FR2598033A1 - Cellule solaire amorphe - Google Patents

Cellule solaire amorphe Download PDF

Info

Publication number
FR2598033A1
FR2598033A1 FR8606189A FR8606189A FR2598033A1 FR 2598033 A1 FR2598033 A1 FR 2598033A1 FR 8606189 A FR8606189 A FR 8606189A FR 8606189 A FR8606189 A FR 8606189A FR 2598033 A1 FR2598033 A1 FR 2598033A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
layer
amorphous
solar cell
layers
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8606189A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2598033B1 (fr
Inventor
Yoshinori Yukimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of FR2598033A1 publication Critical patent/FR2598033A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2598033B1 publication Critical patent/FR2598033B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
    • H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Abstract

L'INVENTION PORTE SUR UNE CELLULE SOLAIRE AYANT UNE STRUCTURE P-I-N (OU N-I-P), DANS LAQUELLE CHAQUE COUCHE P OU N A UNE STRUCTURE A DEUX COUCHES COMPRENANT UNE COUCHE DE SEMICONDUCTEUR AMORPHE 22, 41 ET UNE COUCHE DE SEMICONDUCTEUR MICROCRISTALLIN 21, 42, ET DANS LAQUELLE LES DEUX COUCHES ONT LE MEME TYPE DE CONDUCTIVITE ET LA COUCHE DE SEMICONDUCTEUR AMORPHE SE TROUVE DU COTE DE LA COUCHE.

