FR2694134A1 - Procédé de fabrication d'une diode photovoltaïque et diode à structure plane. - Google Patents
Procédé de fabrication d'une diode photovoltaïque et diode à structure plane. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2694134A1 FR2694134A1 FR9309162A FR9309162A FR2694134A1 FR 2694134 A1 FR2694134 A1 FR 2694134A1 FR 9309162 A FR9309162 A FR 9309162A FR 9309162 A FR9309162 A FR 9309162A FR 2694134 A1 FR2694134 A1 FR 2694134A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- cap
- forming
- etching
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010065042 Immune reconstitution inflammatory syndrome Diseases 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001189642 Theroa Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1832—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising ternary compounds, e.g. Hg Cd Te
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
L'invention concerne une photodiode à structure plane ainsi que son procédé de fabrication. La photodiode (10) comprend un substrat (11) recouvert d'une région de base (12) formée d'un semiconducteur, la région de base étant choisie parmi des éléments du groupe IIB-VIA et ayant un premier type de conductivité électrique. Une couche (16) de passivation recouvre la région de base et est recouverte d'une couche diélectrique (18). Une ouverture est formée par gravure dans la couche diélectrique et dans la couche de passivation et reçoit une région de coiffe (14) pour former une hétérojonction (14a) avec la région de base. Un plot de contact (20) et une protubérance (22) d'indium pour l'interconnexion électrique sont formés sur la région de coiffe. Domaine d'application: détecteurs d'infrarouge, etc.
Description
L'invention concerne de façon générale des capteurs de rayonnement, et en
particulier des procédés pour fabriquer un capteur de rayonnement à structure plane, ainsi
que des capteurs de rayonnement fabriqués par ce procédé.
La figure 1 des dessins annexés et décrits ci-
après représente une diode photovoltaïque (PV) 1 à hétéro-
jonction (HJ) classique qui comprend une couche de base 2 de type N à mercure-cadmium-tellurure (Hg Cd Te) d'absorption de rayonnement Un substrat sous-jacent, électriquement isolant et transparent, n'est pas représenté Une région 3 en Hg Cd Te
de type p forme une jonction p-n 3 a avec la couche de base 2.
Etant donné que la photodiode 1 est habituellement l'une de plusieurs photodiodes disposées en réseau à deux dimensions, la jonction 3 a est contenue dans une structure mésa montante qui établit une isolation électrique entre des jonctions adjacentes 3 a Une couche 4 de passivation est constituée, par exemple, d'une couche de cadmium- tellurure (Cd Te) qui fonctionne de façon à réduire les états de bruit électrique superficiel Une métallisation 5 de contact est couplée électriquement à la région 3 de type p et constitue un plot
d'interface pour un couplage avec une protubérance 6 d'in-
dium La protubérance 6 d'indium est prévue pour coupler la photodiode 1 à un circuit extérieur tel qu'un amplificateur de lecture (non représenté) L'ensemble hybride résultant est
en outre mis sous boîtier comme demandé, pour une application prévue.
En fonctionnement, un rayonnement infrarouge (IR) tombe sur une surface inférieure, ou face arrière, de la photodiode 1 Le rayonnement est absorbé dans la couche de base 2 et génère des photoporteurs Sous une polarisation appropriée, des photoporteurs minoritaires sont collectés à
la jonction p-n 3 a et le courant résultant est détecté.
Un processus classique de fabrication pour réaliser la photodiode 1 utilise une gravure à tranchées profondes ( 3 à 5 micromètres) pour délinéer les structures mésa à photodiodes de détection Etant donné que cette gravure est isotrope, une attaque latérale a lieu approximativement à la même vitesse qu'une attaque verticale En conséquence, la structure mésa est effilée, l'aire de la5 surface supérieure étant plus petite que celle de la surface inférieure Cependant, la totalité du traitement qui suit pour former le métal de contact et la protubérance d'indium
doit être mise en oeuvre sur la surface supérieure relative-
ment petite de la structure mésa Un inconvénient de réaliser une interconnexion par une petite protubérance d'indium est que la fiabilité de l'ensemble hybride ensuite formé peut
être compromise.
Actuellement, la dimension minimale d'une cellule d'une unité de détection est limitée par la plus petite dimension de la protubérance d'indium pouvant être placée sur la surface supérieure de la structure mésa Ainsi qu'on peut l'apprécier, la fabrication de photoconducteurs ayant une faible dimension de cellule unitaire est souhaitable car elle permet de produire des réseaux de photodétecteurs plus
denses.
Il est également connu dans la technique de fabriquer des photodiodes par des techniques autres que la
technique de gravure d'une structure mésa décrite ci-dessus.
