JPS61216491A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS61216491A JPS61216491A JP60057713A JP5771385A JPS61216491A JP S61216491 A JPS61216491 A JP S61216491A JP 60057713 A JP60057713 A JP 60057713A JP 5771385 A JP5771385 A JP 5771385A JP S61216491 A JPS61216491 A JP S61216491A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体発光装置に関し、特にリモコン用光源と
して用いられる半導体発光装置の改良に係る。
して用いられる半導体発光装置の改良に係る。
第２図（Ａ＞はリモコン用光源に従来用いられている半
導体発光装置の構造を示す説明図である。
導体発光装置の構造を示す説明図である。
同図において、１は発光ダイオードチップ（ＬＥＤチ・
ツブ）である。該ＬＥＤチップ１は、リード２端面の反
射板機能を具備した素子マウント部上にダイボンディン
グされている。また、前記Ｌ・ＥＤチップ１は、ボンデ
ィングワイヤ３を介して他。
ツブ）である。該ＬＥＤチップ１は、リード２端面の反
射板機能を具備した素子マウント部上にダイボンディン
グされている。また、前記Ｌ・ＥＤチップ１は、ボンデ
ィングワイヤ３を介して他。
のリード２′の先端に接続されている。そしてＬＥＤチ
ップ１、ボンディングワイヤ３及びリード２．２′の先
端部分はエポキシ樹脂等の透明な封止樹脂層４で封止さ
れている。該封止樹脂層４には球面５が形成され、ＬＥ
Ｄチップ１からの光、を照射対象物方向に集光するレン
ズ機能が付与されている。当然ながら、該球面５の曲率
中心Ｏは光照射軸上に設定されている。
ップ１、ボンディングワイヤ３及びリード２．２′の先
端部分はエポキシ樹脂等の透明な封止樹脂層４で封止さ
れている。該封止樹脂層４には球面５が形成され、ＬＥ
Ｄチップ１からの光、を照射対象物方向に集光するレン
ズ機能が付与されている。当然ながら、該球面５の曲率
中心Ｏは光照射軸上に設定されている。
上記のように従来のリモコン光源用の半導体発光装置は
、透明な封止樹脂層４に形成された曲面５のレンズ機能
により、リモコン用光源に請求される照射軸上の大きな
光強度を得るように構成されている。この結果、上記従
来の半導体発光装置は第２図（Ｂ）に示すような光指向
性を有している。
、透明な封止樹脂層４に形成された曲面５のレンズ機能
により、リモコン用光源に請求される照射軸上の大きな
光強度を得るように構成されている。この結果、上記従
来の半導体発光装置は第２図（Ｂ）に示すような光指向
性を有している。
ところで、リモコン用光源には照射軸上の光強度が大き
いこと以外に、半値角θ（光強度が照射軸方向の光強度
ＩＥの１／２になる角度）が広いことが要求され、この
二つの特性は互いに相反する性格を有している。
いこと以外に、半値角θ（光強度が照射軸方向の光強度
ＩＥの１／２になる角度）が広いことが要求され、この
二つの特性は互いに相反する性格を有している。
即ち、光を照射軸上の光高度を強めるためには光を軸近
傍に絞り込まなければならないから半値角は当然に狭く
なり、反対に半値角を広げれば光は分散するから軸上の
光強度は低下することになる。
傍に絞り込まなければならないから半値角は当然に狭く
なり、反対に半値角を広げれば光は分散するから軸上の
光強度は低下することになる。
このように、従来の半導体発光装置ではリモコン用光源
に要求される二つの特性、即ち照射軸上の光強度ＩＥと
半値角θとが二律背反する関係にあり、両者を満足する
ことができない問題があった。
に要求される二つの特性、即ち照射軸上の光強度ＩＥと
半値角θとが二律背反する関係にあり、両者を満足する
ことができない問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、照射軸上の
大きな光強度と広い半値角の両特性を併有することがで
き、リモコン用光源として極めて有用な半導体発光装置
を提供するものである。
大きな光強度と広い半値角の両特性を併有することがで
き、リモコン用光源として極めて有用な半導体発光装置
を提供するものである。
本発明は照射軸方向に光を絞り込むためのレンズ以外に
半値角を決めるためのレンズを別に設け、夫々を個別に
最適化することによって軸上の強い光強度と広い半値角
の何れをも満足させたものである。
半値角を決めるためのレンズを別に設け、夫々を個別に
最適化することによって軸上の強い光強度と広い半値角
の何れをも満足させたものである。
即ち、本発明による半導体発光装置は、リードに接続さ
れた素子マウント部上にダイボンディングされると共に
、ボンディングワイヤを介して他のリードに接続された
半導体発光素子チップと、該半導体発光素子チップ及び
前記ボンディングワイヤによる接続部分を封止する透明
樹脂層と、該透明樹脂層表面に形成された一つの球面部
と、該球面部の外側を取囲んで前記透明樹脂層表面に形
成された円弧状断面を有する環状凸部とを具備し、前記
球面部の曲率中心が光照射軸上にあり、前記円弧状断面
を有する環状凸部表面の曲率中心が光照射領域における
半値角領域を限定する面上にあることを特徴とするもの
である。
れた素子マウント部上にダイボンディングされると共に
、ボンディングワイヤを介して他のリードに接続された
半導体発光素子チップと、該半導体発光素子チップ及び
