JPH088154A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH088154A JPH088154A JP13349594A JP13349594A JPH088154A JP H088154 A JPH088154 A JP H088154A JP 13349594 A JP13349594 A JP 13349594A JP 13349594 A JP13349594 A JP 13349594A JP H088154 A JPH088154 A JP H088154A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】水銀ランプの使用経過時間によるスループット
低下を防止する露光装置を実現する。 【構成】本発明の露光装置は、半導体基板１９に対応し
て、水銀ランプ１と、水銀ランプ点灯装置２と、照度制
御部３と、シャッター駆動制御部４と、照度センサ５
と、モータ６と、シャッター７と、収光レンズ８と、ハ
ーフミラー９と、楕円鏡１０と、反射ミーラー１１およ
び１５と、照明光学レンズ系１２と、露光絞り１３と、
リレーレンズ１４と、コンデンサレンズ１６と、フォト
マスク１７と、投影レンズ１８と、ステージ２０とを備
えて構成され、照度制御部３においては、照度センサ５
による初期照度計測値と、所定の使用時間経過後の照度
計測値とが比較されて照度低下率が計算され、当該低下
率回復用の補正値が計算出力されて、水銀ランプ１の点
灯電流または供給電圧が制御調整される。
低下を防止する露光装置を実現する。 【構成】本発明の露光装置は、半導体基板１９に対応し
て、水銀ランプ１と、水銀ランプ点灯装置２と、照度制
御部３と、シャッター駆動制御部４と、照度センサ５
と、モータ６と、シャッター７と、収光レンズ８と、ハ
ーフミラー９と、楕円鏡１０と、反射ミーラー１１およ
び１５と、照明光学レンズ系１２と、露光絞り１３と、
リレーレンズ１４と、コンデンサレンズ１６と、フォト
マスク１７と、投影レンズ１８と、ステージ２０とを備
えて構成され、照度制御部３においては、照度センサ５
による初期照度計測値と、所定の使用時間経過後の照度
計測値とが比較されて照度低下率が計算され、当該低下
率回復用の補正値が計算出力されて、水銀ランプ１の点
灯電流または供給電圧が制御調整される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関し、特に半
導体装置の製造用として用いられる露光装置に関する。
導体装置の製造用として用いられる露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の露光装置の一構成例を図７に示
す。当該露光装置は、図７に示されるように、半導体基
板１９に対応して、水銀ランプ１と、水銀ランプ点射装
置２と、シャッター駆動制御部４と、照度センサ５と、
モーダ６と、シャッター７と、収光レンズ８と、ハーフ
ミラー９と、楕円鏡１０と、反射ミーラー１１および１
５と、照明光学レンズ系１２と、露光絞り１３と、リレ
ーレンズ１４と、コンデンサレンズ１６と、フォトマス
ク１７と、投影レンズ１８と、ステージ２０とを備えて
構成される。
す。当該露光装置は、図７に示されるように、半導体基
板１９に対応して、水銀ランプ１と、水銀ランプ点射装
置２と、シャッター駆動制御部４と、照度センサ５と、
モーダ６と、シャッター７と、収光レンズ８と、ハーフ
ミラー９と、楕円鏡１０と、反射ミーラー１１および１
５と、照明光学レンズ系１２と、露光絞り１３と、リレ
ーレンズ１４と、コンデンサレンズ１６と、フォトマス
ク１７と、投影レンズ１８と、ステージ２０とを備えて
構成される。
【０００３】図７において、水銀ランプ１より発光され
る紫外線は、楕円鏡１０により集光されて、反射ミラー
１１、シャッター７、照明光学レンズ系１２、露光絞り
１３、ハーフミラー９、リレーレンズ１４、反射ミラー
１５およびコンデンサレンズ１６を経由して、フォトマ
スク１７に照射される。そして、この紫外線照射を受け
たフォトマスク１７上の半導体装置の回路パターンは、
当該紫外線により投影レンズ１８を介して半導体基板１
９上のフォトレジストに転写される。この従来の露光装
置に用いられる水銀ランプの寿命は約２０００時間程度
であるが、図８に示されるように、当該水銀ランプ１に
よる紫外線の照度は使用時間とともに低下し、２０００
時間経過後においては、約３０％の低下率となってい
る。しかしながら、従来の露光装置においては、半導体
基板１９上のフォトレジストに対して、常に一定量の露
光エネルギーの紫外線照射を必要とするために、使用過
程においてフォトマスク１７に照射される紫外線の照度
が低下した場合には、ハーフミラー９によりピックアッ
プされる紫外線を収光レンズ８により照度センサ５に入
力し、当該照度センサ５の出力値を受けて、シャッター
駆動制御部４によりシャッター７の開放時間を、図１０
に示されるように制御調整するという方法が採られてい
る。
る紫外線は、楕円鏡１０により集光されて、反射ミラー
１１、シャッター７、照明光学レンズ系１２、露光絞り
１３、ハーフミラー９、リレーレンズ１４、反射ミラー
１５およびコンデンサレンズ１６を経由して、フォトマ
スク１７に照射される。そして、この紫外線照射を受け
たフォトマスク１７上の半導体装置の回路パターンは、
当該紫外線により投影レンズ１８を介して半導体基板１
９上のフォトレジストに転写される。この従来の露光装
置に用いられる水銀ランプの寿命は約２０００時間程度
であるが、図８に示されるように、当該水銀ランプ１に
よる紫外線の照度は使用時間とともに低下し、２０００
時間経過後においては、約３０％の低下率となってい
る。しかしながら、従来の露光装置においては、半導体
基板１９上のフォトレジストに対して、常に一定量の露
光エネルギーの紫外線照射を必要とするために、使用過
程においてフォトマスク１７に照射される紫外線の照度
が低下した場合には、ハーフミラー９によりピックアッ
プされる紫外線を収光レンズ８により照度センサ５に入
力し、当該照度センサ５の出力値を受けて、シャッター
駆動制御部４によりシャッター７の開放時間を、図１０
に示されるように制御調整するという方法が採られてい