Description

CELLULE SOLAIRE AMORPHE
La présente invention concerne une cellule solaire amorphe qui est prometteuse pour la fabrication d'une cellule solaire économique, et elle porte en particulier sur une structure de cellule appropriée pour l'amélioration du rendement.
La figure 3 est une coupe montrant une cellule solaire amorphe de l'art antérieur. Sur la figure 3, la référence 1 désigne un substrat et la référence 2 désigne une couche 10 de semiconducteur de type n qui est formée sur le substrat 1.
La référence 3 désigne une couche de semiconducteur de type i, la référence 4 désigne une couche de semiconducteur de type p, la référence 5 désigne une électrode transparente et la référence 6 désigne une électrode en forme de grille. On utilise 15 pour les couches de semiconducteur de type n et p 2 et 4 une couche de semiconducteur dans un état amorphe ou une couche
de semiconducteur microcristallin. Un semiconducteur amorphe de type p ou n contenant des impuretés a une résistivité élevée et une bande d'énergie interdite étroite, et il est sus20 ceptible de donner lieu à une absorption de lumière, entraînant ainsi une perte. De ce fait, on utilise depuis quelque temps un semiconducteur microcristallin à la place du semiconducteur amorphe.
On fait fonctionner le dispositif de la manière 25 suivante.
Lorsque la surface de l'électrode transparente 5 reçoit de la lumière, des paires d'électrons et de trous positifs sont produites dans le semiconducteur de type i qui
est dans un état amorphe, et les électrons et les trous posi-
tifs sont respectivement attirés vers les couches de semiconducteur de type n et p, 2 et 4, par l'effet de champ interne des semiconducteurs de type p et n, 2 et 4. Il en résulte que des nombres d'électrons ou de trous positifs supérieurs à ceux qui correspondent à l'équilibre thermique existent respectivement dans les semiconducteurs de type n et p, 2 et 4. Ces électrons ou ces trous positifs en excédent circulent par un circuit externe vers une charge connectée à cette cellule
solaire, ce qui produit de l'énergie électrique.
Dans une cellule solaire utilisant un tel semiconducteur amorphe, on considère que seule la couche de semiconducteur de type i, 3, est une région active principale, du fait que les électrons et les trous positifs qui sont créés
dans les couches p et n disparaissent très rapidement par leur 15 recombinaison.
Pour éliminer les inconvénients d'une telle cellule solaire amorphe de l'art antérieur, on a tenté de remplacer le semiconducteur amorphe par un semiconducteur microcristallin pour les couches de semiconducteur de type n et de type p, 20 2 et 4, dans le but de diminuer la résistivité et d'augmenter la largeur de la bande d'énergie interdite. Cependant, dans ce cas, des centres de recombinaison sont créés à la frontière entre la couche microcristalline et la couche amorphe, et les centres de recombinaison et les trous positifs ou les élec25 trons se recombinent mutuellement pendant que les électrons et les trous positifs en excédent qui--sont produits dans la couche i se déplacent respectivement vers les couches n et p, 2 et 4. Ceci fait apparaltre un problème qui consiste en ce que le courant photoélectrique qu'on cherche à produire est 30 réduit du fait de la diminution du nombre des électrons et
des trous positifs en excédent.
Une autre cellule solaire amorphe de l'art antérieur est décrite dans un article de Y. Hamakawa, H. Okamoto et Y. Nitta, intitulé "A new type of amorphous silicon photovoltaic 35 cell generating more than 2.0V", Applied Physics Letters, Vol. , pages 187 à 189, 1979. Cet article décrit un dispositif qui est obtenu en empilant un ensemble de cellules pin et en réalisant les connexions entre les cellules par des jonctions p/n. Dans ce dispositif, les couches p et n sont en silicium 5 amorphe, et l'échange de porteurs entre les électrons et les trous positifs, c'est-à- dire une recombinaison, a lieu dans
ces couches amorphes.
Une autre cellule solaire amorphe de l'art antérieur est décrite dans la demande de brevet japonaise publiée n
Sho. 55-141765. Dans cette cellule solaire, la couche de connexion de la cellule pin consiste en une couche de type "thermet" en Pt.
Un but de l'invention est de procurer une cellule solaire amorphe ayant une structure de cellule capable de ré15 duire le nombre de centres de recombinaison aux surfaces p-i et n-i, de réduire la résistivité du chemin des électrons et des trous positifs, et de réduire les pertes par absorption
de lumière.
L'invention procure une cellule solaire amorphe ayant une structure p-i-n (ou n-i-p), dans laquelle la couche p ou la couche n est une structure à deux couches comprenant une couche de semiconducteur amorphe et une couche de semiconducteur microcristallin, et dans laquelleiles deux couches
ont le même type de conductivité et la couche de semiconduc25 teur amorphe se trouve du côté de la couche i.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la
description détaillée qui va suivre de modes de réalisation,
donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés sur lesquels:
La figurel est une coupe montrant une cellule solaire amorphe correspondant à un mode de réalisation de l'invention; La figure 2 est une coupe montrant une cellule solaire amorphe à structure en tandem correspondant à un autre 35 mode de réalisation de l'invention; et
La figure 3 est une coupe montrant une cellule solaire amorphe de l'art antérieur.
On va maintenant considérer spécialement la figure 1 pour expliquer l'invention.
Sur la figure 1, les éléments qui correspondent à
ceux de la figure 3 sont désignés par les mêmes références. Les références 21 et 22 désignent respectivement une couche de semiconducteur microcristallin de type n et une couche de semiconducteur amorphe de type n, et les deux couches 21 et 22 constituent conjointement une couche n. La couche de semicon-
ducteur microcristallin de type n 21 comprend un pourcentage molaire d'atomes de phosphore de 0,1 à 1%, et elle est formée de façon à avoir une épaisseur dans la plage de 10 à 50 nm. De façon similaire, la couche de semiconducteur amorphe de type n 15 22 comprend un pourcentage molaire d'atomes de phosphore de 0,1 à 1%,et elle est formée de façon à avoir une épaisseur dans la plage de i à 5 nm. Les références 41 et 42 désignent respectivement une couche de semiconducteur amorphe de type p et une couche de semiconducteur microcristallin de type p, et 20 les deux couches 41 et 42 constituent conjointement une couche 30 -35
p. La couche de semiconducteur amorphe de type p 41 contient des atomes de bore en un pourcentage molaire de 0,1 à 1%,et elle est formée de façon à avoir une épaisseur dans la plage de 1 à 5 nm, et la couche de semiconducteur microcristallin de type p 42 contient des atomes de bore en un pourcentage molaire de 0,1 à 1%,et elle est formée de façon à avoir une épaisseur dans la plage de 2 à 10 nm.
On décrira ci-après la fonction de la structure à
deux couches comprenant la couche amorphe et la couche microcristalline. Bien qu'il y ait une petite différence de fonctionnement entre les types n et p, on l'ignorera dans la description qui suit, du fait qu'elle n'a que peu d'influence sur l'effet de l'invention.
