィルムは非常にもろく、
満足するものは未だ得られていなかった。
〈問題点の解決手段〉
本発明者らはかかる従来技術の欠点を解決するために鋭
意研究した結果、アニリン酸化重合体を還元することに
よりその薄膜が簡便に得られることを見い出し、本発明
に至ったものである。
意研究した結果、アニリン酸化重合体を還元することに
よりその薄膜が簡便に得られることを見い出し、本発明
に至ったものである。
即ち本発明は、プロトン酸を含有するアニリン溶液を、
アニリンの酸化電位より高い電解電位にて電極表面上で
電解電化重合して粒状のア＝ ＩＪン酸化重合体を得、
次いで電解質溶液中で上記アニリン酸化重合体をその酸
化還元電位より低い電解電位にて還元することによって
、電極表面上にアニリン酸化重合体の薄膜を形成させる
ことを特徴とするアニリン酸化重合体薄膜の製造方法を
提供するものである。
アニリンの酸化電位より高い電解電位にて電極表面上で
電解電化重合して粒状のア＝ ＩＪン酸化重合体を得、
次いで電解質溶液中で上記アニリン酸化重合体をその酸
化還元電位より低い電解電位にて還元することによって
、電極表面上にアニリン酸化重合体の薄膜を形成させる
ことを特徴とするアニリン酸化重合体薄膜の製造方法を
提供するものである。
さらに本発明は、かかる操作により得られたアニリン酸
化重合体薄膜をプロトン酸溶液と接触させてプロトン酸
を再ドーピングすることにより、導電性を向上させるこ
とを特徴とするアニリン酸化重合体薄膜の製造方法を提
供するものである。
化重合体薄膜をプロトン酸溶液と接触させてプロトン酸
を再ドーピングすることにより、導電性を向上させるこ
とを特徴とするアニリン酸化重合体薄膜の製造方法を提
供するものである。
本発明において用いるプロトン酸は、その酸化電位がア
ニリンの酸化電位よりも高いプロトン酸であることが好
ましく、従って、具体的には、塩酸、臭化水素酸、硫酸
、硝酸、過塩素酸、テトラフルオロホウ酸（ＨＢＦ４
）、ヘキサフルオロリン酸（ＨＰＦ、）等が好ましく用
いられる。上記のプロトン酸の濃度はアニリンに対して
１７１０当量以上、好ましくは当量以上とする。
ニリンの酸化電位よりも高いプロトン酸であることが好
ましく、従って、具体的には、塩酸、臭化水素酸、硫酸
、硝酸、過塩素酸、テトラフルオロホウ酸（ＨＢＦ４
）、ヘキサフルオロリン酸（ＨＰＦ、）等が好ましく用
いられる。上記のプロトン酸の濃度はアニリンに対して
１７１０当量以上、好ましくは当量以上とする。
また本発明におけるアニリンとは、アニリンもしく＃″
ｔｏｔｏ−メチルアニリンメチルアニリン、〇−エチル
アニリン、ｍ−工ｆルアニリン等ノアルキルアニリン、
及びこれらの水溶性塩を指称するものである。
ｔｏｔｏ−メチルアニリンメチルアニリン、〇−エチル
アニリン、ｍ−工ｆルアニリン等ノアルキルアニリン、
及びこれらの水溶性塩を指称するものである。
このアニリンを後述の溶剤に溶解してなるアニリン溶液
におけるアニリン濃度は０．０１重量％以上、特に１重
量％以上であることが望ましい。アニリン濃度が０．０
１重量％よりも小さいときは、得られる重合体は低分子
量であって、導電性も低い０但し、アニリン濃度の上限
は特に制限されないが通常Ｆｉ５０重ｔｑｂまでが適当
である。
におけるアニリン濃度は０．０１重量％以上、特に１重
量％以上であることが望ましい。アニリン濃度が０．０
１重量％よりも小さいときは、得られる重合体は低分子
量であって、導電性も低い０但し、アニリン濃度の上限
は特に制限されないが通常Ｆｉ５０重ｔｑｂまでが適当
である。
溶剤としては、上記プロトン酸及びアニリンを共に溶解
し得ると共に、その分解電位がアニＩＪンの電解酸化重
合時の酸化電位において層安定である溶剤が好ましく、
従って、具体的には、メタノール、エタノール等の脂肪
族低級アルコール、アセトニトリル、ベンゾニトリル等
のニトリル類、メチルエチルケトン等のケトン類、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類が好適に用いら
れる。
し得ると共に、その分解電位がアニＩＪンの電解酸化重
合時の酸化電位において層安定である溶剤が好ましく、
従って、具体的には、メタノール、エタノール等の脂肪
族低級アルコール、アセトニトリル、ベンゾニトリル等
のニトリル類、メチルエチルケトン等のケトン類、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類が好適に用いら
れる。
水はその分解電位が１．２３Ｖであり、場合によっては
、本発明における電解酸化電位よりも高いが、本発明に
