JPS61224490A - イオンフロ−記録用ヘツドの製造方法 - Google Patents

イオンフロ−記録用ヘツドの製造方法

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JPS61224490A
JPS61224490A JP6517185A JP6517185A JPS61224490A JP S61224490 A JPS61224490 A JP S61224490A JP 6517185 A JP6517185 A JP 6517185A JP 6517185 A JP6517185 A JP 6517185A JP S61224490 A JPS61224490 A JP S61224490A
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JP
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electrode
pattern
ion flow
etching
flow recording
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JP6517185A
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信 面谷
知明 田中
隆一 豊田
耕一 河田
武 水谷
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Matsushita Giken KK
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Matsushita Giken KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリ、プリンター等の書き込み用ヘ
ッドとして用いるイオンフロー記録用ヘッドに関するも
のである。
従来の技術 イオンフロー記録用ヘッド1は第2図に示すように絶縁
板2の一面に共通電極3を形成し、絶縁板2の他面に微
細電極4を形成し、これら共通電極3、絶縁板2及び微
細電極4にφ0.1〜φ0.3MM程度の貫通孔6を形
成している。而してイオン源6でイオンを発生させ、イ
オンフロー記録用ヘッド1の共通電極3と微細電極4に
かかる電圧により、貫通孔6をブロック状態にしてイオ
ンの流れを制御し、ドラムT上の誘電体層8に潜像を形
成することができる。
従来、上記イオンフロー記録用ヘッド1を製造するには
第4図(ム)に示すように絶縁板2の一面に微細電極4
を形成する。この微細電極4は第3図に示すようにリン
グ状部9を有し、このリング状部9はその中心に80μ
m程度の小孔1oを有している。絶縁板2の他面に共通
電極3を形成する。
然る後、ドリル11を微細電極4の中心の小孔10の軸
心に合わせ、このドリル11を前進させることにより第
4図(B)に示すように貫通孔6を形成していた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながらドリル11による孔明は作業の際に微細電
極4のリング状部9にバリ12が生じると共に共通電極
3に大きなバリ13が生じ、これらのバリ12.13に
より短絡、スパーク、特性不良を生じる。また多数の貫
通孔6を1個宛加工するため一加工時間が長くかかり、
しかもドリル11の摩耗、刃こぼれ等により孔形状にも
バラツキが多い等の問題があった。
そこで、本発明は、短絡、スパーク、特性不良を防止す
ることができ、また加工時間を短縮することができ、し
かも孔形状のバラツキを少くすることができ、また微細
電極と共通電極の相対位置の精度を向上させることがで
きるようにしたイオンフロー記録用ヘッドの製造方法を
提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 そして上記問題点を解決する本発明の技術的手段はエツ
チング加工が可能な絶縁材の両面に導体層を形成し、各
導体層の外面にフォトレジストヲ塗布し、第1電極形成
用パターンマスクと第2電極形成用パターンマスクを位
置合わせしてこれら第1電極用と第2電極用のパターン
マスクの間に上記絶縁材、導体層及びフォトレジストヲ
介挿し両パターンマスクの外面より同時露光し、各導体
層に第1電極パターンと第2電極パターンを形成し、然
る後、第2電極パターンを絶縁層エツチング用マスクと
し、第2電極側から絶縁層のエツチングを行い、貫通孔
を形成することを特徴とするものである。
作用 本発明は、上記技術手段におけるエツチング加工により
バリのない多数の均一な貫通孔の同時加工を簡単に行う
ことができ、また予め両側に位置する第1電極用と第2
電極用のパターンマスクを位置合わせし、両外側より同
時露光するので、材料の収縮等の影響を受けることなく
、第1電極と第2電極の相対位置の精度を向上させるこ
とができるO 実施例 以下、本発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。
第1図(ム)に示すようにエツチング可能な絶縁材21
の両面の全面に導体層22を形成し、各導体層22の外
面にフォトレジスト23を塗布する。一方、第1図(B
)に示すようにリング状部を有する微細電極を形成する
ための微細電極用パターンマスク24と、共通電極を形
成するための共通電極用パターンマスク26を準備し、
これら微細電極用パターンマスク24と共通電極用パタ
ーンマスク25を高精度に位置合わせする。次に第1図
(C)に示すようにこれら微細電極用と共通電極用のパ
ターンマスク24.25の間に上記絶縁材21、導体層
22及びフォトレジスト23を介挿させる。次に微細電
極用と共通電極用のパターン24.25の外側より紫外
