JPS61224124A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は合金磁性薄膜を有する磁気記録媒体に係るもの
であり、特に、この合金磁性Ｉｌｌが　金（ＡＵ）、銀
（Ａ（１）　、　ハＶシウム（Ｐｄ　）　、　０ジウム
（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）のう
ちのいずれか１種以上を含有するコバルト基合金からな
る磁気記録媒体に関する。

［従来の技術］ 記録密度の高い合金磁性薄膜を有する磁気記録媒体の研
究開発が近年大いに推進さ゛れているが、その一つとし
て無電解メッキ法によるコバルト（ＣＯ）−ニッケル（
Ｎｉ　）−リン（Ｐ）合金磁性薄膜を用いた。ものがあ
る。しかしながらＣｏ　−Ｎｉ−Ｐ合金は耐食性に問題
があり、該合金磁性薄膜を用いた記録媒体は、永年使用
した際の記録エラー等信頼性の点で劣っていた。例えば
、該合金磁性薄膜を温度５７℃、湿度８５％の条件下に
て２週間放置した場合には飽和磁化の劣化が３０％であ
り、また、純水中に１週間放置した場合のそれは４０％
にも達する。このような特性の劣化は実機使用した際の
出力低下を招き、また腐蝕部の存在はエラーの増大を引
き起こすという問題がある。

［発明が解決しようとする問題点］ このように、無電解メッキ法によるＧｏ　−Ｎｉ−Ｐ合
金磁性ＷＩＩＩは、出力低下やエラーの増大などといっ
た信頼性の低下に帰結する耐食性・耐候性の問題があっ
た。

［問題点を解決するための手段１ 本発明者らは上記不具合を解決するために様々な観点か
ら検討を加え、Ａｕ　、　Ａｃ＋　、　Ｐｄ　、　Ｒｈ
　。

Ｒｅ、Ｉｒのうちのいずれか１種以上を添加したＣＯ基
合金磁性ａｍが極めて優れた耐食性・耐候性を有するこ
とを見い出した。

即ち、本発明は、基板上に形成された合金磁性薄膜を有
する磁気記録媒体において、上記合金磁性薄膜をＡＵ、
ＡＱ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ（７）うちのいずれか１
種以上２〜８原子％と、０．２〜５原子％の窒素とを含
有するＧｏ基合金で構成したことを特徴とするものであ
る。

以下本発明の構成について更に詳細に説明する。

本発明において用いられる磁性１ＪＩｌｌｉは、ＡＵ。

Ａ！１１．Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ（７）うちノイスレ
カ１種以上を２〜８原子％と、Ｎを０．５〜５原子％含
むＣＯ基合金からなるものである。

これら添加物の含有量を２〜８原子％とした理由は、そ
の含有量が２原子％未満では耐食性が低下するようにな
るからである。一方、その含有量が８原子％を越えると
きは飽和磁化が低くなりすぎ、薄層化という高密度記録
に適った合金磁性薄膜の特長が活かし得ないためである
。

また、Ｎを０．２〜５原子％とした理由は、主として製
造上の関係によるものであり、例えば、後述する本発明
に係る製造法では０．２原子％以上のＮが残存してしま
うためである。一方、５原子％を越えるようになると磁
気特性のうち角型比Ｓと称されているものが低下するよ
うになるからである。通常、磁気記録媒体の角型比Ｓは
０．７以上であることが要求されているが、本発明にお
いて、特に好ましいＮの含有量は０．２〜３原子％であ
る。

本発明においてＡｕ　、　ＡＱ　、　Ｐｄ　、　Ｒｈ　
、　Ｒｅ　。

ｉｒなどの添加物及びＮ以外の組成としては、（イ）Ｃ
ｏのみ （ロ）Ｇｏの一部をＮｉ及び／又はＦｅで置換したもの であってもよい。（ロ）の組成の場合、ｃｏの一部をＮ
ｉ及び／又はｌ”ｅで置換するときの置換比率はＣＯの
２５原子％以下とするのが好ましい。置換比率が２５原
子％を越えるとｈｃｐ母結晶中にｆｃｃ相が出現し、膜
面内の磁気特性の低下をもたらす。

