JPS61220327A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPS61220327A JPS61220327A JP60061671A JP6167185A JPS61220327A JP S61220327 A JPS61220327 A JP S61220327A JP 60061671 A JP60061671 A JP 60061671A JP 6167185 A JP6167185 A JP 6167185A JP S61220327 A JPS61220327 A JP S61220327A
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は縮小投影露光装置に係シ、特に縮小投影露光装
置のステージのように極めて高い位置決め精度が要求さ
れ、かつ、正確に同一経路を通る位置決め動作を反復繰
り返す場合に好適な位置決めサーボ制御装置を備えた縮
小投影露光装置に関するものである。
置のステージのように極めて高い位置決め精度が要求さ
れ、かつ、正確に同一経路を通る位置決め動作を反復繰
り返す場合に好適な位置決めサーボ制御装置を備えた縮
小投影露光装置に関するものである。
位置検出器、目標位置からの偏差を演算する演算回路、
サーボモータおよび送シネジからなる駆動系から構成さ
れ次間ループ位置制御の位置決め精度の誤差を発生する
最大の要因は摩擦力である。
サーボモータおよび送シネジからなる駆動系から構成さ
れ次間ループ位置制御の位置決め精度の誤差を発生する
最大の要因は摩擦力である。
この摩擦力は、ステージの案内部や送シネジ等に存在す
る。
る。
高い位置決め精度を得るためには、閉ループのゲインを
大きくして、微小な位置偏差においても、この摩擦力に
抗してステージを動かすトルクを発生するようにすれば
よいが、これにはおのずから限度があシ、結局は摩擦力
と発生トルクとが約９合ったところで停止する。
大きくして、微小な位置偏差においても、この摩擦力に
抗してステージを動かすトルクを発生するようにすれば
よいが、これにはおのずから限度があシ、結局は摩擦力
と発生トルクとが約９合ったところで停止する。
ところで、従来の縮小投影露光装置においては、オート
メーション 第２８巻、第７号（１９８３年７月）ｐ４
４，４５の四方管によるｒＮｓＢ、シス晃 テム（縮小投影盤外秒置）」なる文献に代表されるよう
に、摩擦力によるステージの場所に依存する誤差要因を
補正することによって、よシ高い位置決め精度を追求す
る配慮が行われていなかった。
メーション 第２８巻、第７号（１９８３年７月）ｐ４
４，４５の四方管によるｒＮｓＢ、シス晃 テム（縮小投影盤外秒置）」なる文献に代表されるよう
に、摩擦力によるステージの場所に依存する誤差要因を
補正することによって、よシ高い位置決め精度を追求す
る配慮が行われていなかった。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、ステージの場所による摩擦力の変化およびＪ
１！擦力の経時変化に無関係にステージの位置決め精度
を向上させることができる縮小投影露光装置を提供する
ことにおる。
ところは、ステージの場所による摩擦力の変化およびＪ
１！擦力の経時変化に無関係にステージの位置決め精度
を向上させることができる縮小投影露光装置を提供する
ことにおる。
本発明の特徴は、ウェハを搭載したステージを目標位置
に移動するサーボモータと、上記ステージの現在位置を
検出する位置検出器と、上記現在位置と目標位置との偏
差を増幅して上記サーボモータを駆動して上記ステージ
を目標位置に位置決めする位置決め制御装置と、位置決
め時の位置決め誤差を記憶するメモリと、このメモリの
内容によって次回の目標位置の指令値に加えるべき補正
値を演算する演算装置と、上記補正量を目標位置の指令
値に加算する加算回路とを具備する構成とした点にある
。
に移動するサーボモータと、上記ステージの現在位置を
検出する位置検出器と、上記現在位置と目標位置との偏
差を増幅して上記サーボモータを駆動して上記ステージ
を目標位置に位置決めする位置決め制御装置と、位置決
め時の位置決め誤差を記憶するメモリと、このメモリの
内容によって次回の目標位置の指令値に加えるべき補正
値を演算する演算装置と、上記補正量を目標位置の指令
値に加算する加算回路とを具備する構成とした点にある
。
以下本発明を第１図、第３図に示した実施例および第２
図を用いて詳細に説明する。
図を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の縮小投影露光装置のステージの位置決
めサーボ制御装置の一実施例を示す回路構成図である。
めサーボ制御装置の一実施例を示す回路構成図である。
第１図において、ステージ１は、直流サーボモータ２と
