JPS6120324A - 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 - Google Patents
水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法Info
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- JPS6120324A JPS6120324A JP59139775A JP13977584A JPS6120324A JP S6120324 A JPS6120324 A JP S6120324A JP 59139775 A JP59139775 A JP 59139775A JP 13977584 A JP13977584 A JP 13977584A JP S6120324 A JPS6120324 A JP S6120324A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は水銀灯による半導体ワエノ・−材料の露光方法
に関するものである。
に関するものである。
一般［ＩＣ％ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体デバイスの
製造に８いては、シリコンなど工りなる半導体ウェハー
材料にフォトマスクを介して）９ターンを焼付けること
が必要でるる。この１５なノぐり一ンの焼付けは、例え
ばエツチング用Ｖシスト層の形成のため光行なわれるも
のであり、この場合には、通常、半導体９エバー上に形
成した紫外線感元性のＶシスト層にフォトマスクを介し
て水銀灯の尤を照射して露光する方法が広（採用されて
いる。
製造に８いては、シリコンなど工りなる半導体ウェハー
材料にフォトマスクを介して）９ターンを焼付けること
が必要でるる。この１５なノぐり一ンの焼付けは、例え
ばエツチング用Ｖシスト層の形成のため光行なわれるも
のであり、この場合には、通常、半導体９エバー上に形
成した紫外線感元性のＶシスト層にフォトマスクを介し
て水銀灯の尤を照射して露光する方法が広（採用されて
いる。
半導体ウェハーは通常円形でその全面に８いて縦横圧配
列された微小区域に区画きれ、これらの微小区域が後に
分割されて各々が半導体デバイス全構成するチップとな
る。１枚の半導体ウェハーの大＠サバ直径で３インチ、
５インチ、６インチ程度のものが一般的であるが、半導
体ウェハーの製造技術の進歩に伴ない大型化する傾向に
ある。
列された微小区域に区画きれ、これらの微小区域が後に
分割されて各々が半導体デバイス全構成するチップとな
る。１枚の半導体ウェハーの大＠サバ直径で３インチ、
５インチ、６インチ程度のものが一般的であるが、半導
体ウェハーの製造技術の進歩に伴ない大型化する傾向に
ある。
１枚の半導体ウェハー材料の全面ｔ−同時ＫＷ元せしめ
て全微小区域會一度に焼付ける露光方法Ｋｇいては、大
きな面積を一度で露光するために大出力の水銀灯が必要
で６リオのため露光装置が大型となること、しかも１回
の露光面積が大きいためそれだけ半導体ウェハー材料の
被露光部に：Ｆｄける照度の均一化に相半高度な技術を
要すること、などの問題点があり、超局牛導体ウェハー
の大型化傾向に適応することが困難でめる。
て全微小区域會一度に焼付ける露光方法Ｋｇいては、大
きな面積を一度で露光するために大出力の水銀灯が必要
で６リオのため露光装置が大型となること、しかも１回
の露光面積が大きいためそれだけ半導体ウェハー材料の
被露光部に：Ｆｄける照度の均一化に相半高度な技術を
要すること、などの問題点があり、超局牛導体ウェハー
の大型化傾向に適応することが困難でめる。
このようなことから、最近１枚の半導体ウェハー材料Ｋ
Ｍいて、縦横に配列された微小区域の各々全１個ずつ順
次露光せしめてパターンを順次焼付けろ露光方式（以下
単に「ステップＷＩ、元方式」ともいう。）が提案され
た。このようなステップ露光方式によれば、１回の露光
においては、微小区域１個分の面積’ｋ１元丁れば工（
、このため小出力の水銀灯音用いることが可能となって
露光装置が小型になること、しかも１回の露光面積が小
さいので半導体ウェハーの被露光部の照度の均一化が容
易でおること、などの大きな利益が得られ、結局高い精
度でパターンの焼付けｔ行なうことができる。
Ｍいて、縦横に配列された微小区域の各々全１個ずつ順
次露光せしめてパターンを順次焼付けろ露光方式（以下
単に「ステップＷＩ、元方式」ともいう。）が提案され
た。このようなステップ露光方式によれば、１回の露光
においては、微小区域１個分の面積’ｋ１元丁れば工（
、このため小出力の水銀灯音用いることが可能となって
露光装置が小型になること、しかも１回の露光面積が小
さいので半導体ウェハーの被露光部の照度の均一化が容
易でおること、などの大きな利益が得られ、結局高い精
度でパターンの焼付けｔ行なうことができる。
而して水銀灯は、消灯時には刺入された水銀ガスが凝縮
するため、短い周期で点滅を繰返すことができず、この
ため連続点灯せしめた状態で使用されるが、この場合半
導体ウェハー材料の露光を所定の露光量で行なうため露
光時間會制限するシャッターが用いられ、このシャッタ
ーが閉じている間Ｋ、水銀灯よりの元が照射される露光
位置に半導体ウェハー材料に８Ｖｆる次の露光を施丁べ
き微小区域が位置されるよう白眼半導体つェハー材料ｔ
