FR2499317A1 - Photodetecteur a haute sensibilite - Google Patents
Photodetecteur a haute sensibilite Download PDFInfo
- Publication number
- FR2499317A1 FR2499317A1 FR8201555A FR8201555A FR2499317A1 FR 2499317 A1 FR2499317 A1 FR 2499317A1 FR 8201555 A FR8201555 A FR 8201555A FR 8201555 A FR8201555 A FR 8201555A FR 2499317 A1 FR2499317 A1 FR 2499317A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- layers
- photodetector
- region
- photon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 22
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 13
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 12
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 101150051314 tin-10 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES PHOTODETECTEURS A SEMICONDUCTEURS. L'INVENTION CONSISTE EN UN PHOTODETECTEUR A REACTION DE PHOTONS QUI PERMET D'OBTENIR DES NIVEAUX ELEVES DE GAIN EN COURANT ET DE SENSIBILITE. UN PHOTOCOURANT GENERE PAR UNE PHOTODIODE INTERNE 10, 11 SOUS L'EFFET DES PHOTONS PRIMAIRES 6 PROVOQUE L'EMISSION DE PHOTONS SECONDAIRES PAR DES DIODES LUMINESCENTES INTERNES 12, 13; 14, 15 CONNECTEES EN SERIE. LES PHOTONS SECONDAIRES QUI S'ELOIGNENT DE LA PHOTODIODE SONT RENVOYES VERS CETTE DERNIERE PAR UN REFLECTEUR 16, DE FACON A RENFORCER LE PHOTOCOURANT. APPLICATION AUX TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES.
Description
La présente invention concerne les photodétecteurs et elle porte plus
particulièrement sur des dispositifs qui
comprennent au moins une source de rayonnement interne.
Les systèmes de télécommunications à fibres opti-
ques émettent et reçoivent un rayonnement électromagnétique à des niveaux relativement faibles. De ce fait, ces systèmes accomplissent la détection en utilisant des dispositifs de photodétection qui présentent une sensibilité élevée aux niveaux de rayonnement reçus. On parvient à une sensibilité élevée en incorporant des caractéristiques d'amplification
telles que la multiplication par avalanche, l'effet tran-
sistor ou la réaction de photons, dans la structure élec-
tronique du dispositif.
La réaction de photons est un processus d'ampli-
fication interne par lequel des porteurs de charges sont multipliés dans un dispositif de photodétection ayant deux régions de semiconducteur distinctes, avec des bandes d'énergie interdites différentes. Les photons primaires qui tombent sur une région de semiconducteur ayant une bande interdite étroite provoquent la formation de porteurs de charges, c'est-àdire de paires électron-trou. Sous la force d'un champ électrique, ces porteurs de charges sont balayés de façon à pénétrer dans une région de semiconducteur ayant
une bande interdite large et ils subissent une recombinai-
son radiative. A leur tour, les photons secondaires créés par recombinaison atteignent la région de semiconducteur à bande interdite étroite, de façon à produire davantage de porteurs de charges, ce qui réalise une amplification de courant. La multiplication des porteurs de charges est
affectée par le nombre de photons secondaires qui sont ren-
voyés vers la région de semiconducteur à bande interdite
étroite. En moyenne, la moitié seulement des photons pro-
duits par recombinaison radiative dans la région de semi-
conducteur à bande interdite large se propagent en direc-
tion de la région à bande interdite étroite. Ainsi, la mul-
tiplication des porteurs de charges et le gain en courant sont limités à une valeur ne dépassant pas deux dans les
24 993 17
dispositifs à réaction de photons qui sont connus actuelle-
ment. Bien qu'un gain de deux puisse être considéré comme suffisant dans certaines applications, des gains en courant supérieurs à deux sont nécessaires pour augmenter de
façon appréciable la sensibilité des dispositifs de photo-
détection pour les applications aux systèmes de télécommuni-
cations à fibres optiques.