Par exemple, le brevet des Etats-Unis d'Amérique N O 4 105 478 décrit l'introduction de lithium par diffusion, sous l'effet de la chaleur, dans un corps de Hg Cd Te de type p ou de type N afin de former une jonction p-n Cependant, la
diffusion de dopants dans une couche de matière semi-
conductrice forme une homojonction qui est plus sujette à des
courants de fuite qu'une hétérojonction.
Le brevet des Etats-Unis d'Amérique N O 4 206 003 décrit l'implantation d'une impureté pour accepteur, telle que de l'or, du phosphore, de l'antimoine ou de l'arsenic,
dans un corps de Hg Cd Te de type N pour former une jonction p-
n L'implantation est suivie d'un recuit thermique Dans un article intitulé "Development of Hg Cd Te LWIR Heterojunction Mosaics" (Proc IRIS Detector, 1986, Vol II, pages 251-260)
C.C Wang et collaborateurs décrivent un détecteur LWIR de type p-sur- n qui comprend une couche active de Hg Cd Te non dopée sur laquelle on a fait croître une couche de coiffe5 dopée de type p La structure est ensuite soumise à un recuit thermique pour convertir la couche active au type n, réali-
sant ainsi une structure p-sur-n Au lieu de graver des structures mésa, des diodes sont délinéées par implantation ionique pour former des jonctions p-n latérales réagissant à10 de courtes longueurs d'ondes Après l'implantation, on
applique une passivation.
Cependant, étant donné que ces deux derniers procédés cités utilisent une implantation ionique, une
certaine détérioration de la structure du cristal semi-15 conducteur se produit Cette détérioration est une source de bruit et de courants de fuite.
Un objet de l'invention est de procurer une technique de traitement qui permet à une cellule unitaire de photodétecteur d'être réalisée à une dimension inférieure à celle d'une cellule unitaire pouvant être actuellement
obtenue avec la technique de gravure d'une structure mésa.
Un autre objet de l'invention est de procurer un procédé pour fabriquer un photodétecteur à structure plane ne nécessitant pas une diffusion thermique ou une implantation
ionique d'une espèce pour accepteur ou donneur -
Un objet aussi de l'invention est de procurer une technique de traitement permettant à la protubérance d'indium d'être réalisée à une dimension notablement supérieure à l'aire active d'un photodétecteur sous-jacent, augmentant ainsi l'aire de contact et la fiabilité globale d'un ensemble
hybride comprenant le photodétecteur.
Un autre objet encore de l'invention est de procurer un réseau de photodiodes à hétérojonction sensibles à un rayonnement infrarouge, ayant une surface supérieure sensiblement plane pour faciliter ensuite des étapes de traitement telles que la formation d'interconnexions à protubérances d'indium. Les problèmes ci-dessus ainsi que d'autres problèmes sont résolus et les objets de l'invention sont réalisés par un procédé de fabrication, et par une photodiode fabriquée par ce procédé, utilisant un masque pendant le dépôt d'une matière de type p sur une matière de base de type
n La matière de type p et la matière de type N sont consti-
tuées d'éléments choisis dans le Groupe IIB-VIA du Tableau Périodique des Eléments Une jonction p-n est formée à travers une ouverture du masque L'excédent de matière de type p déposée sur le dessus du masque est éliminé par un processus de gravure Une particularité importante est que le réglage de la profondeur du processus de gravure n'est pas15 nécessaire car la gravure s'arrête lorsque la couche du
masque est atteinte.
Ce procédé donne une photodiode à Hg Cd Te à hétérojonction double couche (DLHJ) à structure p-sur-n ayant des performances comparables à celles obtenues avec un processus pour photodiode isolée à structure mésa Un avantage de cette technique de fabrication est que la surface supérieure du réseau détecteur, après le traitement, est
plate (plane), sa planéité étant inférieure à un micromètre.
La surface plane permet un traitement avec une résolution plus élevée lors d'étapes suivantes de traitement et permet d'utiliser des protubérances d'indium plus grandes, ce qui aboutit à des dimensions plus faibles des cellules unitaires du détecteur et à une meilleure fiabilité de l'ensemble hybride En outre, une diffusion thermique et/ou une implantation ionique d'une espèce pour accepteur ou donneur
ne sont pas indispensables à la fabrication ou à la dé-
linéation des cellules unitaires du détecteur.
Une photodiode à structure plane fabriquée conformément au procédé de l'invention comprend un substrat
et une région de base semiconductrice recouvrant le substrat.
