JPS61210615A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS61210615A JPS61210615A JP5293885A JP5293885A JPS61210615A JP S61210615 A JPS61210615 A JP S61210615A JP 5293885 A JP5293885 A JP 5293885A JP 5293885 A JP5293885 A JP 5293885A JP S61210615 A JPS61210615 A JP S61210615A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- cluster ion
- cluster
- ion beam
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野」
この発明は、原子層エピタキシャル法により基板上に薄
膜を形成させるようにした薄膜形成装置に関する。
膜を形成させるようにした薄膜形成装置に関する。
〔従来技術」
原子層エピタキシャル法とは、薄膜が例えば２種類の原
料で構成される場合に、まず第１の原料がそのまま、あ
るいは半ば分解しながら基板表面に散層したとき、次に
導入した第２の原料が同じくそのまま、あるいは半ば分
解しながら表面吸着層に近付いて、反応・分解し、薄膜
を基板上に析出させる方法である。例えば、Ｇａｏｌと
Ａ Ｂ Ｈ，とを交互に流し込んで反応させＧαＡｌｌ
の薄膜を基板上に析出させる如きものである。
料で構成される場合に、まず第１の原料がそのまま、あ
るいは半ば分解しながら基板表面に散層したとき、次に
導入した第２の原料が同じくそのまま、あるいは半ば分
解しながら表面吸着層に近付いて、反応・分解し、薄膜
を基板上に析出させる方法である。例えば、Ｇａｏｌと
Ａ Ｂ Ｈ，とを交互に流し込んで反応させＧαＡｌｌ
の薄膜を基板上に析出させる如きものである。
上述した原子層エピタキシャル法により基板上に薄膜を
形ｊＪｙ７．する従来装置としては、従来、次（７）
２ ｉ類の装置かあった。
形ｊＪｙ７．する従来装置としては、従来、次（７）
２ ｉ類の装置かあった。
（→ 気体分子の表面化学反応を利用する装置。
（７！Ｉ） 分子線蒸漕装置◎
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上述した従来装置のうち（α）の装置を使用
して薄膜を形成すると、反応容器の成膜雰囲気中に薄膜
を形成する原子以外の原子が必らず存在し、これが不純
物として混入する虞れがあった。また１原子層形成ごと
に反応容器内に供給した原料ガスの排気と入れ換えを行
なわねばならぬので時間を要し、また残留ガスの影響を
考燻せねばならない問題点もあった。また（α）の装置
は基本的に化学反応な゛利用したものであるため、成膜
メカニズムが複雑で、均一な膜厚を得る制（財）が難し
く、また高い基板温度条件が必要である問題点もあった
。
して薄膜を形成すると、反応容器の成膜雰囲気中に薄膜
を形成する原子以外の原子が必らず存在し、これが不純
物として混入する虞れがあった。また１原子層形成ごと
に反応容器内に供給した原料ガスの排気と入れ換えを行
なわねばならぬので時間を要し、また残留ガスの影響を
考燻せねばならない問題点もあった。また（α）の装置
は基本的に化学反応な゛利用したものであるため、成膜
メカニズムが複雑で、均一な膜厚を得る制（財）が難し
く、また高い基板温度条件が必要である問題点もあった
。
一方、（ｂ）の従来装置は、単体原料の物理的成膜技術
を利用したものであるため、成膜メカニズムが単純で、
均一な膜厚を得るための制御が容易であるという長所が
ある。しかしくｈ）の従来装置は蒸発した原料分子ある
いはクラスター（塊状原子集団）の運動エネルギーか小
さいため基板温度を充分高くしないと、均一な薄膜が得
られないはか、超高真空槽（１０２６以上）を必要とす
るため装置の大型化が困難で、大蓋処理が行なえない問
題点があった。