前記ボンディングワイヤによる接続部分を封止する透明
樹脂層と、該透明樹脂層表面に形成された一つの球面部
と、該球面部の外側を取囲んで前記透明樹脂層表面に形
成された円弧状断面を有する環状凸部とを具備し、前記
球面部の曲率中心が光照射軸上にあり、前記円弧状断面
を有する環状凸部表面の曲率中心が光照射領域における
半値角領域を限定する面上にあることを特徴とするもの
である。
上記本発明の半導体発光装置では、前記円弧状断面を有
する環状凸部が半値角を決めるように光を絞り込むレン
ズ機能を発揮する。そして、光照射軸上に曲率中心を有
する球面部によるレンズ機能との間の相互作用により従
来とは全く異なった光強度分布が形成されることとなり
、大きな軸上光強度および広い半値角という相反する特
性を同時に達成することが可能となる。
する環状凸部が半値角を決めるように光を絞り込むレン
ズ機能を発揮する。そして、光照射軸上に曲率中心を有
する球面部によるレンズ機能との間の相互作用により従
来とは全く異なった光強度分布が形成されることとなり
、大きな軸上光強度および広い半値角という相反する特
性を同時に達成することが可能となる。
（発明の実施例〕
第２図は本発明の一実施例になる半導体発光装置の構成
を示す説明図である。同図において、１はＬＥＤチップ
、２，２′はリード、３はボンディングワイヤ、４は透
明な封止樹脂層でおる。これらの構成部分は第２図（Ａ
＞の従来の半導体発光装置と同じであるから、説明は省
略する。
を示す説明図である。同図において、１はＬＥＤチップ
、２，２′はリード、３はボンディングワイヤ、４は透
明な封止樹脂層でおる。これらの構成部分は第２図（Ａ
＞の従来の半導体発光装置と同じであるから、説明は省
略する。
−他方、この実施例は透明封止樹脂層４の表面形状にお
いて第２図（Ａ＞の従来の半導体発光装置と相違してい
る。即ち、光照射軸Ｘ上に曲率中心０１を有する球面５
１の他、その周縁には断面円弧状の表面５２を有する凸
部が形成されている。
いて第２図（Ａ＞の従来の半導体発光装置と相違してい
る。即ち、光照射軸Ｘ上に曲率中心０１を有する球面５
１の他、その周縁には断面円弧状の表面５２を有する凸
部が形成されている。
該凸部は球面５１の周縁に沿って環状に形成されている
。従って、この凸部表面をなす曲面５２の曲率中心０２
は光照射軸Ｘを中心とする円をなしている。この円をな
す曲率中心０２と発光中心とを結ぶ方向Ｙは曲面５２の
レンズ作用による集光軸であり、発光中心を頂点とする
逆円錐面をなしている。この逆円錐面の頂角は、発光半
導体装置に要求される半値角θに設定されている。光照
射軸Ｘ近傍に集光される光量と設定半値角力向Ｙ近傍に
集光される光量の比率は、球面５１と曲面５２との面積
比に比例するから、Ｘ方向の光強度ＩＥに対してＹ方向
の光強度がＩ Ｅ ／ ２となるように両者の面積比が
調節されている。また、Ｘ方向とＹ方向の間の領域では
、レンズ５１による光分布とレンズ５２による光分布が
重ね合さった光強度が得られる。そして、第１図゛（Ｂ
）に示す光強度分布が得られるようにレンズ、５１．５
２の曲率が設定されている。
。従って、この凸部表面をなす曲面５２の曲率中心０２
は光照射軸Ｘを中心とする円をなしている。この円をな
す曲率中心０２と発光中心とを結ぶ方向Ｙは曲面５２の
レンズ作用による集光軸であり、発光中心を頂点とする
逆円錐面をなしている。この逆円錐面の頂角は、発光半
導体装置に要求される半値角θに設定されている。光照
射軸Ｘ近傍に集光される光量と設定半値角力向Ｙ近傍に
集光される光量の比率は、球面５１と曲面５２との面積
比に比例するから、Ｘ方向の光強度ＩＥに対してＹ方向
の光強度がＩ Ｅ ／ ２となるように両者の面積比が
調節されている。また、Ｘ方向とＹ方向の間の領域では
、レンズ５１による光分布とレンズ５２による光分布が
重ね合さった光強度が得られる。そして、第１図゛（Ｂ
）に示す光強度分布が得られるようにレンズ、５１．５
２の曲率が設定されている。
上述したところから理解されるように、上記実施例の半
導体発光装置によれば第１図（Ｂ）に示す光高度分布が
得られる。同図において、破線ａはレンズ５１単独の場
合の光強度分布、破線すはレンズ５２単独の場合の光強
度分布を示している。
導体発光装置によれば第１図（Ｂ）に示す光高度分布が
得られる。同図において、破線ａはレンズ５１単独の場
合の光強度分布、破線すはレンズ５２単独の場合の光強
度分布を示している。
これら二つの分布ａ、ｂが重ね合される結果、図中実線
で示すように、従来とは全く異なった分布形状が得られ
る。この光強度分布から明らかなように、上記実施例の
発光半導体装置では照射軸Ｘ方向の指向性を狭くしてＸ
軸上の光強度ＩＥを維持するための光量が節約され、そ
の分の光がレンズ５２による集光作用を介して半値角θ
の拡大に用いられている。この結果、従来の発光半導体
装置では二律背反する関係にあった光照射軸上の強い光
強度という特性と、広い半値角という特性の何れをも満
足することができる。
で示すように、従来とは全く異なった分布形状が得られ
る。この光強度分布から明らかなように、上記実施例の
発光半導体装置では照射軸Ｘ方向の指向性を狭くしてＸ
軸上の光強度ＩＥを維持するための光量が節約され、そ
の分の光がレンズ５２による集光作用を介して半値角θ
の拡大に用いられている。この結果、従来の発光半導体
装置では二律背反する関係にあった光照射軸上の強い光
強度という特性と、広い半値角という特性の何れをも満
足することができる。
上記実施例による半値各３０’ 、５０°の発光半導体
