FR2665800A1 - Photodetecteur a substrat semiconducteur composite et procede de fabrication. - Google Patents
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Abstract
Un photodétecteur comprend un substrat en semiconducteur composé (5), une couche d'absorption de lumière ayant une bande d'énergie interdite plus étroite que celle du substrat, une couche de transition (2) qui est intercalée entre le substrat et la couche d'absorption de lumière et qui a une bande d'énergie interdite de largeur intermédiaire entre celles du substrat et de la couche d'absorption de lumière, au moins une cavité (6a) traversant le substrat et la couche de transition jusqu'à la couche d'absorption de lumière, une région (3) ayant un type de conductivité opposé à celui de la couche d'absorption de lumière, et formée dans cette dernière, au fond de la cavité, et des première et seconde électrodes (7, 8), respectivement en contact avec la région de type de conductivité opposé (3) et avec la couche d'absorption de lumière (1)
Description
i
PHOTODETECTEUR A SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR
COMPOSITE ET PROCEDE DE FABRICATION
La présente invention concerne un photodétecteur, destiné en particulier à la détection de la lumière infra-
rouge, qui présente un très faible courant de fuite de surface, et elle concerne également un procédé de fabrica-
tion de ce photodétecteur. La figure 6 est une coupe d'un photodétecteur de l'art antérieur destiné à la détection de la lumière infra-
rouge, qui est décrit dans la demande de brevet japonaise publiée 1246878 Le photodétecteur de la figure 6 comprend une couche d'absorption de lumière en tellurure de cadmium- mercure (Cdx Hg,_x Te) disposée sur un substrat en tellurure de cadmium (Cd Te), 5 Une région dopée 3 se trouvant sur15 une surface de la couche de Cdx Hglx Te, du côté opposé au substrat 5, forme une jonction pn 4 à l'intérieur de la couche 1 Une électrode 7 est en contact avec la région dopée 3 et une électrode 8 est en contact avec la partie non dopée de la couche d'absorption de lumière 1 Des20 régions 10 en Cd Hg, S Te, mutuellement espacées, sont disposées sur la surface de la couche d'absorption de
lumière 1 en Cdx Hgl_x Te, elles recouvrent partiellement des régions dopées 3 respectives, et elles sont électriquement isolées des électrodes 7 et 8 par des couches isolantes25 intercalées 11.
De façon caractéristique, on fait fonctionner des 2 photodétecteurs infrarouges du type représenté sur la figure 6 à une température réduite, comme la température de l'azote liquide ( 77 K), pour détecter de la lumière infra- rouge dans la bande de dix microns, c'est-à-dire de la 5 lumière ayant des longueurs d'onde qui vont d'environ huit microns à environ douze microns La lumière infrarouge incidente 9 traverse le substrat 5 à bande interdite plus large, et elle atteint la couche d'absorption de lumière 1, à bande interdite plus étroite, dans laquelle la lumière
est absorbée, ce qui produit des porteurs de charge qui sont collectés sous la forme d'un photocourant par l'inter-
médiaire des électrodes 7 et 8. Les figures 7 (a) 7 (f) illustrent un procédé de fabrication du photodétecteur de l'art antérieur qui est représenté sur la figure 6 Comme le montre la figure 7 (a), on fait croître sur un substrat 5 en Cd Te, une couche d'absorption de lumière 1 en Cdx Hglx Te de type p, avec x = 0,2 De plus, on fait croître sur la couche de semicon- ducteur 1 une couche mince 10 en semiconducteur de type p20 consistant en Cdx Hglx Te, avec x = 0,3 On fait croître les couches de semiconducteurs 1 et 10 par des techniques classiques telles que le dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (ou MOCVD), ou l'épitaxie en phase liquide (ou LPE) Du fait que la couche de semiconducteur25 10 a une teneur en cadmium proportionnellement plus élevée que celle de la couche d'absorption de lumière 1, elle a une bande d'énergie interdite plus large que celle de la couche 1. Comme le montre la figure 7 (b), on ouvre une ouverture dans la couche de semiconducteur 10 pour mettre à nu la couche d'absorption de lumière 1 Ensuite, on dépose une couche de sulfure de zinc (Zn S) (non représentée), jusqu'à une épaisseur d'environ un micron, sur la couche d'absorption de lumière 1 On forme ensuite par des techni-35 ques photolithographiques classiques un masque de gravure ayant une ouverture qui est plus grande que l'ouverture dans la couche de semiconducteur 10, et qui englobe l'ouverture dans la couche 10. On forme la région de type N 3 dans la couche d'absorption de lumière 1 par la diffusion ou l'implanta- tion ionique d'impuretés de dopage dans la couche d'absorp- tion de lumière 1, pour produire la jonction pn 4 Du fait que l'ouverture dans le masque 20 est plus grande que l'ouverture dans la couche de semiconducteur 10, une région10 étroite 10 a, dopée avec le type n, à l'intérieur de l'ouverture dans le masque 20, se forme dans la couche de
semiconducteur 10, comme représenté sur la figure 7 (d). Ensuite, on enlève le masque 20 et la région dopée 10 a dans la couche de semiconducteur 10, pour produire la structure15 qui est représentée sur la figure 7 (e).