を利用したものであるため、成膜メカニズムが単純で、
均一な膜厚を得るための制御が容易であるという長所が
ある。しかしくｈ）の従来装置は蒸発した原料分子ある
いはクラスター（塊状原子集団）の運動エネルギーか小
さいため基板温度を充分高くしないと、均一な薄膜が得
られないはか、超高真空槽（１０２６以上）を必要とす
るため装置の大型化が困難で、大蓋処理が行なえない問
題点があった。
上述した問題点に鑑み、この発明の薄膜形成装置では薄
膜を構成する複数の原料を、谷原料ごとにクラスタイオ
ンビーム化するクラスタイオンビーム発生手段と、この
クラスタイオンビーム発生手段から照射される各クラス
タイオンビームを、反応容器内に配置された基板表面に
所定時間交互に照射する制御手段とを具え、基板表面に
各原料の層を積層させるようにしている。
膜を構成する複数の原料を、谷原料ごとにクラスタイオ
ンビーム化するクラスタイオンビーム発生手段と、この
クラスタイオンビーム発生手段から照射される各クラス
タイオンビームを、反応容器内に配置された基板表面に
所定時間交互に照射する制御手段とを具え、基板表面に
各原料の層を積層させるようにしている。
上述した、薄膜形成装置によると、基板の表面に積層さ
れた各原料の層の表面化学反応）、即ち原子層エピタキ
シャル法によって、エピタキシャルな薄膜が基板表面に
析出される。
れた各原料の層の表面化学反応）、即ち原子層エピタキ
シャル法によって、エピタキシャルな薄膜が基板表面に
析出される。
以゛Ｆ１本発明に係る薄膜形成装置の一実施例を詳述す
る。
る。
第１因は本発明に係る薄膜形成装［１０を示す概念図で
ある。
ある。
この薄膜形成装置１ｏの反応容器１２内には、基板１４
を載置したサセプタ１６がモータ１８の軸２０に支承さ
れており、このため基板１４はモータ１８の回転と共に
比較的遅い速度で回転する。一方、反応容器１２内の下
方には、薄膜を構成する複数のＭｃ科を、各原料ごとに
クラスタイオンビー、Ａ （１ｏｎｉｚｅｄ ０１ｕ８
ｔ８ｒ ｂｅａｍｊ化し、このビームをそれぞれ前記基
板１４の表面に照射するクラスタイオンビーム発生手段
２２が配置されている。このクラスタイオンビーム発生
手段２２は、いわゆる工ＯＢ （ｉｏｎｉｚｅｄ −ａ
ｌｕｓｔθｒｂｅａｍ）技術に基づくビーム発生手段で
、この技術は原子状、分子状粒子をイオン化して輸送す
るかわりに、５００〜２０００ （１ｆｆｉ）ｉ子が互
いに緩く結合してできる塊状原子集団（クラスタ： ｃ
ｌｕｓｔｅｒ）を用い、電子衝撃によってクラスタを構
成する原子集団の中の一部の原子をイオン化してクラス
タイオンとし蒸層や結晶成長を行なわせる技術である。
を載置したサセプタ１６がモータ１８の軸２０に支承さ
れており、このため基板１４はモータ１８の回転と共に
比較的遅い速度で回転する。一方、反応容器１２内の下
方には、薄膜を構成する複数のＭｃ科を、各原料ごとに
クラスタイオンビー、Ａ （１ｏｎｉｚｅｄ ０１ｕ８
ｔ８ｒ ｂｅａｍｊ化し、このビームをそれぞれ前記基
板１４の表面に照射するクラスタイオンビーム発生手段
２２が配置されている。このクラスタイオンビーム発生
手段２２は、いわゆる工ＯＢ （ｉｏｎｉｚｅｄ −ａ
ｌｕｓｔθｒｂｅａｍ）技術に基づくビーム発生手段で
、この技術は原子状、分子状粒子をイオン化して輸送す
るかわりに、５００〜２０００ （１ｆｆｉ）ｉ子が互
いに緩く結合してできる塊状原子集団（クラスタ： ｃ
ｌｕｓｔｅｒ）を用い、電子衝撃によってクラスタを構
成する原子集団の中の一部の原子をイオン化してクラス
タイオンとし蒸層や結晶成長を行なわせる技術である。
このり２スタイオンビ一ム発生手段２２は１、薄膜を構
成する谷原料をそれぞれクラスタイオンビームに形成す
るビーム形成ガン２４．２６によって構成されている。
成する谷原料をそれぞれクラスタイオンビームに形成す
るビーム形成ガン２４．２６によって構成されている。
なお、実施例の場合は２種類の原料によって薄膜を構成
する場合を示すもので、２種類以上の原料を使用する場
合は、原料の数に応じてビーム形成ガンの赦を増加させ
