JPS6121930A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
- Publication number
- JPS6121930A JPS6121930A JP14112284A JP14112284A JPS6121930A JP S6121930 A JPS6121930 A JP S6121930A JP 14112284 A JP14112284 A JP 14112284A JP 14112284 A JP14112284 A JP 14112284A JP S6121930 A JPS6121930 A JP S6121930A
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- JP
- Japan
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- plasma flame
- pipe
- reaction
- fed
- axis
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の背順とに１的］
本発明は、光ファイバ母材の製造方法に関するものであ
る。
る。
一般に、光ファイバ母料の製造は、ＭＣＶＤ（化学気相
沈積）法、ＶＡＤ （気相軸（＝Ｊ ）法によって行わ
れており、そして、これらの方法の熱源は主に酸水素バ
ーナが用いられている。
沈積）法、ＶＡＤ （気相軸（＝Ｊ ）法によって行わ
れており、そして、これらの方法の熱源は主に酸水素バ
ーナが用いられている。
一方、プラズマ炎を用いる場合は、プラズマ炎のｎ温を
利用することにより直接ガラス成形が可能であり、この
場合、プラズマ炎の中心は約２０．０００℃である。そ
して、中間部の温度を利用する方法としては、プラズマ
ガスに５ｉＣ７４等のガスを混合するが、これではプラ
ズマ炎が不安定となる。そのため、プラズマ炎の前側に
対して反応ガス導入管を取り付けるが、その時の底角角
度により反応効率が異なり、特に、Ｆのドープ量が減少
する問題があった。
利用することにより直接ガラス成形が可能であり、この
場合、プラズマ炎の中心は約２０．０００℃である。そ
して、中間部の温度を利用する方法としては、プラズマ
ガスに５ｉＣ７４等のガスを混合するが、これではプラ
ズマ炎が不安定となる。そのため、プラズマ炎の前側に
対して反応ガス導入管を取り付けるが、その時の底角角
度により反応効率が異なり、特に、Ｆのドープ量が減少
する問題があった。
本発明は上記の状況に鑑みなされたものであり、ガラス
膜形成の反応効率を大幅に向上できる光ファイバ母材の
製造方法を提供することを目的としたものである。
膜形成の反応効率を大幅に向上できる光ファイバ母材の
製造方法を提供することを目的としたものである。
［発明の概要１
本発明の光ファイバ母材の製造方法は、高周波プラズマ
１〜−チによりプラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガ
ラス形成用の原料を反応ガス導入管を介し供給し、加熱
反応によりチャンバ内のガラス旋盤に支持されたターゲ
ット棒外周面に直接ガラス合成を行なう場合に、上記プ
ラズマ炎軸線に対し直交づる平面と、該プラズマ炎の吹
出方向軸線に対向する上記反応ガス尋人管とのなり角度
θを、０くθ＜３０度として上記原料を上記反応ガス導
入管を介し供給Ｊる方法である。即ち、反応ガス導入管
から供給される反応ガスがプラズマ炎を安定させた状態
で円滑に供給されガラス膜形成の反応効率を大きく方法
である。
１〜−チによりプラズマ炎を発生させ該プラズマ炎にガ
ラス形成用の原料を反応ガス導入管を介し供給し、加熱
反応によりチャンバ内のガラス旋盤に支持されたターゲ
ット棒外周面に直接ガラス合成を行なう場合に、上記プ
ラズマ炎軸線に対し直交づる平面と、該プラズマ炎の吹
出方向軸線に対向する上記反応ガス尋人管とのなり角度
θを、０くθ＜３０度として上記原料を上記反応ガス導
入管を介し供給Ｊる方法である。即ち、反応ガス導入管
から供給される反応ガスがプラズマ炎を安定させた状態
で円滑に供給されガラス膜形成の反応効率を大きく方法
である。
［実施例コ
以下本発明の光ファイバ用材の製造方法を実施例を用い
図面により説明する。図は実施装置の縦断面図である。
図面により説明する。図は実施装置の縦断面図である。
１は高周波プラズマ炎軸線、２は反応ガス導入管でプラ
ズマ炎の先端”に対し傾は対向し取り付【）られている
。３はＮ２のガスが供給されるガスシールキャップ、４
はチャンバである。
ズマ炎の先端”に対し傾は対向し取り付【）られている
。３はＮ２のガスが供給されるガスシールキャップ、４
はチャンバである。
５はガラス旋盤で、ターゲット棒６の回転駆動及びヘッ
ドを」−上移動駆動するモータ１８をそれぞれ有する移
動ヘッド１７によりターゲット棒６の両端を支承してお
り、ヘッド９上を軸方向に駆動装置（図示せず）により
駆動されるようになっており、８はヘッド９上に取り付
けられたストッパーである。７はターゲット棒６上に形
成されたガラス膜、１０はバッノン！タンク、１１は排
気管、１２は熱交換器、１３はスクラバー、１４は排気
