JP2002314137A - 反射型発光ダイオード - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 101100316860 Autographa californica nuclear polyhedrosis virus DA18 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150042515 DA26 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
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- G02B19/0019—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having reflective surfaces only (e.g. louvre systems, systems with multiple planar reflectors)
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- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0004—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
- G02B19/0047—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
- G02B19/0061—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a LED
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S362/00—Illumination
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Abstract
部が発光素子の発光面まで達しなくとも高い外部放射効
率が得られるようにすることによって、反射鏡の設計自
由度を増すことができること。 【解決手段】 反射型LEDの光源1においては、凹状
の反射鏡3cの底面に発光素子2がマウントされている
ために発光素子2の発光面から水平方向に出る光も反射
鏡3cで反射されて、発光素子2から出る光は発光面に
垂直な軸から所定範囲内に集中して照射される。このた
め、光源1に対向して設けられる反射鏡の端部は光源1
の発光素子2の発光面の高さまで近づける必要がなく、
反射鏡を発光素子2から離して設けても高い外部放射効
率を得ることができる。これによって、反射鏡の設計自
由度が増して、種々の対応が可能となる。
Description
を形成するリードにマウントされた光源とそれと対向し
て設けられた反射鏡を具備する反射型発光ダイオード
(以下、「反射型LED」とも略する。)に関するもの
である。なお、本明細書中ではLEDチップそのものは
「発光素子」と呼び、LEDチップを搭載したパッケー
ジ樹脂またはレンズ系等の光学装置を含む発光体を「光
源」と呼び、光源を搭載した発光装置全体を「発光ダイ
オード」または「LED」と呼ぶこととする。
4を参照して説明する。図4は従来の反射型LEDの全
体構成を示す縦断面図である。図4に示されるように、
この反射型LED30においては、GaAs系の発光素
子32に電力を供給する1対のリード33a,33bの
うち一方のリード33aに発光素子32がマウントされ
ている。発光素子32と他方のリード33bはワイヤ3
4によってボンディングされており、この発光素子32
の発光面と対向して、直線反射率に優れたアルミ板を凹
状にプレスした反射鏡35が配置されている。そして、
発光素子32、1対のリード33a,33bの一部、ワ
イヤ34及び反射鏡35が、透明エポキシ樹脂36によ
って封止されるとともに、発光素子32の背面側に光放
射面36aが形成されている。
とする回転放物面に形成されているために、発光素子3
2から発せられ反射鏡35で反射された光は、全て回転
放物面の軸に平行な方向に反射され、光放射面36aか
ら外部に放射される。このようにして、外部放射効率の
高い反射型LED30が構成されている。
LED30においては、高い外部放射効率を確保するた
めには、反射鏡35を発光素子32に対して約2πst
radの立体角をもつものとする必要があった。即ち、
発光素子32の発光面からほぼ水平方向に放射される光
をも反射するために、反射鏡35の端部が発光素子32
の発光面の高さまで達するように反射鏡35を形成しな
ければならなかった。このため、反射鏡35を発光素子
32に接近させて配置しなければならず、反射鏡35の
設計自由度が制約されるという問題点があった。
子の発光面の高さまで達しなくとも高い外部放射効率が
得られるようにすることによって、反射鏡の設計自由度
を増すことができる反射型発光ダイオードを提供するこ