La région de base est constituée d'éléments choisis dans le Groupe IIBVIA et possède un premier type de conductivité électrique Une couche de semiconducteur recouvre la région de base et est également constituée d'éléments choisis dans le Groupe IIB-VIA La couche semiconductrice possède une bande interdite plus large que celle de la région de base et
fonctionne en tant que couche de passivation Une couche diélectrique recouvre au moins partiellement la couche semiconductrice Pendant la fabrication de la photodiode,10 cette couche diélectrique fonctionne en tant que limite ou barrière d'arrêt de gravure durant l'élimination de l'excé-
dent de la matière de coiffe, la matière de coiffe restante formant une région de coiffe à l'intérieur d'une ouverture qui est formée par une gravure à travers la couche diélectri-15 que et la couche semiconductrice Une surface inférieure de la région de coiffe est en contact électrique avec la région de base La région de coiffe est également constituée d'éléments choisis dans le Groupe IIB-VIA, possède un second type de conductivité électrique et forme une hétérojonction avec la région de base Un plot de contact électriquement conducteur est formé sur la surface supérieure de la région de coiffe La photodiode comprend en outre une interconnexion électriquement conductrice, avantageusement sous la forme d'une protubérance d'indium, qui est formée sur le plot de contact La protubérance d'indium présente une aire de surface inférieure qui est plus grande que l'aire de la surface supérieure de la région de coiffe de manière qu'une partie de la surface inférieure de l'interconnexion s'étende au-dessus d'une partie d'une surface supérieure de la couche
diélectrique.
L' invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemple nullement limitatif et sur lesquels: la figure 1 est une vue en coupe transversale, non à l'échelle, d'une photodiode classique de type mésa; la figure 2 est une vue en coupe transversale, non à l'échelle, d'une photodiode à structure plane qui est réalisée conformément à l'invention; la figure 3 est un organigramme de traitement illustrant un procédé de fabrication d'une photodiode à structure plane, conforme à l'invention, et actuellement préférée; et les figures 4 a à 4 g sont chacune une vue en coupe transversale, non à l'échelle, et montrent diverses étapes de fabrication de la photodiode à structure plane conformément
au procédé illustré sur la figure 3.
On se réfère à l'organigramme de traitement de la figure 3, conjointement aux diverses vues en coupe des
figures 4 a à 4 g et à la vue en coupe de la figure 2.
Comme indiqué au bloc A de la figure 3 et sur la figure 4 a, le traitement commence par une étape consistant à faire croître sur un substrat 11, électriquement isolant et transparent aux longueurs d'ondes auxquelles on s'intéresse, une couche de base 12 en Hg Cd Te, de type n, absorbant un rayonnement Un procédé avantageux pour faire croître la couche de base est 1 'épitaxie en phase liquide (EPL), et l'Indium constitue un dopant de type N convenable Une matière semi-conductrice convenable pour le substrat il est la matière du type cadmium-zinc- tellurure (Cd Zn Te) La bande d'énergie interdite de la couche de base 12 est choisie pour
absorber un rayonnement ayant des longueurs d'ondes auxquel-
les on s'intéresse et est établie, de façon connue, par variation des concentrations relatives de Hg et de Cd conformément à la formule: Hgl_, Cd Te, dans laquelle (x) est
un nombre non nul qui est inférieur à 1.
Comme montré au bloc B de la figure 3, le structure ainsi formée est soumise à un recuit thermique avec une surpression de Hg pour éliminer les lacunes de Hg dans la
couche de base 12.
Comme montré au bloc C de la figure 3, la surface exposée de la couche de base 12 est passivée avec une matière du groupe IIB-VIA à larges bandes interdites, telles que Cd Te, par une technique d'évaporation thermique D'autres techniques convenables pour former la couche de passivation comprennent le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur aux organo-métalliques (MOCVD) et la pulvérisation Il en résulte la formation d'une couche 16 de
passivation ayant une épaisseur d'environ 1,5 micromètre.
Comme montré au bloc D de la figure 3 et sur la figure 4 b, une couche 18 d'une épaisseur de 150 nanomètres, constituée d'un diélectrique, avantageusement du Si O 2, est déposée par une technique CVD Le Si O 2 est une matière
diélectrique actuellement préférée en raison de ses proprié-
tés de gravure, comme cela apparaîtra ci-dessous.
Comme indiqué au bloc E de la figure 3 et sur la figure 4 c), la couche 18 de Si O 2 est dessinée, masquée et gravée pour former une ouverture 18 a Les dimensions de l'ouverture 18 a sont égales à la dimension d'une zone de
jonction de photodétecteur souhaitée Cette étape utilise une photolithographie pour former un masque dessiné 17, conjoin-
tement avec une gravure à oxyde tamponné (BOE) qui utilise du HF tamponné en tant qu'agent de gravure ou d'attaque. Comme indiqué au bloc F de la figure 3 et sur la figure 4 d, on exécute une gravure par projection avec du brome dans de l'éthylèneglycol (Br/EG) Cette étape effectue une gravure traversant totalement la couche exposée 16 de passivation en Cd Te, sur une profondeur d'environ 1,5 micromètre La gravure est avantageusement arrêtée à la30 surface de la couche de base 12 en Hg Cd Te, bien qu'une certaine attaque de la couche de base 12 en Hg Cd Te puisse se produire comme montré sur la figure 4 d Le résultat de cette gravure est la formation d'une ouverture 18 a à travers la couche 18 de passivation et peut-être aussi partiellement dans la couche de base 16 Cette étape de gravure aboutit également, habituellement, à la formation d'un rebord ou d'une lèvre 18 b de Si O 2, en surplomb, o la gravure au Br/EG attaque en contre-dépouille la couche 18 La couche di- électrique 18 de Si O 2 résiste à l'agent de gravure Br/EG et reste sensiblement non affectée. Comme indiqué au bloc G de la figure 3 et sur la figure 4 e), si cela est nécessaire, une autre attaque à l'oxyde tamponné (BOE) est effectuée pour éliminer la lèvre
18 a de Si O 2 Le masque 17 de photoréserve est ensuite enlevé.