On obtient un gain en courant accru, avec une
augmentation correspondante de sensibilité, dans un photo-
détecteur à réaction de photons, en appliquant une couche de matière de revêtement réfléchissante à la surface externe d'une région de semiconducteur à bande interdite large qui est opposée (c'est-à-dire non adjacente) à une région de
semiconducteur à bande interdite étroite. Les photons secon-
daires qui sont formés dans la région à bande interdite large par recombinaison radiative et qui se propagent en s'éloignant de la région à bande interdite étroite sont
avantageusement redirigés, au niveau de-la couche réflé-
chissante, vers la région à bande interdite étroite. En se basant sur la réflectance de la couche réfléchissante, le rendement d'émission de la région à bande interdite large et le rendement d'absorption de la région à bande interdite
étroite, on détermine que le gain en courant et la sensi-
bilité qu'il est possible d'obtenir conformément à l'in-
vention sont supérieurs de deux ordres de grandeur à ceux des dispositifs de photodétection à réaction de photons connus. Dans un mode de réalisation de l'invention, le photodétecteur comporte quatre couches de semiconducteur mutuellement en contact qui sont disposées en une séquence de paires de couches. Le dispositif présente la structure
suivante: n 2 p n r (ou p n n p r), dans laquelle le sou-
lignement indique une couche à bande interdite étroite,
l'absence de soulignement indique une couche à bande inter-
dite large et r désigne la couche réfléchissante. La struc-
ture de semiconducteur est une configuration à base flottan-
te dans laquelle une seule source de tension polarise en sens inverse la région à bande interdite étroite et polarise
en sens direct la région à bande interdite large. Les pho-
tons primaires générés à l'extérieur du photodétecteur tom-
bent initialement sur la région à bande interdite étroite polarisée en sens inverse. L'absorption des photons provoque la formation de paires électron-trou.Sous l'influence du champ électrique appliqué, les porteurs de charges sont injectés dans la région à bande interdite large polarisée en sens direct, dans laquelle une recombinaison radiative
se produit. Certains photons secondaires émis par la recom-
binaison se propagent vers la région à bande interdite étroite. D'autres photons secondaires qui se propagent en s'éloignant de la région à bande interdite étroite sont
redirigés vers cette région par la couche réfléchissante.
L'absorption des photons secondaires provoque la génération de porteurs de charges supplémentaires. Du fait que les
rendements d'émission et d'absorption des régions de semi-
conducteur sont proches de l'unité, une variation de la réflectance de la couche réfléchissante change le gain en courant du dispositif. On a obtenu des gains de l'ordre de
avec ces dispositifs.
Dans un autre mode de réalisation de l'invention, une seconde région à bande interdite large (pn) est en contact avec la région à bande interdite étroite de façon à former un photodétecteur à réaction de photons à six couches. La seconde région à bande interdite large est polarisée en sens direct et elle agit donc de la même manière que la première région à bande interdite large décrite ci-dessus. Les deux régions à bande interdite large qui sont incorporées dans ce mode de réalisation génèrent des photons par recombinaison radiative sous l'effet des porteurs de charges du photocourant. Ce détecteur permet d'obtenir des facteurs de gain similaires à ceux décrits ci-dessus. L'invention sera mieux comprise à la lecture de
la description qui va suivre de modes de réalisation et en
se référant aux dessins annexés sur lesquels:
La figure 1 est un schéma simplifié d'un photo-
2 4 9 9 3 1 7
détecteur à réaction de photons intégré à quatre couches ayant une surface réfléchissante; La figure 2 est un schéma d'un photodétecteur à réaction de photons de type réparti comportant deux diodes luminescentes en couplage optique et ohmique avec une simrje photodiode;
La figure 3 est un schéma simplifié d'un photodé-
tecteur à réaction de photons intégré à six couches compor-
tant une surface réfléchissante; et
La figure 4 est un schéma simplifié du photodé-
tecteur de la figure 3 développé de façon à comporter une
source de photons interne supplémentaire.
Chaque photodétecteur à réaction de photons repré-
senté sur les figures 1, 3 et 4 comprend au moins quatre couches de matière semiconductrice qui sont mutuellement en contact. Des jonctions parallèles planes sont formées à chaque frontière entre deux couches en contact. Les couches sont groupées dans une séquence de paires ou de régions de couches. Chaque paire comprend une couche de conductivité
de type p et une couche de conductivité de type n.
La composition chimique de chaque couche dans une
région particulière des photodétecteurs à réaction de pho-
tons détermine la bande interdite pour la région, l'aptitu-
de de la région à fonctionner en région d'absorption de photons ou d'émission de photons, ainsi que les rendements d'absorption ou d'émission respectifs, entre autres. Les composés semiconducteurs utilisés dans les photodétecteurs à réaction de photons qui correspondent à l'invention ont un excellent rendement aussi bien pour l'absorption de photons (na 1) dans une région à bande interdite étroite polarisée en sens inverse, que pour l'émission de photons (ne - 1) dans une région à bande interdite large polarisée
en sens direct.
Les composés choisis pour chaque région des pho-
todétecteurs sont communément appelés composés III-V. Cha-
que région à bande interdite large, représentée sur les figures 1, 3 et 4 par une jonction pn (sans soulignement)
est formée par un composé quaternaire tel que l'arséniure-
2 4 9 9 3 1 7
phosphure d'indium-gallium (In xGa xAsyPl). On emploie un composé ternaire tel que l'arséniure d'indium-gallium (In Gaî As) dans chaque région à bande interdite étroite
qui correspond à une jonction pn.
On sélectionne également dans la classe des compo- sés III-V une matière de substrat sur laquelle on fait croître par épitaxie des couches p et n successives. On introduit des impuretés dans le substrat pour faire en sorte que le type de conductivité du substrat coïncide avec le
type de conductivité de la couche en contact avec le subs-
trat dans une région immédiatement adjacente. On utilise du
phosphure d'indium (InP) en tant que substrat dans ces pho-
todétecteurs, du fait qu'il est pratiquement transparent au rayonnement électromagnétique dans la gamme intéressante pour les systèmes de transmission par fibres optiques, c'est-à-dire approximativement 1,3 Mm (0,954 ev). Ainsi, la bande d'énergie interdite de la matière du substrat est
supérieure à l'énergie des photons primaires à détecter.