また、Ｆｅ置換の場合には、その置換比率が２５原子％
を越えると薄膜の耐食性、耐候性も低下させるようにな
る。

本発明の磁気記録媒体は、例えば次のようにして製造す
ることができる。即ち、Ｎ２を含むＡｒガス雰囲気中で
スパッタリング等の真空蒸着法によってＡｕ、Ａ（１１
，Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ（７）＋ちの１種以上と、Ｃ
Ｏ及びＮ（及び所望により、更にＮｉ及び／又はＦｅ）
を含む合金１１１１を基板上に形成し、然る後熱処理し
、Ｎを放出させてＮ含有率を０．２〜５原子％とするも
のである。

この製造方法において、基板上にまず形成される１ｉｌ
ｌｌはアモルファス状又は粒径５０〜１ｏｏＸ程度の微
結晶体より成り、後工程の熱処理で結晶化又は粒径１０
０〜４００Ａ程度の結晶粒に成長し、適度なＨｃを有し
かつ高角形比の磁気記録媒体を形成するようになる。

この熱処理の温度としては２８０℃以上が好ましく、熱
処理の温度が２８０℃を下回る場合は脱Ｎの活性点にな
っておらず脱Ｎが進行しない。また、熱処理温度があま
り高温の場合には結晶粒が異常成長し保磁力１−１ｃの
低下を招く。従って好ましい熱処理温度は２８０〜５０
０℃である。

また、本発明において用いられる基板としては、非磁性
基板であるならば従来から用いられている各種のものが
採用でき、合金系基板（例えばＡ１に数％以下程度のマ
グネシウムを添加した合金やチタン合金の基板）、各種
のセラミックス、又はガラス基板などが用いられる。ま
た、基板と磁性薄膜との間にクロムやチタンあるいはア
ルマイト、Ｎ１−Ｐ等から成る硬質な下地層の他、磁性
薄膜の付着強度を増大させる各種の非磁性中間層などを
設けてもよい。また、磁性ＷＩＮ上に非磁性金属中間層
及び／又は炭素、ポリ珪酸等の保護膜を設けてもよい。

さらに、この保Ｗｉ股上に潤滑剤を塗布しても良い。

［作用］ Ａｕ、Ａａ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒのうちのいずれか
１種以上を２〜８原子％含有し、Ｎ含有量が０．２〜５
＠子％であるＣｏ基合金磁性薄膜は適当な磁気特性を有
し、後述の実施例などに示す如く耐食性・耐候性に優れ
る。

［実施例］ 以下、本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。

なお、以下に述べる実施例は、「、「、マグネトａンス
バッタ装置によったが、イオン工学的に同様のことが言
えるイオンビームスパッタリング等によっても本発明の
効果を得ることが可能であることは勿論である。

実施例１ ｒ、「、プレーナーマグネトロンスパッタ装置を用い、
下記条件にて、ガラス基板上に様々な組成のＣｏ基合金
磁性薄膜を形成した。

初期排気　　　　１〜２ｘ１０−’　Ｔｏｒｒ全雰囲気
圧（Ａｒ＋Ｎ２）　　１０〜２０１ＲＴＯｒｒ（全圧に
対するＮ２分圧の％）５０〜８０％投入電力　　　　　
　１　　ｋＷ ターゲット組成　　　ＣＯ （目標とする薄膜の組成に一致させる場合は、各添加物
のチップを適当にターゲット上に配置させることにより
行なう。）− 極間隔　　　　　　　１０８ＩＩＩｌｌ膜厚（スパッタ
時）　　　　　　７００Ａ薄膜形成速度　　　　２５０
〜５００Ａ／ｎ＋ｉｎ基板温度　　　　　　　　　２０
０℃ スパッタ膜形成後、１０−’　Ｔｏｒｒ以下の真空中に
て３００〜ｂ 膜を結晶化させるとともに、膜中に含有された窒素を放
出させた。その後耐食性及び耐候性の検討を行なった。

ここに、耐蝕性の評価は３ＭΩ・ａｎｔの純水中に１週
間浸すことにより、また耐候性の評価は温度５１℃、湿
度８０％の条件下に２週間放置することにより行なった
。

この結果を、第１表に示す。

比較例１ 下記条件により、適宜に表面処理されたガラス基板上に
Ｃｏ　−Ｎｉ−Ｐ合金磁性膜を作成し、その後耐食性、
耐候性の評価を行なった。その結果を第１表に示す。