Comme indiqué au bloc H de la figure 3, la structure est ensuite préparée pour un dépôt en phase vapeur d'une matière de coiffe constituée de Hg Cd Te du type p Une épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), ou en variante un dépôt chimique en phase vapeur d'organo- métalliques MOCVD constituent deux procédés convenables en phase vapeur pour faire croître la couche de coiffe de Hg Cd Te de type p Pour une épitaxie MBE, une étape convenable de préparation comprend une élimination de contaminants organiques par traitement en présence d'ozone pendant 20 minutes, suivie d'une pulvérisation à faible concentration de Br/EG ( 1/16 %)
pour éliminer tous oxydes résiduels.
Comme illustré au bloc I de la figure 3 et sur la figure 4 f, on fait croître une couche de coiffe 14 en Hg Cd Te du type p, par exemple par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), jusqu'à une épaisseur d'environ 1,5 micromètre Il en résulte que l'ouverture 18 a précédemment formée dans la couche 18 de Si O 2 et l'ouverture 16 a dans la couche 16 de passivation Cd Te sont remplies de Hg Cd Te de type p De l'arsenic constitue un dopant de type p convenable Les lacunes de Hg peuvent également être utilisées pour réaliser la couche de coiffe 14 en Hg Cd Te de type p La couche de coiffe 14 de type p est en contact avec la couche de base 12
de type n, formant une hétérojonction p-n 14 a.
Comme illustré au bloc J de la figure 3 et sur la figure 4 g, le masque de délinéation de diode précédemment utilisé est de nouveau utilisé dans une configuration en champ basculé pour dessiner la surface supérieure avec une photoréserve Le résultat est qu'un masque de photoréserve de protection est positionné au-dessus de la couche de coiffe 145 de type p dans l'alignement avec le site sous-jacent de la cellule unitaire à photodiode Une gravure par pulvérisation de Br/EG est réalisée pour éliminer la couche de coiffe exposée (non masquée) sur le dessus de la couche 18 de Si O 2. Conformément à un aspect de l'invention, la couche 18 de Si O 210 fonctionne en tant que limite ou barrière d'arrêt de la gravure En conséquence, après la gravure au Br/EG et après que le masque a été enlevé, la structure apparaît comme montré sur la figure 4 g, structure dans laquelle les ouvertures 18 a et 16 a, précédemment gravées, sont remplies de Hg Cd Te 14 de type p. Comme illustré aux blocs K et L de la figure 3 et sur la figure 2, le traitement est poursuivi pour achever la fabrication de chaque photodiode 10 d'un réseau linéaire ou d'un réseau à deux dimensions de photodiodes A cet effet, on réalise un dessin de masque pour métal de contact, on dépose thermiquement un métal de contact pour former un contact 20, et on enlève le masque pour métal de contact Un système métallique de contact convenable comprend une mince couche d'or (environ 500 nanomètres) sur laquelle du nickel est déposé Ensuite, un masque pour protubérance d'indium est mis en place, de l'indium est déposé par évaporation thermique et le masque pour protubérance d'indium est enlevé Une hauteur habituelle de l'interconnexion 22 à protubérance d'indium est
comprise entre environ 10 micromètres et 12 micromètres.
Comme on peut le voir sur la figure 2, la protubérance 22 d'indium peut être réalisée de façon à être notablement plus grande que le contact sous-jacent 20, les dimensions de la protubérance d'indium étant pratiquement indépendantes des dimensions de la cellule unitaire à photodétecteur 10 sous-jacente et/ou de la zone de la
jonction p-n 14 a En variante, on peut voir que les dimen-
sions de la cellule unitaire de photodétecteur peuvent être déterminées sans tenir compte des dimensions de la protubé- rance 22 d'indium De plus, bien que le contact 20 apparaisse5 comme étant sensiblement de la même dimension que la couche de coiffe sous-jacente 14 de type p, on doit noter que l'on peut utiliser un masque qui forme le contact 20 de manière qu'il ait une aire supérieure à celle de la couche de coiffe sous-jacente 14 de type p Le résultat est que l'aire de la10 cellule unitaire de photodiode 10 et/ou de la jonction p-n, le contact métallique 20 et la dimension de l'interconnexion 22 à protubérance d'indium peuvent chacun être déterminés et optimisés séparément pour un résultat souhaité Par exemple, l'aire de la cellule unitaire de photodiode peut être petite de manière à augmenter la densité et la résolution de formation d'image du réseau, tandis que l'on augmente la dimension de l'interconnexion 22 à protubérance d'indium pour
améliorer la fiabilité de l'ensemble hybride.