On mesure la bande d'énergie interdite en élec-
trons-volts (eV) et elle représente la largeur de la région
interdite dans le modèle de bandes pour les semiconducteurs.
On mesure cette largeur depuis une limite de potentiel supérieure de la bande de valence jusqu'à une limite de potentiel inférieure de la bande de conduction. Dans les modes de réalisation particuliers de l'invention qui sont représentés sur les dessins annexés, la bande interdite pour chaque région est la suivante:
substrat InP 1,28eV.
région pn. InGaAsP 1,03eV.
région pn InGaAs 0,78eV.
Chaque jonction pn est une homojonction,qu'elle
se trouve dans une région à bande interdite étroite ou lar-
ge. Chaque jonction entre des couches de conductivité simi-
laire dans des régions adjacentes, c'est-à-dire nn ou pp,
est une hétérojonction. Habituellement, les réseaux cris-
tallins de deux matières semiconductrices en contact sont adaptés au niveau de l'hétérojonction de façon à donner la possibilité d'émission ou d'absorption de photons près de l'hétérojonction. Dans les photodétecteurs qui correspondent à l'invention, des émissions et des absorptions de photons
ont lieu près des homojonctions pn et non près des hétéro-
jonctions. Les hétérojonctions nn ou pp facilitent essen-
tiellement l'établissement d'un contact électrique (chmique)
entre les couches en contact de type de conductivité simi-
laire. Ainsi, dans les photodétecteurs de l'invention, il est inutile d'adapter les réseaux cristallins des matières
à chaque hétérojonction.
L'épaisseur de chaque couche est importante, en particulier dans la région à bande interdite étroite. Chaque couche est suffisamment mince pour être appauvrie par la polarisation appliquée, grâce à quoi les porteurs de charges générés par l'absorption de photons dans une couche à bande interdite étroite atteignent le côté de la jonction duquel ils constituent des porteurs majoritaires. La largeur
d'appauvrissement dans chaque jonction pn dépend des con-
centrations en impuretés des deux couches et de la tension appliquée. Par exemple, une jonction pn en InGaAs soumise à une polarisation inverse de iO V présente une largeur
d'appauvrissement d'environ 4,2 pm: la couche n est appau-
vrie sur 3,8 lim; et la couche 2 est appauvrie sur 0,4 pm.
Ainsi, les régions à bande interdite étroite pour les pho-
todétecteurs conçus conformément à l'invention ont une cou-
che p qui a une épaisseur d'environ 0,3 pm et une couche n
qui a une épaisseur d'environ 3,7 pm.
Pour les régions à bande interdite large, l'épaisseur d'une couche est pratiquement égale à quatre
longueurs de diffusion, ou plus, pour les porteurs minori-
taires dans la couche particulière. Ceci assure la recombi-
naison radiative des porteurs minoritaires injectés, avant
que les porteurs diffusent vers une frontière avec une cou-
che adjacente. Les concentrations d'impuretés sont augmen-
tées dans chaque couche pour maintenir l'épaisseur de chaque couche dans des limites raisonnables. Une concentration en impuretés élevée donne des longueurs de diffusion de 0,2 pM pour les trous dans une matière de type p, et d'environ 1,0 pm pour les électrons dans une matière de type n. Par
conséquent, les régions à bande interdite large conçues con-
formément à l'invention présentent une épaisseur de couche de 0,8 pm pour chaque couche p et de 4,0 pim pour chaque couche n. On va maintenant considérer les modes de réalisa-
tion de photodétecteurs représentés sur les figures indivi-
duelles, en se reportant à la figure 1 qui est un schéma simplifié d'un photodétecteur à réaction de photons intégré, 1, de type à quatre couches. Le photodétecteur 1 comprend
une séquence de deux paires de couches de matière semicon-
ductrice qui est formée par croissance épitaxiale sur un
substrat 5 et qui est recouverte d'une matière réfléchissan-
te pour former un réflecteur 16.
Chaque paire de couches forme une homojonction pn avec une bande d'énergie interdite large ou étroite * la couche n 10 et la couche ú 11 se combinent en une paire à bande interdite étroite (indiquée par un soulignement), et la couche p 12 et la couche n 13 se combinent en une paire à bande interdite large. Une hétérojonction est formée entre
chaque paire de couches. Dans le photodétecteur 1, l'hétéro-
jonction existe entre la couche p 11 et la couche p 12.
L'hétérojonction établit simplement un contact ohmique entre
les paires de couches mutuellement en contact.