Enfin, on achève la formation de la structure du dispositif, comme représenté sur la figure 7 (f), en dépo-
sant la pellicule isolante 11, en ouvrant une première ouverture dans la pellicule isolante 11 au niveau de la20 région dopée 3, et une seconde ouverture dans la pellicule isolante 11, à distance de la région dopée 3, et en formant
les électrodes 7 et 8 dans les ouvertures respectives. L'une des caractéristiques les plus importantes de tout photodétecteur est l'intensité du courant d'obscu-
rité, c'est-à-dire le courant qui circule à travers le photodétecteur polarisé lorsque aucune lumière infrarouge ne tombe sur le photodétecteur Le courant d'obscurité est une sorte de bruit Un faible courant d'obscurité indique un faible bruit et un photodétecteur de qualité élevée,30 ayant un rapport signal à bruit (S/B) élevé Dans un photodétecteur, c'est-à-dire une photodiode, de type idéal, le courant d'obscurité est limité par la diffusion de porteurs de charge ou la recombinaison de porteurs de charge dans la région de désertion, au niveau de la jonction pn Cepen-35 dant, dans un photodétecteur réel, il existe des courants 4 supplémentaires qui contribuent au courant d'obscurité total Par exemple, un courant de fuite circule le long de surfaces à nu de la jonction pn du photodétecteur, ce qui augmente le courant d'obscurité et diminue le rapport S/B. 5 Dans le photodétecteur de la figure 6, la couche de semiconducteur 10 à bande d'énergie interdite plus large est disposée sur la surface de la couche d'absorption de lumière 1, et recouvre la jonction pn à la surface de la couche d'absorption de lumière 1, dans le but de réduire le10 courant de fuite de surface Dans le mode de réalisation spécifique du photodétecteur qui est décrit en relation avec la figure 6, la bande d'énergie interdite de la couche d'absorption de lumière 1 est d'environ 0,12 e V, et la bande d'énergie interdite de la couche de semiconducteur 1015 est de 0,25 e V A une température de fonctionnement de 77 K, le courant de fuite de surface est réduit d'un facteur de 104 par rapport à une structure similaire ne comportant pas la couche de semiconducteur 10. La figure 8 montre une couche schématique d'un dispositif imageur comprenant un photodétecteur ayant la structure de la figure 6, et un circuit de transfert de charge comprenant un dispositif à couplage de charge (ou CCD) 13 Sur toutes les figures, les éléments identiques ou correspondants sont désignés par les mêmes références numé-25 riques Sur la figure 8, le circuit de transfert de charge comprend un substrat en silicium de type p, 14, dans lequel sont formées un ensemble de régions de type n, 15 Une pellicule électriquement isolante 16 sur la substrat 14 comprend des ouvertures qui donnent accès aux régions de30 type N 15 et au substrat 14 Des électrodes 17 sont dispo- sées dans chacune des ouvertures dans la pellicule isolante 16 o une région de type N 15 est présente Une électrode 18 est disposée dans une ouverture dans la pellicule élec- triquement isolante 16 au niveau de laquelle le substrat 14 de type p est à nu Des blocs 12 en indium sont disposés entre des paires respectives d'électrodes 7 et 17 et d'électrodes 8 et 18 du photodétecteur et du CCD 13, et ils établissent des connexions électriques entre ces électro- des La lumière infrarouge 9 tombe sur la face arrière du substrat 5, traverse le substrat 5 avec une faible absorp- tion, et elle est absorbée dans la couche d'absorption de lumière 1, en produisant des porteurs de charge qui sont collectés sous la forme de photocourants par les électrodes 7 et 8 respectives Les photocourants sont conduits vers le CCD 13 et ils sont fournis par ce dernier sous la forme d'un signal de sortie représentant une image de la lumière incidente. Dans la structure de photodétecteur de la figure 6, la couche de semiconducteur 10 doit être relativement
mince De plus, la nécessité de faire croître deux couches, c'est-à- dire les couches 1 et 10, ayant des bandes d'éner-
gies interdites différentes, augmente la complexité du processus de fabrication La difficulté que l'on rencontre pour faire croître une couche très mince et pour maîtriser20 un changement de la bande d'énergie interdite, réduit le rendement en photodétecteurs acceptables que l'on peut produire en utilisant le processus représenté sur les figures 7 (a) 7 (f) En outre, pour accéder à la couche de semiconducteur 1 à travers la couche 10, il est nécessaire25 de préparer une surface non plane L'absence d'une surface plane augmente la probabilité que la pellicule isolante 11 se décolle des couches 1 et 10, et augmente la difficulté que l'on rencontre pour interconnecter la structure de photodétecteur avec le CCD 13, en employant les blocs 12 en30 indium La surface non plane peut conduire à la formation de vides lorsque les blocs d'indium sont formés par dépôt en phase vapeur et par une étape de décollement Du fait que le CCD 13 est fixé au photodétecteur portant les blocs d'indium 12, par compression du photodétecteur et du CCD35 13, la planéité des électrodes 17 et 18 du CCD 13 est moins