る。
【０００４】図８および図９に示されるのは、従来例に
おける、水銀ランプの使用時間と水銀ランプ照度の変化
特性（図８）の補正前および補正後の対比と、水銀ラン
プの使用時間とスループットの変化特性（図９）の補正
前および補正後の対比とを示す図である。
おける、水銀ランプの使用時間と水銀ランプ照度の変化
特性（図８）の補正前および補正後の対比と、水銀ラン
プの使用時間とスループットの変化特性（図９）の補正
前および補正後の対比とを示す図である。
【０００５】なお、特開平２−１０６９１７号公報にお
いて提案されている露光装置においては、所定の半導体
集積回路パターンが、フォトマスクを介して投影光学系
に入射される照明光のエネルギー量に応じた第１の情報
を入力する手段と、前記パターンの半導体基板に対する
露光時間と非露光時間とに基づいて、当該半導体基板に
対する露光時間率に関する第２の情報を予め算出すると
ともに、当該第２の情報と前記第１の情報とに基づいて
前記投影光学系に蓄積され得るエネルギー量に関する第
３の情報を予め算出する手段と、予め設定された前記投
影光学系の許容蓄積エネルギー量に関する第４の情報と
前記第３の情報とを比較して、当該比較結果に基づいて
前記照明光の照度を調整する照度調整手段とを備えるこ
とを特徴としており、また、当該提案においては、前記
フォトマスクを介して行われる露光条件と前記エネルギ
ー線の照度に応じた値とに基づいて、前記投影光学系に
蓄積され得るエネルギー量に対応する第１の値を算出
し、予め設定された許容蓄積エネルギー量に対応する第
２の値との大小関係を算出する演算手段と、当該演算手
段による演算結果に基づいて、前記エネルギー源、もし
くは前記露光動作条件の許容範囲内において、前記第１
の値が前記第２の値以下で最大となるように前記エネル
ギー線の照度を調整する調整手段とを備えてもよいとし
ている。
いて提案されている露光装置においては、所定の半導体
集積回路パターンが、フォトマスクを介して投影光学系
に入射される照明光のエネルギー量に応じた第１の情報
を入力する手段と、前記パターンの半導体基板に対する
露光時間と非露光時間とに基づいて、当該半導体基板に
対する露光時間率に関する第２の情報を予め算出すると
ともに、当該第２の情報と前記第１の情報とに基づいて
前記投影光学系に蓄積され得るエネルギー量に関する第
３の情報を予め算出する手段と、予め設定された前記投
影光学系の許容蓄積エネルギー量に関する第４の情報と
前記第３の情報とを比較して、当該比較結果に基づいて
前記照明光の照度を調整する照度調整手段とを備えるこ
とを特徴としており、また、当該提案においては、前記
フォトマスクを介して行われる露光条件と前記エネルギ
ー線の照度に応じた値とに基づいて、前記投影光学系に
蓄積され得るエネルギー量に対応する第１の値を算出
し、予め設定された許容蓄積エネルギー量に対応する第
２の値との大小関係を算出する演算手段と、当該演算手
段による演算結果に基づいて、前記エネルギー源、もし
くは前記露光動作条件の許容範囲内において、前記第１
の値が前記第２の値以下で最大となるように前記エネル
ギー線の照度を調整する調整手段とを備えてもよいとし
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の露光装
置においては、図７に示される露光装置の場合、水銀ラ
ンプの照度が低下するに伴ない、フォトマスクに照射さ
れる露光エネルギー量を一定に保持するためには、露光
時間、即ちシャッター開放時間を長くする必要があり、
このためにスループットが低下するという欠点がある。
特に、露光装置を複数台用いて運用する半導体装置の量
産工場等においては、水銀ランプの使用時間が長くなる
に従い、このスループットの低下により、当該露光装置
による露光処理能力が低下するという欠点がある。
置においては、図７に示される露光装置の場合、水銀ラ
ンプの照度が低下するに伴ない、フォトマスクに照射さ
れる露光エネルギー量を一定に保持するためには、露光
時間、即ちシャッター開放時間を長くする必要があり、
このためにスループットが低下するという欠点がある。
特に、露光装置を複数台用いて運用する半導体装置の量
産工場等においては、水銀ランプの使用時間が長くなる
に従い、このスループットの低下により、当該露光装置
による露光処理能力が低下するという欠点がある。
【０００７】また、特開平２−１０６９１７号公報にお
いて提案されている露光装置の場合には、本発明とは、
その構成、目的および効果のぞれぞれにおいて差異があ
り、また、事前ならびに運用過程を含み、構成上種々の
演算装置を必要とする点において、露光装置のシステム
構成を煩雑化させるという欠点がある。
いて提案されている露光装置の場合には、本発明とは、
その構成、目的および効果のぞれぞれにおいて差異があ
り、また、事前ならびに運用過程を含み、構成上種々の
演算装置を必要とする点において、露光装置のシステム
構成を煩雑化させるという欠点がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明の露光装置
は、半導体装置の製造過程において、半導体基板上のフ
ォトレジストに対して一定量の露光エネルギーを照射す
る露光装置において、新規に装着された水銀ランプより
発光される紫外線の照度を計測する照度センサより出力
される初期照度計測値と前記水銀ランプの所定使用時間
経過後における前記照度センサより出力される照度計測
値とを比較して、前記水銀ランプによる紫外線の照度低
下率を演算出力する第１の機能と、前記照度低下率を回
復させるために必要となる当該水銀ランプの点灯電流の
補正値または当該水銀ランプに対する供給電圧の補正値
の何れか一方を演算出力する第２の機能と、前記点灯電
流の補正値または前記供給電圧の補正値を受けて、前記
水銀ランプの点灯電流または供給電圧を制御調整し、当
該水銀ランプより発光される紫外線による照度を増大さ
せるように制御する第３の機能とを有する照度制御手段
を、少なくとも前記紫外線の照度を一定に保持するため
の手段として備えることを特徴としている。
は、半導体装置の製造過程において、半導体基板上のフ
ォトレジストに対して一定量の露光エネルギーを照射す