ボールネジ３によって駆動される。ところで、ステージ
１の位置はレーザ干渉測長器４によって検出される。電
子計算機５は目標位置指令信号６を送シ出し、ステージ
１の目標位置を指令する。この目標位置指令信号６とレ
ーザ干渉測長器４よシ出力され次現在位置信号７との偏
差は、減算回路８によってディジタル演算され、その演
算結果、すなわち、位置偏差信号９は、加算回路１０を
経てＤ−Ａ変換器１１でアナログ信号に変換され、演算
増幅器１２、サーボ増幅器１３を介して直流サーボモー
タ２に与えられ、直流サーボモータ２を回転して、ボー
ルネジ３を回転することによシ、ステージ１の位置を目
標位置に設定する。１４はタコジェネレータで、これは
サーボ系を安定化し、その制御性能を向上せしめるため
に設けたものである。
ボールネジ３によって駆動される。ところで、ステージ
１の位置はレーザ干渉測長器４によって検出される。電
子計算機５は目標位置指令信号６を送シ出し、ステージ
１の目標位置を指令する。この目標位置指令信号６とレ
ーザ干渉測長器４よシ出力され次現在位置信号７との偏
差は、減算回路８によってディジタル演算され、その演
算結果、すなわち、位置偏差信号９は、加算回路１０を
経てＤ−Ａ変換器１１でアナログ信号に変換され、演算
増幅器１２、サーボ増幅器１３を介して直流サーボモー
タ２に与えられ、直流サーボモータ２を回転して、ボー
ルネジ３を回転することによシ、ステージ１の位置を目
標位置に設定する。１４はタコジェネレータで、これは
サーボ系を安定化し、その制御性能を向上せしめるため
に設けたものである。
一方、位置偏差信号９は、電子計算機５とマイクロプロ
セッサ１５にも入力してあシ、電子計算機５は、位置偏
差信号９が入力し友ときは、位置決め誤差格納指令信号
１６をマイクロプロセッサ１５へ出力し、これによシマ
イクロプロセッサ１５は位置決め誤差をメモリ１７に格
納する。また、マイクロプロセッサ１５に電子計算機５
よシー 補正指令信号１８が出力されたときは、マイク
ロプロセッサ１５はメモリ１７よシ前回の位置決め誤差
を取シ出し、必要に厄じて次回の目標位置の指令値に加
えるべき補正値を演算して、その符号を変えて加算回路
１０に出力する。
セッサ１５にも入力してあシ、電子計算機５は、位置偏
差信号９が入力し友ときは、位置決め誤差格納指令信号
１６をマイクロプロセッサ１５へ出力し、これによシマ
イクロプロセッサ１５は位置決め誤差をメモリ１７に格
納する。また、マイクロプロセッサ１５に電子計算機５
よシー 補正指令信号１８が出力されたときは、マイク
ロプロセッサ１５はメモリ１７よシ前回の位置決め誤差
を取シ出し、必要に厄じて次回の目標位置の指令値に加
えるべき補正値を演算して、その符号を変えて加算回路
１０に出力する。
縮小投影露光装置は、照明光源によって照明され次レチ
クルと称する原板上のパターンの像を縮小レンズによシ
ウエハ上に結像させ、ウニ八表面に塗布されたレジスト
を露光する装置であシ、第２図は縮小投影露光装置によ
って露光されたウェハの一例を示す図である。縮小投影
露光装置は、ウェハを搭載した第１図に示すステージ１
を移動させながら、ウェハ上の基盤目状の区画（以下こ
れをチップと呼ぶ）を１つずつ露光するが、第２図に示
す例では、９回の露光で１枚のウェハの露光処理を完了
する。第２図の矢印は、各チップを露光する順序を示し
、（Ｘ＋ 、ＹＪ ）はウニ／％上の各チップの中心の
座標を示す。
クルと称する原板上のパターンの像を縮小レンズによシ
ウエハ上に結像させ、ウニ八表面に塗布されたレジスト
を露光する装置であシ、第２図は縮小投影露光装置によ
って露光されたウェハの一例を示す図である。縮小投影
露光装置は、ウェハを搭載した第１図に示すステージ１
を移動させながら、ウェハ上の基盤目状の区画（以下こ
れをチップと呼ぶ）を１つずつ露光するが、第２図に示
す例では、９回の露光で１枚のウェハの露光処理を完了
する。第２図の矢印は、各チップを露光する順序を示し
、（Ｘ＋ 、ＹＪ ）はウニ／％上の各チップの中心の
座標を示す。
第３図は第１図のメモリ１７の中に設けられた位置決め
誤差の記憶場所の一実施例を示す図である。
誤差の記憶場所の一実施例を示す図である。
以下、第２図、第３図を参照して、第１図の動作につい
て詳細に説明する。第１枚目のウェハの第１回目の露光
において、ウェハの座標（ＸＩ。
て詳細に説明する。第１枚目のウェハの第１回目の露光
において、ウェハの座標（ＸＩ。
Ｙｌ ）を縮小レンズ真下の露光位置まで移動したとき
、位置決め誤差が（ΔＸＩ、ΔＹｔ）であったとする。
、位置決め誤差が（ΔＸＩ、ΔＹｔ）であったとする。
この位置決め誤差は、位置決め動作完了後の位置偏差信
号９を検知することによって得られる。このとき、電子
計算機５は位置決め誤差格納指令信号１６をマイクロプ
ロセッサ１５に発して、マイクロプロセッサ１５は、位