とを課題とするものである。
反射型発光ダイオードは、発光素子と、前記発光素子に
電力を供給するリードと、前記発光素子の周囲に設けら
れた凹状の反射鏡とを具備する光源と、前記光源に対向
して設けられた反射鏡とを具備するものである。
源の発光素子の周囲に凹状の反射鏡が設けられているた
めに、発光素子の発光面から発せられた光は水平方向に
は拡散せず、発光面に垂直な軸から所定範囲内に集中し
て照射される。このため、光源に対向して設けられた反
射鏡は、この発光面に垂直な軸から所定範囲内に照射さ
れる光を反射すれば良いので、反射鏡の端部は発光面の
高さまで達する必要はなく、反射鏡の設計自由度が増す
とともに、光源から離して配置することができる。そし
て、この反射鏡によって、光源から照射される光をほぼ
全て反射して、高い外部放射効率で外部放射することが
できる。
の発光面の高さまで達しなくとも高い外部放射効率が得
られるようにすることによって、反射鏡の設計自由度を
増すことができる反射型LEDとなる。
ードは、請求項1の構成において、前記光源に対向して
設けられた反射鏡は、前記光源に対し、1.65πst
rad以下の立体角を有するものである。
の反射鏡が設けられているために、発光素子の発光面か
ら発せられた光は水平方向には拡散せず、発光面に垂直
な軸から約80度の範囲内に集中して照射される。この
ため、光源に対向して設けられた反射鏡は、この発光面
に垂直な軸から約80度の範囲内に照射される光を反射
すれば良い。この約80度の範囲は、立体角にすると約
1.65πstradであるので、反射鏡は1.65π
strad以下の立体角を有するもので良い。これによ
って、反射鏡の端部は発光面の高さまで達する必要はな
く、反射鏡の設計自由度が増すとともに、光源から離し
て配置することができる。そして、この反射鏡によっ
て、光源から照射される光をほぼ全て反射して、高い外
部放射効率で外部放射することができる。
の発光面の高さまで達しなくとも高い外部放射効率が得
られるようにすることによって、反射鏡の設計自由度を
増すことができる反射型LEDとなる。
ードは、請求項1または請求項2の構成において、前記
光源は、前記発光素子、前記リードの一部、前記凹状の
反射鏡を封止するとともに、前記発光素子の発光面側に
光放射面を形成する光透過性材料を具備するものであ
る。
光素子が光透過性材料で封止されていることによって発
光素子から発せられる光量が封止されていない場合の約
2倍になる。これによって、光源ひいては反射型LED
の光度が大幅に増加する。そして、発光素子の発光面側
に光放射面が形成されていることによって、発光素子の
周囲に設けられた凹状の反射鏡によって照射範囲が制限
される発光素子から発せられる光をさらに制御して照射
範囲を制限することができる。これによって、光源と対
向して設けられた反射鏡の設計自由度をさらに増すこと
ができる。
ともに反射鏡の設計自由度をさらに増すことができる反
射型LEDとなる。
ードは、請求項3の構成において、前記光放射面は凸レ
ンズであるものである。
光素子の発光面側に凸レンズが形成されていることによ
って、凹状の反射鏡によって照射範囲が制限される発光
素子から発せられる光をさらに集光して照射範囲をより
狭めることができる。これによって、光源と対向して設
けられた反射鏡の端部を発光素子の発光面からさらに離
すことができるので、反射鏡の設計自由度をさらに増す
ことができる。
範囲をさらに狭めることによって反射鏡の設計自由度を
さらに増すことができる反射型LEDとなる。
ードは、請求項3または請求項4の構成において、前記
光放射面は楕円体凸レンズの頂き部分を平面にカットし
た形状であるものである。
範囲が発光面に垂直な軸から所定範囲内に制限される発
光素子から発せられる光のうち、発光面に垂直な軸の周
囲の中心部分の光がそのまままっすぐ照射されず、外側
方向に屈折して斜め方向に照射される。したがって、光
源と対向して配置された反射鏡の中央部分には殆ど光が
当たらないことになるが、この反射鏡の中央部分で反射
された光は対向する光源で遮られて外部には出ないの
で、この反射鏡の中央部分に当たる無駄な光が殆どなく
なることによって発光素子から発せられる光がより有効
に反射されて、外部放射効率がさらに向上することにな
る。また、この構成で全体を小型化しても反射鏡の中央
部分には殆ど光が当たらないことから高い外部放射効率
を維持することができるため、小型化も可能となる。
すことができるとともに外部放射効率がさらに向上し、
小型化も可能な反射型LEDとなる。
ードは、請求項1乃至請求項5のいずれか1つの構成に
おいて、光透過孔を有する遮光部材を有し、前記光源に
対向して設けられた反射鏡は、前記光源からの光を前記
遮光部材の光透過孔に集光した後、外部放射するもので
ある。
し、光透過性材料で塞がれた孔であっても良い。
反射型LEDである。遮光反射型LEDとは、遮光部材
に設けられた光透過孔の大きさを必要最小限とすること
によって、外部からの光が光透過孔を通過して反射鏡で