おいては、水を溶剤として用いるときも、アニリンの酸
化電位を標準カロメル電極に対して＋ｌＶよりも高くす
ることにより、高分子量で高導電性のアニリン酸化重合
体を得ることができる。
、本発明における電解酸化電位よりも高いが、本発明に
おいては、水を溶剤として用いるときも、アニリンの酸
化電位を標準カロメル電極に対して＋ｌＶよりも高くす
ることにより、高分子量で高導電性のアニリン酸化重合
体を得ることができる。
本発明においては、アニリン濃度は上記したプロトン酸
以外の支持電解質を含有していてもよい。
以外の支持電解質を含有していてもよい。
具体例としては例えば過塩素酸リチウム、過塩素酸ナト
リウム等の過塩素酸金属塩や、過塩素酸テトラブチルア
ンモニウム等の有機塩を挙げることができる０また、上
記以外にも例えば硝酸塩、硫酸塩、塩酸塩、テトラフル
オロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩等のような塩類
も支持電解質として使用することもできる。
リウム等の過塩素酸金属塩や、過塩素酸テトラブチルア
ンモニウム等の有機塩を挙げることができる０また、上
記以外にも例えば硝酸塩、硫酸塩、塩酸塩、テトラフル
オロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩等のような塩類
も支持電解質として使用することもできる。
本発明においては、まず上記アニリン溶液中に電極を配
設し、アニリンの酸化電位より高い電解電位にて定電位
もしくは定電流で電解酸化重合することにより電極上に
粒状に析出したアニリン酸化重合体を得る。
設し、アニリンの酸化電位より高い電解電位にて定電位
もしくは定電流で電解酸化重合することにより電極上に
粒状に析出したアニリン酸化重合体を得る。
上記電解電位は、プロトン酸と電極の種類によって異な
るが、標準カロメル電極に対して（以下、ｖｓｓｃＥと
いうｏ ）＋１Ｖ以上とすることＫより、高分子量のア
ニリン酸化重合体が得られる◎かかる高分子量のアニリ
ン酸化重合体は、９７％濃硫酸の０．５ ｆ／ｄｌ溶液
が３０℃において０．１以上、好ましくは０．２〜０，
６の対数粘度を有するものである０ 上記アニリン酸化重合体の基本的な構造は、−（ＩＩＩ
） （但し、Ｒは水素又はアルキル基を示す。）で表わされ
るキノンジイミン構造体を主たる繰返し単位として有す
る実質的に線状の重合体であって、ドーパントとしての
電子受容体を含むものでめるＯ かかるアニリン酸化重合体の化学構造は、赤外線吸収ス
ペクトル及び元素分析によって確認することができる。
るが、標準カロメル電極に対して（以下、ｖｓｓｃＥと
いうｏ ）＋１Ｖ以上とすることＫより、高分子量のア
ニリン酸化重合体が得られる◎かかる高分子量のアニリ
ン酸化重合体は、９７％濃硫酸の０．５ ｆ／ｄｌ溶液
が３０℃において０．１以上、好ましくは０．２〜０，
６の対数粘度を有するものである０ 上記アニリン酸化重合体の基本的な構造は、−（ＩＩＩ
） （但し、Ｒは水素又はアルキル基を示す。）で表わされ
るキノンジイミン構造体を主たる繰返し単位として有す
る実質的に線状の重合体であって、ドーパントとしての
電子受容体を含むものでめるＯ かかるアニリン酸化重合体の化学構造は、赤外線吸収ス
ペクトル及び元素分析によって確認することができる。
上記アニリン酸化重合体は、電極表面上に粒状に付着し
た状態で得られる。本発明においてはかかるアニリン酸
化重合体を必要に応じて蒸留水等で洗浄した後、該アニ
ＩＪン酸化重合体が付着している電極を作用極として電
解質溶液中で、アニリン酸化重合体の酸化還元電位より
低い電解電位にて還元することにより、電極表面上にア
ニリン酸化重合体の平滑な薄膜を得ることができる。上
記還元の際の電解電位は、通常−〇、 ２ Ｖ ｖｓ
ＳＣＥ以下、好ましくは−１，ＯＶ ｖｓ ＳＣＥ以下
とするのがよい０電極表面上に得られたアニリン酸化重
合体の薄膜は、容易に電極から剥離でき、自己保持性を
有する薄膜とすることができる〇 ′ 本発明で用いる電解質溶液は、塩化カリウム、過
塩素酸ナトリウム等の水溶液、テトラエチルアンモニウ
ムバークロレイト、テトラブチルアンモニウムテトラフ
ルオロボレイト等の有機溶液が挙げられる。
た状態で得られる。本発明においてはかかるアニリン酸
化重合体を必要に応じて蒸留水等で洗浄した後、該アニ
ＩＪン酸化重合体が付着している電極を作用極として電
解質溶液中で、アニリン酸化重合体の酸化還元電位より
低い電解電位にて還元することにより、電極表面上にア
ニリン酸化重合体の平滑な薄膜を得ることができる。上
記還元の際の電解電位は、通常−〇、 ２ Ｖ ｖｓ
