JPS6120328A - 超高圧水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超高圧水銀灯による半導体ウェハー材料の露光
方法に関するものでるる。

〔発明の背景〕

一般ＫＩＣ％ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体デバイスの
製造Ｖｃｕいては、シリコンなどよＶなる半導体ウェハ
ー材料にフォトマスクを介してノぐターンｔｖ８付ける
ことが必要でるる。このようなパターンの焼付けは１例
えばエツチング用しジス’Ｊ−の形成のために行なわれ
るものであり、この場合には、通常、半導体ウェハー上
に形成した紫外線感光性のレジスト層にフォトマスク全
弁して超高圧水銀灯の光音照射して露光する方法が広（
採用されている。

半導体ウェハーに通常円形でその全面に８いて縦横に配
列された微小区域に区画され、これらの微小区域が後圧
分割されて各々が半導体デバイス會構成するチップとな
る。１枚の半導体つニノへ−の大きさは直径で３インチ
、５インチ、６インチ程度のものが一般的でおるが、半
導体ウェハーの製造技術の進歩に伴ない大型化する傾向
にある。

１枚の半導体ウェハー材料の全面を同時ＩＣ繕光せしめ
て全微小区域を一度に焼付げる露光方法においては、大
きな面積を一度で露光するために大出力の水銀灯が必要
でありそのためｌ！元装置が大型となること、しかも１
回の露光面積が大きいためそれだけ半導体ウェハー材料
の被露元部に３ける照度の均一化に相当高度な技術を費
すること、などの問題点がめり、結局半導体ワエノ・−
の大型化傾向に適応することが困難である。

〔従来技術〕

このようなことから、最近１枚の半導体９ニノ・−材料
に？いて、縦横に配列された微小区域の各々全１閏ずつ
順次ｇ元せしめて／ｅターン會順次焼付ける露光方式（
以下単に「ステップ露光方式」ともいう。）が提案され
た。このようなステップ露光方式によれば、１回の露光
においては、微小区域１個分の面積ｋ１元丁ればよ（、
このため小出力の水銀灯？用いろことが可能となってＩ
ｌｉ元装置が小型になること、しかも１回の露光回積が
小さいので半専体ワエ／・−の被露元部の照度の均一化
が容易であること、などの人′＠な利益が得られ、結局
高い精度でｉＲターンの焼付は全行なうことができる。

而して水銀０は、消灯時には刺入された７に銀ガスが＃
！縮するため、短い周期で点滅紫繰返すことができす、
このため連続点灯せしめた状態で使用されるが、この場
合半導体９エバー材料の露光を所定の露光量で行なうた
め露光時間ｋ　１１１１４　ｍするシャッターが用いら
れ、このシャッターが閉じている間に、水銀灯ニジの元
が照射される露光位置に半導体ウェハー材料における次
の露光？施すべき微小区域が位置されるよう当該半導体
つェハー材料？ステップ的に移動（以下単に「ステップ
移動」ともいう。）せしめることが必要でるる。

しかしながら単にこのような従来の露光方法に８いては
、シャッターが閉じている期間中は水銀灯の元が！ｌＩ
元には利用されないため電力の浪費が大きく、シかもシ
ャッターが島温にさらされるため当該シャッターの損傷
が大きいという問題点がある。

このようなことから、シャッターが閉じられている期間
中は、水銀灯の消費電力がシャッターが開いている露光
期間中の消費電力よりも小さくなるような状態で水銀灯
を点灯する方法が考えられる。

しかしながら、このようなｉｉＩ元方法におい℃新たな
問題点？有し℃いることが判明した。即ち半導体ウェハ
ー材料の露光処理の高速化に伴ない、水銀灯７七の消費
電力が短い時間間隔で変化するように繰返し多数回に亘
って連続点灯せしめると、水銀灯の点灯時間の経過に伴
ない、１！他の拳耗。