Un semiconducteur amorphe ayant une épaisseur dans la plage de 2 à 3 distances interatomiques a une structure interne très similaire à celle qu'on trouve à l'intérieur d'une couche monocristalline. Par contre, dans un semiconducteur amorphe ayant une épaisseur supérieure à cette plage,
la distance interatomique comme l'angle de combinaison de5 viennent irréguliers.
Au contraire, une couche microcristalline ayant une épaisseur dans la plage de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres a une structure très similaire à celle de la couche monocristalline, et il existe une région dans laquelle le réseau cristallin est assez perturbé, à la frontière entre les domaines cristallins. Dans une telle région perturbée, des atomes non appariés sont inactivés par des atomes d'hydrogène. Lorsque la couche amorphe et la couche microcristalline sont en contact mutuel, on peut s'attendre à ce que les régions perturbées ne soient pas parfaitement inactivées par des atomes d'hydrogène, faisant ainsi apparaître un défaut. En fait, les caractéristiques de la jonction ne sont pas très bonnes. Le défaut est également produit par le fait que les propriétés de la couche amorphe sont perturbées sous 20 l'effet d'une variation importante des conditions de croissance, comme l'augmentation de la puissance de haute fréquence dans la croissance de la couche microcristalline, après la
croissance de la couche amorphe.
Lorsque ces défauts existent à la surface frontière 25 de la jonction p-i ou n-i, comme dans le dispositif de l'art antérieur, ces défauts se comportent comme des centres de recombinaison qui empêchent les trous positifs ou les électrons de circuler vers la couche i, ce qui réduit le courant photoélectrique. Cependant, dans ce mode de réalisation, les jonc30 tion p-i et n-i sont constituées par deux semiconducteurs amorphes, et la jonction comprenant le semiconducteur amorphe
et le semiconducteur microcristallin constitue une jonction p-p ou n-n. Dans une telle structure, on peut ignorer l'influence des défauts à la frontière entre la couche amorphe et 35 la couche microcristalline, du fait qu'un grand nombre de cen-
tres de recombinaisons existent à l'origine, à la surface fron-
tière de la jonction p-pou n-n. En outre, l'utilisation de la couche microcristalline à résistivité faible et à bande interdite à énergie élevée, diminue effectivement les pertes par absorption de lumière, et permet également d'obtenir de bonnes caractéristiques électriques. Comme décrit ci-dessus, chacune des couches p et n de la cellule solaire amorphe est dotée d'une structure à deux couches comprenant une couche de semiconducteur amorphe et une 10 couche de semiconducteur microcristallin, et les jonctions p-i et n-i sont constituées uniquement par des semiconducteurs amorphes, ce qui conduit à des jonctions p-i et n-i ayant une très petite quantité de centres de recombinaison. En outre, les couches amorphes p et n 22 et 41 sont formées de façon à 15 être minces, c'est-à-dire qu'elles ont une épaisseur de 1 à 5 nm, ce qui a pour effet de réduire dans une large mesure la perte affectant le photocourant. L'utilisation des couches microcristallines n et"p confère au dispositif une résistivité
suffisamment faible.
Ceci permet aux niveaux de Fermi d'être placés au voisinage de la bande de conduction et de la bande de valence, ce qui conduit à une cellule solaire à puissance de sortie
élevée, ayant une tension à vide élevée qui correspond à la différence entre les niveaux de Fermi dans les jonctions p-i 25 et n-i.
Dans le mode de réalisation qui est représenté, les couches p et n sont constituées par une couche amorphe et par
une couche microcristalline, mais la couche n qui se trouve du côté du substrat peut être constituée uniquement par une 30 couche amorphe.
La figure 2 montre un autre mode de réalisation de l'invention dans lequel l'invention est appliquée à une cellule solaire amorphe ayant une structure en tandem (pin/pin/ pin... ou nip/nip/...). Dans une cellule solaire ayant une telle structure en tandem, la jonction p-n qui se trouve dans la partie centrale doit être constituée par une couche mince (cette caractéristique permettant d'obtenir de faibles pertes par absorption de la lumière), ayant une résistivité élevée (cette caractéristique permettant d'obtenir un courant de 5 crête élevé) et une bande d'énergie interdite large. Bien qu'une couche microcristalline convienne pour une telle couche, il apparaît un problème consistant dans la perte de courant qui résulte des centres de recombinaison existant à la
frontière entre la couche microcristalline et la couche amor10 phe i.
De ce point de vue, chaque couche parmi les couches p et n de la structure en tandem est constituée par une couche amorphe et par une couche microcristalline, et la couche amorphe est placée dans ce mode de réalisation du côté de la 15 couche i. Une telle structure permet d'obtenir une cellule
solaire à rendement élevé, comme dans le premier mode de réalisation représenté sur la figure 1.
Sur la figure 2, les références 31 et 32 désignent des couches de semiconducteur de type i, les références 411 20 et 421 désignent des couches de semiconducteur amorphe de type p. et les références 412 et 422 désignent des couches de semiconducteur microcristallin de type p, chacune d'elles constituant une couche p en association avec la couche amorphe oaxresni te, 411 et 421. Les références 413 et 414 dési25 gnent respectivement une couche de semiconducteur monocristallin de type n et une couche de semiconducteur amorphe de
type n. Les deux couches 413 et 414 forment une couche n.
L'invention est applicable à une cellule solaire amorphe de type n-i-p, et elle est également applicable à 30 une structure intégrée dans laquelle la structure p-i-n ou n-i-p est subdivisée, et la couche supérieuresp (ou n) et la couche inférieuren (ou p) sont connectées l'une à l'autre par une interconnexion à l'aide d'électrodes, cette structure
procurant des effets identiques à ceux décrits ci-dessus.
L'invention est en outre applicable à une cellule solaire dans laquelle la bande d'énergie interdite de chaque couche i de la structure pin/pin/.. ./pin devient de plus en plus étroite au fur et à mesure qu'on s'éloigne de la surface de réception de la lumière solaire, de façon à permettre l'utilisation de la lumière correspondant à diverses régions de longueur d'onde dans une partie du spectre de la lumière solaire. Comme décrit cidessus et conformément à l'invention, chacune des couches p et n de la cellule solaire amor10 phe est constituée par une structure à deux couches, comprenant une couche de semiconducteur amorphe et une couche de semiconducteur microcristallin, et la couche amorphe est placée du côté de la couche i. Une telle structure permet de réduire considérablement le nombre de centres de recombinai15 son aux frontières des jonctions p-i et n-i, et elle permet de diminuer la résistivité du chemin qu'empruntent les électrons et les trous positifs, ce qui conduit à une cellule
solaire ayant une puissance de sortie élevée.
Il va de soi que de nombreuses modifications peu20 vent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans
sortir du cadre de l'invention.