ＳＣＥ以下、好ましくは−１，ＯＶ ｖｓ ＳＣＥ以下
とするのがよい０電極表面上に得られたアニリン酸化重
合体の薄膜は、容易に電極から剥離でき、自己保持性を
有する薄膜とすることができる〇 ′ 本発明で用いる電解質溶液は、塩化カリウム、過
塩素酸ナトリウム等の水溶液、テトラエチルアンモニウ
ムバークロレイト、テトラブチルアンモニウムテトラフ
ルオロボレイト等の有機溶液が挙げられる。
上記のアニリン酸化重合体薄膜は上述の還元操作により
、重合体中のドーパントが一部脱ドーピングして導電性
が低下して半導性を有するものであるＯ 本発明においては、上記アニリン酸化重合体薄膜を前記
プロトン酸溶液中に浸漬する等の手段によりプロトン酸
溶液と接触させてプロトン酸を重合体中へ再ドーピング
することが可能である◇かかる方法により、低下した導
電性を向上させて良好な導電性を有するアニリン重合体
薄膜を得ることができる。
、重合体中のドーパントが一部脱ドーピングして導電性
が低下して半導性を有するものであるＯ 本発明においては、上記アニリン酸化重合体薄膜を前記
プロトン酸溶液中に浸漬する等の手段によりプロトン酸
溶液と接触させてプロトン酸を重合体中へ再ドーピング
することが可能である◇かかる方法により、低下した導
電性を向上させて良好な導電性を有するアニリン重合体
薄膜を得ることができる。
〈実施例〉
以下に本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１
アニリン濃度が１０重ｉｔチであり、硫酸をアニリンに
対して当量含有する水溶液中にＰ−型シリコンからなる
作用極、白金からなる対極を挿入し、＋９ＶｖｓＳＣＥ
の定電位で電解酸化重合を２５分間行ったところ、該シ
リコン電極上に粒状のアニリン酸化重合体を得た。
対して当量含有する水溶液中にＰ−型シリコンからなる
作用極、白金からなる対極を挿入し、＋９ＶｖｓＳＣＥ
の定電位で電解酸化重合を２５分間行ったところ、該シ
リコン電極上に粒状のアニリン酸化重合体を得た。
得られたアニリン酸化重合体を電極と共に、蒸留水で洗
浄した後、塩化カリウムを０．１ ｍｏｌ／ｌ含有する
水溶液中に上記アニリン酸化重合体の付着した電極から
なる作用極、白金からなる対極を挿入し、−９ＶｖｓＳ
ＣＥの定電位で還元反応を１０分間行なったところ、シ
リコン電極上にフィルム状のアニＩＪン酸化重合体を得
た。次いでこれを蒸留水中に浸し、ビンセットにて重合
体を電極から剥離したところ、アニリン酸化重合体は、
水面上にフィルム状となって得ることができた◎かかる
アニリン酸化重合体薄膜の電導度は１０ ａ／ｃｌ＊で
あった。
浄した後、塩化カリウムを０．１ ｍｏｌ／ｌ含有する
水溶液中に上記アニリン酸化重合体の付着した電極から
なる作用極、白金からなる対極を挿入し、−９ＶｖｓＳ
ＣＥの定電位で還元反応を１０分間行なったところ、シ
リコン電極上にフィルム状のアニＩＪン酸化重合体を得
た。次いでこれを蒸留水中に浸し、ビンセットにて重合
体を電極から剥離したところ、アニリン酸化重合体は、
水面上にフィルム状となって得ることができた◎かかる
アニリン酸化重合体薄膜の電導度は１０ ａ／ｃｌ＊で
あった。
得られたアニリン酸化重合体薄膜の表面の透過型電子顕
微鏡写真（以下、ＴＨＭ写真という０）を第１図に示し
た・ またアニリン重合体薄膜を、１Ｎ５１ｔ酸溶液中に浸し
た後蒸留水にて十分洗浄し、次いで乾燥した後、電導度
を測定したところ１．５ｓ／ｃｔｎであり、リンに対し
て車量含有する水溶液中に、白金からなる作用極及び対
極を挿入し、＋１ＶｖｓＳＣＥの定電位で電解酸化重合
を５分間行なったところ、該作用極上に粒＊’Ｑ＝ｖン
酸化重合体を得九。
微鏡写真（以下、ＴＨＭ写真という０）を第１図に示し
た・ またアニリン重合体薄膜を、１Ｎ５１ｔ酸溶液中に浸し
た後蒸留水にて十分洗浄し、次いで乾燥した後、電導度
を測定したところ１．５ｓ／ｃｔｎであり、リンに対し
て車量含有する水溶液中に、白金からなる作用極及び対
極を挿入し、＋１ＶｖｓＳＣＥの定電位で電解酸化重合
を５分間行なったところ、該作用極上に粒＊’Ｑ＝ｖン
酸化重合体を得九。
得られたアニリン酸化重合体を電極と共に、蒸留水で洗
浄した後、テトラブチルアンモニウムバークロレイトを
０．１ ｆｌｌｏｌ／ｌ含有するアセトニトリル溶液中
に上記アニリン酸化重合体の付着した電極からなる作用
極、白金からなる対、極を挿入し、−１Ｖ ｖｓ ＳＣ
Ｅの定電位で還元反応を１分間行な−、たところ、作用
極上にフィルム状のアニリン酸化重合体を得た。次いで
これを蒸留水中に浸し、ピンセットにて重合体を電極か