6 importante que la planéité des électrodes 7 et 8.
La présente invention vise à résoudre les problè- mes décrits ci- dessus Un but important de l'invention est de procurer une structure de photodétecteur dans laquelle 5 des courants de fuite de surface sont réduits, et qui comprend une seule couche formée par croissance, absorbant la lumière infrarouge incidente. Un autre but important de l'invention est de procurer un procédé de fabrication d'une structure de photodétecteur dans laquelle des courants de fuite de surface sont réduits et dans laquelle on ne doit faire croître qu'une seule couche absorbant la lumière infrarouge incidente. Un but supplémentaire de l'invention est de procurer une structure de photodétecteur et un procédé de fabrication de la structure de photodétecteur dans laquelle
le courant de fuite de surface est réduit, et qui comprend des électrodes planes pour permettre de connecter aisément le photodétecteur à d'autres circuits au moyen d'électrodes20 ayant la forme de protubérances, telles que des blocs d'indium.
Selon un aspect de l'invention, un photodétecteur comporte un substrat en semiconducteur composé comprenant des premier et second éléments et ayant une première bande25 d'énergie interdite, une couche d'absorption de lumière en semiconducteur composé d'un premier type de conductivité, comprenant l'un au moins des premier et second éléments, et ayant une seconde bande d'énergie interdite, plus étroite que la première bande d'énergie interdite, une couche de30 transition ayant une bande d'énergie interdite au moins aussi large que la seconde bande d'énergie interdite, et pas plus large que la première bande d'énergie interdite, disposée entre le substrat et la couche d'absorption de lumière, en étant en contact avec eux, au moins une pre-35 mière cavité qui s'étend à travers le substrat et la couche 7 de transition, jusqu'à la couche d'absorption de lumière, une région d'un second type de conductivité, disposée dans la couche d'absorption de lumière, au niveau de la première cavité, une première électrode disposée dans la première 5 cavité, en contact avec la région du second type de conduc- tivité, et une seconde électrode disposée en contact avec la couche d'absorption de lumière du premier type de conductivité. Un autre aspect de l'invention porte sur un
procédé de fabrication d'un photodétecteur, comprenant la formation d'une couche d'absorption de lumière en semicon-
ducteur d'un premier type de conductivité, ayant une pre- mière bande d'énergie interdite, sur un substrat semicon- ducteur ayant une seconde bande d'énergie interdite plus15 large que la première bande d'énergie interdite, et compre- nant des premier et second éléments, cette formation de couche étant effectuée à une température élevée, de façon que l'un des premier et second éléments diffuse à partir de l'un des substrats vers la couche d'absorption de lumière,20 et forme une couche de transition entre le substrat et la couche d'absorption de lumière, ayant une bande d'énergie interdite au moins aussi large que la première bande d'énergie interdite et pas plus large que la seconde bande d'énergie interdite, la formation d'une première cavité25 s'étendant à travers le substrat et la couche de transition jusqu'à la couche d'absorption de lumière, la formation d'une région d'un second type de conductivité dans la couche d'absorption de lumière, au niveau de la cavité, la formation d'une première électrode dans la cavité, en30 contact avec la région du second type de conductivité, et la formation d'une seconde électrode en contact avec la
couche d'absorption de lumière du premier type de conducti- vité. D'autres caractéristiques et avantages de l'in-
vention seront mieux compris à la lecture de la description
8 qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre
d'exemples non limitatifs La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est une coupe montrant la structure
d'un mode de réalisation d'un photodétecteur conforme à l'invention. La figure 2 est une représentation graphique montrant la variation de x dans Cdx Hgl_,Te, le long de la ligne A-A' de la figure 1.10 Les figures 3 (a) 3 (e) sont des coupes qui illustrent un procédé de fabrication d'un photodétecteur
conforme à l'invention. La figure 4 est une coupe qui illustre un autre mode de réalisation d'un photodétecteur conforme à l'in-
vention.