On peut voir aussi qu'une partie de la couche 18
de Si O 2 s'étend au-dessous de l'interconnexion 22 à protubé-
rance d'indium et l'isole électriquement de la couche sous-
jacente 18 de passivation Si cela est souhaité, on peut procéder à une autre gravure à l'oxyde tamponné (BOE) pour éliminer les parties exposées de la couche 18 de Si O 2, bien
que cette étape ne soit pas nécessaire.
Le procédé de délinéation de diode à gravure arrêtée, décrit ci-dessus, est plus apte à être répété et plus précis que la technique actuellement utilisée de délinéation de gravure d'une structure mésa Ceci améliore le facteur de qualité de la photodiode, autrement dit, la résistance dynamique sous polarisation nulle multipliée par l'uniformité d'aire (RA) sur de grands réseaux Lorsque la valeur RA est augmentée, on obtient une meilleure interface électrique avec un circuit amplificateur extérieur De plus, le procédé de formation de la jonction p-n ne nécessite pas il une diffusion thermique et/ou une implantation ionique
d'espèces dopantes dans la couche de base 16, comme cela est demandé par de nombreuses approches classiques de fabrication de photodiodes à structure plane, augmentant donc encore5 l'uniformité ROA sur le réseau.
En outre, étant donné que les divers bords et diverses surfaces de la structure mésa sont éliminés, les
structures de détecteur fabriquées conformément au procédé de l'invention présentent aussi des caractéristiques de rétro-10 réflexion réduites.
Le processus à structure plane de l'invention augmente aussi la résolution de traitement, permettant de diminuer notablement la dimension d'une cellule unitaire du détecteur par rapport à celle pouvant être obtenue avec des
techniques classiques de traitement.
Il convient de noter que, bien que l'invention ait été décrite dans le contexte de matières spécifiques, de dimensions spécifiques et de paramètres de traitement spécifiques, tels que des agents de gravure et des techniques de dépôt, on peut apporter un certain nombre de modifications
à ces diverses matières, dimensions et paramètres de traite-
ment tout en obtenant le même résultat Par exemple, le principe de l'invention peut également être appliqué à des dispositifs du type n-surp De plus, par exemple, au bloc D de la figure 3, du Si N 4 peut être utilisé à la place du 5102, conjointement avec l'exécution, ensuite, d'une gravure ionique réactive De plus, au bloc F de la figure 3, on peut utiliser une gravure ionique réactive au lieu de la gravure par pulvérisation de Br/EG En conséquence, l'étape du bloc
G de la figure 3 peut être éliminée.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé et à la diode décrits et
représentés sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (14)
1 Procédé pour fabriquer une diode photovoltaï- que, caractérisé en ce qu'il consiste à utiliser une couche de base ( 12) en matière semiconductrice ayant un premier type5 de conductivité électrique, à former une couche ( 16) de passivation sur une surface de la couche de base, à former une couche ( 18) constituée d'une matière diélectrique sur la couche de passivation, à former une ouverture ( 18 a) à travers la couche de matière diélectrique et à travers la couche de10 passivation afin d'exposer la couche de base, à déposer une couche ( 14) de coiffe en matière semiconductrice ayant un
second type de conductivité électrique, la matière semi-
conductrice de la couche de coiffe remplissant sensiblement l'ouverture, à former un masque sur la couche de coiffe en alignement avec l'ouverture remplie, à éliminer par gravure les parties exposées de la couche de coiffe, l'agent de gravure étant choisi en fonction de la composition de la
matière de la couche diélectrique afin que la couche di-
électrique fonctionne en tant que barrière arrêtant la gravure, à enlever le masque, et à former une connexion électrique ( 20) avec la matière semiconductrice restante de
la couche de coiffe qui remplit l'ouverture.
2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d'utilisation d'une couche de base en matière semiconductrice ayant un premier type de conductivité électrique consiste à faire croître une couche ( 12) de Hg Cd Te de type N sur un substrat ( 11) par un procédé d'épitaxie en
phase liquide.
3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche de passivation sur une surface de la couche de base consiste à former une couche ( 16) de matière semiconductrice ayant une bande d'énergie interdite plus large que celle de la matière
semiconductrice de la couche de base.