電極物質の管壁付着による光透過率の低下などの原因に
より水銀灯の放射光量が減少し、当初の露光量での露光
を行なうことかで＠な（なる問題点でおる。しかもｗｒ
元用元源として用いる超高圧水銀灯は通常冷却すること
が必要で６Ｄ、この冷却が不十分であれば封体管が過熱
にニジ劣化しさらＫは破裂という危険な事故を招くＳそ
れがろジ、逆に冷却が過剰でめれば封体内の水銀がａｍ
することがめってこの場合には点灯不良となることから
、通常は点灯時に８いて水銀灯の各部例えば封体管、口
金などの温度が常に一定の温度範囲内に維持されるよう
に、冷却用ファン會一定の回転速度で回転せしめて一定
の風量奮水銀灯が組み込１れているランプハウス内に供
給して当該水銀灯？冷却するようにしている。しかしな
がら、ルｒかる冷却手段では、消費電力が腹元中と非露
光中とではその大きさが変化し、ざらＶｃＮ元中の′に
、量が一足となるように水銀灯全点灯する場合におい”
Ｃは、百該水鉄釘？適正に冷却することが困難でろる。

即ち冷却ＭＬｉｌｋ例えば消費電力が大＠な状態で点灯
しているときに適合する値にし又冷却全行なうと、消費
電力が小さな状態で点灯しているときには冷却が過剰と
なって封体内の水銀が凝縮して点灯不良が生じ易（、逆
圧冷却風量営消費亀力が小さな状態で点灯しているとき
に適合する僅にして冷却を行なうと、消費電力が人＠な
状態で点灯しているときには冷却が不十分となって封体
管の過熱による早期劣化會招き易い。−万これに対して
、冷却風′ｌｌＬ′を前者と後者の中間の値にして冷却
を行なうことも考えられるが、この場合には水銀灯の消
費電力の可変１＠會十分忙大さくすることができず、さ
らに高レベルの消費電力と低レベルの消費電力との繰返
しに％いてデユーティ比を変えると必要ｒｘ冷却栄件が
変わるため良好な冷却を達成するＣとができず、結局消
費電力７変えて点灯することの利益が十分に得られない
。

そして上記のようなステップ露元号式以外の露光方式會
用いた１１元方法に３いても、超高圧水銀灯の放射光量
の経時的減少？補償するために点灯時間の経過に応じて
消費電力全増大せしめることがあり、この場合にも上述
のような冷却手段では超高圧水銀灯７適正に冷却するの
が困難である。

〔発明の目的〕

本発明は以上の如き事情に基いてなされたものであって
、超高圧水銀灯の放射光量の経時的減少會抑止するこ七
がでさると共忙超高圧水銀灯の冷却不良を防止すること
ができて艮好な露光娶長期間に亘り安定に実行すること
ができる超高圧７に銀［Ｋよる半導体ウェハー材料のｉ
九方法會提供することｔ目的とする。

〔発明の構成〕

以上の目的は、超高圧水銀灯を連続点灯した状Ｉで当該
水銀灯から放射される元にニジ半導体９エバー材料′？
を露光する露光方法でろって、前記水銀灯の点灯時間の
経過に伴なう放射光量の減衰が補償されるよう当該水銀
灯の点灯時間の経過に応じて徐々に消費電力が増加する
状態で当該水銀灯を点灯し、かつ冷却用ファンの回転速
度倉増減することにより、十のときの消費電力の大きさ
に応じた冷却風量で前記水銀灯の冷却を行なうことｔ特
徴とする超高圧水銀灯による半導体つエノ・−材料のｉ
１！元号法によって達成される。

以下本発明勿図面ｒ参照しｔがら詳細に説明する。

本発明の一実施例Ｖｃおい℃は、例えば第１図に示すよ
うに、半導体９エバー材料のｇ元装置内に組み込筐れた
水銀灯１７．これに′に力を常時供給して連続魚灯状励
としたうえで、第２図に消費電力の波形の一例を示すよ
うＩｃ、後述する点灯回路部３にＬジ超高圧水鉄釘ｌへ
供給する電力１ｒ制御することにＪ：り、水銀灯ｌの消
費電力が高レベル例えば定格消費電力の約し３〜２．５
倍程度のレベルとなる第１のステップＡと、水銀灯ｌの
消費電力が低レベル例えば定格消費電力ま′ｆ、、はこ
れに近いレベルとなる第２のステップＢとｔ周期的九又
互に繰返し、前記第１のステップＡＩＣ：Ｆ１５いて水
銀灯ｌから放射される光により半導体９エノ１−材料２
？露元する。纂１図Ｖｃｇいて、３は水銀灯１０点灯回
路部、４に水銀灯１の光音遮断するためのシャッター％
　５，６に反射鏡％　７にインテグレータ、８はフィル
ター、９はコンデンサレンズ、１０ｆｌフオトマスク、
１１は縮小レンズであり、縮小度は通常　１〜１とされ
る。１２は冷却用ファン。