La figure 5 est une coupe d'une structure de formation d'image qui met enoeuvreun mode de réalisation d'un photodétecteur conforme à l'invention. La figure 6 est une coupe d'un photodétecteur de
l'art antérieur.
Les figures 7 (a) 7 (f) sont des coupes qui illustrent un procédé de fabrication du photodétecteur de la figure 6. La figure 8 est une coupe d'une structure de formation d'image qui met en oeuvre le photodétecteur de la figure 6, cette structure comme le photodétecteur étant conformes à l'art antérieur. La figure 1 est une coupe d'un photodétecteur de lumière infrarouge conforme à un mode de réalisation de l'invention Sur la figure 1, une couche d'absorption de lumière en Cdx Hg 1-x Te est disposée sur le substrat 5 en
Cd Te, avec interposition d'une couche de transition 2 entre le substrat 5 et la couche 1 Le photodétecteur comprend deux régions de type n, 3, disposées à l'intérieur de par-35 ties de la couche de transition 2 et de la couche d'absorp-
9 tion de lumière 1 Des cavités 6 a respectives s'étendent à travers le substrat 5 jusqu'à des régions dopées 3 corres- pondantes Une électrode respective 7 est disposée sur le substrat 5 à l'intérieur de chacune des cavités 6 a, et elle 5 est en contact avec une région dopée 3 respective Une partie pratiquement plane de chaque électrode 7 est placée sur la surface avant du substrat 5, c'est-à-dire du côté opposé à la couche d'absorption de lumière 1 en Cdc Hg, x Te. Une autre cavité 6 b s'étend à travers le substrat 5 et la10 couche de transition 2, jusqu'à la couche d'absorption de lumière 1 Une électrode 8 est disposée dans la cavité 6 b, en contact avec la couche d'absorption de lumière 1 Une partie pratiquement plane de l'électrode 8 est placée sur la surface avant du substrat 5.15 Une caractéristique importante de l'invention réside dans la couche de transition 2 dans laquelle les proportions de cadmium et de mercure varient en fonction de la position dans la direction de l'épaisseur, c'est-à-dire entre le substrat 5 et la couche d'absorption de lumière 1.20 Cette variation est représentée sur la figure 2 qui est une représentation graphique de la proportion de cadmium en fonction de la position le long de la ligne A- A' de la figure 1, à travers le substrat 5, la couche de transition 2 et la couche d'absorption de lumière 1 Comme représenté
sur la figure 2, le substrat 5 consiste en Cd Te, c'est-à- dire en Cdx Hgl x Te dans lequel x = 1 La couche d'absorp-
tion de lumière 1 consiste également en Cd X Hgj x Te dans lequel x a une valeur fixée, par exemple 0,2 Dans la couche de transition 2, la valeur de x change progressive-30 ment en passant de 1 à 0,2 du substrat 5 jusqu'à la couche d'absorption de lumière 1.
Les étapes des figures 3 (a) 3 (e) illustrent un procédé de fabrication du photodétecteur de la figure 1.
Initialement, on fait croître sur un substrat en Cd Te35 d'environ 500 microns d'épaisseur, une couche d'absorption
de lumière 1 en Cd 0,2 Hg O 8 Te de type p jusqu'à une épais-
seur d'environ 20 microns On accomplit le processus de croissance à une température relativement élevée, par exem- ple environ 480 'C, pendant une durée suffisante, par exem- 5 ple environ 40 minutes, de façon que des atomes de cadmium diffusent du substrat 5 vers la couche d'absorption de lumière 1 à l'interface entre le substrat et la couche d'absorption de lumière 1, pendant le processus de crois- sance De cette manière, la couche de transition 2 est10 formée pendant le processus de croissance, et elle a par exemple une épaisseur d'environ 2 à 3 microns La figure
3 (a) représente la structure qui résulte de l'opération de croissance.
Après l'achèvement du processus de croissance, comme représenté sur la figure 3 (b), on forme les cavités 6 a et 6 b qui pénètrent à travers le substrat 5 et la couche de transition 2, pour mettre à nu la couche d'absorption de lumière 1 Les cavités sont formées de préférence par érosion ionique ou par un autre processus de gravure par voie sèche, bien qu'on puisse également former les cavités 6 a et 6 b par gravure par voie humide Après la formation des cavités 6 a, on forme les régions 3 de type N de la
figure 3 (c) dans la couche de semiconducteur 1, par exemple par implantation ionique de bore, ou par diffusion d'une25 impureté de dopage donnant une conductivité de type n, comme le mercure ou l'indium.
On applique ensuite des électrodes sur la struc- ture Les électrodes 7 de la figure 3 (d) qui viennent en contact avec les régions de type N 3 sont préparées par le30 dépôt d'un métal, tel que du chrome, dans chacune des cavités 6 a, et partiellement sur la surface avant du substrat 5, c'est-à-dire la surface qui est opposée à la couche d'absorption de lumière 1 Une électrode du côté p. 8, est formée par le dépôt d'or dans la cavité 6 b, comme représenté sur la figure 3 (e) L'électrode 8 vient en il contact avec la couche d'absorption de lumière 1 dans la cavité 6 b o aucune région de type N ou aucune jonction pn n'a été formée. Selon une variante, l'électrode en or 8 peut être formée directement sur la surface arrière, c'est-à-dire la surface de réception de lumière, du photodétecteur La
figure 4 représente une telle structure dans laquelle l'électrode 8 est directement formée sur la surface qui résulte de la croissance de la couche d'absorption de10 lumière 1 Dans ce processus, l'étape de la figure 4 remplace l'étape de la figure 3 (f).
Dans le photodétecteur de la figure 1, le subs- trat 5 a une bande d'énergie interdite relativement grande, et la couche de transition 2 a une bande d'énergie inter-15 dite de valeur intermédiaire entre les bandes d'énergie interdites du substrat 5 et de la couche d'absorption de lumière 1 En fait, la couche de transition 2 a fondamen- talement la même bande d'énergie interdite que le substrat 5 à l'interface avec ce dernier, et elle a fondamentalement
la même bande d'énergie interdite que la couche d'absorp- tion de lumière 1 à l'interface avec cette dernière Lors-
que la lumière infrarouge 9 tombe sur la surface arrière du photodétecteur, c'est-à-dire directement sur la couche d'absorption de lumière 1, la lumière est absorbée et elle25 produit des paires électrontrou Les porteurs de charge qui atteignent l'une des jonctions pn 4 sont collectés et ils produisent un photocourant Du fait que la couche d'absorption de lumière 1 est relativement épaisse, presque tout le rayonnnement infrarouge incident qui peut être30 absorbé dans cette couche est effectivement absorbé, et une très faible fraction de la lumière infrarouge incidente
reste disponible pour une absorption possible dans la couche de transition 2. Dans le photodétecteur de la figure 1, les jonc-
tions pn 4 ne sont à nu sur aucune surface En outre, ces 12 jonctions pn 4 coupent la couche de transition 2 qui, en moyenne, a une bande d'énergie interdite plus large que la couche d'absorption de lumière 1, ce qui réduit notablement la fuite de courant, exactement comme dans le photodétec- 5 teur de l'art antérieur de la figure 6 De plus, la couche de transition 2 à bande d'énergie interdite relativement large ne résulte pas d'une étape de croissance séparée, comme dans le photodétecteur de la figure 6, mais est le résultat naturel du processus de croissance lorsqu'on fait10 croître la couche d'absorption de lumière 1 sur le substrat Par conséquent, des défauts qui peuvent apparaître à une interface entre des couches de