Claims (4)

REVENDICATIONS
1. Cellule solaire amorphe ayant une structure p-i-n (ou n-i-p), caractérisée en ce que chaque couche p ou n (41, 42; 21, 22) est une structure à deux couches comprenant une couche de semiconducteur amorphe (22, 41) et une couche de semiconducteur microcristallin (21, 42), et en ce que les deux couches ont le même type de conductivité et la couche de semiconducteur amorphe (22, 41) se trouve du côté de la couche
i (3).
2. Cellule solaire amorphe selon la revendication 1, comprenant un ensemble de structures p-i-n (ou n-i-p), caractérisée en ce que toutes les couches p et n (411, 412; 421,
422; 21, 22; 413, 414) ont une structure à deux couches.
3. Cellule solaire amorphe selon la revendication 1, 15 comprenant un ensemble de structures p-i-n, caractérisée en ce que la couche i (31, 32) de la structure p-i-n a une bande d'énergie interdite dont la largeur diminue lorsqu'on
s'éloigne de la surface de réception de la lumière solaire.
4. Cellule solaire amorphe selon la revendication 1, 20 caractérisée en ce que la structure p-i-n est une structure intégrée.
FR8606189A 1984-10-29 1986-04-29 Cellule solaire amorphe Expired FR2598033B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59227097A JPS61104678A (ja) 1984-10-29 1984-10-29 アモルフアス太陽電池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2598033A1 true FR2598033A1 (fr) 1987-10-30
FR2598033B1 FR2598033B1 (fr) 1988-10-21

Family

ID=16855441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8606189A Expired FR2598033B1 (fr) 1984-10-29 1986-04-29 Cellule solaire amorphe

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4737196A (fr)
JP (1) JPS61104678A (fr)
DE (1) DE3614546A1 (fr)
FR (1) FR2598033B1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1000264C2 (nl) * 1995-05-01 1996-11-04 Frans Willem Saris Zonnecel met meerlaagsstructuur van dunne films silicium.