１３にファンモータ、１４にその詳細に後述するファン
モータ駆動回路でるる。

図示の点灯回路部３は、小型＠量化が可能であるスイッ
チングノギュレータ万式を採用しｙ：場合の一例でめり
、Ｅは商用の交流電源、３１に整流・平滑回路、３２に
スイッチング回路、３３にドラ４１回路５３４はパルス
幅変調回路、３５は増幅回路、３６は基準電圧源、 ３８は電力演算回路、３９は水銀灯ｌの電圧・電流検出
回路、４０はインバータトランス、４１は整流・平滑回
路、４２ｒｉスタータでらる。この例に？いては基準電
圧源３６の電圧レベルは連続的に可変制御可能であって
、この基準電圧源３６の電圧レベルに対応する電力が７
Ｘ銀Ｏ１に入力されるようスイッチング回路３２の動作
が負帰還制御される。即ちこの例（８いては、第１のス
テップＡと第２のステップＢの繰返しは、基準電圧源３
６の電圧レベルを高レベル用基、準電圧ＶＨと低レベル
用基準電圧ＶＬとに交互にステップ変化せしめることに
よって行なわれる。

露光量の規制に８いては、シャッター４の開いている時
間全適宜設定することによって、半導体ウェハー材料２
０被露九部ＫＨける露光量を必要な規定値１ｃ適合させ
る。即５．消費電力が高レベルとなる第１のステップＡ
Ｖｃよって水銀灯ｌが点灯されている状態ＩＣＫいてシ
ャッター４７設定された時間だけ開いた状態とすること
により絡尤量全規定されたものとする。そして消費電力
が低レベルとなる第２のステップＢＶＣよって水銀灯が
点灯される状態に移行され、この間はずっとシャッター
４が閉じている。

前記第１のステップＡと第２のステップＢの繰返しは、
即す点灯回路＄　３　Ｋ　ｇける基準電圧源３６の高レ
ベル用基準電圧Ｖ）ｌと低レベル用基準電圧ｖＬのステ
ップ変化は、半導体ウェハー材料２のステップ移動の態
様との関連にｇいて互九連動するよう行βう。即ち第・
３図に示すように半導体ウェハー材料２のＷｔｌ１元部
ｔ−縦横に並ぶ多数の微小区域Ｐに区画して、これらの
微小区域Ｐａ）１個１個を順次露元位置にステップ的忙
移動してその位置に一旦静止せしめた状態で露光？行な
う。シャッター４が開閉てることによって１回の露光が
終了し、半導体ウェハー材料の１つの微小区域ＰＫ−に
ターンが焼付けられる。そしてシャッター４が閉じてい
る期間中に次に露光丁べき微小区域ｐ’ｉｍ元位置１ｃ
Ｉでステップ移動せしめ％そして同様にしてｍ元を繰返
す。

このようにして第１のステップ人及び＠２のステップＢ
と、シャッター４の開閉動作と、半導体ウェハー材料２
のステップ移動と會連係させて露光全行なうが、水銀灯
ｌの点灯時間の経過に応じて徐々に例えば第４因に一例
を示すように第１のステップＡＩＣおける消費電力がｄ
ｉｍ的、或いは曲線的または段階的に増加する状態で第
１のステップへの各々Ｉｃ％ける放射光量の経時的減少
が防止されるよう第１のステップを繰返す。具体的ｒｃ
ｉｉ５２明すると、第１図に示したように、点灯回路部
３ＫＫける基準電圧源３６の高レベル周基準電圧ｖＨＱ
値ｔ、水銀灯ｌの点灯時間の経過に応じて徐々に変化ぜ
しめることＫより、第１のステップＡに８ける水銀灯ｌ
への入力電力を負帰還制御し、これにエフ当該水銀灯ｌ
の第１のステップＡにおける消費電力を上記の如く経時
的に増大せしめる。

この第１のステップＡ＆Ｃｇける消費電力の増加の程度
は、半導体ウェハー１ｉｔ科の焼付箱果によって経験的
に定めるようにしてもよいし、或いは元センサーｒ用い
℃水銀灯の放射光量ｋｊＩＬ接検出して。

