JPS61208870A - 半導体集積回路用薄構造体 - Google Patents
半導体集積回路用薄構造体Info
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- JPS61208870A JPS61208870A JP61050276A JP5027686A JPS61208870A JP S61208870 A JPS61208870 A JP S61208870A JP 61050276 A JP61050276 A JP 61050276A JP 5027686 A JP5027686 A JP 5027686A JP S61208870 A JPS61208870 A JP S61208870A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンと高融点金属（Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｗ）のケイ化物とから成り、膜構造体が他のプロセス（
：て焼戻されかつ場合によっては酸化させられる半導体
集積回路用薄膜構造体Ｃ：関する。
Ｗ）のケイ化物とから成り、膜構造体が他のプロセス（
：て焼戻されかつ場合によっては酸化させられる半導体
集積回路用薄膜構造体Ｃ：関する。
半導体集積回路の製造においては、シリコンと高融点金
属のケイ化物とから成る膜結合体がしばしば使用される
。他のプロセスにてこの膜結合体は焼戻され、そしてし
ばしば同様に酸化させられる。その場合には、ケイ化物
の生成前に下層表面上に形成される貢物（たとえば酸化
物、窒化物あるいは炭化物）から成る僅かな原子層の膜
がシリコンの拡散を妨げるか不可能にし、あるいは接触
抵抗を高めるという問題がある。
属のケイ化物とから成る膜結合体がしばしば使用される
。他のプロセスにてこの膜結合体は焼戻され、そしてし
ばしば同様に酸化させられる。その場合には、ケイ化物
の生成前に下層表面上に形成される貢物（たとえば酸化
物、窒化物あるいは炭化物）から成る僅かな原子層の膜
がシリコンの拡散を妨げるか不可能にし、あるいは接触
抵抗を高めるという問題がある。
シリコン上の酸化物層は一般（：湿式化学エツチング、
いわゆる”ＨＰ−Ｄｉｐ ”によってケイ化物の生成前
に除去される（第１の方法）。または、ケイ化物の生成
の直前に基板が真空状態にてイオ、ン流を照射され、そ
れにより表面が切取りにより洗浄される（第２の方法）
。
いわゆる”ＨＰ−Ｄｉｐ ”によってケイ化物の生成前
に除去される（第１の方法）。または、ケイ化物の生成
の直前に基板が真空状態にてイオ、ン流を照射され、そ
れにより表面が切取りにより洗浄される（第２の方法）
。
しかしながら第１の方法においては、酸化物層しか除去
できず、さらに空気によって酸化物が再形成されるの乞
防ぐためにディスクは数分間シリコンによってコーティ
ングされなければならなし）という欠点がある。一方第
２の方法においては、半導体材料が損傷を受けるの全回
避することができないという欠点がある。シリコン下層
を使用しないというプロセスの変形例においては、半導
体が広範囲に亘って露出しているので、第２の方法は禁
止されている。
できず、さらに空気によって酸化物が再形成されるの乞
防ぐためにディスクは数分間シリコンによってコーティ
ングされなければならなし）という欠点がある。一方第
２の方法においては、半導体材料が損傷を受けるの全回
避することができないという欠点がある。シリコン下層
を使用しないというプロセスの変形例においては、半導
体が広範囲に亘って露出しているので、第２の方法は禁
止されている。
そこで本発明は、このような点に鑑みてなされ、異物か
ら成長した膜を溶かすかまたは無害の化合物に変換する
ことン目的とする。
ら成長した膜を溶かすかまたは無害の化合物に変換する
ことン目的とする。
この目的を達成するために、本発明は、シリコンと導電
性膜との間Ｃ二反応性中間膜を設けることを特徴とする
。
性膜との間Ｃ二反応性中間膜を設けることを特徴とする
。
それによって、シリコン膜とその上に位置する膜との間
Ｃ二特に良好な接触が生じるようになる。
Ｃ二特に良好な接触が生じるようになる。
上述した金属（Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ）と酸素、窒素お
よび炭素との反応エンタルピーは、シリコンとの反応エ
ンタルピーよりも高い。すなわち当該Ｓｔ化合物が金属
酸化物、金属窒化物および金属炭化物を形成しながら溶
かされる反応エンタルピーよりも高い。
よび炭素との反応エンタルピーは、シリコンとの反応エ
ンタルピーよりも高い。すなわち当該Ｓｔ化合物が金属
酸化物、金属窒化物および金属炭化物を形成しながら溶
かされる反応エンタルピーよりも高い。
本発明の１つの実施態様によれば、反応性中間膜として
、ケイ化物を形成するために使用されるのと同じ金属か
ら成る非常に薄いたとえば１０ｎｍの層が挿入される。
、ケイ化物を形成するために使用されるのと同じ金属か
ら成る非常に薄いたとえば１０ｎｍの層が挿入される。
このことにより、膜生成および他の処理（たとえばエツ
チング処理）の際に特別な利点がもたらされる。
チング処理）の際に特別な利点がもたらされる。
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細Ｃ二説明する
。
。
第１因は均一の薄膜構造部を有する本発明の一実施例の
断面図、＄２因は多層膜生成部を有する本発明の他の実
施例の断面図である。
断面図、＄２因は多層膜生成部を有する本発明の他の実
施例の断面図である。
これらの図Ｃ二おいて、それぞれ１はシリコン、２は反
応性中間膜、３は均一のシリコン膜、４はたとえばタン
タルおよびシリコンから成る多層膜生成部である。
応性中間膜、３は均一のシリコン膜、４はたとえばタン
タルおよびシリコンから成る多層膜生成部である。
これらの膜は真空中で連続的（膜生成される。本発明に
よる方法は、いかなる場合にも平らな表面ｔ＠提とする
わけではなく、部分的に露出するシリコン膜（：おいて
も同じ効果にて使用可能である。
よる方法は、いかなる場合にも平らな表面ｔ＠提とする
わけではなく、部分的に露出するシリコン膜（：おいて
も同じ効果にて使用可能である。
以上Ｃ二説明したように、本発明においては、シリコン
と導電性膜との間に、焼戻し期間中に表面不純物が溶か
されて無害な化合物に変換される反応性中間膜ン設けた
ので、シリコンとその上に位置する膜との間に特に良好
な接触が生じるようになる。
と導電性膜との間に、焼戻し期間中に表面不純物が溶か
されて無害な化合物に変換される反応性中間膜ン設けた
ので、シリコンとその上に位置する膜との間に特に良好
な接触が生じるようになる。
＠１図および第２図はそれぞれ本発明の寮なる実施例の
概略断面図である。 １・・・シリコン、 ２・・・反応性中間膜、 ３・
・・均一シリコン膜、 ４・・・多層膜生成部。
概略断面図である。 １・・・シリコン、 ２・・・反応性中間膜、 ３・
・・均一シリコン膜、 ４・・・多層膜生成部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）シリコンと高融点金属（Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ）の
ケイ化物とから成り、膜構造体が他のプロセスにて焼戻
されかつ場合によつては酸化させられる半導体集積回路
用薄膜構造体において、前記シリコン（１）と導電性膜
（３）との間に、焼戻し期間中に表面不純物が溶かされ
て無害な化合物に変換される反応性中間膜（２）を設け
たことを特徴とする半導体集積回路用薄膜構造体。 ２）前記中間膜として、純粋な金属たとえばＴａから成
る非常に薄いたとえば１０ｎｍの層が設けられることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薄膜構造体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3509001 | 1985-03-13 | ||
| DE3509001.4 | 1985-03-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208870A true JPS61208870A (ja) | 1986-09-17 |
Family
ID=6265092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61050276A Pending JPS61208870A (ja) | 1985-03-13 | 1986-03-07 | 半導体集積回路用薄構造体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0194569B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61208870A (ja) |
| AT (1) | ATE45057T1 (ja) |
| DE (1) | DE3664702D1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2559700B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1996-12-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US4737474A (en) * | 1986-11-17 | 1988-04-12 | Spectrum Cvd, Inc. | Silicide to silicon bonding process |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2957112A (en) * | 1957-12-09 | 1960-10-18 | Westinghouse Electric Corp | Treatment of tantalum semiconductor electrodes |
| DE1764434A1 (de) * | 1968-06-05 | 1971-07-22 | Telefunken Patent | Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes |
| US4215156A (en) * | 1977-08-26 | 1980-07-29 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating tantalum semiconductor contacts |
-
1986
- 1986-03-05 EP EP86102891A patent/EP0194569B1/de not_active Expired
- 1986-03-05 AT AT86102891T patent/ATE45057T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-03-05 DE DE8686102891T patent/DE3664702D1/de not_active Expired
- 1986-03-07 JP JP61050276A patent/JPS61208870A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3664702D1 (en) | 1989-08-31 |
| ATE45057T1 (de) | 1989-08-15 |
| EP0194569A1 (de) | 1986-09-17 |
| EP0194569B1 (de) | 1989-07-26 |
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