4 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche de passivation sur une surface de la couche de base consiste à évaporer thermiquement une couche ( 16) constituée de Cd Te.5 5 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche constituée d'une matière diélectrique sur la couche de passivation consiste à déposer une couche ( 18) constituée de Si O 2 ou de Si N 4. 6 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une ouverture à travers la couche de matière diélectrique et à travers la couche de passivation consiste à graver sélectivement la matière diélectrique par une gravure à l'oxyde tamponné, et à graver sélectivement la couche de passivation avec du brome/
éthylèneglycol.
7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape de gravure sélective de la couche de
passivation avec du brome/éthylèneglycol grave en contre-
dépouille la couche diélectrique, laissant une partie ( 18 b) en surplomb pénétrant dans l'ouverture, et consiste en outre à enlever la partie en surplomb de la matière diélectrique par une autre étape de gravure éliminant la partie en surplomb de la matière diélectrique par une gravure à l'oxyde tamponné. 8 Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'une couche de coiffe en matière
semiconductrice ayant un second type de conductivité électri-
que consiste à déposer une couche ( 14) de Hg Cd Te de type p
par un procédé d'épitaxie en phase vapeur.
9 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche constituée d'une matière diélectrique sur la couche de passivation consiste à déposer une couche ( 16) de Si O 2, et l'étape d'élimination par gravure des parties exposées de la couche de coiffe consiste à éliminer sélectivement par gravure les parties exposées de la couche de coiffe avec une solution d'attaque qui comprend
du Brome/éthylèneglycol, la couche diélectrique de Si O 2 fonc-
tionnant en tant que barrière d'arrêt de gravure afin
d'empêcher l'attaque de la couche sous-jacente de passiva-
tion. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une connexion électrique avec la matière semiconductrice de la couche de coiffe consiste à former une couche de métallisation de contact sur la matière de la couche de coiffe dans l'ouverture remplie, et à former une interconnexion à protubérance ( 22) d'indium
en contact électrique avec la métallisation de contact.
11 Procédé selon la revendication 10, caracté-
risé en ce que l'étape de formation d'une interconnexion à
protubérance d'indium en contact électrique avec la métalli-
sation de contact forme l'interconnexion à protubérance d'indium avec une surface inférieure qui s'étend au-dessus de la couche de métallisation de contact, l'interconnexion à protubérance d'indium étant formée de façon que l'aire de la surface inférieure soit plus grande que l'aire d'une surface
supérieure de l'ouverture remplie.
12 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, avant l'étape de formation d'une connexion électrique avec la matière semiconductrice restante de la couche de coiffe, une surface supérieure de la couche diélectrique est plane, sa planéité étant en-deçà d'environ
un micromètre.
13 Photodiode à structure plane, caractérisé en ce qu'elle comporte un substrat ( 11), une région de base ( 12)
à semiconducteur s'étendant au-dessus du substrat et compre-
nant des éléments choisis dans le groupe IIB-VIA, la région de base ayant un premier type de conductivité électrique, une couche ( 16) de semiconducteur s'étendant au-dessus de la région de base et comprenant des éléments choisis dans le groupe IIB-VIA, la couche de semiconducteur ayant une bande d'énergie interdite plus large que celle de la région de base, une couche diélectrique ( 18) s'étendant au moins partiellement au-dessus de la couche de semiconducteur, une région ( 14) de coiffe en semiconducteur formée à l'intérieur d'une ouverture ( 18 a) réalisée à travers la couche diélectri- que et à travers la couche de semiconducteur, une surface inférieure de la région de coiffe étant en contact électrique avec la région de base, la région de coiffe étant constituée d'éléments choisis dans le groupe IIB-VIA, ladite région de coiffe ayant un second type de conductivité électrique et formant une hétérojonction avec la région de base, un plot de contact électriquement conducteur ( 20) formé sur une surface supérieure de la région de coiffe, et une interconnexion électriquement conductrice ( 22) formée sur le plot de contact et ayant une aire de surface inférieure qui est plus grande que celle de la surface supérieure de la région de coiffe
afin qu'une partie de la surface inférieure de l'intercon-
nexion s'étende au-dessus d'une partie d'une surface supé-
rieure de la couche diélectrique.
14 Photodiode selon la revendication 13, caractérisée en ce que le substrat est constitué d'éléments
choisis dans le groupe IIB-VIA et est sensiblement transpa-
rent à un rayonnement ayant des longueurs d'onde auxquelles
on s'intéresse.
15 Photodiode selon la revendication 14,
caractérisée en ce que le substrat est constitué de Cd Zn Te.
16 Photodiode selon la revendication 13, caractérisée en ce que la région de base est constituée de Hg Cd Te de type N et la région de coiffe est constituée de Hg Cd Te de type p. 17 Photodiode selon la revendication 13, caractérisée en ce que la couche de semiconducteur est
constituée de Cd Te.