この検出値に基いて放射光量が一定となるように点灯回
路部３により負帰還制御するようにし１もよい。

この工うＫして水銀灯１の消費電力’ｋｌ！ＩＪ１１す
るが、この水銀灯ｌの冷却に次のようにして行なう。

即ち、冷却用ファン１２の回転速度を増減することＫよ
り、第１のステップＡにＳける冷却風量及第１のステッ
プＡ及び第２のステップＢの繰返しの度毎ＶＣ七のとき
どきに３ける消費電力忙対応した適量の冷却風ＩＣより
水銀灯１’に冷却する。即ち７Ｘ銀灯１の消費電力の上
記のｕｃＨ変化圧迫随して冷却風量が常時上の消費電力
に適合した童となるよう冷却用ファン１２０回転速度ｔ
コントロールする。第１のステップＡに８ける適正な冷
却風量及び第２のステップＢｒｃｇける適正な冷却風量
はランプハウス５０の具体的構造その他に工って異なる
ので、ｍ元装置の各々について予め模擬的な実験を行な
い適正な冷却風量ケ定める工う圧丁ればよい。

具体的Ｖｃｉ１５ｉ！明すると、第１図に示したように
、ファンモータ駆動回路１４によってファンモータ１３
の回転速度全上記のように制御する。図示Ｑ）ファンモ
ータ駆動回路１４は、小型軽量化がＤＪ舵である、周波
数によってファンモータの速度制御を行なうインバータ
万式會採用した場合の一例でめり、７１に電源、７２に
整流・平滑回路、７３は可変周波数インノ々−夕であＶ
％　この可変周波数インバータ７３には点灯回路部３に
にげ７）電力演算回路３８？介して水銀灯ｌの消費電力
の電力検（支）信号が入力され、この電力検出信号の大
きさく対応してインバータ７３のＷ力筒波数が増減し、
このインバータ７３工りｆｉｌ力されろ電力検出イｌ！
１４ｊの大きさに対応した周波数の電圧がファンモータ
１３に印加δれ、そのときの周波数に応じた回転速度で
ファンモータ１３が回転する。

実際に勝５を装置？設計する場合に８いては、可変周波
数インバータ７３の出力周波数が変化してからこれに対
応して水＄０１の近傍ににける冷却ｉ量が変化する１で
の時間と、基準電圧源３６の電圧レベルが変化してから
これに対応してＸ鉄釘ｌの消費電力が変化して水銀灯ｌ
の各部の温度が変化する１での時間との差が実質上零と
なるようにすることが好ましいが、水銀灯の各部の温度
がその許容温度域内となるような時間差であれば実用上
問題にない。

第５図は、水銀灯ｌの具体的構成の一例？示し。

１０１ｉ石英１ｆ−ｙｘ製の封体、１０２Ａ、１０２Ｂ
ｉ口金、１０３，１０４ｕそれぞれｔ＆棒、１０５．１
０６はそれぞれ陽極体、陰極体である。封体１０１の内
部には水銀が封入されて３ｐ、その封入量に、第２のス
テップＢＫｇいて水銀灯ｌが点灯’ａｎ”ｃいると８に
水銀が凝縮しない程度の菫である。

前記陽極体１０５は、第６図に拡大して示すように、大
径円柱状の胴部５１と、この胴部５１からテーパ状に伸
びてその先端面５２が平）１面でろる先漏部５３とによ
り構成され、−万陰極体１０６は、同じく第６図に拡大
し工示すように柱状部６１とこの柱状部６１からコーン
状に形成され℃伸びう先趨部６２とＩｃより構成されて
いる。

斯かる水銀灯ｌの具体的設計の一例り前記に示す０ 定格消費電力　　　　５００Ｗ　　（５ＵＶ、ｌ０Ａ）
陽極体形状 胴部５１の外径ＤＩ　　　　　　　　　　４．０鶴先端
面５２の直径Ｄ２　　　　　　　　２．（１ｍｍ先端部
５３の開き角α　　　　　　　９０ｉ隘他体形状 柱状部６１の外径Ｄ５　　　　　　　　２．０日！極間
距離Ｌ　　　　　　　　　　　　　３，０ＩＥ１１足格
消費電力で点灯しているときの 封体内圧力　　　　　　　　　　　　１３気圧斯かる構
成の７Ｘ銀Ｏ７用いて上記の＆Ｄさ方法に基いて、半導
体９エバー材料の絽九を下記の条件で実際光行なったと
ころ、約４００時間の長期間に亘るまで初期のｇ光量が
安定して得られ５千尋体ウェハー材料の艮好なＩ１元処
理會行なうことができた。