On peut se représenter théoriquement le dispositif de la figure 1 comme étant formé par une photodiode (couches et 11) en série avec une diode luminescente (couches 12 et 13). Chaque diode doit être polarisée convenablement pour
que l'ensemble du dispositif photodétecteur fonctionne con-
venablement. Pour fonctionner de la manière prévue, la photo-
diode doit être polarisée en sens inverse et la diode lumi-
nescente doit être polarisée en sens direct. La disposition des diodes en série facilite l'obtention de la polarisation correcte. En fait, une seule source de tension telle que la source de tension de polarisation 8 branchée aux bornes du photodétecteur 1 assure une condition de polarisation
correcte pour le photodétecteur.
On détermine la tension de polarisation de façon à obtenir l'amplification désirée pour le photodétecteur à réaction de photons 1. Dans le mode de réalisation qui est
représenté sur la figure 1, la source de tension de polari-
sation 8 génère une tension de sortie dans la plage de 5 à V. La source de tension de polarisation 8 est connectée en série avec une résistance de charge, comme le montre la figure 1. La résistance de charge est également connectée à une électrode 4 sur le substrat 5. Une autre électrode est disposée sur le réflecteur 16 et la source de tension de polarisation 8 est connectée à cette électrode. Il n'est pas nécessaire que cette électrode comporte une ouverture
ou une fenêtre, comme c'est le cas pour l'électrode 4.
Le réflecteur 16 est un revêtement métallique réfléchissant, tel que de l'or ou une combinaison de titane et d'or, appliqué sur la totalité de la surface extérieure de la couche n 13 la plus éloignée du substrat 5. Lorsqu'on
emploie la combinaison de titane et d'or, on place une cou-.
che de titane contre la surface extérieure de la c.ouche n
13. On fixe ensuite directement une couche d'or sur la sur-
face extérieure de la couche de titane.
Un photon primaire 6 tombe sur le substrat 5 en
traversant une ouverture ou une fenêtre dans l'électrode 4.
Du fait que le substrat 5 est transparent pour le photon 6,
ce dernier traverse le substrat 5 en ne rencontrant prati-
quement aucun obstacle. Le photon primaire 6 est ensuite absorbé dans la région à bande interdite étroite appauvrie, c'est-à-dire la couche n 10 ou la couche p 11. On fait en sorte que la couche n 10 soit suffisamment mince pour que les porteurs de charges de photocourant qui sont générés par l'absorption du photon 6 puissent être acheminés vers
la couche p 11, par le champ électrique de la jonction.
Lorsque le photocourant commence à circuler, la jonction polarisée en sens direct entre la couche p 12 et
la couche n 13 est soumise à une augmentation de potentiel.
Cette augmentation provoque une recombinaison radiative
d'électrons libres et de trous injectés, près de la jonc-
tion polarisée en sens direct. Des photons secondaires générés par la recombinaison radiative sont émis dans toutes les directions. Le réflecteur 16 constitue un moyen pour
24 99317
renvoyer certains photons secondaires vers la couche p 11, pour y être ensuite absorbés. Les photons secondaires qui sont dirigés initialement vers la couche p 11 continuent
dans cette direction jusqu'à ce qu'ils soient absorbés.
Ainsi, la quasi-totalité des photons secondaires générés par recombinaison radiative dans la couche p 12 ou la couche
n 13 sont recueillis dans la couche ú 11 pour créer des pai-
res de porteurs de charges supplémentaires et pour renforcer le photocourant. Le nombre de paires de porteurs de charges
supplémentaires détermine le gain et la sensibilité du pho-
todétecteur 1.
Le gain en courant est défini par le rapport entre le nombre de porteurs de charges qui traversent une section transversale particulière du photodétecteur 1 et le nombre
de photons primaires (photon 6) absorbés par le photodétec-
teur 1. Une simplification de ce rapport en utilisant une technique classique permet de calculer le facteur de gain par l'expression: G, (1 0,5 (1+R) n n e a dans laquelle R est la réflectance du réflecteur 16, na est le rendement d'absorption de photons de la couche n 10 et de la couche p 11, et ne est le rendement d'émission de photons de la couche p 12 et de la couche n 13. Pour les photodétecteurs représentés sur les figures 1, 3 et 4, les deux termes ne et na sont pratiquement égaux à l'unité. On voit donc qu'en sélectionnant de façon appropriée des matières qui présentent des valeurs très élevées pour ne, n et R, on peut aisément obtenir un facteur de gain de a
ou plus.
On a fabriqué des dispositifs photodétecteurs du
type représenté sur la figure 1, en utilisant les techni-
ques de croissance épitaxiale. On a utilisé de façon prédo-
minante l'épitaxie en phase liquide, mais l'épitaxie par jet moléculaire est également applicable. Ces techniques
donnent des dispositifs qui mesurent 100 Mm sur 100 pm.
L'épaisseur du photodétecteur 1 est pratiquement égale au produit du nombre de jonctions pn et pn par environ 5 pm, plus l'épaisseur du substrat. Les épaisseurs du substrat
Z499317
sont de façon caractéristique de l'ordre de 76 pm. L'épais-
seur du photodétecteur 1 est donc légèrement supérieure à
87 pim.