てやれば良い。このビーム形成ガン２４゜２６はそれぞ
れ第１図の要部拡大画で示す第２図のように、その主要
構成要素は薄膜を構成する原料のす方２８を収容した密
閉形ルツボ３０と、このルツボ３０を加熱するヒータ３
２と、前記ルツボ３０のノズル３０ａから噴出する原料
の蒸気化物質をクラスターイオン化するイオン化電極３
・４と電子加速電極３６およびクラスターイオン化した
原料の蒸気化物質３８を加速させる加速電極４０とから
なっている。また、第１図に示すように、この各ビーム
形成ガン２４゜２６と基板１４との間には各ガン２４．
２６から照射されるり２スタイオンビームの照射時間を
制御する制御手段４１であるプレート形状のシャッタ４
２．４４が介在しており、この各シャッタ４２．４４を
交互に動作させることによって、各ビーム形成ガン２４
．２６から基板１４の表面に照射される各クラスタイオ
ンビームの照射時間が制御される。なお、前記各シャッ
タ４２．４４はそれぞれ軸４６．４８に支承されており
、この軸４６，４８は図示せぬシャッタ開閉機構に連結
されている。また、前記各シャッタ４２．４４の前記ビ
ーム形成ガン２４．２６側に臨む面には、シャッタ４２
．４４の表面に、＠漕される単体原子層の蒸着速度を検
出する膜厚測定子５０，５２が配置され、この谷モニタ
５０．５２は図示せぬ膜厚計に接続している。
する場合を示すもので、２種類以上の原料を使用する場
合は、原料の数に応じてビーム形成ガンの赦を増加させ
てやれば良い。このビーム形成ガン２４゜２６はそれぞ
れ第１図の要部拡大画で示す第２図のように、その主要
構成要素は薄膜を構成する原料のす方２８を収容した密
閉形ルツボ３０と、このルツボ３０を加熱するヒータ３
２と、前記ルツボ３０のノズル３０ａから噴出する原料
の蒸気化物質をクラスターイオン化するイオン化電極３
・４と電子加速電極３６およびクラスターイオン化した
原料の蒸気化物質３８を加速させる加速電極４０とから
なっている。また、第１図に示すように、この各ビーム
形成ガン２４゜２６と基板１４との間には各ガン２４．
２６から照射されるり２スタイオンビームの照射時間を
制御する制御手段４１であるプレート形状のシャッタ４
２．４４が介在しており、この各シャッタ４２．４４を
交互に動作させることによって、各ビーム形成ガン２４
．２６から基板１４の表面に照射される各クラスタイオ
ンビームの照射時間が制御される。なお、前記各シャッ
タ４２．４４はそれぞれ軸４６．４８に支承されており
、この軸４６，４８は図示せぬシャッタ開閉機構に連結
されている。また、前記各シャッタ４２．４４の前記ビ
ーム形成ガン２４．２６側に臨む面には、シャッタ４２
．４４の表面に、＠漕される単体原子層の蒸着速度を検
出する膜厚測定子５０，５２が配置され、この谷モニタ
５０．５２は図示せぬ膜厚計に接続している。
次に上述した各７ヤツタ４２．４４の制御手順を、基板
表面にＧ（ＺＡ８の薄膜を形成する場合について読切し
、併せて薄膜形成装置Ｉｔ１０の構成をより詳細に説明
する。
表面にＧ（ＺＡ８の薄膜を形成する場合について読切し
、併せて薄膜形成装置Ｉｔ１０の構成をより詳細に説明
する。
第３図は上述した制（財）手順を示すフローチャートで
ある。
ある。
ステップ６０でクライスタイオンビーム形成ガン２４．
２６の各ルツボ３０（第２図）内にそれぞれＧａ単体原
料とＡｌｌ単体原料とを収容する。しかる仮ステップ６
１でシャッタ開閉機構を操作し、シャッタ４２．４４を
それぞれ閉状態に維持させる。次に、ステップ６２で各
ルツボ３０を各ヒータ３２によって加熱し、各ルボ３０
内に収容された原料を蒸気化させるＯそして、ステップ
６３で、各ガン２４．２６から各原料がそれぞれクラス
タイオンビーム化されたか否か、即ち谷ガン２４．２６
が成膜条件を満す状態であるか否かを判断する。
２６の各ルツボ３０（第２図）内にそれぞれＧａ単体原
料とＡｌｌ単体原料とを収容する。しかる仮ステップ６
１でシャッタ開閉機構を操作し、シャッタ４２．４４を
それぞれ閉状態に維持させる。次に、ステップ６２で各