ら剥離したところ、アニリン酸化重合体は、水面上にフ
ィルム状となって得ることができた０かかるアニリン酸
化重合体薄膜の電導度は１０ ３７ｃｍであった。
浄した後、テトラブチルアンモニウムバークロレイトを
０．１ ｆｌｌｏｌ／ｌ含有するアセトニトリル溶液中
に上記アニリン酸化重合体の付着した電極からなる作用
極、白金からなる対、極を挿入し、−１Ｖ ｖｓ ＳＣ
Ｅの定電位で還元反応を１分間行な−、たところ、作用
極上にフィルム状のアニリン酸化重合体を得た。次いで
これを蒸留水中に浸し、ピンセットにて重合体を電極か
ら剥離したところ、アニリン酸化重合体は、水面上にフ
ィルム状となって得ることができた０かかるアニリン酸
化重合体薄膜の電導度は１０ ３７ｃｍであった。
得られたアニリン酸化重合体薄膜の表面の透過型電子顕
微鏡写真（以下、 ＴＥＭ写真という０）を第２図に示
した。
微鏡写真（以下、 ＴＥＭ写真という０）を第２図に示
した。
またアニリン重合体薄膜を、ＩＮ硫酸溶液中に浸した後
蒸留水にて十分洗浄し、次いで乾燥した後、電導度を測
定したところ２．３ ｓ／ａｍであ−、た〇比較例１ 還元操作を行なわない以外は実施例１と同様にしてシリ
コン電極上に粒状のアニリン酸化重合体を得た＠ この重合体の表面のＴＥＭ写真を第３図に■示した。
蒸留水にて十分洗浄し、次いで乾燥した後、電導度を測
定したところ２．３ ｓ／ａｍであ−、た〇比較例１ 還元操作を行なわない以外は実施例１と同様にしてシリ
コン電極上に粒状のアニリン酸化重合体を得た＠ この重合体の表面のＴＥＭ写真を第３図に■示した。
また上記アニリン酸化重合体が付着したシリコン電極を
、蒸留水中に浸しピンセットにて重合体を電極から剥離
しようとしたが、フィルム状に剥離不可能で粒状となっ
てビーカーの底に沈積したＯ比較例２ 還元操作を行なわない以外は実施例２と同様にして白金
電極上に粒状のアニリン酸化重合体を得たＯ この重合体の表面のＴＥＭ写真を第４図に示したＯまた
得られたアニリン酸化重合体は、比較例１と同様にフィ
ルム状とできなかった０
、蒸留水中に浸しピンセットにて重合体を電極から剥離
しようとしたが、フィルム状に剥離不可能で粒状となっ
てビーカーの底に沈積したＯ比較例２ 還元操作を行なわない以外は実施例２と同様にして白金
電極上に粒状のアニリン酸化重合体を得たＯ この重合体の表面のＴＥＭ写真を第４図に示したＯまた
得られたアニリン酸化重合体は、比較例１と同様にフィ
ルム状とできなかった０
第１図及び第２図は、本発明で得られたアニリン酸化重
合体薄膜の表面状態を表わすＴＥＭ写真、第３図及び第
４図は、還元する前のアニリン酸化重合体薄膜の表面状
態を表わすＴＥＭ写真である。
合体薄膜の表面状態を表わすＴＥＭ写真、第３図及び第
４図は、還元する前のアニリン酸化重合体薄膜の表面状
態を表わすＴＥＭ写真である。
Claims (6)
- （１）プロトン酸を含有するアニリン溶液を、アニリン
の酸化電位より高い電解電位にて電極表面上で電解酸化
重合して粒状のアニリン酸化重合体を得、次いで電解質
溶液中で上記アニリン酸化重合体をその酸化還元電位よ
り低い電解電位にて還元することによって、電極表面上
にアニリン酸化重合体の薄膜を形成させることを特徴と
するアニリン酸化重合体薄膜の製造方法。 - （２）アニリンを、標準カロメル電極に対して＋１Ｖよ
り高い電解電位にて電解酸化重合することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のアニリン酸化重合体薄膜の
製造方法。 - （３）アニリン酸化重合体を、標準カロメル電極に対し
て−０．２Ｖより低い電解電位にて還元することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のアニリン酸化重合体
薄膜の製造方法。 - （４）プロトン酸を含有するアニリン溶液を、アニリン
の酸化電位より高い電解電位にて電極表面上で電解酸化
重合して粒状のアニリン酸化重合体を得、次いで電解質
溶液中で上記アニリン酸化重合体をその酸化還元電位よ
り低い電解電位にて還元することによって、電極表面上
にアニリン酸化重合体の薄膜を形成させ、次いで該薄膜
をプロトン酸溶液と接触させてプロトン酸を再ドーピン
グすることを特徴とするアニリン酸化重合体薄膜の製造
方法。 - （５）アニリンを、標準カメロル電極に対して＋１Ｖよ
り高い電解電位にて電解酸化重合することを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載のアニリン酸化重合体薄膜の
製造方法。 - （６）アニリン酸化重合体を、標準カロメル電極に対し