Pendant la croissance épitaxiale des dispositifs, on introduit des impuretés dans chaque couche. Le type de l'impureté et sa concentration affectent la conductivité de chaque couche. Le tableau ci-dessous indique les types
d'impureté et les concentrations d'impureté pour les diver-
ses couches d'un exemple de réalisation du photodétecteur 1:
COUCHE COMPOSITION IMPURETE CONCENTRATION
D'IMPURETE
(atomes/cm) n:5 InP Etain 10 i8 n:10 In Ga As Etain 1015
0,53 0,47 17
P:11 Ino,53Gao,47As Zinc 107 p:12 In Ga As P Zinc 1017
0,79 0,21 0,46 0,54 17
n:13 In 79Gao,21Aso46Po,54 Etain 10 La configuration représentée sur la figure 2 est un photodétecteur à réaction de photons de type réparti qui comporte deux diodes luminescentes en couplage optique et ohmique avec une photodiode, dans un circuit série. Dans un sens large, cette configuration est une extension du principe qui est mis en oeuvre par le photodétecteur 1 de la figure 1. Le photodétecteur 2 comprend non seulement la photodiode et la diode luminescente décrites en relation
avec le photodétecteur 1, mais également une diode lumi-
nescente supplémentaire. La seconde diode luminescente constitue un autre moyen pour augmenter la sensibilité et
le gain en courant du dispositif photodétecteur.
Le photodétecteur 2 comprend un circuit série qui comporte une photodiode 20 et des diodes luminescentes 21 et 22. La tension de polarisation pour le photodétecteur 2 est fournie par une source de tension en série avec une résistance de charge, de la manière représentée sur la figure 1. La polarité de la tension de polarisation est indiquée par la présence d'un signe plus et d'un signe moins
249931?
sur la figure 2.
Les photons primaires hv ne tombent que sur la photodiode 20 du photodétecteur 2. Lorsque la photodiode 20 recueille des photons primaires hv, un photocourant commence à circuler dans les diodes 21 et 22. Chacune des diodes luminescentes émet des photons secondaires, en fonction de l'intensité du photocourant et des rendements quantiques des diodes 21 (QD21) et 22 (QD22). Il est important d'isoler les diodes luminescentes 21 et 22 vis-à-vis des photons primaires, du fait que l'irradiation des diodes 21 et 22 entraîne la génération d'une phototension en opposition avec
le signal désiré.
Du fait que le photodétecteur 2 est une structure de tjype réparti, la proximité des diodes luminescentes par rapport à la photodiode n'est pas une condition suffisante pour produire une réaction de photons efficace. On réalise
des chemins de réaction de photons en disposant des cou-
pleurs optiques qui produisent un couplage de chaque diode luminescente vers la photodiode. Dans ce but, un coupleur optique 23 établit un chemin de réaction vers la photodiode pour les photons secondaires qui sont émis par la diode
21; et un coupleur optique 24 établit un chemin de réac-
tion similaire vers la photodiode 20 pour les photons secondaires qui sont émis par la diode 22. On a employé
des fibres et des lentilles en tant que coupleurs optiques.
Le gain en courant G d'une structure telle que le
photodétecteur 2 est donné approximativement par l'expres-
sion:
G (1 - (QD2Q + QD22>)
dans laquelle QD est le rendement quantique pour chaque
diode luminescente particulière. D'autres facteurs qui ten-
dent à influencer la sensibilité du photodétecteur 2 sont constitués par le rendement des coupleurs optiques 23 et 24
et par l'aptitude de chaque coupleur à recueillir les pho-
tons secondaires qui sont émis par la diode luminescente correspondante.
La figure 3 est un schéma simplifié d'un photodé-
tecteur à réaction de photons intégré, du type à six couches, comportant une surface réfléchissante. Le photodétecteur 3 comprend non seulement les quatre couches de semiconducteur en-contact mutuel du photodétecteur 1 de la figure 1, mais également deux couches de semiconducteur supplémentaires, à savoir une couche p 14 et une couche n 15. Les couches 14 et 15 forment une région à bande interdite large. Il faut noter que, dans le photodétecteur 3, le substrat 5 a une conductivité de type p+ qui est similaire à la conductivité
de la couche p 14 qui est en contact avec le substrat.
Un photon primaire 6 tombe sur le substrat 5 du photodétecteur 3 en traversant l'ouverture ou la fenêtre formée dans l'électrode 4. Du fait que le substrat 5 est
transparent au photon 6, à cause de sa bande interdite lar-
ge, le photon 6 traverse le substrat 5 sans rencontrer pra-
tiquement aucun obstacle. La couche p 14 et la couche n 15 ont également des bandes interdites suffisamment larges pour permettre le passage sans obstacle du photon 6 vers
la couche n 10. Dans la couche n 10, le photon 6 est absor-
bé, ce qui fait circuler un photocourant. Une recombinai-
son radiative des porteurs de charges du photocourant se produit dans les deux régions à bande interdite large qui
contiennent les couches 12 et 13 et les couches 14 et 15.