る露光装置において、新規に装着された水銀ランプより
発光される紫外線の照度を計測する照度センサより出力
される初期照度計測値と前記水銀ランプの所定使用時間
経過後における前記照度センサより出力される照度計測
値とを比較して、前記水銀ランプによる紫外線の照度低
下率を演算出力する第１の機能と、前記照度低下率を回
復させるために必要となる当該水銀ランプの点灯電流の
補正値または当該水銀ランプに対する供給電圧の補正値
の何れか一方を演算出力する第２の機能と、前記点灯電
流の補正値または前記供給電圧の補正値を受けて、前記
水銀ランプの点灯電流または供給電圧を制御調整し、当
該水銀ランプより発光される紫外線による照度を増大さ
せるように制御する第３の機能とを有する照度制御手段
を、少なくとも前記紫外線の照度を一定に保持するため
の手段として備えることを特徴としている。
【０００９】また、第２の発明の露光装置は、半導体装
置の製造過程において、半導体基板上のフォトレジスト
に対して一定量の露光エネルギーを照射する露光装置に
おいて、新規に装着された水銀ランプより発光される紫
外線の照度を計測する照度センサより出力される初期照
度計測値と前記水銀ランプの所定使用時間経過後におけ
る前記照度センサより出力される照度計測値とを比較し
て、前記水銀ランプによる紫外線の照度低下率を演算出
力する第１の機能と、前記照度低下率を回復させるため
に必要となる前記紫外線の照明光学経路に挿入される透
過率可変フィルタの透過率の補正値を演算出力する第２
の機能と、前記透過率の補正値を受けて前記透過率可変
フィルタの透過率を制御調整し、前記水銀ランプより発
光される紫外線による照度を増大させるように制御する
第３の機能とを有する照度制御手段を、少なくとも前記
紫外線の照度を一定に保持するための手段として備える
ことを特徴としている。
置の製造過程において、半導体基板上のフォトレジスト
に対して一定量の露光エネルギーを照射する露光装置に
おいて、新規に装着された水銀ランプより発光される紫
外線の照度を計測する照度センサより出力される初期照
度計測値と前記水銀ランプの所定使用時間経過後におけ
る前記照度センサより出力される照度計測値とを比較し
て、前記水銀ランプによる紫外線の照度低下率を演算出
力する第１の機能と、前記照度低下率を回復させるため
に必要となる前記紫外線の照明光学経路に挿入される透
過率可変フィルタの透過率の補正値を演算出力する第２
の機能と、前記透過率の補正値を受けて前記透過率可変
フィルタの透過率を制御調整し、前記水銀ランプより発
光される紫外線による照度を増大させるように制御する
第３の機能とを有する照度制御手段を、少なくとも前記
紫外線の照度を一定に保持するための手段として備える
ことを特徴としている。
【００１０】更にまた、第３の発明の露光装置は、半導
体装置の製造過程において、半導体基板上のフォトレジ
ストに対して一定量の露光エネルギーを照射する露光装
置において、新規に装着された水銀ランプより発光され
る紫外線の照度を計測する照度センサより出力される初
期照度計測値と前記水銀ランプの所定使用時間経過後に
おける前記照度センサより出力される照度計測値とを比
較して、前記水銀ランプによる紫外線の照度低下率を演
算出力する第１の機能と、前記照度低下率を回復させる
ために必要となる当該水銀ランプの点灯電流の補正値ま
たは当該水銀ランプに対する供給電圧の補正値の何れか
一方を演算出力する第２の機能と、前記点灯電流の補正
値または前記供給電圧の補正値を受けて、前記水銀ラン
プの点灯電流または供給電圧を制御調整し、当該水銀ラ
ンプより発光される紫外線による照度を増大させるよう
に制御する第３の機能と、前記照度低下率を回復させる
ために必要となる前記紫外線の照明光学経路に挿入され
る透過率可変フィルタの透過率の補正値を演算出力する
第４の機能と、前記透過率の補正値を受けて前記透過率
可変フィルタの透過率を制御調整し、前記水銀ランプよ
り発光される紫外線による照度を増大させるように制御
する第５の機能とを有し、前記第２および第３の機能
と、前記第４および第５の機能とを併用する照度制御手
段を、少なくとも前記紫外線の照度を一定に保持するた
めの手段として備えることを特徴としている。
体装置の製造過程において、半導体基板上のフォトレジ
ストに対して一定量の露光エネルギーを照射する露光装
置において、新規に装着された水銀ランプより発光され
る紫外線の照度を計測する照度センサより出力される初
期照度計測値と前記水銀ランプの所定使用時間経過後に
おける前記照度センサより出力される照度計測値とを比
較して、前記水銀ランプによる紫外線の照度低下率を演
算出力する第１の機能と、前記照度低下率を回復させる
ために必要となる当該水銀ランプの点灯電流の補正値ま
たは当該水銀ランプに対する供給電圧の補正値の何れか
一方を演算出力する第２の機能と、前記点灯電流の補正
値または前記供給電圧の補正値を受けて、前記水銀ラン
プの点灯電流または供給電圧を制御調整し、当該水銀ラ
ンプより発光される紫外線による照度を増大させるよう
に制御する第３の機能と、前記照度低下率を回復させる
ために必要となる前記紫外線の照明光学経路に挿入され
る透過率可変フィルタの透過率の補正値を演算出力する
第４の機能と、前記透過率の補正値を受けて前記透過率
可変フィルタの透過率を制御調整し、前記水銀ランプよ
り発光される紫外線による照度を増大させるように制御
する第５の機能とを有し、前記第２および第３の機能
と、前記第４および第５の機能とを併用する照度制御手
段を、少なくとも前記紫外線の照度を一定に保持するた
めの手段として備えることを特徴としている。
【００１１】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例を示すシステ
ム構成図である。図１に示されるように、本実施例は、
半導体基板１９に対応して、水銀ランプ１と、水銀ラン
プ点灯装置２と、照度制御部３と、シャッター駆動制御
部４と、照度センサ５と、モータ６と、シャッター７
と、収光レンズ８と、ハーフミラー９と、楕円鏡１０
と、反射ミーラー１１および１５と、照明光学レンズ系
１２と、露光絞り１３と、リレーレンズ１４と、コンデ
ンサレンズ１６と、フォトマスク１７と、投影レンズ１