て−０．２Ｖより低い電解電位にて還元することを特徴
とする特許請求の範囲第４項記載のアニリン酸化重合体
薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067928A JPS61225214A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | アニリン酸化重合体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067928A JPS61225214A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | アニリン酸化重合体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225214A true JPS61225214A (ja) | 1986-10-07 |
| JPH0542457B2 JPH0542457B2 (ja) | 1993-06-28 |
Family
ID=13359062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60067928A Granted JPS61225214A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | アニリン酸化重合体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225214A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161830A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-17 | Agency Of Ind Science & Technol | ド−プしたアニリン重合体及びその製造法 |
| WO1988008435A1 (en) * | 1987-04-30 | 1988-11-03 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Process for preparing aromatic amine polymer |
| JPS6426637A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-27 | Tetsuya Aisaka | Electrochemical polymerization of aniline and aniline derivative |
| JP2010065242A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Tokyo Institute Of Technology | 導電性高分子化合物の電気化学的改質法 |
| JP2016517468A (ja) * | 2013-03-07 | 2016-06-16 | エボニック デグサ ゲーエムベーハーＥｖｏｎｉｋ Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ | アニリンの電気化学的カップリング |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60067928A patent/JPS61225214A/ja active Granted
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS63270734A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-08 | Komatsu Ltd | プラスチック電池用フィルムの製造方法 |
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| US10266955B2 (en) | 2013-03-07 | 2019-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Electrochemical coupling of anilines |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542457B2 (ja) | 1993-06-28 |
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