Les photons secondaires qui sont générés dans les couches 12 et 13 sont soit dirigés initialement vers la couche p 11, soit réfléchis vers la couche p 11 par le réflecteur 16. En moyenne, la moitié des photons secondaires générés dans les couches 14 et 15 sont dirigés vers la couche n 10. L'absorption des photons secondaires se produit dans la région à bande interdite étroite qui est formée par les
couches 10 et 11, et elle provoque une augmentation du nom-
bre de porteurs de charges du photocourant.
Dans le processus de croissance épitaxiale pour le photodétecteur 3, on introduit des impuretés dans la couche p 14 et dans la couche n 15, avec des niveaux de concentration respectivement égaux à ceux de la couche p
12 et de la couche n 13. Les couches restantes sont prépa-
rées de la manière décrite ci-dessus en relation avec le photodétecteur 1 de la figure 1, à l'exception du fait que
le substrat 5 est dopé au zinc avec un niveau de concentra-
18 3
tion d'impureté de 10 atomes/cm, pour présenter une con-
ductivité p La figure 4 représente un photodétecteur qui com- prend un photodétecteur 3', qui est pratiquement identique au photodétecteur 3, une région n ú et une troisième
région pn à bande interdite large (région émettrice de pho-
tons) qui est connectée au photodétecteur 3' par la région n+ 2+. La région n+ 2+ est extrêmement mince et elle a un niveau de concentration d'impureté élevé, de façon à se comporter pratiquement comme un contact ohmique lorsqu'elle
est polarisée en sens inverse.
Dans ce dispositif photodétecteur, la bande interdite de la région qui comprend la couche p 28 et la couche n 29 est plus étroite que la bande interdite de la région qui comprend les couches 12 et 13. Ceci permet aux
couches 12 et 13 d'apparaître transparentes pour les pho-
tons secondaires qui sont générés dans l'une ou l'autre des couches 28, 29. Ainsi, les photons secondaires générés dans l'une ou l'autre des couches 28, 29 ont une probabilité extrêmement élevée d'être recueillis dans la couche p 11
de la région à bande interdite étroite.
Le photodétecteur de la figure 4 réagit au pho-
ton primaire 6 de la même manière que les photodétecteurs
1 et 3. Un photocourant généré dans le photodétecteur pro-
voque l'émission de photons secondaires par les trois régions pn émettrices de photons: les couches 12 et 13,
les couches 14 et 15 et les couches 28 et 29. Le réflec- 30. teur 16 renvoie les photons secondaires vers la couche p 11.
* Le recueil des photons secondaires est accompli par la couche n 10 ou par la couche p 11. La couche n+ 26 et la couche p+ 27 sont polarisées en sens inverse de façon à créer un contact ohmique entre la couche p 28 et la couche n 13, et elles sont transparentes aux photons secondaires
qui sont générés dans les régions pn adjacentes.
La couche p 28 et la couche n 29 sont respective-
ment identiques à la couche p 12 et à la couche n 13, en ce qui concerne la structure chimique et la concentration
d'impureté. La couche n 26 et la couche P 27 sont des cou-
ches extrêmement minces qui consistent en In 57Ga A43As.
Chaque couche dans la région n ú a une épaisseur approxi-
mative de 1 à 2 Pm. La couche 26 est fortement dopée avec du soufre, avec une concentration d'impureté d'environ 1018 atomes/cm; et la couche 27 est également fortement dopée, avec du zinc et une concentration d'impureté d'environ 1018 atomes/cm Tous les photodétecteurs à réaction de photons décrits ci-dessus présentent une sensibilité élevée aux photons primaires. On a montré expérimentalement que cette sensibilité constituait une amélioration d'au moins un ordre de grandeur par rapport aux dispositifs similaires
antérieurs.
On obtient des structures complémentaires pour les photodétecteurs représentés sur les figures 1, 3 et 4 en remplaçant simplement le type de conductivité de chaque couche par le type de conductivité opposé et en inversant
la polarité de la tension d'alimentation.
De légères modifications des photodétecteurs
représentés sur les figures entrent dans le cadre de l'in-
vention, dans le but d'améliorer la sensibilité qu'il est
possible d'obtenir à l'heure actuelle. Une telle modifFica-
tion pour les photodétecteurs représentés sur les figures 3 et 4 consiste à placer un réflecteur diélectrique entre l'électrode 4 et le substrat 5 pour réfléchir les photons
secondaires vers la couche n 10. On peut également rempla-
cer l'électrode 4 par un réflecteur métallique similaire au réflecteur 16, mais comportant l'ouverture ou la fenêtre de taille minimale qui est nécessaire pour permettre le
passage du photon primaire 6.
Il va de soi que de nombreuses autres modifica-
tions peuvent être apportées au dispositif décrit et repré-
senté, sans sortir du cadre de l'invention.