ルツボ３０を各ヒータ３２によって加熱し、各ルボ３０
内に収容された原料を蒸気化させるＯそして、ステップ
６３で、各ガン２４．２６から各原料がそれぞれクラス
タイオンビーム化されたか否か、即ち谷ガン２４．２６
が成膜条件を満す状態であるか否かを判断する。
しかる練、各ガン２４．２６が成膜条件を満した場合に
は、ステップ６４に進む。このステップ６４では、各シ
ャッタ４２．４４の表面に形成されるＧα単体原子層の
形成に要する時間ＡとＡｉｌ単体原子層の形成に費する
時間Ｂとが、膜厚測定子５０．５２（第１図）とリセッ
トされた膜厚計および図示せぬ制御装置とによって算出
される。しかる後、ステップ６４で算出された時間に基
づき、ステップ６５で、シャッタ４２をＡ時間開状態に
維持し、シャッタ４４をＡ時間閉状態に維持する（第１
図）。そしてステップ６６で再び両シャッタ４２．４４
を閉状態に復帰させた後、ステップ６７で今度はシャッ
タ４２を８時間閉状態に維持させ、シャッタ４４を８時
間開状態に維持させる。しかる後、ステップ６８で再び
両シャッタ４２．４４を閉状態に￥Ｓ、帰させ、ステッ
プ６９で基板１４の表面に析出された薄膜の膜厚を図示
せぬ膜厚計で測定し、所定厚の薄膜が形成されていれば
、操作を終了させ、所定厚の薄膜が形成されていない場
合は再びステップ６５に復帰し、同様の手順を繰り返え
す。以上、上述した、シャッタ４２゜４４の制（財）手
順によると、基板１４の表面にＧα単原子層とＡ８単原
子層とが１層づつ正確に積層され、これらの各層の表曲
化学反応、即ち原子）ｄｉエピタキシャル法によって（
ｋａＡＢの薄膜が基板１４０表面に形成されることとな
る。
は、ステップ６４に進む。このステップ６４では、各シ
ャッタ４２．４４の表面に形成されるＧα単体原子層の
形成に要する時間ＡとＡｉｌ単体原子層の形成に費する
時間Ｂとが、膜厚測定子５０．５２（第１図）とリセッ
トされた膜厚計および図示せぬ制御装置とによって算出
される。しかる後、ステップ６４で算出された時間に基
づき、ステップ６５で、シャッタ４２をＡ時間開状態に
維持し、シャッタ４４をＡ時間閉状態に維持する（第１
図）。そしてステップ６６で再び両シャッタ４２．４４
を閉状態に復帰させた後、ステップ６７で今度はシャッ
タ４２を８時間閉状態に維持させ、シャッタ４４を８時
間開状態に維持させる。しかる後、ステップ６８で再び
両シャッタ４２．４４を閉状態に￥Ｓ、帰させ、ステッ
プ６９で基板１４の表面に析出された薄膜の膜厚を図示
せぬ膜厚計で測定し、所定厚の薄膜が形成されていれば
、操作を終了させ、所定厚の薄膜が形成されていない場
合は再びステップ６５に復帰し、同様の手順を繰り返え
す。以上、上述した、シャッタ４２゜４４の制（財）手
順によると、基板１４の表面にＧα単原子層とＡ８単原
子層とが１層づつ正確に積層され、これらの各層の表曲
化学反応、即ち原子）ｄｉエピタキシャル法によって（
ｋａＡＢの薄膜が基板１４０表面に形成されることとな
る。
なお、上記実施例では、クラスタイオンビーム（工ＯＢ
）技術を利用して、基板１４上に単原子層をそれぞれ積
層させるため、反応容器１２（第１図）内の真空度を高
真空度（１０Ｐα）以上にする必要はな（、通常の真空
度（１０Ｐα根度）で実施することが出来、時に、この
真空度は通常の油拡散−ンプ等を使用して容易に実現す
ることが可能であるＯ ｆた、クラスターの一部をイオン化し、これを加速させ
るため、原子あたりの運動エネルギーが単なる蒸着の場
合よ、りも太き（、このため薄膜、特に結晶成長に必要
なエネルギーが、こσ〕運動エネルギーより補光される
ので、基板１４の温度をその分下げ、比較的低い基板温
度ｙｃよって結晶成長を行なわせることが可能である。
）技術を利用して、基板１４上に単原子層をそれぞれ積
層させるため、反応容器１２（第１図）内の真空度を高
真空度（１０Ｐα）以上にする必要はな（、通常の真空
度（１０Ｐα根度）で実施することが出来、時に、この
真空度は通常の油拡散−ンプ等を使用して容易に実現す
ることが可能であるＯ ｆた、クラスターの一部をイオン化し、これを加速させ