８と、ステージ２０とを備えて構成される。図１と図７
との対比により明らかなように、本実施例と従来例との
差異は、本実施例においては、照度センサ５の照度計測
出力値の入力に対応して、水銀ランプ点灯装置２および
シャッター駆動制御部４に対して、それぞれ個別の制御
信号を出力する照度制御部３が付加されていることであ
る。また、図２は、本実施例におけるフォトマスク１７
に対する照度制御の手順を示すフローチャートである。
以下、図１および図２を参照して、本実施例の動作につ
いて説明する。
ム構成図である。図１に示されるように、本実施例は、
半導体基板１９に対応して、水銀ランプ１と、水銀ラン
プ点灯装置２と、照度制御部３と、シャッター駆動制御
部４と、照度センサ５と、モータ６と、シャッター７
と、収光レンズ８と、ハーフミラー９と、楕円鏡１０
と、反射ミーラー１１および１５と、照明光学レンズ系
１２と、露光絞り１３と、リレーレンズ１４と、コンデ
ンサレンズ１６と、フォトマスク１７と、投影レンズ１
８と、ステージ２０とを備えて構成される。図１と図７
との対比により明らかなように、本実施例と従来例との
差異は、本実施例においては、照度センサ５の照度計測
出力値の入力に対応して、水銀ランプ点灯装置２および
シャッター駆動制御部４に対して、それぞれ個別の制御
信号を出力する照度制御部３が付加されていることであ
る。また、図２は、本実施例におけるフォトマスク１７
に対する照度制御の手順を示すフローチャートである。
以下、図１および図２を参照して、本実施例の動作につ
いて説明する。
【００１３】図１において、水銀ランプ１より発光され
る紫外線は、楕円鏡１０により集光されて、反射ミラー
１１、シャッター７、照明光学レンズ系１２、露光絞り
１３、ハーフミラー９、リレーレンズ１４、反射ミラー
１５およびコンデンサレンズ１６を経由して、フォトマ
スク１７に照射される。そして、この紫外線照射を受け
たフォトマスク１７上の半導体装置の回路パターンは、
当該紫外線により投影レンズ１８を介して半導体基板１
９上のフォトレジストに転写される。
る紫外線は、楕円鏡１０により集光されて、反射ミラー
１１、シャッター７、照明光学レンズ系１２、露光絞り
１３、ハーフミラー９、リレーレンズ１４、反射ミラー
１５およびコンデンサレンズ１６を経由して、フォトマ
スク１７に照射される。そして、この紫外線照射を受け
たフォトマスク１７上の半導体装置の回路パターンは、
当該紫外線により投影レンズ１８を介して半導体基板１
９上のフォトレジストに転写される。
【００１４】水銀ランプ１が新品に交換されて、新たに
点灯された時点においては、まず水銀ランプ点灯装置２
より、照度制御部３に対して照度測定を指令する制御信
号が出力される。次いで照度制御部３からはシャッター
駆動制御部４に対してシャッターを開放する指令が出力
される（図２におけるステップ１０１）。これにより、
水銀ランプ１より発光される紫外線は、照度センサ５に
より受光することが可能な状態となり、水銀ランプ１の
初期照度が計測される。この場合に、ハーフミラー９に
おいては、約９８％の紫外線が透過してリレーレンズに
入力され、残りの約２％の紫外線はハーフミラー９にお
いて反射されて、収光レンズ８により集光されて照度セ
ンサ５に受光される。照度センサ５においては、収光レ
ンズ８より受光される紫外線を受けて、ハーフミラー９
を透過する紫外線光量により規定される照度を示す出力
信号が生成されて初期照度計測が行われ、照度制御部３
に入力されるとともに、シャッター駆動制御部４に入力
されて初期照度計測データとして格納される。次いで、
予め任意の照度測定インターバルが指定入力されている
照度制御部３においては、当該指定の照度測定インター
バルに対応する水銀ランプ点灯使用時間に到達すると、
前記初期照度計測と同様の手順により、照度計測が行わ
れる（ステップ１０２）。照度制御部３においては、運
用に伴なう現時点における照度計測値と、既に格納され
ている前述の初期照度計測値とが比較照合されて、紫外
線の照度低下率の計算が行われる（ステップ１０３）。
この照度低下率を基にして、水銀ランプ１による照度
を、水銀ランプ１の交換直後における前記初期照度の状
態に達するまで上昇させるために必要な水銀ランプ１の
点灯電流または供給電圧に対する補正量が演算される。
この補正値は、水銀ランプ点灯装置２に入力され、水銀
ランプ１における点灯電流または水銀ランプ１に対する
供給電圧が補正制御されて、低下した照度が上昇される
（ステップ１０４、１０５および１０６）。次いで、前
述のステップ１０１の場合と同様に、水銀ランプ点灯装
置２より、照度制御部３に対して照度測定を指令する制
御信号が出力され、照度制御部３からはシャッター駆動
制御部４に対してシャッターを開放する指令が出力され
て（ステップ１０７）、これにより、前記ステップ１０
２の場合と同様に、水銀ランプ１より発光される紫外線
による照度が計測される（ステップ１０８）。このステ
ップ１０８において計測された補正により上昇した照度
が、所定の許容照度の範囲内に収まっているか否かが判
定されて（ステップ１０９）、収まっている場合には照
度の補正処理は終了となり、また前記許容照度の範囲内
に収まっていない場合には、再度、水銀ランプ１の点灯
電流または供給電圧に対する補正量が演算されて（ステ
ップ１１０）、ステップ１０４に戻り、以降の処理が継
続実行される。
点灯された時点においては、まず水銀ランプ点灯装置２
より、照度制御部３に対して照度測定を指令する制御信
号が出力される。次いで照度制御部３からはシャッター
駆動制御部４に対してシャッターを開放する指令が出力
される（図２におけるステップ１０１）。これにより、
水銀ランプ１より発光される紫外線は、照度センサ５に
より受光することが可能な状態となり、水銀ランプ１の
初期照度が計測される。この場合に、ハーフミラー９に
おいては、約９８％の紫外線が透過してリレーレンズに
入力され、残りの約２％の紫外線はハーフミラー９にお
いて反射されて、収光レンズ８により集光されて照度セ
ンサ５に受光される。照度センサ５においては、収光レ
ンズ８より受光される紫外線を受けて、ハーフミラー９
を透過する紫外線光量により規定される照度を示す出力
信号が生成されて初期照度計測が行われ、照度制御部３