メッキ浴　硫酸コバルト　　　　０．０６　ｍｏｌ　／
　ｌｆｉＭＲニッケル　　　　　０．０４ 次亜リン酸　　　　　０．２ 硫酸アンモニウム　　０．１ マロン酸ナトリウム　　０．３ リンゴ酸ナトリウム　０，４ コハク酸ナトリウム　０．５ ｐＨ−８，９〜９．３　　温度７５〜８５℃　膜厚７０
０Ａ比較例２ スパッタリング時の雰囲気をＡｒ１００％としたこと以
外は実施例１と同様にして、Ｎ含有率０％の薄膜を作成
した。また、残存Ｎ８度が５原子％を越える場合、Ｎｉ
１度が２５原子％を越える場合、及び規定量を越える量
の添加物を含む場合の合金１１１１１も同様に実施例１
の条件下で作成した。

その磁気特性を第１表に示す。

第１表より、本発明によるＡｕ　、　Ａｐ　、　Ｐｄ　
。

Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒなどを含むＣｏ基合金磁性薄膜は、従
来のＣｏ　−Ｎｉ　−Ｐ無電解メッキ磁性薄膜に比較し
、遥かに優れた耐食性・耐候性を示すことが認められる
。また、磁気記録媒体としての特性を満足するためには
、アルゴンと窒素の混合雰囲気下で膜が形成されなけれ
ばならないことも認められる。

実施例２ 表面研磨されたアルミ合金上にアルマイト処理を施して
成る基板上に、第２表に示すような所望の組成となるよ
うに、実施例１に記したと同様の条件下にて５１／４″
φデイスクを作成し、貴空中３５０℃ｘ　３ｈｒ熱処理
を施した後、ｒ、ｆ、プレーナーマグネトロン装置にて
４０ＯＡのアモルファス状カーボン膜を形成した。

次に、これらのディスクを用い耐食性、耐候性の評価を
行なった。その結果を第２表に示す。なお、磁気記録媒
体の電磁変換特性の評価は、下記の如き条件で行なった
。

使用ヘッド　Ｍｎ−Ｚｎフェライトヘッド（トラック幅
１６μｍ１ギヤツプ長１．１μｍ。

ギャップ深さ２０μｍ、巻数１９ＴＸ　２）浮上量　０
．３４μｍ 書き込み周波数　Ｉ　Ｆ　；　　１．２５　ＭＨ２２Ｆ
＋　　２．５　　ＭＨｚ ディスク回転数　３６００ｒｐＩＩｌ 測定箇所　ディスク中心よりの距離Ｒ＝　３０ｍｍ比較
例３ 表面研磨されたアルミニウム合金上にＮｉ　−Ｐメッキ
下地層が施された５　１／４“φディスク基板上に、比
較例１と同様の条件下でＱｏ　−Ｎｉ　−Ｐ合金磁性膜
を形成し、その後実施例２と同様に４００Ａのアモルフ
ァス状カーボン膜を形成した。

次に、これらを耐食性及び耐候性の評価に用いた。

その結果を第２表に示す。電磁変換緒特性の評価は実施
例２と全く同様の条件下で行なった。

以上のことから、本発明における磁気記録媒体は耐食性
・耐候性に優れた媒体であることが証明された。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成された合金磁性薄膜を有する磁気記
   録体において、該合金磁性薄膜が金、銀、パラジウム、
   ロジウム、レニウム、イリジウムのうちのいずれか１種
   以上を２〜８原子％含むコバルト基合金からなることを
   特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）上記合金磁性薄膜は、基板上にスパッタリングさ
   れ、かつ熱処理されて形成されたものであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。
3. （３）上記合金磁性薄膜が、金、銀、パラジウム、ロジ
   ウム、レニウム、イリジウムのうちのいずれか１種以上
   を２〜８原子％と、窒素を０．２〜５原子％含み、残部
   コバルトからなることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項又は第２項に記載の磁気記録媒体。
4. （４）上記合金磁性薄膜が、金、銀、パラジウム、ロジ
   ウム、レニウム、イリジウムのうちのいずれか１種以上
   を２〜８原子％と、窒素を０．２〜５原子％含み、残部
   がコバルトとニッケル及び／又は鉄とから成り、ニッケ
   ル及び／又は鉄の含有量は、コバルトの２５原子％以下
   を置換した量であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項又は第２項に記載の磁気記録媒体。