18 Photodiode selon la revendication 13, caractérisée en ce que la couche diélectrique est constituée
de Si O 2 ou de Si N 4.
19 Photodiode selon la revendication 13, caractérisée en ce que l'interconnexion électriquement conductrice est constituée d'indium.5 20 Photodiode selon la revendication 13, caractérisée en ce que le substrat supporte plusieurs
desdites photodiodes ( 10).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/918,957 US5279974A (en) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | Planar PV HgCdTe DLHJ fabricated by selective cap layer growth |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2694134A1 true FR2694134A1 (fr) | 1994-01-28 |
| FR2694134B1 FR2694134B1 (fr) | 1995-06-16 |
Family
ID=25441228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9309162A Expired - Fee Related FR2694134B1 (fr) | 1992-07-24 | 1993-07-26 | Procede de fabrication d'une diode photovoltauique et diode a structure plane. |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5279974A (fr) |
| FR (1) | FR2694134B1 (fr) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0635892B1 (fr) * | 1992-07-21 | 2002-06-26 | Raytheon Company | Photodétecteur en HgCdTe stable au recuit et procédé pour sa fabrication |
| US6030853A (en) * | 1993-08-13 | 2000-02-29 | Drs Fpa, L.P. | Method of producing intrinsic p-type HgCdTe using CdTe capping layer |
| US5804463A (en) * | 1995-06-05 | 1998-09-08 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Noble metal diffusion doping of mercury cadmium telluride for use in infrared detectors |
| US5846850A (en) * | 1995-09-05 | 1998-12-08 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Double sided interdiffusion process and structure for a double layer heterojunction focal plane array |
| US5818051A (en) * | 1996-04-04 | 1998-10-06 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Multiple color infrared detector |
| US5933706A (en) * | 1997-05-28 | 1999-08-03 | James; Ralph | Method for surface treatment of a cadmium zinc telluride crystal |
| US6043106A (en) * | 1997-05-28 | 2000-03-28 | Mescher; Mark J. | Method for surface passivation and protection of cadmium zinc telluride crystals |
| US6406982B2 (en) * | 2000-06-05 | 2002-06-18 | Denso Corporation | Method of improving epitaxially-filled trench by smoothing trench prior to filling |
| GB2387026A (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-01 | Zarlink Semiconductor Ltd | Method of coating contact holes in MEMS and micro-machining applications |
| US7264982B2 (en) * | 2004-11-01 | 2007-09-04 | International Business Machines Corporation | Trench photodetector |
| US7504672B1 (en) | 2005-09-20 | 2009-03-17 | Drs Sensors & Targeting Systems, Inc. | Separate absorption and detection diode |
| US8669588B2 (en) * | 2009-07-06 | 2014-03-11 | Raytheon Company | Epitaxially-grown position sensitive detector |
| US8441087B2 (en) | 2011-07-22 | 2013-05-14 | Raytheon Company | Direct readout focal plane array |
| US10115764B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-10-30 | Raytheon Company | Multi-band position sensitive imaging arrays |
| CN104112784A (zh) * | 2014-07-10 | 2014-10-22 | 南通康比电子有限公司 | 新型光伏二极管及其生产工艺 |
| RU2566650C1 (ru) * | 2014-08-05 | 2015-10-27 | Акционерное общество "НПО "Орион"(АО "НПО "Орион") | Способ изготовления фотодиода |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074538A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| US4783594A (en) * | 1987-11-20 | 1988-11-08 | Santa Barbara Research Center | Reticular detector array |
| EP0352471A2 (fr) * | 1988-07-27 | 1990-01-31 | Texas Instruments Incorporated | Procédé de planariser de dispositifs semiconducteurs |
| JPH02246123A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| GB2244373A (en) * | 1990-05-19 | 1991-11-27 | Stc Plc | Semiconductor device manufacture |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1229093B (de) * | 1963-01-23 | 1966-11-24 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Hexahydropyrimidinderivaten |
| US3378915A (en) * | 1966-03-31 | 1968-04-23 | Northern Electric Co | Method of making a planar diffused semiconductor voltage reference diode |
| FR2336804A1 (fr) * | 1975-12-23 | 1977-07-22 | Telecommunications Sa | Perfectionnements apportes aux dispositifs semi-conducteurs, notamment aux detecteurs photovoltaiques comprenant un substrat a base d'un alliage cdxhg1-xte, et procede de fabrication d'un tel dispositif perfectionne |
| US4105478A (en) * | 1977-01-06 | 1978-08-08 | Honeywell, Inc. | Doping hgcdte with li |
| US4206003A (en) * | 1977-07-05 | 1980-06-03 | Honeywell Inc. | Method of forming a mercury cadmium telluride photodiode |
| US4301463A (en) * | 1980-03-07 | 1981-11-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Demultiplexing photodetector |