に入力されるとともに、シャッター駆動制御部４に入力
されて初期照度計測データとして格納される。次いで、
予め任意の照度測定インターバルが指定入力されている
照度制御部３においては、当該指定の照度測定インター
バルに対応する水銀ランプ点灯使用時間に到達すると、
前記初期照度計測と同様の手順により、照度計測が行わ
れる（ステップ１０２）。照度制御部３においては、運
用に伴なう現時点における照度計測値と、既に格納され
ている前述の初期照度計測値とが比較照合されて、紫外
線の照度低下率の計算が行われる（ステップ１０３）。
この照度低下率を基にして、水銀ランプ１による照度
を、水銀ランプ１の交換直後における前記初期照度の状
態に達するまで上昇させるために必要な水銀ランプ１の
点灯電流または供給電圧に対する補正量が演算される。
この補正値は、水銀ランプ点灯装置２に入力され、水銀
ランプ１における点灯電流または水銀ランプ１に対する
供給電圧が補正制御されて、低下した照度が上昇される
（ステップ１０４、１０５および１０６）。次いで、前
述のステップ１０１の場合と同様に、水銀ランプ点灯装
置２より、照度制御部３に対して照度測定を指令する制
御信号が出力され、照度制御部３からはシャッター駆動
制御部４に対してシャッターを開放する指令が出力され
て（ステップ１０７）、これにより、前記ステップ１０
２の場合と同様に、水銀ランプ１より発光される紫外線
による照度が計測される（ステップ１０８）。このステ
ップ１０８において計測された補正により上昇した照度
が、所定の許容照度の範囲内に収まっているか否かが判
定されて（ステップ１０９）、収まっている場合には照
度の補正処理は終了となり、また前記許容照度の範囲内
に収まっていない場合には、再度、水銀ランプ１の点灯
電流または供給電圧に対する補正量が演算されて（ステ
ップ１１０）、ステップ１０４に戻り、以降の処理が継
続実行される。
【００１５】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図３は本発明の第２の実施例を示すシステム構成
図である。図２に示されるように、本実施例は、半導体
基板１９に対応して、水銀ランプ１と、水銀ランプ点灯
装置２と、照度制御部３と、シャッター駆動制御部４
と、照度センサ５と、モータ６と、シャッター７と、収
光レンズ８と、ハーフミラー９と、楕円鏡１０と、反射
ミーラー１１および１５と、照明光学レンズ系１２と、
露光絞り１３と、リレーレンズ１４と、コンデンサレン
ズ１６と、フォトマスク１７と、投影レンズ１８と、ス
テージ２０と、透過率可変フィルタ２１とを備えて構成
されている。図１と図３との対比により明らかなよう
に、本実施例と第１の実施例との差異は、本実施例にお
いては、新たに透過率可変フィルタ２１が付加されてお
り、且つ照度センサ５の照度計測出力値の入力に対応し
て、照度制御部３からはシャッター駆動制御部４および
透過率可変フィルタ２１に対して、それぞれ個別の制御
信号を出力されており、照度制御部３からの水銀ランプ
点灯装置２に対する制御信号が削除されていることであ
る。即ち、本実施例においては、第１の実施例とは異な
り、照度を制御する手段として、水銀ランプ１による照
度を可変とする代りに、照明光学レンズ系１２の前段に
配置される透過率可変フィルタ２１を設けて、この透過
率可変フィルタ２１による紫外線の透過率を制御するこ
とにより、当該紫外線による照度を所定値に保持するこ
とを特徴としている。
する。図３は本発明の第２の実施例を示すシステム構成
図である。図２に示されるように、本実施例は、半導体
基板１９に対応して、水銀ランプ１と、水銀ランプ点灯
装置２と、照度制御部３と、シャッター駆動制御部４
と、照度センサ５と、モータ６と、シャッター７と、収
光レンズ８と、ハーフミラー９と、楕円鏡１０と、反射
ミーラー１１および１５と、照明光学レンズ系１２と、
露光絞り１３と、リレーレンズ１４と、コンデンサレン
ズ１６と、フォトマスク１７と、投影レンズ１８と、ス
テージ２０と、透過率可変フィルタ２１とを備えて構成
されている。図１と図３との対比により明らかなよう
に、本実施例と第１の実施例との差異は、本実施例にお
いては、新たに透過率可変フィルタ２１が付加されてお
り、且つ照度センサ５の照度計測出力値の入力に対応し
て、照度制御部３からはシャッター駆動制御部４および
透過率可変フィルタ２１に対して、それぞれ個別の制御
信号を出力されており、照度制御部３からの水銀ランプ
点灯装置２に対する制御信号が削除されていることであ
る。即ち、本実施例においては、第１の実施例とは異な
り、照度を制御する手段として、水銀ランプ１による照
度を可変とする代りに、照明光学レンズ系１２の前段に
配置される透過率可変フィルタ２１を設けて、この透過
率可変フィルタ２１による紫外線の透過率を制御するこ
とにより、当該紫外線による照度を所定値に保持するこ
とを特徴としている。
【００１６】図４は、本実施例において新たに付加され
ている透過率可変フィルタ２１の一例の構成を示す概念
図であり、図４に示されるように、透過率可変フィルタ
２１は、回転円盤上に配置されるフィルタ２１1 、２１
2 、２１3 、２１4 、２１5、２１6 、２１7 および２
１8 より成り、これらのフィルタの透過率は、本例にお
いては、それぞれ１００％、９７．５％、９５％、９
２．５％、９０％、８７．５％、８５％および８２．５
％に設定されている。これらのフィルタ２１1 〜２１8
は、金属メッシュ構造により形成され、その紫外線透過
率は、メッシュの疎密の度合により調整されており、従
来用いられている石英ガラスに薄膜をコーティングした
フィルタに見られるような、透過率の経時変化が全くな
いという点において大きなメリットがある。図５
（ａ）、（ｂ）および（ｃ）には、それぞれ上記のフィ
ルタ２１2 、２１6 および２１8 の概念図が示されてい
る。
ている透過率可変フィルタ２１の一例の構成を示す概念
図であり、図４に示されるように、透過率可変フィルタ
２１は、回転円盤上に配置されるフィルタ２１1 、２１
2 、２１3 、２１4 、２１5、２１6 、２１7 および２
１8 より成り、これらのフィルタの透過率は、本例にお
いては、それぞれ１００％、９７．５％、９５％、９