装置と、第２図（Ａ＞の従来例による半値角３０’ 、
５０”の発光半導体装置を夫々作製し、同じ半値角□の
製品における軸上光強度を比較したところ下記第１表に
示す結果が得られた場合、上記実施例によれば従来の１
．５倍の軸上光強度を得ることができる。
装置と、第２図（Ａ＞の従来例による半値角３０’ 、
５０”の発光半導体装置を夫々作製し、同じ半値角□の
製品における軸上光強度を比較したところ下記第１表に
示す結果が得られた場合、上記実施例によれば従来の１
．５倍の軸上光強度を得ることができる。
以上詳述したように、本発明によれば照射軸上の大きな
光強度と広い半値角の両特性を併有し、リモコン用光源
として極めて有用な半導体発光装置を提供できるもので
ある。
光強度と広い半値角の両特性を併有し、リモコン用光源
として極めて有用な半導体発光装置を提供できるもので
ある。
第１図（Ａ＞は本発明の一実施例になる半導体発光装置
の構成を示す説明図であり、同図（Ｂ）はその光強度分
布状態を示す線図、第２図（Ａ＞は従来の半導体発光装
置の構成を示す説明図であり、同図（Ｂ）はその光強度
分布状態を示す縮図である。 １・・・ＬＥＤチップ、２，２′・・・リード、３・・
・ボンディングワイヤ、４・・・透明封止樹脂層、
・５．５１．５２・・・レンズ部
の構成を示す説明図であり、同図（Ｂ）はその光強度分
布状態を示す線図、第２図（Ａ＞は従来の半導体発光装
置の構成を示す説明図であり、同図（Ｂ）はその光強度
分布状態を示す縮図である。 １・・・ＬＥＤチップ、２，２′・・・リード、３・・
・ボンディングワイヤ、４・・・透明封止樹脂層、
・５．５１．５２・・・レンズ部
Claims (1)
- リードに接続された素子マウント部上にダイボンディン
グされると共に、ボンディングワイヤを介して他のリー
ドに接続された半導体発光素子チップと、該半導体発光
素子チップ及び前記ボンディングワイヤによる接続部分
を封止する透明樹脂層と、該透明樹脂層表面に形成され
た一つの球面部と、該球面部の外側を取囲んで前記透明
樹脂層表面に形成された円弧状断面を有する環状凸部と
を具備し、前記球面部の曲率中心が光照射軸上にあり、
前記円弧状断面を有する環状凸部表面の曲率中心は光照
射軸から外れた位置にあることを特徴とする半導体発光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057713A JPS61216491A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057713A JPS61216491A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216491A true JPS61216491A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13063585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60057713A Pending JPS61216491A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216491A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287973A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Takiron Co Ltd | ドットマトリックス発光表示体 |
| US8174036B2 (en) * | 2003-12-30 | 2012-05-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lighting device |
| JP2013529392A (ja) * | 2010-06-09 | 2013-07-18 | ベイジン アイルタッチ システムズ カンパニー，リミティド | 赤外線発光ダイオードとタッチスクリーン |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216479A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ド |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP60057713A patent/JPS61216491A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216479A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287973A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Takiron Co Ltd | ドットマトリックス発光表示体 |
| US8174036B2 (en) * | 2003-12-30 | 2012-05-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lighting device |
| JP2013529392A (ja) * | 2010-06-09 | 2013-07-18 | ベイジン アイルタッチ システムズ カンパニー，リミティド | 赤外線発光ダイオードとタッチスクリーン |
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