ファン、１５はバルブ、１６はガス圧力計である。
ドを」−上移動駆動するモータ１８をそれぞれ有する移
動ヘッド１７によりターゲット棒６の両端を支承してお
り、ヘッド９上を軸方向に駆動装置（図示せず）により
駆動されるようになっており、８はヘッド９上に取り付
けられたストッパーである。７はターゲット棒６上に形
成されたガラス膜、１０はバッノン！タンク、１１は排
気管、１２は熱交換器、１３はスクラバー、１４は排気
ファン、１５はバルブ、１６はガス圧力計である。
そしＣ１ガラス膜７の生成に当っては、高周波プラズマ
トーチ１に矢印の如く酸素を送り込まれて酸素プラズマ
炎を発生され、反応ガス導入管２から５ＩＣｆｌａと、
ふっ素化合物とを酸素ガスキャリアにしてプラズマ炎の
下方の反応チャンバに送り込み反応させ、１０＃ｌφの
石英ガラス棒のターグツ１〜棒６に［ドープＳｉＯ２系
ガラス膜７を堆積させる。ターゲット棒６はガラス旋盤
５によって一定の回転数にて回転駆動されるようになっ
ており、ガラス旋盤５はヘッド９上を矢印の軸方向に駆
動されてターゲット棒６の外周及び長手方向にガラス膜
７を形成される。そして、未反応ガス及び排気ガスは、
反応チャンバ４、排気管１１、バッファタンク１０、熱
交換器１２及びスクラバー１３を通り拮気される。
トーチ１に矢印の如く酸素を送り込まれて酸素プラズマ
炎を発生され、反応ガス導入管２から５ＩＣｆｌａと、
ふっ素化合物とを酸素ガスキャリアにしてプラズマ炎の
下方の反応チャンバに送り込み反応させ、１０＃ｌφの
石英ガラス棒のターグツ１〜棒６に［ドープＳｉＯ２系
ガラス膜７を堆積させる。ターゲット棒６はガラス旋盤
５によって一定の回転数にて回転駆動されるようになっ
ており、ガラス旋盤５はヘッド９上を矢印の軸方向に駆
動されてターゲット棒６の外周及び長手方向にガラス膜
７を形成される。そして、未反応ガス及び排気ガスは、
反応チャンバ４、排気管１１、バッファタンク１０、熱
交換器１２及びスクラバー１３を通り拮気される。
反応ガス尋人管２からは、”Ｓｉ Ｃ１１ａ ２０００
ｔｔｔｙ／ｍ＊口、Ｃト２ Ｃ７２５００ｃｃ／ｌｌ１
ｉｎ ト同時に酸素ガス１０００ｃｃｚｌｉｎの反応ガ
スを供給している。第２図は反応ガス尋人管２のプラズ
マ炎に対Ｊる反応ガスの供給角度と形成されたガラス膜
７の屈折率の関係を示したものである。同図に示す如く
、同じ反応ガスの組成の場合に、反応ガス導入管２のプ
ラズマ炎軸線１９（第３図参照）に対し直交する平面２
０と、プラズマ炎の吹出り向軸線１９に対向づる反応ガ
ス導入管２とのな１角度θによって、ターゲットＩＰ６
上に形成されたガラス膜７の比屈折率差が曲線Ｂに示す
如く変化している。そして、θ〈４５度では、反応ガス
がプラズマ炎内に進入しにくく、反応効率が減少し、ガ
ラス膜７の生長が大幅に低下するため光ファイバ製造が
不可能となる。また、角度θが、θ−０では、プラズマ
炎に対し反応ガスが直角に供給されるためプラズマ炎の
安定化が難しい。そして、θ〉０では、プラズマ炎の下
向き、即ち、後方がら反応ガスを供給りること及び低温
酸化反応になり、フ１」ンガスの熱分解反応が低下しふ
っ素ドープ缶が減少し比屈折率差は小さくなる。さらに
、第３図の反応ガス尋人管２のＡ部に白色の粉体が＋ｉ
着し反応ガスの安定供給が難しくなる。上記の結果から
反応ガス導入管２の取付角θを、０〜３０度の範囲に保
持することが適圧であり、この角度により反応効率を大
幅に増加できふっ素ドープ屯の減少防止し、角度θの制
御により屈折率の制御も可能となる。尚、フロン系材料
としては、ＣＣｌ２Ｆ４（７）他・ＣｃＪｓ Ｆ−Ｃ２
Ｃｆ’３Ｆａ・ＣＣｌ２Ｆ４・ｃＦ４・ｃ２ｃＩＦｓ・
ｓｒｒ：、ａでもよい。
ｔｔｔｙ／ｍ＊口、Ｃト２ Ｃ７２５００ｃｃ／ｌｌ１
ｉｎ ト同時に酸素ガス１０００ｃｃｚｌｉｎの反応ガ
スを供給している。第２図は反応ガス尋人管２のプラズ
マ炎に対Ｊる反応ガスの供給角度と形成されたガラス膜
７の屈折率の関係を示したものである。同図に示す如く
、同じ反応ガスの組成の場合に、反応ガス導入管２のプ
ラズマ炎軸線１９（第３図参照）に対し直交する平面２
０と、プラズマ炎の吹出り向軸線１９に対向づる反応ガ
ス導入管２とのな１角度θによって、ターゲットＩＰ６
上に形成されたガラス膜７の比屈折率差が曲線Ｂに示す
如く変化している。そして、θ〈４５度では、反応ガス
がプラズマ炎内に進入しにくく、反応効率が減少し、ガ
ラス膜７の生長が大幅に低下するため光ファイバ製造が
不可能となる。また、角度θが、θ−０では、プラズマ
炎に対し反応ガスが直角に供給されるためプラズマ炎の
安定化が難しい。そして、θ〉０では、プラズマ炎の下
向き、即ち、後方がら反応ガスを供給りること及び低温
酸化反応になり、フ１」ンガスの熱分解反応が低下しふ
っ素ドープ缶が減少し比屈折率差は小さくなる。さらに
、第３図の反応ガス尋人管２のＡ部に白色の粉体が＋ｉ
着し反応ガスの安定供給が難しくなる。上記の結果から
反応ガス導入管２の取付角θを、０〜３０度の範囲に保
持することが適圧であり、この角度により反応効率を大
幅に増加できふっ素ドープ屯の減少防止し、角度θの制
御により屈折率の制御も可能となる。尚、フロン系材料