| US4608586A (en) * | 1984-05-11 | 1986-08-26 | At&T Bell Laboratories | Back-illuminated photodiode with a wide bandgap cap layer |
| JPH0748560B2 (ja) * | 1986-11-18 | 1995-05-24 | 株式会社東芝 | 半導体受光装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-07-24 US US07/918,957 patent/US5279974A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-07-26 FR FR9309162A patent/FR2694134B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074538A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| US4783594A (en) * | 1987-11-20 | 1988-11-08 | Santa Barbara Research Center | Reticular detector array |
| EP0352471A2 (fr) * | 1988-07-27 | 1990-01-31 | Texas Instruments Incorporated | Procédé de planariser de dispositifs semiconducteurs |
| JPH02246123A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| GB2244373A (en) * | 1990-05-19 | 1991-11-27 | Stc Plc | Semiconductor device manufacture |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| "Growth and characterization of p-on-n HgCdTe liquid-phase epitaxy heterojunction material for 11-18 um applications", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART B, vol. 9, no. 3, May 1991 (1991-05-01), NEW YORK US, pages 1724 - 1730 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 14, no. 564 (E - 1013) 14 December 1990 (1990-12-14) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 9, no. 212 (E - 339) 29 August 1985 (1985-08-29) * |
| Z. DJURIC ET AL.: "Local growth of HgCdTe layers by isothermal vapour phase epitaxy", ELECTRONICS LETTERS, vol. 26, no. 14, 5 July 1990 (1990-07-05), ENAGE GB, pages 1005 - 1006 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5279974A (en) | 1994-01-18 |
| FR2694134B1 (fr) | 1995-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0350351B1 (fr) | Photodiode et matrice de photodiodes sur matériau II-VI et leurs procédés de fabrication | |
| EP1756872B1 (fr) | Circuit de detection photonique a structure mesa | |
| EP3660930B1 (fr) | Procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes à base de germanium et à faible courant d'obscurité | |
| EP3657556B1 (fr) | Procede de fabrication d'au moins une photodiode planaire passivee a courant d'obscurite reduit | |
| FR2694134A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une diode photovoltaïque et diode à structure plane. | |
| FR2954587A1 (fr) | Procede de formation d'un capteur d'images eclaire par la face arriere | |
| EP3971995B1 (fr) | Photodiode passivée comportant une portion périphérique ferroélectrique | |
| FR2977982A1 (fr) | Matrice de photodiodes ingaas | |
| FR2872345A1 (fr) | Procede de formation d'une zone de passivation sur un dispositif semi-conducteur, reseau de photodiodes sensibles au rayonnement infrarouge, son procede de fabrication et procede de passivation d'une surface d'un corps. | |
| FR2954996A1 (fr) | Photodiode, reseau de photodiodes et procede de passivation d'une photodiode de groupes ii-vi | |
| EP0913002B1 (fr) | Detecteur infrarouge bicolore a coherence spatio-temporelle planaire | |
| JP2013201219A (ja) | 受光素子、その製造方法、および検出装置 | |
| FR2974240A1 (fr) | Capteur eclaire par la face arriere a isolement par jonction | |
| EP4184594B1 (fr) | Photodiode germanium a courant d obscurite reduit comportant une portion intermediaire peripherique a base de sige/ge | |
| EP3482419B1 (fr) | Procédé de fabrication de photodétecteur comprenant un empilement de couches superposées | |
| EP4272264A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une structure photodiode et structure photodiode | |
| WO2017089528A1 (fr) | Dispositif de photo-détection à réseau inter-diodes sur-dopé par diffusion de métal et procédé de fabrication | |
| FR3113781A1 (fr) | PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF DE PHOTODÉTECTION À FAIBLE BRUIT DANS UN SUBSTRAT EN CdHgTe. | |
| EP3764403B1 (fr) | Fabrication d'un dispositif photosensible à semiconducteur | |
| WO2019025354A1 (fr) | Procede de fabrication ameliore d'un detecteur optique a base de photodiodes et dispositif associe | |
| WO2022171650A1 (fr) | Photodiode germanium a contacts metalliques optimises | |
| WO2023110412A1 (fr) | Capteur d'images visibles et infrarouges et procédé de fabrication d'un tel capteur | |
| FR3143193A1 (fr) | Démodulateur photonique assisté par courant comportant des régions dopées de modulation et de collection agencées verticalement et situees dans une zone en compression | |
| CA3188777A1 (fr) | Fabrication de cellules solaires | |
| FR3105410A1 (fr) | Détecteur de rayonnement et procédé de fabrication associé |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CA | Change of address | ||
| CD | Change of name or company name | ||
| TP | Transmission of property | ||
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20070330 |