るため、原子あたりの運動エネルギーが単なる蒸着の場
合よ、りも太き（、このため薄膜、特に結晶成長に必要
なエネルギーが、こσ〕運動エネルギーより補光される
ので、基板１４の温度をその分下げ、比較的低い基板温
度ｙｃよって結晶成長を行なわせることが可能である。
〔発明の効果」
この発明は、原子層エピタキシャル法による薄膜形成を
、■ＯＢ（クラスタイオンビーム）技術に基づく物理的
薄膜形成装置によって実現させるようにしたため、制御
性良く良質の薄膜を形成することが出来る。また、結晶
生長の際の基板温度を比較的低い温度で行なうことが可
能で、このため形成される薄膜の欠陥密度を低下させる
ことが出来る。また、反応容器の真空度を比較的低い値
に設定することが可能で、このため装置の取り扱いが容
易となり、装置の大型化と基板の大蓋処理とを行なうこ
とが出来る。
、■ＯＢ（クラスタイオンビーム）技術に基づく物理的
薄膜形成装置によって実現させるようにしたため、制御
性良く良質の薄膜を形成することが出来る。また、結晶
生長の際の基板温度を比較的低い温度で行なうことが可
能で、このため形成される薄膜の欠陥密度を低下させる
ことが出来る。また、反応容器の真空度を比較的低い値
に設定することが可能で、このため装置の取り扱いが容
易となり、装置の大型化と基板の大蓋処理とを行なうこ
とが出来る。
また、気体分子の表面化学反応を利用する装置でないた
め、反応ガスの入れ換が不用となり、このため基板表面
に形成される薄膜の成膜速度を太き（して、薄膜形成に
必要な処理時間を短縮させることが出来る。
め、反応ガスの入れ換が不用となり、このため基板表面
に形成される薄膜の成膜速度を太き（して、薄膜形成に
必要な処理時間を短縮させることが出来る。
第１図は本発明に係る薄膜形成装置の一実施例を示す概
念図、第２図は第１図の要部概念図、第３図はシャッタ
の制御手順を示すフローチャート“晃ある・ １０・・・薄膜形成装置、１２・・・反応容器、１４・
・・基板、２０−・・クラスタイオンビーム発生手段、
２４．２６・・・ビーム形成ガン、４１・・・ル１」一
手段、４２．４４・・・シャンタ 第３ ＳＴＡＲＴ ＧＯ単単体科料 ６０ とと、そ戟ぞ刺力゛ソ２ ２６の谷ろつは゛°３０内１て込Ｊ先るシャツ７４２，
４４ど’ｔｈそ車 １＃ｌｉ友宍塾に４１８で
る ６つ１丁３０Ｆし−７３２１：よ て〃［］熱し原ｅ４を鼻環ゴ仁する 〃゛ン２ ４成腰状旭−＋：、１し Ｎｏ ｒ−か？ 膜部↑とリセ５．トしシャ、・７タ ６４４２．４４
ｆｆｆｆｉｌ’：’Ｗ’ｔＰｘ’７’Ｒる畦Ｒ■の
− 特開Ａと、Ａｓ学尿 １で要するＷ団閉Ｂとと専わする 図 ７人、
念図、第２図は第１図の要部概念図、第３図はシャッタ
の制御手順を示すフローチャート“晃ある・ １０・・・薄膜形成装置、１２・・・反応容器、１４・
・・基板、２０−・・クラスタイオンビーム発生手段、
２４．２６・・・ビーム形成ガン、４１・・・ル１」一
手段、４２．４４・・・シャンタ 第３ ＳＴＡＲＴ ＧＯ単単体科料 ６０ とと、そ戟ぞ刺力゛ソ２ ２６の谷ろつは゛°３０内１て込Ｊ先るシャツ７４２，
４４ど’ｔｈそ車 １＃ｌｉ友宍塾に４１８で
る ６つ１丁３０Ｆし−７３２１：よ て〃［］熱し原ｅ４を鼻環ゴ仁する 〃゛ン２ ４成腰状旭−＋：、１し Ｎｏ ｒ−か？ 膜部↑とリセ５．トしシャ、・７タ ６４４２．４４
ｆｆｆｆｉｌ’：’Ｗ’ｔＰｘ’７’Ｒる畦Ｒ■の
− 特開Ａと、Ａｓ学尿 １で要するＷ団閉Ｂとと専わする 図 ７人、
Claims (3)
- （１）薄膜を構成する複数の原料を、各原料ごとにクラ
スタイオンビーム化するクラスタイオンビーム発生手段
と、この発生手段から照射される各クラスタイオンビー
ムを、反応容器内に配置された基板表面に、所定時間交
互に照射させる制御手段とを具え、これらクラスタイオ
ンビーム発生手段と制御手段とにより、基板表面に原料
原子の原子層を交互に積層させ、これらの各原子層の表
面化学反応によつ薄膜を基板表面に析出させるようにし
たことを特徴とする薄膜形成装置。 - （２）前記クラスタイオンビーム発生手段は、単体原料
をクラスタイオンビーム化する複数のビーム形成ガンで
あることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
薄膜形成装置。 - （３）前記制御手段は、前記各ビーム形成ガンと前記基
板との間ごとにそれぞれ介在するシャッタであることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項または第（２）項
記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5293885A JPS61210615A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5293885A JPS61210615A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210615A true JPS61210615A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12928808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5293885A Pending JPS61210615A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210615A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147271U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-11 | ||
| JPH02305438A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 真空蒸着装置 |
| US6375790B1 (en) | 1999-07-19 | 2002-04-23 | Epion Corporation | Adaptive GCIB for smoothing surfaces |
| US7563379B2 (en) * | 2003-12-15 | 2009-07-21 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Dry etching method and photonic crystal device fabricated by use of the same |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP5293885A patent/JPS61210615A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147271U (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-11 | ||
| JPH0527501Y2 (ja) * | 1988-03-30 | 1993-07-13 | ||
| JPH02305438A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 真空蒸着装置 |
| US6375790B1 (en) | 1999-07-19 | 2002-04-23 | Epion Corporation | Adaptive GCIB for smoothing surfaces |
| US7563379B2 (en) * | 2003-12-15 | 2009-07-21 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Dry etching method and photonic crystal device fabricated by use of the same |
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