２．５％、９０％、８７．５％、８５％および８２．５
％に設定されている。これらのフィルタ２１1 〜２１8
は、金属メッシュ構造により形成され、その紫外線透過
率は、メッシュの疎密の度合により調整されており、従
来用いられている石英ガラスに薄膜をコーティングした
フィルタに見られるような、透過率の経時変化が全くな
いという点において大きなメリットがある。図５
（ａ）、（ｂ）および（ｃ）には、それぞれ上記のフィ
ルタ２１2 、２１6 および２１8 の概念図が示されてい
る。
【００１７】また、図６は、本実施例におけるフォトマ
スク１７に対する照度制御の手順を示すフローチャート
である。以下、図３、図４、図５および図６を参照し
て、本実施例の動作について説明する。
スク１７に対する照度制御の手順を示すフローチャート
である。以下、図３、図４、図５および図６を参照し
て、本実施例の動作について説明する。
【００１８】図３において、水銀ランプ１より発光され
る紫外線は、楕円鏡１０により集光されて、反射ミラー
１１、シャッター７、透過率可変フィルタ２１、照明光
学レンズ系１２、露光絞り１３、ハーフミラー９、リレ
ーレンズ１４、反射ミラー１５およびコンデンサレンズ
１６を経由して、フォトマスク１７に照射される。そし
て、この紫外線照射を受けたフォトマスク１７上の半導
体装置の回路パターンは、当該紫外線により投影レンズ
１８を介して半導体基板１９上のフォトレジストに転写
される。
る紫外線は、楕円鏡１０により集光されて、反射ミラー
１１、シャッター７、透過率可変フィルタ２１、照明光
学レンズ系１２、露光絞り１３、ハーフミラー９、リレ
ーレンズ１４、反射ミラー１５およびコンデンサレンズ
１６を経由して、フォトマスク１７に照射される。そし
て、この紫外線照射を受けたフォトマスク１７上の半導
体装置の回路パターンは、当該紫外線により投影レンズ
１８を介して半導体基板１９上のフォトレジストに転写
される。
【００１９】第１の実施例の場合と同様に、水銀ランプ
１が新品に交換されて、新たに点灯された時点において
は、まず水銀ランプ点灯装置２より、照度制御部３に対
して照度測定を指令する制御信号が出力される。次いで
照度制御部３からはシャッター駆動制御部４に対してシ
ャッターを開放する指令が出力される（図６におけるス
テップ１０１）。これにより、水銀ランプ１より発光さ
れる紫外線は、照度センサ５により受光することが可能
な状態となり、水銀ランプ１の初期照度が計測される。
この場合に、ハーフミラー９においては、約９８％の紫
外線が透過してリレーレンズに入力され、残りの約２％
の紫外線はハーフミラー９において反射されて、収光レ
ンズ８により集光されて照度センサ５に受光される動作
については、前述の第１の実施例の場合と同様である。
照度センサ５からは、紫外線により規定される照度を示
す出力信号が生成されて初期照度計測が行われ、照度制
御部３に入力されるとともに、シャッター駆動制御部４
に入力されて初期照度計測値として格納される。次い
で、予め任意の照度測定インターバルが指定入力されて
いる照度制御部３においては、当該指定の照度測定イン
ターバルに対応する水銀ランプ点灯使用時間に到達する
と、前記初期照度計測の場合と同様の手順により、照度
計測が行われる（ステップ１０２）。照度制御部３にお
いては、現時点における照度計測値と、既に格納されて
いる初期照度計測値とが比較照合されて、紫外線による
照度低下率の計算が行われる（ステップ１０３）。この
照度低下率を基にして、水銀ランプ１による照度を、水
銀ランプ１の交換直後における前記初期照度の状態に達
するまで上昇させるように、透過率可変フィルタ２１
（図４および図５参照）における回転位置設定値に対す
る補正値が演算される（ステップ２０１）。この回転位
置補正値は、照度制御部３より透過率可変フィルタ２１
に入力されて、当該フィルタの回転位置が変更修正され
（ステップ２０２）、当該透過率可変フィルタ２１を透
過してゆく紫外線の光量が補正制御されて、低下した水
銀ランプ１による照度が上昇される（ステップ１０４、
１０５および１０６）。次いで、前述のステップ１０１
の場合と同様に、水銀ランプ点灯装置２より、照度制御
部３に対して照度測定を指令する制御信号が出力され、
照度制御部３からはシャッター駆動制御部４に対してシ
ャッターを開放する指令が出力されて（ステップ１０
７）、これにより、前記ステップ１０２の場合と同様
に、水銀ランプ１より発光される紫外線による照度が計
測される（ステップ１０８）。このステップ１０８にお
いて計測された補正により上昇した照度が、所定の許容
照度の範囲内に収まっているか否かが判定され（ステッ
プ１０９）、許容照度の範囲内に収まっている場合には
照度の補正処理は終了となり、また前記許容照度の範囲
内に収まっていない場合には、再度、透過率可変フィル
タ２１における回転位置補正量が演算されて（ステップ
２０３）、ステップ２０１に戻り、以降の処理が継続実
行される。
１が新品に交換されて、新たに点灯された時点において
は、まず水銀ランプ点灯装置２より、照度制御部３に対
して照度測定を指令する制御信号が出力される。次いで
照度制御部３からはシャッター駆動制御部４に対してシ
ャッターを開放する指令が出力される（図６におけるス
テップ１０１）。これにより、水銀ランプ１より発光さ
れる紫外線は、照度センサ５により受光することが可能
な状態となり、水銀ランプ１の初期照度が計測される。
この場合に、ハーフミラー９においては、約９８％の紫
外線が透過してリレーレンズに入力され、残りの約２％
の紫外線はハーフミラー９において反射されて、収光レ
ンズ８により集光されて照度センサ５に受光される動作
については、前述の第１の実施例の場合と同様である。
照度センサ５からは、紫外線により規定される照度を示
す出力信号が生成されて初期照度計測が行われ、照度制
御部３に入力されるとともに、シャッター駆動制御部４
に入力されて初期照度計測値として格納される。次い
で、予め任意の照度測定インターバルが指定入力されて
いる照度制御部３においては、当該指定の照度測定イン
ターバルに対応する水銀ランプ点灯使用時間に到達する
と、前記初期照度計測の場合と同様の手順により、照度
計測が行われる（ステップ１０２）。照度制御部３にお