としては、ＣＣｌ２Ｆ４（７）他・ＣｃＪｓ Ｆ−Ｃ２
Ｃｆ’３Ｆａ・ＣＣｌ２Ｆ４・ｃＦ４・ｃ２ｃＩＦｓ・
ｓｒｒ：、ａでもよい。
このように本実施例の光ファイバ母材の製造方法にａ３
いては、プラズマ炎軸線と直交する平面と、プラズマ炎
の吹出方向軸線に対向する反応ガス導入管とのな１角度
θを、０〈θ＜３０度としたことにより、ガラス膜形成
の反応効率を大幅に向上さゼることができる。
いては、プラズマ炎軸線と直交する平面と、プラズマ炎
の吹出方向軸線に対向する反応ガス導入管とのな１角度
θを、０〈θ＜３０度としたことにより、ガラス膜形成
の反応効率を大幅に向上さゼることができる。
」ニ記実施例はターゲット棒を水平位置に保持しガラス
膜を形成の場合についで述べたが、ターゲラ１〜棒を鉛
直線り向に保持した場合も同様の作用効果を右づる。
膜を形成の場合についで述べたが、ターゲラ１〜棒を鉛
直線り向に保持した場合も同様の作用効果を右づる。
［発明の効果］
以１記述した如く本発明の光ファイバ母材の製造方ｄ、
によれば、ガラス股形成の反応効率を茗しく向上できる
効果を右り−るものである。
によれば、ガラス股形成の反応効率を茗しく向上できる
効果を右り−るものである。
第１図は本発明の光ファイバ母材の製造方法の実施装置
の縦断面図、第２図は第１図のプラズマ炎軸線に直角位
置の平面に対しプラズマ炎吹出方向軸線に対向する反応
ガス導入管のなす角度と比屈折率差との関係曲線図、第
３図は第２図の角度説明図である。 １：ｎ周波ブラズントーチ、 ２；反応ガス導入管、４：チャンバ、 ５）；ガラス旋盤、６；ターゲット棒、７：ガラス膜、
１９；軸線、２０；平面。 Ｍ １ 口
の縦断面図、第２図は第１図のプラズマ炎軸線に直角位
置の平面に対しプラズマ炎吹出方向軸線に対向する反応
ガス導入管のなす角度と比屈折率差との関係曲線図、第
３図は第２図の角度説明図である。 １：ｎ周波ブラズントーチ、 ２；反応ガス導入管、４：チャンバ、 ５）；ガラス旋盤、６；ターゲット棒、７：ガラス膜、
１９；軸線、２０；平面。 Ｍ １ 口
Claims (1)
- （１）高周波プラズマトーチによりプラズマ炎を発生さ
せ該プラズマ炎にガラス形成用の原料を反応ガス導入管
を介し供給し、加熱反応によりチャンバ内のガラス旋盤
に支持されたターゲット棒外周面に直接ガラスの合成を
行なう方法において、上記プラズマ炎軸線に対し直交す
る平面と、該プラズマ炎の吹出方向軸線に対抗する上記
反応ガス導入管とのなす角度θを、０＜θ＜３０度とし
て上記原料を上記反応ガス導入管を介し供給することを
特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14112284A JPS6121930A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14112284A JPS6121930A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6121930A true JPS6121930A (ja) | 1986-01-30 |
| JPH0582333B2 JPH0582333B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=15284666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14112284A Granted JPS6121930A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6121930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7121120B2 (en) | 1999-07-01 | 2006-10-17 | Alcatel | Method of glazing an optical fiber preform with a plasma of reduced power |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728366A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP14112284A patent/JPS6121930A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728366A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7121120B2 (en) | 1999-07-01 | 2006-10-17 | Alcatel | Method of glazing an optical fiber preform with a plasma of reduced power |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582333B2 (ja) | 1993-11-18 |
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