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62234379A (ja) * 1986-04-04 1987-10-14 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導体装置
JPH07105514B2 (ja) * 1986-12-11 1995-11-13 三洋電機株式会社 光起電力装置
JPH0693519B2 (ja) * 1987-09-17 1994-11-16 株式会社富士電機総合研究所 非晶質光電変換装置
US4948436A (en) * 1988-02-05 1990-08-14 Siemens Aktiengesellschaft Thin-film solar cell arrangement
JPH04261071A (ja) * 1991-01-11 1992-09-17 Canon Inc 光電変換装置
US5239189A (en) * 1991-06-07 1993-08-24 Eastman Kodak Company Integrated light emitting and light detecting device
US5705828A (en) * 1991-08-10 1998-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JP3437386B2 (ja) * 1996-09-05 2003-08-18 キヤノン株式会社 光起電力素子、並びにその製造方法
JPH11354820A (ja) * 1998-06-12 1999-12-24 Sharp Corp 光電変換素子及びその製造方法
JP2004256796A (ja) * 2003-02-06 2004-09-16 Canon Inc エチレン−酢酸ビニル共重合体成形品の接着方法
US8203071B2 (en) * 2007-01-18 2012-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US20080173350A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US7582515B2 (en) * 2007-01-18 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US20080223440A1 (en) * 2007-01-18 2008-09-18 Shuran Sheng Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
AU2007346981B2 (en) * 2007-02-16 2013-08-22 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Photovoltaic device and process for producing same
US7875486B2 (en) * 2007-07-10 2011-01-25 Applied Materials, Inc. Solar cells and methods and apparatuses for forming the same including I-layer and N-layer chamber cleaning
DE102007033444A1 (de) * 2007-07-18 2009-01-29 Schott Solar Gmbh Silizium-Mehrfachsolarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US20090104733A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Yong Kee Chae Microcrystalline silicon deposition for thin film solar applications
WO2009059240A1 (fr) * 2007-11-02 2009-05-07 Applied Materials, Inc. Couche de silicium amorphe intrinsèque
US7741144B2 (en) * 2007-11-02 2010-06-22 Applied Materials, Inc. Plasma treatment between deposition processes
CN102144296B (zh) * 2008-08-19 2015-04-01 东电电子太阳能股份公司 光伏电池及光伏电池制造方法
US20110088760A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Applied Materials, Inc. Methods of forming an amorphous silicon layer for thin film solar cell application
US9276163B2 (en) * 2010-10-14 2016-03-01 Kaneka Corporation Method for manufacturing silicon-based solar cell
JP6013200B2 (ja) * 2013-01-09 2016-10-25 シャープ株式会社 光電変換素子および光電変換素子の製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4272641A (en) * 1979-04-19 1981-06-09 Rca Corporation Tandem junction amorphous silicon solar cells
EP0042467A2 (fr) * 1980-06-20 1981-12-30 International Business Machines Corporation Cellule solaire composite
GB2083701A (en) * 1980-09-09 1982-03-24 Energy Conversion Devices Inc Graded bandgap amorphous semiconductors
JPS5771188A (en) * 1980-10-21 1982-05-01 Mitsubishi Electric Corp Amorphous solar cell
JPS57204178A (en) * 1981-06-10 1982-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optoelectric transducer
JPS5963774A (ja) * 1982-10-05 1984-04-11 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜シリコン太陽電池
US4498092A (en) * 1980-09-16 1985-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor photoelectric conversion device
US4536607A (en) * 1984-03-01 1985-08-20 Wiesmann Harold J Photovoltaic tandem cell