いては、現時点における照度計測値と、既に格納されて
いる初期照度計測値とが比較照合されて、紫外線による
照度低下率の計算が行われる（ステップ１０３）。この
照度低下率を基にして、水銀ランプ１による照度を、水
銀ランプ１の交換直後における前記初期照度の状態に達
するまで上昇させるように、透過率可変フィルタ２１
（図４および図５参照）における回転位置設定値に対す
る補正値が演算される（ステップ２０１）。この回転位
置補正値は、照度制御部３より透過率可変フィルタ２１
に入力されて、当該フィルタの回転位置が変更修正され
（ステップ２０２）、当該透過率可変フィルタ２１を透
過してゆく紫外線の光量が補正制御されて、低下した水
銀ランプ１による照度が上昇される（ステップ１０４、
１０５および１０６）。次いで、前述のステップ１０１
の場合と同様に、水銀ランプ点灯装置２より、照度制御
部３に対して照度測定を指令する制御信号が出力され、
照度制御部３からはシャッター駆動制御部４に対してシ
ャッターを開放する指令が出力されて（ステップ１０
７）、これにより、前記ステップ１０２の場合と同様
に、水銀ランプ１より発光される紫外線による照度が計
測される（ステップ１０８）。このステップ１０８にお
いて計測された補正により上昇した照度が、所定の許容
照度の範囲内に収まっているか否かが判定され（ステッ
プ１０９）、許容照度の範囲内に収まっている場合には
照度の補正処理は終了となり、また前記許容照度の範囲
内に収まっていない場合には、再度、透過率可変フィル
タ２１における回転位置補正量が演算されて（ステップ
２０３）、ステップ２０１に戻り、以降の処理が継続実
行される。
【００２０】なお、上記の実施例の説明においては、前
記第１および第２の実施例を、それぞれ独立した露光装
置として構成した場合の実施例として動作説明を行って
いるが、本発明は、これらの第１および第２の実施例を
併用して形成される露光装置に対しても有効に適用され
ることは云うまでもない。
記第１および第２の実施例を、それぞれ独立した露光装
置として構成した場合の実施例として動作説明を行って
いるが、本発明は、これらの第１および第２の実施例を
併用して形成される露光装置に対しても有効に適用され
ることは云うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、水銀ラ
ンプにより発光される露光用の紫外線によるフォトマス
クに対する照度を、所定の照度センサにより計測し、当
該計測照度を参照して、当該照度の低下分を水銀ランプ
に対する点灯電流／供給電圧を調整する方法、照明光学
系における透過率を調整する方法、またはこれらの両方
法の併用を含む方法の、何れかの方法により前記フォト
マスクに対する照度を常に所定値に保持することによ
り、水銀ランプの使用経過時に対応して発生するスルー
プットの低下を防止することが可能となり、従来例に対
比して、少なくとも５％以上スルーブットを向上させる
ことができるという効果がある。
ンプにより発光される露光用の紫外線によるフォトマス
クに対する照度を、所定の照度センサにより計測し、当
該計測照度を参照して、当該照度の低下分を水銀ランプ
に対する点灯電流／供給電圧を調整する方法、照明光学
系における透過率を調整する方法、またはこれらの両方
法の併用を含む方法の、何れかの方法により前記フォト
マスクに対する照度を常に所定値に保持することによ
り、水銀ランプの使用経過時に対応して発生するスルー
プットの低下を防止することが可能となり、従来例に対
比して、少なくとも５％以上スルーブットを向上させる
ことができるという効果がある。
【００２２】また、このスループットの向上により、半
導体装置の量産工場等における露光装置による露光処理
能力の低下を改善することができるという効果があり、
更に、構成上単一の演算装置を必要とするのみであり、
露光装置のシステム構成の煩雑化を排除することができ
るという効果がある。
導体装置の量産工場等における露光装置による露光処理
能力の低下を改善することができるという効果があり、
更に、構成上単一の演算装置を必要とするのみであり、
露光装置のシステム構成の煩雑化を排除することができ
るという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示すシステム構成図で
ある。
ある。
【図２】第１の実施例における照度制御手順のフローチ
ャートを示す図である。
ャートを示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示すシステム構成図で
ある。
ある。
【図４】第２の実施例における透過率可変フィルタの構
造を示す概念図である。
造を示す概念図である。
【図５】第２の実施例における透過率可変フィルタを形
成するフィルタの構造を示す概念図である。
成するフィルタの構造を示す概念図である。
【図６】第２の実施例における照度制御手順のフローチ
ャートを示す図である。
ャートを示す図である。
【図７】従来例を示すシステム構成図である。
【図８】従来例における水銀ランプの使用時間と水銀ラ
ンプ照度の変化特性を示す図である。
ンプ照度の変化特性を示す図である。
【図９】従来例における水銀ランプの使用時間とスルー
プットの変化特性を示す図である。
プットの変化特性を示す図である。
【図１０】従来例における照度制御特性を示す図であ
る。
る。
１ 水銀ランプ ２ 水銀ランプ点灯装置 ３ 照度制御部 ４ シャッター駆動制御部 ５ 照度センサ ６ モータ ７ シャッター ８ 収光レンズ ９ ハーフミラー １０ 楕円鏡 １１、１５ 反射ミラー １２ 照明光学レンズ系 １３ 露光絞り １４ リレーレンズ １６ コンデンサレンズ １７ フォトマスク １８ 投影レンズ １９ 半導体基板 ２０ ステージ ２１ 透過率可変フィルタ ２１1 〜２１8 フィルタ １０１〜１１０、２０１〜２０３ ステップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５ Ｄ ５１６ Ｃ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置の製造過程において、半導体
基板上のフォトレジストに対して一定量の露光エネルギ