semiconducteurs que l'on fait croître au cours d'étapes différentes ne peuvent pas apparaître dans l'invention et contribuer à la fuite de15 courant en surface De plus, aucune mesure spéciale visant à maîtriser les conditions de croissance n'est nécessaire pour produire une couche mince avec une bande d'énergie interdite, et une couche plus épaisse avec une bande d'énergie interdite différente.20 La figure 5 montre une coupe schématique d'un dispositif imageur qui met en oeuvre un photodétecteur conforme à l'invention Chacune des électrodes 7 et 8 comporte une partie respectivement pratiquement plane 7 ' et 8 ' qui s'étend du côté avant du photodétecteur Ces parties planes des électrodes sont employées pour constituer des bases pour les blocs d'indium 12 que l'on utilise à titre
d'électrodes en forme de protubérances interconnectant le photodétecteur au CCD 13, comme représenté sur la figure 5. Du fait que ces parties d'électrodes sont planes, la forma-30 tion des électrodes en forme de protubérances 12 et leur interconnexion avec le CCD 13 sont simplifiées en comparai-
son avec les structures de l'art antérieur des figures 6 et 8.
Bien qu'on ait décrit en détail une structure de photodétecteur comprenant des matériaux particulièrement
13 utiles pour la détection de la lumière infrarouge, l'in-
vention n'est pas limitée aux matériaux spécifiques décrits, ni à la détection d'une longueur d'onde particu- lière quelconque de lumière Une caractéristique importante 5 de l'invention consiste dans l'utilisation d'une couche d'absorption de lumière en semiconducteur composé, ayant une bande d'énergie interdite plus étroite que la bande d'énergie interdite d'un substrat sur lequel la couche est formée, et dans l'utilisation d'une couche de transition10 intermédiaire ayant une bande d'énergie interdite intermé- diaire, et qui est formée par la diffusion d'un élément du substrat semiconducteur composé dans la couche en cours de croissance, pendant le processus de croissance Cette caractéristique est indépendante des matériaux spécifiques15 qui sont utilisés dans un mode de réalisation de l'inven- tion A la place des matériaux du mode de réalisation spécifique décrit, on pourrait utiliser un substrat en tellurure de cadmium-zinc (Cd Zn Te) et une couche d'absorp- tion de lumière en Cd Te On peut également appliquer l'in- 20 vention à des photodétecteurs constitués par des matériaux semiconducteurs composés du type III-V, comme l'arséniure de gallium (Ga As) et l'arséniure d'indium-gallium (In Ga As). Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits
et représentés, sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (8)
1 Un photodétecteur caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat en semiconducteur composé ( 5) comprenant des premier et second éléments et ayant une 5 première bande d'énergie interdite; une couche d'absorption de lumière en semiconducteur composé d'un premier type de conductivité ( 1), comprenant l'un au moins des premier et second éléments, et ayant une seconde bande d'énergie interdite, plus étroite que la première bande d'énergie10 interdite; une couche de transition ( 2) ayant une bande d'énergie interdite au moins aussi large que la seconde bande d'énergie interdite et pas plus large que la première bande d'énergie interdite, placée entre le substrat ( 5) et la couche d'absorption de lumière ( 1), et en contact avec15 eux; au moins une première cavité ( 6 a) s'étendant à travers le substrat ( 5) et la couche de transition ( 2) jusqu'à la couche d'absorption de lumière ( 1); une région d'un second type de conductivité ( 3) placée dans la couche d'absorption de lumière ( 1), au niveau de la première cacité ( 6 a); une20 première électrode ( 7) placée dans la première cavité ( 6 a), en contact avec la région du second type de conductivité
( 3); et une seconde électrode ( 8) placée en contact avec la couche d'absorption de lumière du premier type de conduc-
tivité ( 1).25 2 Photodétecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première électrode ( 5) comprend une partie pratiquement plane qui est placée sur le subs- trat ( 5). 3 Photodétecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une seconde cavité ( 6 b) qui s'étend à travers le substrat ( 5) et la couche de transition ( 2) jusqu'à la couche d'absorption de lumière du premier type de conductivité ( 1) dans laquelle est placée la seconde électrode ( 8).35 4 Photodétecteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la seconde électrode ( 8) comprend une
partie pratiquement plane qui est placée sur le substrat ( 5).
Photodétecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend un ensemble de régions du second type de conductivité ( 3), placées dans la couche d'absorption de lumière ( 1), des cavités respectives ( 6 a) qui s'étendent à travers le substrat ( 5) et la couche de transition ( 2) jusqu'aux régions du second type de conduc- 10 tivité respectives ( 3), et un ensemble de premières élec- trodes ( 7) qui sont placées dans les cavités respectives en contact avec les régions du second type de conductivité respectives ( 3). 6 Photodétecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde électrode ( 8) est placée sur la couche d'absorption de lumière ( 1) du côté opposé au substrat ( 5).
7 Photodétecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier élément consiste en cadmium, le second élément consiste en tellure et la couche d'absorption de lumière ( 1) consiste en tellurure de cadmium-mercure. 8 Photodétecteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche d'absorption de lumière ( 1) est du type p et la région du second type de conductivité
( 3) contient du bore, donnant la conductivité de type n.
9 Photodétecteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche d'absorption de lumière ( 1)
est du type p, et la région du second type de conductivité30 ( 3) contient de l'indium ou du mercure à titre d'impureté de dopage donnant la conductivité de type n.
Photodétecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concentration de l'un des premier et second éléments dans la couche de transition ( 2) varie35 entre le substrat ( 5) et la couche d'absorption de lumière ( 1) 11 Photodétecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'absorption de lumière ( 1) est formée sur le substrat ( 5) à une température élevée, et la couche de transition ( 2) est formée pendant la formation 5 de la couche d'absorption de lumière ( 1), par diffusion de l'un des premier et second éléments à partir du substrat
( 5) vers la couche d'absorption de lumière ( 1) en cours de formation.
12 Procédé de fabrication d'un photodétecteur, caractérisé par les opérations suivantes: on forme une couche d'absorption de lumière en semiconducteur d'un premier type de conductivité ( 1), ayant une première bande d'énergie interdite, sur un substrat semiconducteur ( 5) ayant une seconde bande d'énergie interdite plus large que15 la première bande d'énergie interdite, et comprenant des premier et second éléments, en procédant à une température
élevée, de façon que l'un des premier et second éléments diffuse à partir du substrat ( 5) vers la couche d'absorp-
tion de lumière ( 1), et forme une couche de transition ( 2)20 entre le substrat ( 5) et la couche d'absorption de lumière, cette couche de transition ayant une bande d'énergie inter-
dite au moins aussi large que la première bande d'énergie interdite et pas plus large que la seconde bande d'énergie interdite; on forme une première cavité ( 6 a) s'étendant à25 travers le substrat ( 5) et la couche de transition ( 2), jusqu'à la couche d'absorption de lumière ( 1); on forme une région d'un second type de conductivité ( 3) dans la couche d'absorption de lumière ( 1), au niveau de la cavité ( 6 a); on forme une première électrode ( 7) dans la cavité ( 6 a), en30 contact avec la région du second type de conductivité ( 3); et on forme une seconde électrode ( 8) en contact avec la
couche d'absorption de lumière du premier type de conducti- vité ( 1). 13 Procédé selon la revendication 12, caracté-
risé en ce qu'on forme une seconde cavité ( 6 b) qui s'étend à travers le substrat ( 5) et la couche de transition ( 2), jusqu'à la couche d'absorption de lumière ( 1), et on forme
la seconde électrode ( 8) dans la seconde cavité ( 6 b), en contact avec la couche d'absorption de lumière du premier 5 type de conductivité ( 1).
14 Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 12 ou 13, caractérisé en ce qu'on forme la seconde
électrode ( 8) avec une partie pratiquement plane placée sur le substrat ( 5).
15 Procédé selon la revendication 12, caracté- risé en ce qu'on forme un ensemble de premières cavités ( 6 a) dans le substrat ( 5), ces premières cavités s'étendant à travers le substrat ( 5) et la couche de transition ( 2), jusqu'à la couche d'absorption de lumière ( 1); on forme une
région d'un second type de conductivité ( 3) dans la couche d'absorption de lumière ( 1) au niveau de chacune des pre-
mières cavités ( 6 a); et on forme des premières électrodes respectives ( 7) dans chacune des premières cavités ( 6 a), en contact avec les régions du second type de conductivité20 respectives ( 3).
16 Procédé selon la revendication 12, caracté- risé en ce qu'on forme la seconde électrode ( 8) sur la
couche d'absorption de lumière du premier type de conducti- vité ( 1), du côté opposé au substrat ( 5).25 17 Procédé selon la revendication 12, dans lequel le substrat ( 5) est en tellurure de cadmium, carac-
térisé en ce qu'on forme la couche d'absorption de lumière ( 1) en tellurure de cadmium-mercure.
18 Procédé selon la revendication 17, dans lequel la couche d'absorption de lumière ( 1) est du type p. caractérisé en ce qu'on implante des ions bore dans la couche d'absorption de lumière ( 1), pour former la région du second type de conductivité ( 3). 19 Procédé selon la revendication 17, dans lequel la couche d'absorption de lumière ( 1) est du type p, caractérisé en ce qu'on diffuse des atomes de mercure ou d'indium dans la couche d'absorption de lumière ( 1), pour
former la région du second type de conductivité ( 3).
Procédé selon la revendication 12, caracté-
risé en ce qu'on forme la région du second type de conduc- tivité ( 3) par l'implantation ionique ou la diffusion d'impuretés de dopage dans la couche d'absorption de
lumière ( 1).
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|---|---|---|---|---|
| US5646066A (en) * | 1995-03-01 | 1997-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming electrical contact to the optical coating of an infrared detector from the backside of the detector |
| US6800836B2 (en) * | 2000-07-10 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system |
| US7973380B2 (en) * | 2005-11-23 | 2011-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for providing metal extension in backside illuminated sensor for wafer level testing |
| GB0712618D0 (en) * | 2007-06-29 | 2007-08-08 | Durham Scient Crystals Ltd | Semiconductor device structure and method of manufacture thereof |
| EP2088451B1 (fr) * | 2008-02-05 | 2016-01-06 | PANalytical B.V. | Détecteur d'imagerie |
| US8686471B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-04-01 | Drs Rsta, Inc. | Minority carrier based HgCdTe infrared detectors and arrays |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2281650A1 (fr) * | 1974-08-06 | 1976-03-05 | Telecommunications Sa | Procede de fabrication d'une photodiode sensible aux rayonnements infrarouges et photodiode obtenue par ce procede |
| JPS61214462A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器 |
| JPH01246878A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光検知素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2095905B (en) * | 1981-03-27 | 1985-01-16 | Philips Electronic Associated | Infra-red radiation imaging devices and methods for their manufacture |
| GB2207802B (en) * | 1982-08-27 | 1989-06-01 | Philips Electronic Associated | Thermal-radiation imaging devices and systems,and the manufacture of such imaging devices |
| FR2592740B1 (fr) * | 1986-01-08 | 1988-03-18 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur photovoltaique en hgcdte a heterojonction et son procede de fabrication |
| FR2633101B1 (fr) * | 1988-06-16 | 1992-02-07 | Commissariat Energie Atomique | Photodiode et matrice de photodiodes sur hgcdte et leurs procedes de fabrication |
-
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-
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- 1991-08-02 US US07/739,507 patent/US5187378A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-06 GB GB9116934A patent/GB2246907B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-07 FR FR9110063A patent/FR2665800B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2281650A1 (fr) * | 1974-08-06 | 1976-03-05 | Telecommunications Sa | Procede de fabrication d'une photodiode sensible aux rayonnements infrarouges et photodiode obtenue par ce procede |
| JPS61214462A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器 |
| JPH01246878A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光検知素子 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART A. vol. 4, no. 4, Juillet 1986, NEW YORK US pages 1986 - 1991; Y. NEMIROVSKY ET AL.: 'Gate-controlled Hg1-xCdxTe photodiodes passivated with native sulfides' * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 11, no. 51 (E-480)(2498) 17 Février 1987 & JP-A-61 214 462 ( NEC CORP. ) 24 Septembre 1986 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 13, no. 584 (E-866)22 Décembre 1989 & JP-A-1 246 878 ( MITSUBISHI ELECTRIC CORP. ) 2 Octobre 1989 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| GB9116934D0 (en) | 1991-09-18 |
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