249931k
Claims (5)
1. Photodétecteur comportant des couches en con-
tact (10, 11, 12, 13) de matière semiconductrice groupées en une séquence de paires de couches, dans lequel chaque paire est formée par une première couche et une seconde couche, la première couche de chaque paire (11, 13) est constituée par une matière semiconductrice ayant un type de conductivité
opposé à celui de la seconde couche dans la paire correspon-
dante (10, 12), les première et seconde couches de chaque
paire ont des bandes interdites pratiquement égales, la pre-
mière couche de chaque paire dans la séquence de paires est
constituée par une matière semiconductrice ayant une conduc-
tivité qui est similaire à la conductivité de la seconde couche de la paire de couches immédiatement adjacente, et
la bande interdite des première et seconde couches de cha-
que paire est différente de la bande interdite des première et seconde couches de chaque paire immédiatement adjacente, caractérisé en ce qu'une couche (16) formant un revêtement réfléchissant est en contact avec une couche extérieure
(13) de la séquence de paires de couches.
2. Dispositif selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que la couche extérieure de la séquence de pai-
res qui est en contact avec le revêtement réfléchissant a
une bande interdite large.
3. Dispositif selon la revendication 2, caracté-
risé en ce que l'épaisseur de la première couche de chaque paire est pratiquement égale à l'épaisseur de la seconde
couche de la paire adjacente de la séquence.
4. Dispositif selon la revendication 2, caracté-
risé en ce que la couche de revêtement réfléchissant comprend une première couche de titane et une seconde couche d'or en
contact avec la première couche.
5. Dispositif selon la revendication 4, caracté-
risé en ce qu'un réflecteur diélectrique est positionné de façon à réfléchir les photons secondaires vers lesdites couches.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/230,873 US4399448A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | High sensitivity photon feedback photodetectors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2499317A1 true FR2499317A1 (fr) | 1982-08-06 |
| FR2499317B1 FR2499317B1 (fr) | 1985-11-29 |
Family
ID=22866915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8201555A Expired FR2499317B1 (fr) | 1981-02-02 | 1982-02-01 | Photodetecteur a haute sensibilite |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4399448A (fr) |
| JP (1) | JPS57149779A (fr) |
| BE (1) | BE891952A (fr) |
| CA (1) | CA1182200A (fr) |
| DE (1) | DE3202832A1 (fr) |
| FR (1) | FR2499317B1 (fr) |
| GB (1) | GB2094551B (fr) |
| IT (1) | IT1149520B (fr) |
| NL (1) | NL186610C (fr) |
| SE (1) | SE455975B (fr) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0274940A1 (fr) * | 1986-12-12 | 1988-07-20 | Thomson-Csf | Dispositif de multiplication de porteurs de charge par un phénomène d'avalanche, et son application aux photodétecteurs, aux photocathodes, et aux visionneurs infrarouges |
| WO1990006597A1 (fr) * | 1988-12-05 | 1990-06-14 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Photodetecteur a heterostructure multiple |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889887A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-28 | Univ Tohoku | 半導体光機能デバイス |
| US4979002A (en) * | 1989-09-08 | 1990-12-18 | University Of Colorado Foundation, Inc. | Optical photodiode switch array with zener diode |
| JP3910817B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2007-04-25 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置 |
| US6674064B1 (en) | 2001-07-18 | 2004-01-06 | University Of Central Florida | Method and system for performance improvement of photodetectors and solar cells |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2270679A1 (fr) * | 1974-05-08 | 1975-12-05 | Siemens Ag | |
| FR2303384A1 (fr) * | 1975-03-07 | 1976-10-01 | Rca Corp | Dispositif a cellule solaire a rendement ameliore |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3278814A (en) * | 1962-12-14 | 1966-10-11 | Ibm | High-gain photon-coupled semiconductor device |
| US3369132A (en) * | 1962-11-14 | 1968-02-13 | Ibm | Opto-electronic semiconductor devices |
| US3369133A (en) * | 1962-11-23 | 1968-02-13 | Ibm | Fast responding semiconductor device using light as the transporting medium |
| DE2247966A1 (de) * | 1972-09-29 | 1974-04-11 | Heinz Prof Dr Rer Nat Beneking | Halbleiteranordnung zum nachweis von lichtstrahlen |
| US3990101A (en) * | 1975-10-20 | 1976-11-02 | Rca Corporation | Solar cell device having two heterojunctions |
| US4286277A (en) * | 1977-11-22 | 1981-08-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Planar indium antimonide diode array and method of manufacture |
| US4332974A (en) * | 1979-06-28 | 1982-06-01 | Chevron Research Company | Multilayer photovoltaic cell |
-
1981