ーを照射する露光装置において、 新規に装着された水銀ランプより発光される紫外線の照
度を計測する照度センサより出力される初期照度計測値
と前記水銀ランプの所定使用時間経過後における前記照
度センサより出力される照度計測値とを比較して、前記
水銀ランプによる紫外線の照度低下率を演算出力する第
１の機能と、前記照度低下率を回復させるために必要と
なる当該水銀ランプの点灯電流の補正値または当該水銀
ランプに対する供給電圧の補正値の何れか一方を演算出
力する第２の機能と、前記点灯電流の補正値または前記
供給電圧の補正値を受けて、前記水銀ランプの点灯電流
または供給電圧を制御調整し、当該水銀ランプより発光
される紫外線による照度を増大させるように制御する第
３の機能とを有する照度制御手段を、少なくとも前記紫
外線の照度を一定に保持するための手段として備えるこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 半導体装置の製造過程において、半導体
基板上のフォトレジストに対して一定量の露光エネルギ
ーを照射する露光装置において、 新規に装着された水銀ランプより発光される紫外線の照
度を計測する照度センサより出力される初期照度計測値
と前記水銀ランプの所定使用時間経過後における前記照
度センサより出力される照度計測値とを比較して、前記
水銀ランプによる紫外線の照度低下率を演算出力する第
１の機能と、前記照度低下率を回復させるために必要と
なる前記紫外線の照明光学経路に挿入される透過率可変
フィルタの透過率の補正値を演算出力する第２の機能
と、前記透過率の補正値を受けて前記透過率可変フィル
タの透過率を制御調整し、前記水銀ランプより発光され
る紫外線による照度を増大させるように制御する第３の
機能とを有する照度制御手段を、少なくとも前記紫外線
の照度を一定に保持するための手段として備えることを
特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 半導体装置の製造過程において、半導体
基板上のフォトレジストに対して一定量の露光エネルギ
ーを照射する露光装置において、 新規に装着された水銀ランプより発光される紫外線の照
度を計測する照度センサより出力される初期照度計測値
と前記水銀ランプの所定使用時間経過後における前記照
度センサより出力される照度計測値とを比較して、前記
水銀ランプによる紫外線の照度低下率を演算出力する第
１の機能と、前記照度低下率を回復させるために必要と
なる当該水銀ランプの点灯電流の補正値または当該水銀
ランプに対する供給電圧の補正値の何れか一方を演算出
力する第２の機能と、前記点灯電流の補正値または前記
供給電圧の補正値を受けて、前記水銀ランプの点灯電流
または供給電圧を制御調整し、当該水銀ランプより発光
される紫外線による照度を増大させるように制御する第
３の機能と、前記照度低下率を回復させるために必要と
なる前記紫外線の照明光学経路に挿入される透過率可変
フィルタの透過率の補正値を演算出力する第４の機能
と、前記透過率の補正値を受けて前記透過率可変フィル
タの透過率を制御調整し、前記水銀ランプより発光され
る紫外線による照度を増大させるように制御する第５の
機能とを有し、前記第２および第３の機能と、前記第４
および第５の機能とを併用する照度制御手段を、少なく
とも前記紫外線の照度を一定に保持するための手段とし
て備えることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13349594A JPH088154A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13349594A JPH088154A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088154A true JPH088154A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15106109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13349594A Pending JPH088154A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088154A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010072571A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Orc Mfg Co Ltd | 放電ランプを備えた照明装置および照明方法 |
| WO2013031632A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 株式会社オーク製作所 | 露光用調光装置 |
| JP2013054180A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光用調光装置 |
| JP2013134316A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光用調光装置 |
| WO2013147052A1 (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | 株式会社オーク製作所 | 放電ランプを備えた照明装置 |
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| JPS6346726A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ランプ電源制御回路 |
| JPH02106917A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
-
1994
- 1994-06-16 JP JP13349594A patent/JPH088154A/ja active Pending
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