第１のステップへの時間間隔　　約４００　ｍ５ｅｃ第
２のステップＢの時間間隔　　約４００ｍ５ｅｃ第１の
ステップＡＩＣ：Ｎける消費電力初期は７００Ｗで４０
０時間経過したときにＩＫＷとなるようＫはぼ直線的に
増加せしめた。

第２のステップＢＶｃｇける消費電力 初期から４００時間経通する１で５ｏｏＷｒｃ一定に維
持した。

第１のステップＡＩＣＸける冷却用ファン１２の回転速
度初期　　　　　約２００Ｏｒｐｍ ４００時間経過後　　　　　　約３００Ｏｒｐｍ（消費
電力に応じた負帰還制御） 第２のステップＢにおける冷却用ファン１２の回転速度
初期から４００時間経過するｌで約１５００ｒｐｍ（消
費電力に応じた負帰還側＠） 以上第１図に示した構成例に基いて本発明方法？Ｉ−説
明したが、不発明方法に３いては、上記構成例に限定さ
れず、水銀灯ｌｔ点点灯るための点灯回路部３の構成、
露光用元学系の構成、ファンモータ１３ｉ駆動するため
の７アンモ一タ躯動回路１４の構成は棟々変更がｈ］能
である。例えは（り冷却用ファン１２０回転速度の制御
方式は。

用いるファンモータ１３の特性に応じて適宜違択丁れば
よく、周波数による制御方式の他Ｋ例えばトライアック
やトランス或いに可変抵抗などによって電圧？変化させ
て回転速度を制御するようにしてもよい。

（ロ）ファンモータ駆動回路１４の構成要素と点灯回路
部３の構成要素とが一部共用されていてもよい。

（ハ）可変周波数インバータ７３による出力周波数の変
換に、電力検出信号を利用せずに点灯回路部３における
電力投足用の基準電圧源３６の電圧レベルの変化に追随
させて行なうようにしても工（ゝ０ 〔実施例の作用効果〕 以上の実施例によれば、次のような作用効果が奏される
。

（１）水銀灯の放射光がａＸに利用されない期間にｇい
ては、水銀灯の消費電力が低レベルとなる第２のステッ
プにより白眼水鉄釘ｒ点灯するため、水銀灯による電力
の浪費を大幅に小さくするＣとができるうえシャッター
の過熱損傷？防止することができ、しかも水銀灯は第２
のステップにＳける低レベルの消費電力に応じて設計さ
れる大きざのものを用いることができるうえ第１のステ
ップでは水銀灯の消費電力が高レベルとなるためこのと
き必！！！なりｔ光量を得ることができ従って半導体９
エバー材料のｇ元量より小型な水銀灯で行なうことがで
き、この結果露光装置の占有容積が小さくなりクリーン
ルームなどのメンテナンスに必要なコストが小さく、結
局半導体デバイスの１７１造コストを大幅に低減化する
ことが可能となる。

（２）そして、水銀灯の点灯時間の経ｍ［＃なう放射光
量の減衰？補償するよう当該水銀灯の点灯時間の経過に
応じて徐々に消費電力會増加せしめた状態で第１のステ
ップを繰返しこのＭｌのステップＶＣ方いて半導体９エ
バー材料のｗｔ元七行なうため、水銀灯において電極の
琴耗、電極物質の管壁付着による元透過率の低下などが
生じたときに８いても、消９ｊｔ電力の増加によって光
量不足が補償されるため依然として１４１のステップに
おける水銀灯の放射光量を初期と同様に維持することが
でき、しかも、冷却用ファンの回転速度を増減すること
により、第１のステップと第２のステップの繰返しの度
毎に、当該舅ｌのステップ及び第２のステップのそれぞ
れのそのときの消費電力の大きさに応じた冷却風量で超
高圧Ｘ鉄釘の冷却？行なうため１点灯中に、第１のステ
ップ及び第２のステップの何れのときにどいても水銀灯
の各部が常に好適な温度範囲内に維持され、従って消費
電力が高レベルであってその大きさが徐々に増加する第
１のステップＫＭいては封体などの過熱損傷が発生せず
、消費電力が低レベルとなる第２のステップににいては
封体内の水銀の凝縮が発生せず、この結果第１のステッ
プＫＭける高レベルの消費ｍ力、！：ｌ！２のステップ
に８ける低レベルの消費電力との差金十分大＠なものと
じながら水銀灯の冷却不良を防止することができ、結局
低いコストでしかも短い時間間隔で繰返し１行なわれる
Ｍｌ光を長期間に亘り安定に実行することができる。