反射されて再び外部に出ることによって光源の点灯時と
消灯時のコントラストが低下することを防いだ反射型L
EDである。このため、必要最小限の大きさとされた光
透過孔に光源からの光を反射集光して効率良く通過させ
るために、反射鏡の反射面の形状を、光源と複数の光透
過孔とを各焦点とする複数の回転楕円面の一部の集合体
や、光源と光透過孔とを焦点とする楕円の一部を中心軸
周りに回転させた形状等の、特殊な形状とする必要があ
る。
は、発光素子の周囲に凹状の反射鏡を設けることによっ
て、光源と対向して設けられた反射鏡の設計自由度が増
しているため、外部放射効率の高い遮光反射型LEDと
することができる。さらに、本発明の反射型LEDにお
いては、反射鏡を光源から離して設けることができるた
め、光源と光透過孔との位置関係を変えずに光透過孔か
ら放射される光の指向性を高めることができる。これに
よって、外部の2次光学系での制御が容易になり、様々
な応用が可能な遮光反射型LEDとなる。
も外部放射効率が高く、また光透過孔から放射される光
の指向性を高めることができる反射型LEDとなる。
て図面を参照しながら説明する。
参照して説明する。図1(a)は本発明の実施の形態1
にかかる反射型発光ダイオードの光源の構成を示す縦断
面図、(b)は光源の構成を示す底面図である。図2
(a)は本発明の実施の形態1にかかる反射型発光ダイ
オードの全体構成を示す平面図、(b)は縦断面図であ
る。
実施の形態1の反射型LEDの光源1は、発光素子2に
電力を供給する1対のリード3a,3bのうち、一方の
リード3aに凹状の反射鏡3cを設けて、この凹状の反
射鏡3cの底面に発光素子2が銀ペーストでマウントさ
れている。発光素子2の表面の電極と1対のリード3
a,3bのうち他方のリード3bとがワイヤ4でボンデ
ィングされている。そして、発光素子2、1対のリード
3a,3bの一部、凹状の反射鏡3c及びワイヤ4が光
透過性材料としての透明エポキシ樹脂5で封止されて、
発光素子2の発光面側に光放射面(凸レンズ)6が形成
されている。この凸レンズ6は、下半分が楕円体の頂き
部分を平面にカットした形状を有している。さらに、透
明エポキシ樹脂5の外部において、1対のリード3a,
3bは略垂直に2度折り曲げられて基板に実装可能にな
っている。
状の反射鏡3cの底面に発光素子2がマウントされてい
るために発光素子2の発光面から水平方向に出る光も反
射鏡3cで反射されて、発光素子2から出る光は発光面
に垂直な軸から約80度の範囲内に集中して照射され
る。また、光源1を封止している凸レンズ6は、楕円体
の頂き部分を平面にカットした形状を有しているため、
発光素子2の発光面に垂直な中心軸周りに出射される光
は、この平面で外側に屈折して放射される結果、光源1
の真下に当たる部分には殆ど光が放射されないことにな
る。さらに、発光素子2が光透過性材料としての透明エ
ポキシ樹脂5で封止されているために、発光素子2から
放射される光量は、封止されていない場合の約2倍にな
り、光源1の光度も大きくなる。
(a),(b)に示されるように、実装基板7に穿設さ
れた円形の光透過孔7bの中心部に突出して設けられた
実装部7aの下面にハンダ付けで実装される。そして、
実装基板7から離れた位置に、ポリカーボネート樹脂の
凹状の表面にアルミニウム蒸着を施すことにより反射鏡
9を形成した反射基板8が配置されている。このように
して、本実施の形態1の反射型LED10が構成されて
いる。
面に形成されており、反射鏡9の端部は発光素子2の発
光面に垂直な軸から所定範囲内に集中して照射される光
を全て反射する高さ(光源1に対し約1.65πstr
adの立体角)に設定されている。また、光源1からは
真下には殆ど光が照射されないため、反射鏡9の中央部
の反射された光が光源1で遮られる部分には、殆ど光が
照射されない。この結果、光源1から照射された光は全
て反射鏡9で反射されて、回転放物面の回転軸に平行な
方向に、即ち真上に向かって光透過孔7bを通って殆ど
全ての光が外部放射される。これによって、反射型LE
D10は非常に高い外部放射効率が得られる反射型LE
Dとなる。
も光源1の真下にあたる部分には殆ど光が放射されない
ので非常に高い外部放射効率が維持されるため、より小
型化することが可能な反射型LEDとなる。また、発光
素子2の光は発光面に垂直な軸から所定範囲内に集中し
て照射されるため、反射鏡9の端部は発光素子2の発光
面の高さまで近づける必要がなく、反射鏡9を発光素子
2及び実装基板7から離して設けることができる。これ
によって、反射鏡9の設計自由度が増して、種々の対応
が可能となる。
の反射鏡3cは発光素子2から出る光は、発光面に垂直
な軸から約80度の範囲内に集中して照射されるものと
して説明したが、90度範囲内に照射されるものとした
場合でも、発光素子2の側面から発光素子2の背面方向
へ放射される光を反射鏡9へ照射できる効果がある。さ
らに照射範囲角を狭めると反射鏡9の自由度が高まり、
約70度範囲(光源1に対して約1.3πstradの
立体角)内としても十分効果がある。
説明する。図3(a)は本発明の実施の形態2にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
は縦断面図である。
実施の形態2の反射型LED20は、遮光反射型LED
である。即ち、実施の形態1と同様の光源1が実装され
た実装基板13の上には黒色の遮光板14が重ねられ、
これらの実装基板13及び遮光板14からなる遮光部材
に穿設された光透過孔15は幅が狭く、図3(a)に示
されるように上から見ると光源1を中心としてほぼ円形
の、C字型の形状を有している。光源1と対向して、実
装基板13及び遮光板14から離れた位置には、ポリカ
ーボネート樹脂の凹状面にアルミニウム12の蒸着を施
すことにより反射鏡12を形成した反射基板11が配置
されている。このようにして、本実施の形態2の反射型
LED20が構成されている。
15とを焦点とする楕円の一部を光源1の中心軸周りに
回転させた形状を有している。したがって、光源1から
出て反射鏡12の反射面で反射された光は、全て光透過
孔15に集光されて光透過孔15を通過して外部放射さ
れることになる。これによって、本実施の形態2の反射
型LED20は、非常に外部放射効率の高い遮光反射型
LEDとなる。また、光源1の消灯時に光透過孔15を
通過して外部から入ってきた光は、反射鏡12で反射さ
れて全て光源1に達して吸収されるので、点灯時と消灯
時のコントラストの高い遮光反射型LEDとなる。
発光面に垂直な軸から約80度の範囲(光源1に対し約
1.65πstradの立体角)内に集中して照射され
るため、反射鏡12を光源1から離して設けることがで
きる。遮光反射型LEDでは、反射光を光透過孔15を
通して外部放射する必要があるため、指向角を狭くする
ためには、反射鏡12に対する光透過孔15を離して設
ける必要があるが、これによれば光源1と光透過孔15
との位置関係を変えずに光透過孔15から放射される光
の指向性を高めることができる。さらに、光透過孔15
に光学系を備え、配光調整が可能であるが、この場合、
指向性が高い光の方が制御が容易である。これによっ
て、本実施の形態2の反射型LED20は、様々な応用
が可能な遮光反射型LEDとなる。
光源1から離して設けるとした場合について説明した
が、光源1に対し2πstradの立体角を有したもの
でも良い。光源1の発光素子2から出る光は、発光面に
垂直な軸から約80度の範囲内に集中して照射される
(反射鏡周囲部には照射されない)ため、光透過孔15
から放射される光の指向性を高めることができる。
ほぼ円形の形状として、反射鏡12の反射面を光源1と
光透過孔15とを焦点とする楕円の一部を光源1の中心
軸周りに回転させた形状とした場合について説明した
が、遮光反射型LEDとしては、その他にも種々の構成
が可能である。例えば、光透過孔を光源を中心とする正
六角形の各頂点に位置する6個の孔として、反射鏡の反
射面を光源と6個の光透過孔とを各焦点とする6個の回
転楕円面の一部の集合体とする構成としても良い。
びリードの一部等を光透過性材料としての透明エポキシ
樹脂で封止した場合について説明したが、発光素子の周
囲に凹状の反射鏡さえ設ければ、必ずしも樹脂封止しな
くても良い。また、発光素子をマウントするリードは金
属リードフレームによるものに限らず、ガラスエポキシ
回路基板等の上に形成された回路パターンでも良い。ま
た、透明エポキシ樹脂により形成される光放射面を凸レ
ンズとした場合について説明したが、光放射面として
は、平坦面、発光素子を原点とする半球面を始めとして
他にも種々の形状とすることができる。
止材料としての光透過性材料として透明エポキシ樹脂を
使用した例について説明したが、その他にも透明シリコ
ン樹脂を始めとして、硬化前の流動性、充填性、硬化後
の透明性、強度等の条件を満たすものであれば、どのよ
うな光透過性材料を用いても良い。
過孔7b,15を貫通孔とした場合について説明した
が、透明エポキシ樹脂等の光透過性材料で塞がれた孔と
することもできる。
成、形状、数量、材質、大きさ、接続関係等について
も、上記各実施の形態に限定されるものではない。
かかる反射型発光ダイオードは、発光素子と、前記発光
素子に電力を供給するリードと、前記発光素子の周囲に
設けられた凹状の反射鏡とを具備する光源と、前記光源
に対向して設けられた反射鏡とを具備するものである。
源の発光素子の周囲に凹状の反射鏡が設けられているた
めに、発光素子の発光面から発せられた光は水平方向に
は拡散せず、発光面に垂直な軸から所定範囲内に集中し
て照射される。このため、光源に対向して設けられた反
射鏡は、この発光面に垂直な軸から所定範囲内に照射さ
れる光を反射すれば良いので、反射鏡の端部は発光面の
高さまで達する必要はなく、反射鏡の設計自由度が増す
とともに、光源から離して配置することができる。そし
て、この反射鏡によって、光源から照射される光をほぼ
全て反射して、高い外部放射効率で外部放射することが
できる。
の発光面の高さまで達しなくとも高い外部放射効率が得
られるようにすることによって、反射鏡の設計自由度を
増すことができる反射型LEDとなる。
ードは、請求項1の構成において、前記光源に対向して
設けられた反射鏡は、前記光源に対し、1.65πst
rad以下の立体角を有するものである。
の反射鏡が設けられているために、発光素子の発光面か
ら発せられた光は水平方向には拡散せず、発光面に垂直
な軸から約80度の範囲内に集中して照射される。この
ため、光源に対向して設けられた反射鏡は、この発光面
に垂直な軸から約80度の範囲内に照射される光を反射
すれば良い。この約80度の範囲は、立体角にすると約
1.65πstradであるので、反射鏡は1.65π
strad以下の立体角を有するもので良い。これによ
って、請求項1に記載の効果に加えて、反射鏡の端部は
発光面の高さまで達する必要はなく、反射鏡の設計自由
度が増すとともに、光源から離して配置することができ
る。そして、この反射鏡によって、光源から照射される
光をほぼ全て反射して、高い外部放射効率で外部放射す
ることができる。
の発光面の高さまで達しなくとも高い外部放射効率が得
られるようにすることによって、反射鏡の設計自由度を
増すことができる反射型LEDとなる。
ードは、請求項1または請求項2の構成において、前記
光源は、前記発光素子、前記リードの一部、前記凹状の
反射鏡を封止するとともに、前記発光素子の発光面側に
光放射面を形成する光透過性材料を具備するものであ
る。
求項1または請求項2に記載の効果に加えて、発光素子
が光透過性材料で封止されていることによって発光素子
から発せられる光量が封止されていない場合の約2倍に
なる。これによって、光源ひいては反射型LEDの光度
が大幅に増加する。そして、発光素子の発光面側に光放
射面が形成されていることによって、発光素子の周囲に
設けられた凹状の反射鏡によって照射範囲が制限される
発光素子から発せられる光をさらに制御して照射範囲を
制限することができる。これによって、光源と対向して
設けられた反射鏡の設計自由度をさらに増すことができ
る。
ともに反射鏡の設計自由度をさらに増すことができる反
射型LEDとなる。
ードは、請求項3の構成において、前記光放射面は凸レ
ンズであるものである。
光素子の発光面側に凸レンズが形成されていることによ
って、請求項3に記載の効果に加えて、凹状の反射鏡に
よって照射範囲が制限される発光素子から発せられる光
をさらに集光して照射範囲をより狭めることができる。
これによって、光源と対向して設けられた反射鏡の端部
を発光素子の発光面からさらに離すことができるので、
反射鏡の設計自由度をさらに増すことができる。
範囲をさらに狭めることによって反射鏡の設計自由度を
さらに増すことができる反射型LEDとなる。
ードは、請求項3または請求項4の構成において、前記
光放射面は楕円体凸レンズの頂き部分を平面にカットし
た形状であるものである。
記載の効果に加えて、凹状の反射鏡によって照射範囲が
発光面に垂直な軸から所定範囲内に制限される発光素子
から発せられる光のうち、発光面に垂直な軸の周囲の中
心部分の光がそのまままっすぐ照射されず、外側方向に
屈折して斜め方向に照射される。したがって、光源と対
向して配置された反射鏡の中央部分には殆ど光が当たら
ないことになるが、この反射鏡の中央部分で反射された
光は対向する光源で遮られて外部には出ないので、この
反射鏡の中央部分に当たる無駄な光が殆どなくなること
によって発光素子から発せられる光がより有効に反射さ
れて、外部放射効率がさらに向上することになる。ま
た、この構成で全体を小型化しても反射鏡の中央部分に
は殆ど光が当たらないことから高い外部放射効率を維持
することができるため、小型化も可能となる。
すことができるとともに外部放射効率がさらに向上し、
小型化も可能な反射型LEDとなる。
ードは、請求項1乃至請求項5のいずれか1つの構成に
おいて、光透過孔を有する遮光部材を有し、前記光源に
対向して設けられた反射鏡は、前記光源からの光を前記
遮光部材の光透過孔に集光した後、外部放射するもので
ある。
反射型LEDである。遮光反射型LEDとは、遮光部材
に設けられた光透過孔の大きさを必要最小限とすること
によって、外部からの光が光透過孔を通過して反射鏡で
反射されて再び外部に出ることによって光源の点灯時と
消灯時のコントラストが低下することを防いだ反射型L
EDである。このため、必要最小限の大きさとされた光
透過孔に光源からの光を反射集光して効率良く通過させ
るために、反射鏡の反射面の形状を、光源と複数の光透
過孔とを各焦点とする複数の回転楕円面の一部の集合体
や、光源と光透過孔とを焦点とする楕円の一部を中心軸
周りに回転させた形状等の、特殊な形状とする必要があ
る。
は、発光素子の周囲に凹状の反射鏡を設けることによっ
て、光源と対向して設けられた反射鏡の設計自由度が増
しているため、請求項1乃至請求項5のいずれか1つに
記載の効果に加えて、外部放射効率の高い遮光反射型L
EDとすることができる。さらに、本発明の反射型LE
Dにおいては、反射鏡を光源から離して設けることがで
きるため、光源と光透過孔との位置関係を変えずに光透
過孔から放射される光の指向性を高めることができる。
これによって、外部の2次光学系での制御が容易にな
り、様々な応用が可能な遮光反射型LEDとなる。
も外部放射効率が高く、また光透過孔から放射される光
の指向性を高めることができる反射型LEDとなる。
反射型発光ダイオードの光源の構成を示す縦断面図、
(b)は光源の構成を示す底面図である。
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
は縦断面図である。
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
は縦断面図である。
縦断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
するリードと、前記発光素子の周囲に設けられた凹状の
反射鏡とを具備する光源と、 前記光源に対向して設けられた反射鏡とを具備すること
を特徴とする反射型発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記光源に対向して設けられた反射鏡
は、前記光源に対し、1.65πstrad以下の立体
角を有するものであることを特徴とする請求項1に記載
の反射型発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記光源は、前記発光素子、前記リード
の一部、前記凹状の反射鏡を封止するとともに、前記発
光素子の発光面側に光放射面を形成する光透過性材料を
具備することを特徴とする請求項1または請求項2に記
載の反射型発光ダイオード。 - 【請求項4】 前記光放射面は凸レンズであることを特
徴とする請求項3に記載の反射型発光ダイオード。 - 【請求項5】 前記光放射面は楕円体凸レンズの頂き部
分を平面にカットした形状であることを特徴とする請求
項3または請求項4に記載の反射型発光ダイオード。 - 【請求項6】 光透過孔を有する遮光部材を有し、前記
光源に対向して設けられた反射鏡は、前記光源からの光
を前記遮光部材の光透過孔に集光した後、外部放射する
ものであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のい
ずれか1つに記載の反射型発光ダイオード。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001112456A JP3753011B2 (ja) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 反射型発光ダイオード |
US10/118,141 US6641287B2 (en) | 2001-04-11 | 2002-04-09 | Reflective type light-emitting diode |
DE60234661T DE60234661D1 (de) | 2001-04-11 | 2002-04-11 | Reflektive lichtemittierende Diode |
EP02008311A EP1249877B1 (en) | 2001-04-11 | 2002-04-11 | Reflective type light-emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001112456A JP3753011B2 (ja) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 反射型発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002314137A true JP2002314137A (ja) | 2002-10-25 |
JP3753011B2 JP3753011B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=18963867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001112456A Expired - Lifetime JP3753011B2 (ja) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 反射型発光ダイオード |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6641287B2 (ja) |
EP (1) | EP1249877B1 (ja) |
JP (1) | JP3753011B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121222 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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