置決め誤差（ΔＸｌ、ΔＹｔ ）をメモリ１７のアド
レスＡ１とＡ２の記憶場所に格納する。第１回目の露光
を行った後、第２回目の露光を行うため、ウェハの座標
（Ｘｌ、Ｙ２ ）を露光位置壕で移動させるときは、
Ｙ軸方向にのみ動かせばよいので、そのときの位置決め
誤差ΔＹ２は前と同様にしてメモリ１７のアドレスＡ３
に格納する。同様なことを繰り返して、第１枚目のウェ
ハの露光をすべて完了したときには、９回の位置決め動
作における位置決め誤差が、第３図に示すように、メモ
リのアドレス人１〜ＡＩＯに記憶される。
号９を検知することによって得られる。このとき、電子
計算機５は位置決め誤差格納指令信号１６をマイクロプ
ロセッサ１５に発して、マイクロプロセッサ１５は、位
置決め誤差（ΔＸｌ、ΔＹｔ ）をメモリ１７のアド
レスＡ１とＡ２の記憶場所に格納する。第１回目の露光
を行った後、第２回目の露光を行うため、ウェハの座標
（Ｘｌ、Ｙ２ ）を露光位置壕で移動させるときは、
Ｙ軸方向にのみ動かせばよいので、そのときの位置決め
誤差ΔＹ２は前と同様にしてメモリ１７のアドレスＡ３
に格納する。同様なことを繰り返して、第１枚目のウェ
ハの露光をすべて完了したときには、９回の位置決め動
作における位置決め誤差が、第３図に示すように、メモ
リのアドレス人１〜ＡＩＯに記憶される。
次に、第２枚目のウェハの第１回目の露光を行うときに
は、電子計算機５は目標位置指令信号６として座標（Ｘ
ｌ、Ｙｔ ）を示す信号を発するほか、補正指令信号１
８をマイクロプロセッサ１５に発する。マイクロプロセ
ッサ１５はこれを受けて、メモリ１７のアドレスＡ！、
Ａ２より前回の位置決め誤差ΔＸＩ 、ΔＹ１を取シ出
し、その符号を変えて加算回路１０に入力する。その結
果、電子計算機５からＸ軸に対しては（Ｘｔ−ΔＸり、
Ｙ軸に対しては（ｙｔ−ΔＹｌ）の目標位置指令信号が
発せられたのと同価となり、前回の位置決め誤差を補正
した位置決めが行われる。位置決め完了後、電子計算機
５は、位置決め誤差指令信号１６をマイクロプロセッサ
１５に発して、マイクロプロセッサ１５は新たな位置決
め誤差でもってメモリ１７のアドレスＡ１．Ａ２の記憶
場所の内容を更新する。
は、電子計算機５は目標位置指令信号６として座標（Ｘ
ｌ、Ｙｔ ）を示す信号を発するほか、補正指令信号１
８をマイクロプロセッサ１５に発する。マイクロプロセ
ッサ１５はこれを受けて、メモリ１７のアドレスＡ！、
Ａ２より前回の位置決め誤差ΔＸＩ 、ΔＹ１を取シ出
し、その符号を変えて加算回路１０に入力する。その結
果、電子計算機５からＸ軸に対しては（Ｘｔ−ΔＸり、
Ｙ軸に対しては（ｙｔ−ΔＹｌ）の目標位置指令信号が
発せられたのと同価となり、前回の位置決め誤差を補正
した位置決めが行われる。位置決め完了後、電子計算機
５は、位置決め誤差指令信号１６をマイクロプロセッサ
１５に発して、マイクロプロセッサ１５は新たな位置決
め誤差でもってメモリ１７のアドレスＡ１．Ａ２の記憶
場所の内容を更新する。
このようにして、各露光毎に前回の位置決め誤差を補正
した位置決めが行われ、精度の高い位置決めが可能とな
る。
した位置決めが行われ、精度の高い位置決めが可能とな
る。
以上説明したように、本発明によれば、ステージの場所
による摩擦力の変化および摩擦力の経時変化に無関係に
ステージの位置決め精度を向上させることができ、微細
な加工に適した縮小投影露光装置とすることが可能であ
るという効果がある。
による摩擦力の変化および摩擦力の経時変化に無関係に
ステージの位置決め精度を向上させることができ、微細
な加工に適した縮小投影露光装置とすることが可能であ
るという効果がある。
第１図は本発明の縮小投影露光装置のステージの位置決
めサーボ制御装置の一実施例を委す回路構成図、第２図
は縮小投影露光装置によって露光されたウェハの一例を
示す図、第３図は第１図のメモリの中に設けられた位置
決め誤差の記憶場所の一実施例を示す図である。
めサーボ制御装置の一実施例を委す回路構成図、第２図
は縮小投影露光装置によって露光されたウェハの一例を
示す図、第３図は第１図のメモリの中に設けられた位置
決め誤差の記憶場所の一実施例を示す図である。
Claims (1)
- １、照明光源によつて照明された原板上のパターンの像
を縮小レンズによつてウエハ上に結像させて前記ウエハ
表面に塗布されたレジストを露光する縮小投影露光装置
において、前記ウエハを搭載したステージを目標位置に
移動するサーボモータと、前記ステージの現在位置を検
出する位置検出器と、前記現在位置と目標位置との偏差
を増幅して前記サーボモータを駆動して前記ステージを
目標位置に位置決めする位置決め制御装置と、位置決め
時の位置決め誤差を記憶するメモリと、該メモリの内容
によつて次回の目標位置の指令値に加えるべき補正値を
演算する演算装置と、前記補正値を目標位置の指令値に
加算する加算回路とを具備することを特徴とする縮小投