線26により両面同時露光を行う。次に、導体層22の
エツチングを行うことにより第1図(D)に示すように
上下の導体層にそれぞれリング状部27を有する微細電
極28と、共通電極29を形成すると共にこれら微細電
極28と共通電極29の外面のフォトレジスト23を剥
離する。次に第1図(X)に示すように微細電極28の
外面に保護コート30を形成し、共通電極29をエツチ
ングマスクとして共通電極29側からエツチング液31
で絶縁層21をエツチングする。エツチング後、保護コ
ート30を取除くことにより第1図(XI′)に示すよ
うに貫通孔32を形成することができる。
従ってエツチング加工によりバリのない多数の貫通孔1
2を同時加工することができる。また予め両側に位置す
る微細電極用と共通電極用のパターンマスク24.25
−i位置合わせしておき、両外側より同時露光するので
、材料の収縮等の影響を受けず、微細電極28と共通電
極29の相対位置精度を向上させることができる。
なお上記実施例では貫通孔1ケの場合について説明した
が、貫通孔は複数個設けても良く、またこの複数個の貫
通孔に共通した電極を設けても良いことはもちろんであ
る。
発明の効果 以上1要するに本発明は導体層及び絶縁材をエツチング
で加工することによりパリがなく、バラツキの少ない貫
通孔を形成することができ、スパーク、短絡、特性不良
を防止することができる。
またエツチングで多数の貫通孔を同時に加工することが
できるので、作業時間を短縮することができる。また予
め両側に位置する微細電極用と共通電極用のパターンマ
スクを位置合わせし、両外側より同時露光するので、材
料の収縮等の影響を受けず、微細電極と共通電極の相対
位置精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)乃至便)は本発明のイオンフロー記録用ヘ
ッドの製造方法の一実施例を示す断面図、第2図はイオ
ンフロー記録の原理説明図、第3図は従来のイオンフロ
ー記録用ヘッドに用いる微細電極の平面図、第4図(A
)及び俤)は従来のイオンフロー記録用ヘッドの製造方
法を示す断面図である。 21・・・・・・絶縁材、22・・・・・・導体層、2
3・・・・・ヴォトレシスト、24−・−・・・微細電
極形成用パターンマスク・26゛・・・・・共通電極形
成用パターンマス久26・・・・・・紫外線、28・・
・・・・微細電極、29・・・。、、共通電極、30・
−・・・・保護コート、31・・・・・・エツチング液
、32・・・・・貫通孔。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 2σ 第1図 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. エッチング加工が可能な絶縁材の両面に導体層を形成し
    、各導体層の外面にフォトレジストを塗布し、第1電極
    形成用のパターンマスクと第2電極形成用パターンマス
    クを位置合わせしてこれら第1電極用と第2電極用のパ
    ターンマスクの間に上記絶縁材、導体層及びフォトレジ
    ストを介挿レ両パターンマスクの外面より同時露光し、
    各導体層に第1電極パターンと第2電極パターンを形成
    し、然る後、第2電極パターンを絶縁層エッチング用マ
    スクとし、第2電極側から絶縁層のエッチングを行い、
    貫通孔を形成することを特徴とするイオンフロー記録用
    ヘッドの製造方法。
JP60065171A 1985-03-29 1985-03-29 イオンフロ−記録用ヘツドの製造方法 Expired - Fee Related JPH0667643B2 (ja)

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JPH0667643B2 JPH0667643B2 (ja) 1994-08-31

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5025552A (en) * 1988-10-11 1991-06-25 Olympus Optical Co., Ltd. Method of manufacturing ion current recording head

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56142551A (en) * 1980-04-09 1981-11-06 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Production of ion modulating electrode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56142551A (en) * 1980-04-09 1981-11-06 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Production of ion modulating electrode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5025552A (en) * 1988-10-11 1991-06-25 Olympus Optical Co., Ltd. Method of manufacturing ion current recording head

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JPH0667643B2 (ja) 1994-08-31

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