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2454705B1 (fr) * 1979-04-19 1986-06-20 Rca Corp Cellule solaire au silicium amorphe
JPS57114290A (en) * 1981-01-07 1982-07-16 Nec Corp Amorphous thin film solar battery
JPS58116779A (ja) * 1981-12-29 1983-07-12 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPS58122783A (ja) * 1982-01-14 1983-07-21 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPS58171869A (ja) * 1982-04-02 1983-10-08 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
US4496788A (en) * 1982-12-29 1985-01-29 Osaka Transformer Co., Ltd. Photovoltaic device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4272641A (en) * 1979-04-19 1981-06-09 Rca Corporation Tandem junction amorphous silicon solar cells
EP0042467A2 (fr) * 1980-06-20 1981-12-30 International Business Machines Corporation Cellule solaire composite
GB2083701A (en) * 1980-09-09 1982-03-24 Energy Conversion Devices Inc Graded bandgap amorphous semiconductors
US4498092A (en) * 1980-09-16 1985-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor photoelectric conversion device
JPS5771188A (en) * 1980-10-21 1982-05-01 Mitsubishi Electric Corp Amorphous solar cell
JPS57204178A (en) * 1981-06-10 1982-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optoelectric transducer
JPS5963774A (ja) * 1982-10-05 1984-04-11 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜シリコン太陽電池
US4536607A (en) * 1984-03-01 1985-08-20 Wiesmann Harold J Photovoltaic tandem cell

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 6, no. 147 (E-123)[1025], 6 août 1982; & JP - A - 57 71 188 (MITSUBISHI DENKI K.K.) 01-05-1982 *
PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 7, no. 58 (E-163)[1203], 10 mars 1983; & JP - A - 57 204 178 (MATSUSHITA DENKI SANGYO K.K.) 14-12-1982 *
PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 8, no. 167 (E-258)[1604], 2 août 1984; & JP - A - 59 63 774 (FUJI DENKI SOUGOU KENKYUSHO K.K.) 11-04-1984 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1000264C2 (nl) * 1995-05-01 1996-11-04 Frans Willem Saris Zonnecel met meerlaagsstructuur van dunne films silicium.
WO1996035235A1 (fr) * 1995-05-01 1996-11-07 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Cellule solaire possedant une structure de couches minces multiples en silicium

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61104678A (ja) 1986-05-22
US4737196A (en) 1988-04-12
FR2598033B1 (fr) 1988-10-21
DE3614546A1 (de) 1987-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2598033A1 (fr) Cellule solaire amorphe
FR2675950A1 (fr) Cellule solaire monolithique en tandem amelioree.
CN101221993B (zh) 纳米壁太阳能电池和光电子器件
US10043922B2 (en) Back contact layer for photovoltaic cells
FR2909803A1 (fr) Structure de cellule solaire en cascade ayant une cellule solaire a base de silicium amorphe
EP2172981B1 (fr) Cellule photovoltaïque à hétérojonction à deux dopages et procédé de fabrication
US20110265865A1 (en) Photovoltaic cells with cadmium telluride intrinsic layer
FR2650916A1 (fr) Dispositif photovoltaique
JP2011061197A (ja) 太陽電池およびその製造方法
FR2581797A1 (fr) Dispositif semi-conducteur pour la conversion de la lumiere en electricite
FR2602913A1 (fr) Dispositif photovoltaique
JP2013533620A (ja) 微結晶吸収層とパシベーション層とを有する薄膜太陽電池およびその太陽電池の製造方法
FR3099294A1 (fr) Procédé de traitement d’un precurseur de cellule photovoltaïque a hétérojonction
Jia et al. Silicon nanowire solar cells with radial pn heterojunction on crystalline silicon thin films: Light trapping properties
FR3015113A1 (fr) Element de detection quantique a faible bruit et procede de fabrication d'un tel element de photodetection
EP2126980A2 (fr) Heterojonction a interface intrinsequement amorphe
EP0007878B1 (fr) Générateur photovoltaique
EP3011602B1 (fr) Cellule solaire a heterojonction de silicium
FR3007201A1 (fr) Cellule solaire multi-jonctions
FR3113190A1 (fr) Procédé de traitement d'un précurseur de cellule photovoltaïque à hétérojonction
FR3131803A3 (fr) Module solaire
US20100032010A1 (en) Method to mitigate shunt formation in a photovoltaic cell comprising a thin lamina
FR3004002A1 (fr) Procede d'assemblage avance de cellule photovoltaique concentree
Fatemi et al. InGaAs monolithic interconnected modules (MIMs)
FR2665800A1 (fr) Photodetecteur a substrat semiconducteur composite et procede de fabrication.

Legal Events

Date Code Title Description
TP Transmission of property
D6 Patent endorsed licences of rights