- 1981-02-02 US US06/230,873 patent/US4399448A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-01-20 CA CA000394526A patent/CA1182200A/fr not_active Expired
- 1982-01-21 SE SE8200330A patent/SE455975B/sv not_active IP Right Cessation
- 1982-01-29 BE BE0/207182A patent/BE891952A/fr unknown
- 1982-01-29 IT IT19373/82A patent/IT1149520B/it active
- 1982-01-29 GB GB8202602A patent/GB2094551B/en not_active Expired
- 1982-01-29 DE DE19823202832 patent/DE3202832A1/de active Granted
- 1982-02-01 FR FR8201555A patent/FR2499317B1/fr not_active Expired
- 1982-02-01 NL NLAANVRAGE8200371,A patent/NL186610C/xx not_active IP Right Cessation
- 1982-02-02 JP JP57014416A patent/JPS57149779A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2270679A1 (fr) * | 1974-05-08 | 1975-12-05 | Siemens Ag | |
| FR2303384A1 (fr) * | 1975-03-07 | 1976-10-01 | Rca Corp | Dispositif a cellule solaire a rendement ameliore |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0274940A1 (fr) * | 1986-12-12 | 1988-07-20 | Thomson-Csf | Dispositif de multiplication de porteurs de charge par un phénomène d'avalanche, et son application aux photodétecteurs, aux photocathodes, et aux visionneurs infrarouges |
| FR2612334A1 (fr) * | 1986-12-12 | 1988-09-16 | Thomson Csf | Dispositif de multiplication de porteurs de charge par un phenomene d'avalanche et son application aux photodetecteurs, aux photocathodes, et aux visionneurs infrarouges |
| US4907042A (en) * | 1986-12-12 | 1990-03-06 | Thomson-Csf | Device for the multiplication of charge carriers by an avalanche phenomenon and application of the said device to photosensors, photocathodes and infrared viewing devices |
| WO1990006597A1 (fr) * | 1988-12-05 | 1990-06-14 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Photodetecteur a heterostructure multiple |
| GB2232816A (en) * | 1988-12-05 | 1990-12-19 | Secr Defence | Multiple heterostructure photodetector |
| GB2232816B (en) * | 1988-12-05 | 1992-11-04 | Secr Defence | Multiple heterostructure photodetector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6244867B2 (fr) | 1987-09-22 |
| SE455975B (sv) | 1988-08-22 |
| JPS57149779A (en) | 1982-09-16 |
| GB2094551B (en) | 1985-01-03 |
| NL186610C (nl) | 1991-01-02 |
| SE8200330L (sv) | 1982-08-03 |
| DE3202832C2 (fr) | 1988-06-01 |
| BE891952A (fr) | 1982-05-17 |
| NL8200371A (nl) | 1982-09-01 |
| DE3202832A1 (de) | 1982-09-02 |
| NL186610B (nl) | 1990-08-01 |
| CA1182200A (fr) | 1985-02-05 |
| US4399448A (en) | 1983-08-16 |
| GB2094551A (en) | 1982-09-15 |
| IT8219373A0 (it) | 1982-01-29 |
| FR2499317B1 (fr) | 1985-11-29 |
| IT1149520B (it) | 1986-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Colace et al. | Ge-on-Si approaches to the detection of near-infrared light | |
| Pellegrini et al. | Design and performance of an InGaAs-InP single-photon avalanche diode detector | |
| US4202000A (en) | Diode capable of alternately functioning as an emitter and detector of light of the same wavelength | |
| EP0106514B1 (fr) | Détecteurs pour infra-rouge | |
| US4179702A (en) | Cascade solar cells | |
| EP0458688B1 (fr) | Procédé de fabrication d'une structure intégrée guide-détecteur de lumière en matériau semi-conducteur | |
| JP3539977B2 (ja) | 光電半導体構成素子 | |
| US5510627A (en) | Infrared-to-visible converter | |
| JPS5826187B2 (ja) | コタイハツコウ − ジユコウソシ | |
| EP0051505A1 (fr) | Transistor émetteur-récepteur de lumière pour télécommunications à l'alternat sur fibre optique | |
| FR2764120A1 (fr) | PHOTODETECTEUR SiGe A RENDEMENT ELEVE | |
| WO1980001336A1 (fr) | Photo detecteur de demultiplexage | |
| WO2015091709A1 (fr) | Elément de détection quantique à faible bruit et procédé de fabrication d'un tel élément de photodétection | |
| FR2504733A1 (fr) | Photodetecteur a porteurs majoritaires | |
| EP0001728B1 (fr) | Diode émettrice et réceptrice de lumière notamment pour télécommunications optiques | |
| FR2492168A1 (fr) | Photodiode a semiconducteur | |
| EP0267839A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice susceptible d'effet laser multi-longueurs d'onde, et dispositif obtenu | |
| EP1204148A2 (fr) | Photodétecteur plat amélioré à cavité résonnante | |
| FR2499317A1 (fr) | Photodetecteur a haute sensibilite | |
| JPH038117B2 (fr) | ||
| Bandyopadhyay et al. | Photodetectors for optical fiber communications | |
| FR2490014A1 (fr) | Phototransistor a heterojonction emetteur-base a couche d'emetteur localement de type inverse | |
| Berger | Metal-semiconductor-metal photodetectors | |
| FR2509910A1 (fr) | Composant optoelectronique dont la structure semiconductrice comporte deux parties respectivement emettrice et receptrice, et dispositif de regulation d'une diode electroluminescente | |
| Williamson et al. | High-density, planar Zn-diffused InGaAs/InP photodetector arrays with extended short-wavelength response |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |