JPS61214462A - 配列型赤外線検知器 - Google Patents
配列型赤外線検知器Info
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- JPS61214462A JPS61214462A JP60053478A JP5347885A JPS61214462A JP S61214462 A JPS61214462 A JP S61214462A JP 60053478 A JP60053478 A JP 60053478A JP 5347885 A JP5347885 A JP 5347885A JP S61214462 A JPS61214462 A JP S61214462A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
- H01L31/1032—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIBVI compounds, e.g. HgCdTe IR photodiodes
-
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエピタキシャル成長した半導体を用いた配列型
赤外線検知器の構造に関するものである。
赤外線検知器の構造に関するものである。
ＨｇＣｄＴｅを用いた赤外線検知器において、エピタキ
シャル成長（気相、液相、分子線）したＨｇＣｄＴｅ単
結晶を用いる場合には、基板としてＣｄＴｅ単結晶が広
く用いられている。ＣｄＴｅが用いられる理由としては
、例えばＨｇｏ、８ＣｄＯ，２Ｔｅを成長させる場合に
は格子定数の違いが、０．３％程度の為、比較的整合性
が良好で良質結晶が得られる事、また、抵抗率はＨｇｏ
、ｅｃ ｄｏ、２Ｔｅの０．０１Ω”ｃｍ程度に対して
ＣｄＴｅは１０８Ω・ｃＩ１１程度の為、絶縁基板とし
て扱える事等がある。
シャル成長（気相、液相、分子線）したＨｇＣｄＴｅ単
結晶を用いる場合には、基板としてＣｄＴｅ単結晶が広
く用いられている。ＣｄＴｅが用いられる理由としては
、例えばＨｇｏ、８ＣｄＯ，２Ｔｅを成長させる場合に
は格子定数の違いが、０．３％程度の為、比較的整合性
が良好で良質結晶が得られる事、また、抵抗率はＨｇｏ
、ｅｃ ｄｏ、２Ｔｅの０．０１Ω”ｃｍ程度に対して
ＣｄＴｅは１０８Ω・ｃＩ１１程度の為、絶縁基板とし
て扱える事等がある。
ＣｄＴｅ基板上にエピタキシャル成長したＨｇＣｄＴｅ
結晶を利用したデバイス形態としては、特に重要なもの
に配列型光起電力検知器と５ｉＣＣＤ（電荷結合素子）
あるいはＭＯＳスイッチング素子を接続したハイブリッ
ド構成がある。その代表的な構成としてはニス・ピー・
アイ・イー〔Ｓ、Ｐ、１．Ｅ、 ４４３ （１９８３）
１２０ ） 、アイ・イー・イー・イー、トランスア
クションズ オン エレクトロン デバイス形態（１，
Ｅ、Ｅ、Ｅ、 Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ旧ｅｃ
ｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＥＤ−２７（１９８０）
１５４ ）に発表されたものがある。これらによる構成
例の断面図を、第３図に示す。第３図において、ｌはＣ
ｄＴｅ、３はＨｇｒ−ｘＣｄＸＴ ｅ （ｘ値は普通０
．２か０、３） 、４はｎ型ＨｇＣｄＴ、、５はＺｎＳ
。
結晶を利用したデバイス形態としては、特に重要なもの
に配列型光起電力検知器と５ｉＣＣＤ（電荷結合素子）
あるいはＭＯＳスイッチング素子を接続したハイブリッ
ド構成がある。その代表的な構成としてはニス・ピー・
アイ・イー〔Ｓ、Ｐ、１．Ｅ、 ４４３ （１９８３）
１２０ ） 、アイ・イー・イー・イー、トランスア
クションズ オン エレクトロン デバイス形態（１，
Ｅ、Ｅ、Ｅ、 Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ旧ｅｃ
ｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＥＤ−２７（１９８０）
１５４ ）に発表されたものがある。これらによる構成
例の断面図を、第３図に示す。第３図において、ｌはＣ
ｄＴｅ、３はＨｇｒ−ｘＣｄＸＴ ｅ （ｘ値は普通０
．２か０、３） 、４はｎ型ＨｇＣｄＴ、、５はＺｎＳ
。
６はｐ側電極、７はｎ側電極、８はＳｉのプロセッサす
なわち、ＣＣＤ又はＭＯＳスイッチアレイである。この
場合、図中下側にＣｄＴｅ基板１がある為、下側から電
極は一切とれず、ｐ側は各素子間で共通の基板３となっ
ており、ｎ側電極７を個々にとってＳｉプロセッサ８に
接続している。
なわち、ＣＣＤ又はＭＯＳスイッチアレイである。この
場合、図中下側にＣｄＴｅ基板１がある為、下側から電
極は一切とれず、ｐ側は各素子間で共通の基板３となっ
ており、ｎ側電極７を個々にとってＳｉプロセッサ８に
接続している。
また、この場合にはｐ側電極６はｐ型基板３の一箇所だ
けからとり、赤外光は図中下側、すなわちＣｄＴｅ基板
ｌ側から入射させる事になる。
けからとり、赤外光は図中下側、すなわちＣｄＴｅ基板
ｌ側から入射させる事になる。
第３図の様な構造の配列型赤外線検知器の欠点としては
、インフラレッド・フィツクス（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ ２１ （１９８１） ３０１ ）に述
べられている様に、解像度を良くできないという事があ
る。この理由は簡単には以下の様である。すなわち、Ｃ
ｄＴｅ側から入射した赤外光はｐ型ＨｇＣｄＴｅの比較
的ＣｄＴｅに近い側で吸収され過剰キャリアが生成され
る。この過剰キャリアが、ｐｎ接合まで拡散していって
出力に寄与する訳であるが、この時、拡散は第３図中上
下方向だけに起きる訳ではなく、左右方向にも起こる。
、インフラレッド・フィツクス（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ ２１ （１９８１） ３０１ ）に述
べられている様に、解像度を良くできないという事があ
る。この理由は簡単には以下の様である。すなわち、Ｃ
ｄＴｅ側から入射した赤外光はｐ型ＨｇＣｄＴｅの比較
的ＣｄＴｅに近い側で吸収され過剰キャリアが生成され
る。この過剰キャリアが、ｐｎ接合まで拡散していって
出力に寄与する訳であるが、この時、拡散は第３図中上
下方向だけに起きる訳ではなく、左右方向にも起こる。
従って、隣のｐｎ接合まで拡散していくといった場合が
起き、素子間クロストークが生じ解像度が劣化する。例
えばＨｇｏ、５Ｃｄｏ、２Ｔｅを用いた波長１０．ｕｍ
帯の赤外線検知器を考えた場合、ｐ型では過剰キャリア
拡散長は数１０〜１１００ＩＪ程度であり、素子間隔が
この長さ以下の時にクロストークが生ずる。
起き、素子間クロストークが生じ解像度が劣化する。例
えばＨｇｏ、５Ｃｄｏ、２Ｔｅを用いた波長１０．ｕｍ
帯の赤外線検知器を考えた場合、ｐ型では過剰キャリア
拡散長は数１０〜１１００ＩＪ程度であり、素子間隔が
この長さ以下の時にクロストークが生ずる。
従って第３図の構造では素子間隔が小さく、解像度の良
好な配列型検知器は作れないという欠点がある。
好な配列型検知器は作れないという欠点がある。
上記の欠点を克服する為には各素子がｐ型基板で完全に
分離している事が必要である。しかし、ｐ型基板で各素
子が分離しているとｎ側だけでなくｐ側の電極も各素子
ごとにとらなければならない為に配線の数が倍増する。
分離している事が必要である。しかし、ｐ型基板で各素
子が分離しているとｎ側だけでなくｐ側の電極も各素子
ごとにとらなければならない為に配線の数が倍増する。
これを同一の面、すなわち第３図中でＨｇＣｄＴｅのあ
る側の面でとると構成が極めて複雑になり、製作は困難
である。
る側の面でとると構成が極めて複雑になり、製作は困難
である。
特に２次元の配列型検知器を考えた場合、この影響は極
めて大きい。
めて大きい。
本発明の目的は、ＣｄＴｅ等の基板の上にエピタキシャ
ル成長したＨｇＣｄＴｅを用いた配列型赤外線検知器に
おいて、良好な解像度、配線の簡易さを兼ね備えた配列
型赤外線検知器を得る事にある。
ル成長したＨｇＣｄＴｅを用いた配列型赤外線検知器に
おいて、良好な解像度、配線の簡易さを兼ね備えた配列
型赤外線検知器を得る事にある。
その目的を達成する為、本発明は配列型赤外線検知器に
おいて、ＣｄＴｅないしＣｄＩ−ｙＺｎｙＴｅＺｎ上に
２値が０．１３以下であるＨｇ１−２Ｃｄ２Ｔｅ層と赤
外線検知部となるＨｇ＋−ｘｃｄＸＴｅのｐ型層及びｎ
型層が順次形成されて成る素子が互いに分離して配列さ
れ、各素子において前記基板側から前記Ｈｇｒ−ｚＣｄ
ｚ Ｔ ｅ層に達する穴を開け、コノ穴を介して前記Ｈ
ｇｒ−ｚｃ ｄｚ Ｔ ｅｒｔｌに電極を付けた事を特
徴としている。
おいて、ＣｄＴｅないしＣｄＩ−ｙＺｎｙＴｅＺｎ上に
２値が０．１３以下であるＨｇ１−２Ｃｄ２Ｔｅ層と赤
外線検知部となるＨｇ＋−ｘｃｄＸＴｅのｐ型層及びｎ
型層が順次形成されて成る素子が互いに分離して配列さ
れ、各素子において前記基板側から前記Ｈｇｒ−ｚＣｄ
ｚ Ｔ ｅ層に達する穴を開け、コノ穴を介して前記Ｈ
ｇｒ−ｚｃ ｄｚ Ｔ ｅｒｔｌに電極を付けた事を特
徴としている。
以下、第１図、第２図に従って本発明の実施例について
説明する。第１図は一実施例を示す断面図であり、１は
ＣｄＴｅ基板、２はＨｇｏ、５７ＣｄＯ，１３Ｔ”のエ
ピタキシャル層、３はＨｇ ｏ、ｅ Ｃｄ Ｏ，２Ｔｅ
のｐ型エピタキシャル層、４はＨｇ ｏ、ａ Ｃｄ Ｏ
，２Ｔｅのｎ型層、５はＺｎＳ、６はｐ側電極、７はｎ
側電極であり、波長１０μｍ程度の配列型赤外線検知器
となっている。この検知器の特徴はＣｄＴｅ基板上に）
［ｇ Ｏ，８？ Ｃｄ ６．１３ Ｔ ｅをエピタキシ
ャル成長させ、その上に赤外線検知部となるＨｇ０ＪＣ
ｄＯ，２Ｔｅを成長させ、ＣｄＴｅ基板に穴をあけてｐ
側のＨｇｏ、５Ｃｄ（１，２Ｔｅから電極をとり出した
事である。
説明する。第１図は一実施例を示す断面図であり、１は
ＣｄＴｅ基板、２はＨｇｏ、５７ＣｄＯ，１３Ｔ”のエ
ピタキシャル層、３はＨｇ ｏ、ｅ Ｃｄ Ｏ，２Ｔｅ
のｐ型エピタキシャル層、４はＨｇ ｏ、ａ Ｃｄ Ｏ
，２Ｔｅのｎ型層、５はＺｎＳ、６はｐ側電極、７はｎ
側電極であり、波長１０μｍ程度の配列型赤外線検知器
となっている。この検知器の特徴はＣｄＴｅ基板上に）
［ｇ Ｏ，８？ Ｃｄ ６．１３ Ｔ ｅをエピタキシ
ャル成長させ、その上に赤外線検知部となるＨｇ０ＪＣ
ｄＯ，２Ｔｅを成長させ、ＣｄＴｅ基板に穴をあけてｐ
側のＨｇｏ、５Ｃｄ（１，２Ｔｅから電極をとり出した
事である。
第２図はこの検知器の製造工程を示した図である。まず
、第２図（１）に示す様に、ＣｄＴｅ基板１上にＨｇｏ
、ａ７Ｃｄｏ、＋３Ｔ ８層２をエピタキシャル成長（
気相、液相、分子線等）させる、さらにその上に、第２
図（２）に示す様に、検知部となるｐ型のＨｇｏ、ａＣ
ｄｏ、２Ｔ ｅ層３を同様にエピタキシャル成長させる
０次に、第２図（３）に示す様に、エツチング等の方法
で素子となりうる部分の外側のＨｇｏ、ｓ７Ｃｄｏ、＋
３Ｔ ８層２、ｐ型層 ｇ Ｏ，８Ｃｄ ｇ、２ Ｔ
６層３を除去する。この工程で素子分離が行われる。次
に、第２図（４）に示す様に、ＣｄＴｅ基板上にイオン
ミリング、エツチング等の方法を用いてＨｇｏ、８７
Ｃｄｏ、＋３Ｔ ６層２に達する穴を開け、第２図（５
）に示す様に、この穴にスパッタリング等の方法でｐ側
の電極６を付ける。
、第２図（１）に示す様に、ＣｄＴｅ基板１上にＨｇｏ
、ａ７Ｃｄｏ、＋３Ｔ ８層２をエピタキシャル成長（
気相、液相、分子線等）させる、さらにその上に、第２
図（２）に示す様に、検知部となるｐ型のＨｇｏ、ａＣ
ｄｏ、２Ｔ ｅ層３を同様にエピタキシャル成長させる
０次に、第２図（３）に示す様に、エツチング等の方法
で素子となりうる部分の外側のＨｇｏ、ｓ７Ｃｄｏ、＋
３Ｔ ８層２、ｐ型層 ｇ Ｏ，８Ｃｄ ｇ、２ Ｔ
６層３を除去する。この工程で素子分離が行われる。次
に、第２図（４）に示す様に、ＣｄＴｅ基板上にイオン
ミリング、エツチング等の方法を用いてＨｇｏ、８７
Ｃｄｏ、＋３Ｔ ６層２に達する穴を開け、第２図（５
）に示す様に、この穴にスパッタリング等の方法でｐ側
の電極６を付ける。
次に、第２図（６）に示す様に、ｎ型層４をイオン注入
又はエピタキシャル成長によって作り、第２図（７）に
示す様に、絶縁、かつ結晶表面保護の為にＺｎＳ膜５を
付け、最後に第２図（８）に示す様に、ｎ側電極７を付
ける。
又はエピタキシャル成長によって作り、第２図（７）に
示す様に、絶縁、かつ結晶表面保護の為にＺｎＳ膜５を
付け、最後に第２図（８）に示す様に、ｎ側電極７を付
ける。
この方法におけるＨ ｇｏ、ｓ７Ｃｄｇ、１３ Ｔ ６
層２の作用を以下に述べる。混晶半導体であるＨ ｇ
ｒ−ｘ ＣｄｘＴｅは、例えばセミコンダクターズ ア
ンドセミメタルズ 第１８巻（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒｓ ａｎｄＳｅｍｉＩＩＩｅｔａｌｓ Ｖｏｌ、１
８ （１９８１） Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ）で
述べられている様に、そのＸ値、すなわちＣｄの組成比
や温度によってエネルギーギャップが変化する。ＨｇＣ
ｄＴｅを用いた赤外線検知器は通常液体窒素で冷却して
使用され、その時の温度は７７にである。この温度での
Ｈｇｏ、ａ７Ｃｄｏ、＋コＴ ｅのエネルギーギャップ
は零ｅＶであり、Ｘが０６１３以下の時、Ｈｇ＋−ｘＣ
ｄｘＴ ｅは半導体とはいえず、通常の導体となる。従
って、ｎ側電極６は導体を介してｐ型層 ｇｏ、ａｃ
ｄ（１，２Ｔ ６層３と接している事になり、第１図の
構造においてＣｄＴｅ側からｐ型の電極がとれる事にな
る。もしＨｇｏ、ｓ７Ｃｄ １）、１３ Ｔ ６層２が
無く、ｎ側電極６を直接ｐ型Ｈｇｏ、ａｃ ｄ（１，２
Ｔ ６層３に接触させると、穴を開ける際にこの層に結
晶欠陥を生じさせ、検知器の特性に悪影響を与る。また
、検知器が良好な特性を得るにはｐ型層３の厚さは数１
０μｍ程度が好ましく、この場合には穴を開ける際の深
さの許容誤差は１０μｍ以下が必要となる。しかし、本
発明によれば、Ｈｇｏ、ａｖ Ｃｄｏ、＋３Ｔ ６層２
を充分厚くすれば、この層に欠陥を生ずるだけであり、
検出部となるｐ型層３には悪影響を与えないので、検知
器の特性に影響を与えず、また、穴開けの際の許容誤差
も充分大きくなる。
層２の作用を以下に述べる。混晶半導体であるＨ ｇ
ｒ−ｘ ＣｄｘＴｅは、例えばセミコンダクターズ ア
ンドセミメタルズ 第１８巻（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒｓ ａｎｄＳｅｍｉＩＩＩｅｔａｌｓ Ｖｏｌ、１
８ （１９８１） Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ）で
述べられている様に、そのＸ値、すなわちＣｄの組成比
や温度によってエネルギーギャップが変化する。ＨｇＣ
ｄＴｅを用いた赤外線検知器は通常液体窒素で冷却して
使用され、その時の温度は７７にである。この温度での
Ｈｇｏ、ａ７Ｃｄｏ、＋コＴ ｅのエネルギーギャップ
は零ｅＶであり、Ｘが０６１３以下の時、Ｈｇ＋−ｘＣ
ｄｘＴ ｅは半導体とはいえず、通常の導体となる。従
って、ｎ側電極６は導体を介してｐ型層 ｇｏ、ａｃ
ｄ（１，２Ｔ ６層３と接している事になり、第１図の
構造においてＣｄＴｅ側からｐ型の電極がとれる事にな
る。もしＨｇｏ、ｓ７Ｃｄ １）、１３ Ｔ ６層２が
無く、ｎ側電極６を直接ｐ型Ｈｇｏ、ａｃ ｄ（１，２
Ｔ ６層３に接触させると、穴を開ける際にこの層に結
晶欠陥を生じさせ、検知器の特性に悪影響を与る。また
、検知器が良好な特性を得るにはｐ型層３の厚さは数１
０μｍ程度が好ましく、この場合には穴を開ける際の深
さの許容誤差は１０μｍ以下が必要となる。しかし、本
発明によれば、Ｈｇｏ、ａｖ Ｃｄｏ、＋３Ｔ ６層２
を充分厚くすれば、この層に欠陥を生ずるだけであり、
検出部となるｐ型層３には悪影響を与えないので、検知
器の特性に影響を与えず、また、穴開けの際の許容誤差
も充分大きくなる。
また、ＣｄＴｅ上に直接Ｈｇｏ、６Ｃｄｇ、２Ｔ ｅを
成長させる場合、その格子定数の差は０．３％であるが
、Ｈｇｏ、ａｙ Ｃｄｏ、Ｉ３ Ｔ ｅ上にＨｇｏ、ａ
Ｃｄｏ２Ｔｅを成長させる場合、その差は０．０２％以
下である。従って、ＣｄＴｅ基板上に成長させた時より
も転位密度の低い良質な結晶を得る事ができ、検知器の
特性も向上する。
成長させる場合、その格子定数の差は０．３％であるが
、Ｈｇｏ、ａｙ Ｃｄｏ、Ｉ３ Ｔ ｅ上にＨｇｏ、ａ
Ｃｄｏ２Ｔｅを成長させる場合、その差は０．０２％以
下である。従って、ＣｄＴｅ基板上に成長させた時より
も転位密度の低い良質な結晶を得る事ができ、検知器の
特性も向上する。
さらに、ジャーナル オブ エレクトロニックマテリア
ルズ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ＭａＬｅｒｉａｌｓ １１ （１９８２） １３３ ）
で述べられている様に、ＣｄＴｅ基板の代わりに、Ｃｄ
、ｙＺｎｙ ’ｌ’ｅ （ｙは数％）を用いれば、Ｈｇ
ｏ、８７ Ｃｄｏ、１３ Ｔ ｅと基板との格子不整合
も０．１％以下になり、極めて良質のＨｇｏ、ｅ７Ｃｄ
ｏ、＋３Ｔ ｅが得られ、その上のＨｇ ｏ、ａ Ｃｄ
Ｏ，２Ｔ ｅの質もさらに向上する。
ルズ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ＭａＬｅｒｉａｌｓ １１ （１９８２） １３３ ）
で述べられている様に、ＣｄＴｅ基板の代わりに、Ｃｄ
、ｙＺｎｙ ’ｌ’ｅ （ｙは数％）を用いれば、Ｈｇ
ｏ、８７ Ｃｄｏ、１３ Ｔ ｅと基板との格子不整合
も０．１％以下になり、極めて良質のＨｇｏ、ｅ７Ｃｄ
ｏ、＋３Ｔ ｅが得られ、その上のＨｇ ｏ、ａ Ｃｄ
Ｏ，２Ｔ ｅの質もさらに向上する。
本発明においては第３図の構造とは逆に、赤外光は上側
、すなわちｎ型層 ｇｇ、６Ｃｄｏ、２Ｔ ｅ層４のあ
る側から入射させる事になる。また、ｎ側電極７を全素
子間で共通にし、ｎ側電極６を別々にとる事が可能であ
る。ｐ側電極は絶縁性のＣｄＴｅ基板上にあり、この面
には配線以外は何もない為、配線が極めてＷｉ単ごあり
、素子はｐ型基板で分離されている為に、解像度の良好
なものが得られる。
、すなわちｎ型層 ｇｇ、６Ｃｄｏ、２Ｔ ｅ層４のあ
る側から入射させる事になる。また、ｎ側電極７を全素
子間で共通にし、ｎ側電極６を別々にとる事が可能であ
る。ｐ側電極は絶縁性のＣｄＴｅ基板上にあり、この面
には配線以外は何もない為、配線が極めてＷｉ単ごあり
、素子はｐ型基板で分離されている為に、解像度の良好
なものが得られる。
また、Ｓｉプロセッサを第１図中下側から接続したハイ
ブリッド構成をとった場合に、第３図の例と比べてその
接続作業は著しく簡単になる。
ブリッド構成をとった場合に、第３図の例と比べてその
接続作業は著しく簡単になる。
以上説明した様に、本発明によれば、ＣｄＴｅないしＣ
ｄ＋−ｙＺ ｎｙ Ｔ ｅ基板上にエピタキシャル成長
させたＨｇＣｄＴｅを用いた配列型赤外線検知器におい
て、解像度を向上させ、かつ配線の複雑化を減少させる
事が可能である。また、Ｓｉプロセッサとの接続も従来
に比べて容易であり、高性能かつ製作も比較的容易な配
列型赤外線検知器を得る事ができる。
ｄ＋−ｙＺ ｎｙ Ｔ ｅ基板上にエピタキシャル成長
させたＨｇＣｄＴｅを用いた配列型赤外線検知器におい
て、解像度を向上させ、かつ配線の複雑化を減少させる
事が可能である。また、Ｓｉプロセッサとの接続も従来
に比べて容易であり、高性能かつ製作も比較的容易な配
列型赤外線検知器を得る事ができる。
第１図は本発明の配列型赤外線検知器の一実施例の断面
図、 第２図はその製造工程を示す断面図、 第３図は従来の配列型赤外線検知器をＳｉプロセッサに
接続したハイブリッド構造の例を示す図である。 １・・・・・ＣｄＴｅ基板 ２・・・・・Ｈｇｏ８７ｃｄｏ１３Ｔｅ層３・・・・・
赤外線検知部となるｐ型Ｈｇｏ、ｓＣｄ ｇ、２ Ｔ
ｅ層 ４・・・・・ｎ型Ｈｇｏ、ａｃ ｄ６．２Ｔ ｅ層５・
・・・・ＺｎＳ膜 ６・・・・・ｐ側電極 ７・・・・・ｎ側電極 ８・・・・・Ｓｉプロセッサ
図、 第２図はその製造工程を示す断面図、 第３図は従来の配列型赤外線検知器をＳｉプロセッサに
接続したハイブリッド構造の例を示す図である。 １・・・・・ＣｄＴｅ基板 ２・・・・・Ｈｇｏ８７ｃｄｏ１３Ｔｅ層３・・・・・
赤外線検知部となるｐ型Ｈｇｏ、ｓＣｄ ｇ、２ Ｔ
ｅ層 ４・・・・・ｎ型Ｈｇｏ、ａｃ ｄ６．２Ｔ ｅ層５・
・・・・ＺｎＳ膜 ６・・・・・ｐ側電極 ７・・・・・ｎ側電極 ８・・・・・Ｓｉプロセッサ
Claims (1)
- （１）ＨｇＣｄＴｅを用いた配列型赤外線検知器におい
て、ＣｄＴｅないしＣｄ＿１＿−＿ｙＺｎ＿ｙＴｅ基板
上にｚ値が０．１３以下であるＨｇ＿１＿−＿ｚＣｄ＿
ｚＴｅ層と赤外線検知部となるＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿
ｘＴｅのｐ型層及びｎ型層が順次形成されて成る素子が
互いに分離して配列され、各素子において前記基板側か
ら前記Ｈｇ＿１＿−＿ｚＣｄ＿ｚＴｅ層に達する穴を開
け、この穴を介して前記Ｈｇ＿１＿−＿ｚＣｄ＿ｚＴｅ
層に電極を付けた事を特徴とする配列型赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053478A JPS61214462A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 配列型赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053478A JPS61214462A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 配列型赤外線検知器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214462A true JPS61214462A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=12943953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60053478A Pending JPS61214462A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 配列型赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214462A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2665800A1 (fr) * | 1990-08-07 | 1992-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Photodetecteur a substrat semiconducteur composite et procede de fabrication. |
| US5132761A (en) * | 1989-06-29 | 1992-07-21 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for forming an infrared detector having a refractory metal |
| US5185648A (en) * | 1990-09-12 | 1993-02-09 | U.S. Philips Corp. | Plural-wavelength infrared detector devices |
| WO2009004376A2 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Durham Scientific Crystals Ltd | Semiconductor device structure and method of manufacture thereof |
| JP2009186475A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Panalytical Bv | 画像化検出器 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP60053478A patent/JPS61214462A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132761A (en) * | 1989-06-29 | 1992-07-21 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for forming an infrared detector having a refractory metal |
| FR2665800A1 (fr) * | 1990-08-07 | 1992-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Photodetecteur a substrat semiconducteur composite et procede de fabrication. |
| US5185648A (en) * | 1990-09-12 | 1993-02-09 | U.S. Philips Corp. | Plural-wavelength infrared detector devices |
| WO2009004376A2 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Durham Scientific Crystals Ltd | Semiconductor device structure and method of manufacture thereof |
| WO2009004376A3 (en) * | 2007-06-29 | 2009-02-26 | Durham Scient Crystals Ltd | Semiconductor device structure and method of manufacture thereof |
| JP2010532306A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ダーハム サイエンティフィック クリスタルズ リミテッド | 半導体デバイス構造及びその製造方法 |
| JP2009186475A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Panalytical Bv | 画像化検出器 |
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