（３）そして、冷却風量の調整を冷却用ファンの回転速
度？変化させることＫより行なうため、冷却風量の調整
可能幅が大きく、従って水銀灯の消費電力の大＠な変化
に対しても冷却風量？容易に適応せしめることができ、
しかもダンパーなどの開閉操作によって冷却風量の調整
を行なう場合に生ずる機械的な振動が発生しに（（、従
って半導体のＩＩ尤に悪影響全厚えずに冷却風量の調整
全行なうことができろ。

（４）そして、冷却用ファンの回転速度に実質的［冷却
用ファンと組合せ℃用いられるファンモータの回転速度
全制御すればよいので、簡単なファンモータ駆動回路を
用いることにより冷却用ファンの回転速度を第１のステ
ップと第２のステップの各々に対して高い精度で容易に
追随せしめることができる。

以上本発明方法會好通な実施例に従って説明したが、本
発明は上記実施例に限定されず、例えばステップｌ！元
方式以外の１１元号式全採用する場合に３いて本適用す
ることができる。さらに露光中の光量を一定にするため
に公仰の定照度フィードバックｔｅｌｌ　ｉ！１回路回
路台せてもよい。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明方法によれば、超高
圧水銀灯の放射光量の経時的減少を抑止することができ
ると共に超高圧水銀灯の冷却不良ｔＦＦｉ止することが
できて良好なＩＩＨＩ−長期間に亘や安定に実行するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は！１元装置の一例の概略ｒ模式的に示す説明図
、第２図は第１のステップと第２のステップの繰返しに
よって変化する水銀灯の消費電力の波形の一例を示す説
明図、第３図は半導体つエノ・−材料の被露光部の一部
を示す説明図、第４図は第１のステップｉＣｊ’６ける
消費電力が水銀灯の点灯時間の経過に応じて徐々忙増加
する状態を示す説明図、第５図は水銀灯の一例會示す説
明図、第６図は第５図に示した水銀灯の要部を拡大して
示す説明図でおる。 ｌ・・・水銀０　　　　　　２・・・午導体９エバー材
料３・・・点灯回路部　　　　４・・・シャッター５，
６・・・反射鏡　　　　　７・・・インテグレータ８・
・・フィルター　　　　９・・・コンデンサレンズ１０
・・・フォトマスク　　１１・・・縮小Ｖンズ１２・・
・ｌｌ用ファン　　１３・・・ファンモータ１４・・・
ファンモータ駆動回路 ３１・・・整流・平滑回路　３２・・・スイッチング回
路３３・・・ドライブ回路　　　３４・・・パルス幅変
調回路３５・・・増幅回路　　　　３６・・・基準電圧
源３８・・・電力演算回路 ３９・・・電圧・電流検出回路 ４０・・・インバータトランス ４１・・・整流・平滑回路　４２・・・スタータ７１・
・・電源　　　　　　７２・・・整流・平滑回路７３・
・・可変周波数インバータ １０１・・・封体　　　　　１０２Ａ、１０２Ｂ・・・
口金１０５・・・陽極体　　　　　１０６・・陰極体１
２囮 午３図 偶４回

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）超高圧水銀灯を連続点灯した状態で当該水銀灯から
   放射される光により半導体ウェハー材料を露光する露光
   方法であつて、前記水銀灯の点灯時間の経過に伴なう放
   射光量の減衰が補償されるよう当該水銀灯の点灯時間の
   経過に応じて徐々に消費電力が増加する状態で当該水銀
   灯を点灯し、かつ冷却用ファンの回転速度を増減するこ
   とにより、そのときの消費電力の大きさに応じた冷却風
   量で前記水銀灯の冷却を行なうことを特徴とする超高圧
   水銀灯による半導体ウェハー材料の露光方法。