影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061671A JPS61220327A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061671A JPS61220327A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 縮小投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220327A true JPS61220327A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0260050B2 JPH0260050B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=13177932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60061671A Granted JPS61220327A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03270040A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 検査装置 |
| JP2009164306A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nikon Corp | 較正方法、移動体駆動方法及び移動体駆動装置、露光方法及び露光装置、パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4877283A (ja) * | 1972-01-20 | 1973-10-17 | ||
| JPS5169774A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-16 | Sanesu Shoko Kk | Suchiseigyohoho |
| JPS5814534A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Hitachi Ltd | 試料移動制御装置 |
| JPS6041107A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Yamazaki Mazak Corp | サ−ボ位置決め方法 |
| JPS6047418A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体露光装置 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60061671A patent/JPS61220327A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4877283A (ja) * | 1972-01-20 | 1973-10-17 | ||
| JPS5169774A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-16 | Sanesu Shoko Kk | Suchiseigyohoho |
| JPS5814534A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Hitachi Ltd | 試料移動制御装置 |
| JPS6041107A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Yamazaki Mazak Corp | サ−ボ位置決め方法 |
| JPS6047418A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体露光装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03270040A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 検査装置 |
| JP2009164306A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Nikon Corp | 較正方法、移動体駆動方法及び移動体駆動装置、露光方法及び露光装置、パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0260050B2 (ja) | 1990-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |