JPS61214519A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPS61214519A JPS61214519A JP5451485A JP5451485A JPS61214519A JP S61214519 A JPS61214519 A JP S61214519A JP 5451485 A JP5451485 A JP 5451485A JP 5451485 A JP5451485 A JP 5451485A JP S61214519 A JPS61214519 A JP S61214519A
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- JP
- Japan
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- turning
- oblique
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- electron beam
- rectangular
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- Pending
Links
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は可変成形ビーム方式を用いた電子線描画装置に
係り特に傾め図形を高速で描画するのに好適な描画に関
する。
係り特に傾め図形を高速で描画するのに好適な描画に関
する。
従来技術を第１図、第２図第３図を用いて説明する。電
子銃１から放射された電子線２は矩形絞りａ３を通過し
収束レンズ４、及び収束レンズ５により矩形絞りｂ６上
に照射され、矩形絞りａの像を、矩形絞りｂ上に投影す
る。矩形絞りｂを通過した電子線は縮小レンズ７により
任意に縮小され、投影レンズ８により試料上９に矩形絞
りｂの像を投影する。また、描画図形データはＣＰＵ１
０より描画信号発生器１１に送られ、偏向信号に変換さ
れ偏向器１２に転送されて、電子線を偏向し試料９を描
画する。一方、電子線を矩形に成゛形する場合特許公報
間５３−３７７１０号に記載メれている通り第２図に示
すように試料上のＸ−Ｙ軸に平行になるように回転レン
ズ１４で補正されて矩形ビーム１３は形成される。その
ため、第３図に示すように図形Ａは矩形ビーム（ａ）で
、図形Ｂは矩形ビーム（ｂ）で描画されるが１図形Ｃ１
図形りは各々、細長い矩形ビーム（Ｃ）又は（ｄ）によ
って描画されるのでショツト数が多くなり図形Ｃ，Ｄな
どの斜め図形の描画に時間がかかり、スルーブツトを上
げることができなかった。
子銃１から放射された電子線２は矩形絞りａ３を通過し
収束レンズ４、及び収束レンズ５により矩形絞りｂ６上
に照射され、矩形絞りａの像を、矩形絞りｂ上に投影す
る。矩形絞りｂを通過した電子線は縮小レンズ７により
任意に縮小され、投影レンズ８により試料上９に矩形絞
りｂの像を投影する。また、描画図形データはＣＰＵ１
０より描画信号発生器１１に送られ、偏向信号に変換さ
れ偏向器１２に転送されて、電子線を偏向し試料９を描
画する。一方、電子線を矩形に成゛形する場合特許公報
間５３−３７７１０号に記載メれている通り第２図に示
すように試料上のＸ−Ｙ軸に平行になるように回転レン
ズ１４で補正されて矩形ビーム１３は形成される。その
ため、第３図に示すように図形Ａは矩形ビーム（ａ）で
、図形Ｂは矩形ビーム（ｂ）で描画されるが１図形Ｃ１
図形りは各々、細長い矩形ビーム（Ｃ）又は（ｄ）によ
って描画されるのでショツト数が多くなり図形Ｃ，Ｄな
どの斜め図形の描画に時間がかかり、スルーブツトを上
げることができなかった。
一方、スループットを上げるために、斜め図形描画時の
矩形ビーム（ｃ）、（ｄ）を大きくし、ショツト数を減
らすと分解能が荒くなり、斜め図形の描画寸法が低下す
る欠点があった。
矩形ビーム（ｃ）、（ｄ）を大きくし、ショツト数を減
らすと分解能が荒くなり、斜め図形の描画寸法が低下す
る欠点があった。
［発明の目的〕
本発明の目的は、斜め図形を描画する場合、斜め図形の
角度に応じて矩形ビームを回転させ、大きい矩形ビーム
によって斜め図形を描画することによりショツト数を減
らし、高スループツトの描画装置を提供することにある
。
角度に応じて矩形ビームを回転させ、大きい矩形ビーム
によって斜め図形を描画することによりショツト数を減
らし、高スループツトの描画装置を提供することにある
。
本発明は、図形の傾き角に応じた信号を発生する回路を
設け、斜め図形を描画する場合、その図形の傾斜分だけ
、電子線を回転つまり試料上に結像された矩形絞り像を
回転させてショットするようにしたものである。
設け、斜め図形を描画する場合、その図形の傾斜分だけ
、電子線を回転つまり試料上に結像された矩形絞り像を
回転させてショットするようにしたものである。
以下、本発明の一実施例を第４図、第５図、第６図によ
り説明する。第５図に示すように従来方式に回転信号発
生器１５を追加したものであるが、図形の傾きに応じて
矩形絞り像をダイナミックに回転して描画することを特
徴としている。第５図にて、ＣＰＵｌ０より描画図形は
描画信号発生器１１に送られ、描画信号発生器１１にて
描画図形の傾斜角を認識し４回転量号発生器１５に回転
量を送る０回転量号発生器１５で回転量に応じた回転信
号を作成し１回転レンズ１４に送る。第６図に示すよう
に回転レンズ１４によって矩形絞り像はＸ−Ｙ方向に対
して回転する１回転矩形絞り像１６によって第４図に示
す斜め図形（Ｇ）又は、（Ｈ）を描画すれば、斜め図形
を高速で描画可能となる。ここで６図形の傾斜角αが４
５″≦α９０°の時（図形（Ｇ））は１図形（Ｅ）を描
画する時と同様の縦長のビームを−（９０−α）０回転
させた矩形絞り像１７によって描画し、又４図形の傾斜
角αが０くαく４５°の時（図形（Ｈ））は、図形（Ｆ
）を描画する時と同様の横長のビームα°回転させた矩
形絞り像によって描画する。
り説明する。第５図に示すように従来方式に回転信号発
生器１５を追加したものであるが、図形の傾きに応じて
矩形絞り像をダイナミックに回転して描画することを特
徴としている。第５図にて、ＣＰＵｌ０より描画図形は
描画信号発生器１１に送られ、描画信号発生器１１にて
描画図形の傾斜角を認識し４回転量号発生器１５に回転
量を送る０回転量号発生器１５で回転量に応じた回転信
号を作成し１回転レンズ１４に送る。第６図に示すよう
に回転レンズ１４によって矩形絞り像はＸ−Ｙ方向に対
して回転する１回転矩形絞り像１６によって第４図に示
す斜め図形（Ｇ）又は、（Ｈ）を描画すれば、斜め図形
を高速で描画可能となる。ここで６図形の傾斜角αが４
５″≦α９０°の時（図形（Ｇ））は１図形（Ｅ）を描
画する時と同様の縦長のビームを−（９０−α）０回転
させた矩形絞り像１７によって描画し、又４図形の傾斜
角αが０くαく４５°の時（図形（Ｈ））は、図形（Ｆ
）を描画する時と同様の横長のビームα°回転させた矩
形絞り像によって描画する。
本実施例によれば、従来方式に比べて斜め図形を高速に
描画できる。
描画できる。
（発明の効果〕
本発明によれば、斜め図形を描画する時、従来方式に比
べて、描画後の斜め図形の寸法精度を保ちながら、ショ
ツト数を大幅に減少させることができるので、描画図形
寸法精度を低下することなく、スループットを向上させ
ることができる。
べて、描画後の斜め図形の寸法精度を保ちながら、ショ
ツト数を大幅に減少させることができるので、描画図形
寸法精度を低下することなく、スループットを向上させ
ることができる。
第１図、第２図、第３図は従来装置の斜めパターンこの
描画装置を示す同第４園、第５図、第６図は本発明の斜
めパターンの描画装置を示す図である。 ■・・・電子銃、２・・・電子線、３，６・・・矩形絞
り、４．５・・・収速レンズ、７・・・縮小レンズ、９
・・・試料。
描画装置を示す同第４園、第５図、第６図は本発明の斜
めパターンの描画装置を示す図である。 ■・・・電子銃、２・・・電子線、３，６・・・矩形絞
り、４．５・・・収速レンズ、７・・・縮小レンズ、９
・・・試料。
Claims (1)
- １、電子線を発生する手段、前記電子線を矩形絞り上に
照射する手段、矩形絞りを通過した電子線を収束する手
段、矩形絞り像を試料上に投影する手段、試料上を電子
線でもって走査する手段、及び、前記矩形絞りと電子線
を収束する手段の間に回転レンズを設けた電子線描画装
置において、斜め図形の傾き角に応じた信号を発生する
回路を付加し、前記回路より回転レンズに回転信号を与
え、矩形絞り像を回転させて斜め図形を描画することを
特徴とした電子線描画装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5451485A JPS61214519A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5451485A JPS61214519A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214519A true JPS61214519A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=12972753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5451485A Pending JPS61214519A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458104A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Hitachi Ltd | 電子線寸法計測装置 |
| JP2008300830A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | レジスト材料に構造体を形成する方法及び電子ビーム露光装置 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP5451485A patent/JPS61214519A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458104A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Hitachi Ltd | 電子線寸法計測装置 |
| JP2008300830A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | レジスト材料に構造体を形成する方法及び電子ビーム露光装置 |
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