ステップ的に移動（以下単に「ステップ移動」ともいう
。）せしめることが必要である。
するため、短い周期で点滅を繰返すことができず、この
ため連続点灯せしめた状態で使用されるが、この場合半
導体ウェハー材料の露光を所定の露光量で行なうため露
光時間會制限するシャッターが用いられ、このシャッタ
ーが閉じている間Ｋ、水銀灯よりの元が照射される露光
位置に半導体ウェハー材料に８Ｖｆる次の露光を施丁べ
き微小区域が位置されるよう白眼半導体つェハー材料ｔ
ステップ的に移動（以下単に「ステップ移動」ともいう
。）せしめることが必要である。
しかしながら阜にこのよ１５な従来の露光方法にｇいて
は、シャッターが閉じている期間中は水銀灯の元がＩＩ
光には利用されないため電力の浪費が大きく、しかもシ
ャッターが高温にδらされるため当該シャッターの損傷
が大きいという問題かめる。
は、シャッターが閉じている期間中は水銀灯の元がＩＩ
光には利用されないため電力の浪費が大きく、しかもシ
ャッターが高温にδらされるため当該シャッターの損傷
が大きいという問題かめる。
このようなことから、シャッターが閉じられている期間
中に、水銀灯の消費電力がシャッターが開いている音光
期間中の消費電力よりも小さくなるような状態で水銀灯
全点灯する方法が考えられる。
中に、水銀灯の消費電力がシャッターが開いている音光
期間中の消費電力よりも小さくなるような状態で水銀灯
全点灯する方法が考えられる。
しかしながら、このような露光方法に％いて新たな問題
点を有していることが判明した。即ち半導体ウェハー材
料の露光処理の高速化に伴ない、水銀灯？その消費電力
が短い時間間隔で変化するように繰返し多数回に亘って
連続点灯せしめると、水銀灯の点灯時間の経過に伴ない
、電極の早耗圧より水銀灯の放射光量が減少し、結局当
初の露光量で安定した露光を長期間に亘ｐ行なうことか
で１！ない問題点がある。
点を有していることが判明した。即ち半導体ウェハー材
料の露光処理の高速化に伴ない、水銀灯？その消費電力
が短い時間間隔で変化するように繰返し多数回に亘って
連続点灯せしめると、水銀灯の点灯時間の経過に伴ない
、電極の早耗圧より水銀灯の放射光量が減少し、結局当
初の露光量で安定した露光を長期間に亘ｐ行なうことか
で１！ない問題点がある。
本発明は以上の如き事情に基いてなされたものでおって
、その目的は、低いコストで、しかも水銀灯の電極の摩
耗を防止し、短い時間間隔で繰返して行なわれる露光全
長期間に亘り安定圧実行することができる水銀灯による
半導体ウェハー材料の露光方法を提供することにめる。
、その目的は、低いコストで、しかも水銀灯の電極の摩
耗を防止し、短い時間間隔で繰返して行なわれる露光全
長期間に亘り安定圧実行することができる水銀灯による
半導体ウェハー材料の露光方法を提供することにめる。
以上の目的は、水銀灯を連続点灯した状態で前記水銀灯
の消費電力が高レベルとなる第１のステップと前記水銀
灯の消費電力が低レベルとなる萬２のステップと？交互
に繰返し、前記第１のステップＫＭいて前記水銀灯から
放射される九により半導体つェハー材料金露光する露光
方法であって、水銀灯に８いて前記第２のステップから
前記第１のステップへの切換え？、水銀灯の消費電力が
１〜３０ｍｓｅｃの間に前記高レベルの９５％九達する
状態で行なうことｔ特徴とする水銀灯忙よる半導体ウェ
ハー材料の露光方法によって達成される。
の消費電力が高レベルとなる第１のステップと前記水銀
灯の消費電力が低レベルとなる萬２のステップと？交互
に繰返し、前記第１のステップＫＭいて前記水銀灯から
放射される九により半導体つェハー材料金露光する露光
方法であって、水銀灯に８いて前記第２のステップから
前記第１のステップへの切換え？、水銀灯の消費電力が
１〜３０ｍｓｅｃの間に前記高レベルの９５％九達する
状態で行なうことｔ特徴とする水銀灯忙よる半導体ウェ
ハー材料の露光方法によって達成される。
以下本発明を図面全参照しながら詳細に説明する。
本発明の一実施例においては、例えば第１図に示す工う
く、半導体ウェハー材料の露光装置内に組み込まれた水
銀灯１ｔ、これ九電力全常時供給して連続点灯状態とし
たうえで、第２図に消費電力の波形の一例を示すよう忙
、水銀灯ｌへ供給する電力音制御することにより、水銀
灯１の消費電力が高レベル例えば定格消費電力の約１３
〜２．５倍程度のレベルとなる第１のステップＡと、水
銀灯１の消費電力が低レベル例えば定格消費電力または
これに近いレベルとなる第２のステップＢとｔ周期的に
交互に繰返し、前記ＭｌのステップＡＫＫいて水銀灯ｌ
から放射される元により半導体ウェハー材料２ｔ−露光
する。第１図Ｖｃｇいて、３は水銀灯１の駆動用電源回
路部、４は水銀灯ｌの光ｔ−遮断するためのシャッター
、５，６．７は反射鏡。
く、半導体ウェハー材料の露光装置内に組み込まれた水
銀灯１ｔ、これ九電力全常時供給して連続点灯状態とし
たうえで、第２図に消費電力の波形の一例を示すよう忙
、水銀灯ｌへ供給する電力音制御することにより、水銀
灯１の消費電力が高レベル例えば定格消費電力の約１３
〜２．５倍程度のレベルとなる第１のステップＡと、水
銀灯１の消費電力が低レベル例えば定格消費電力または
これに近いレベルとなる第２のステップＢとｔ周期的に
交互に繰返し、前記ＭｌのステップＡＫＫいて水銀灯ｌ
から放射される元により半導体ウェハー材料２ｔ−露光
する。第１図Ｖｃｇいて、３は水銀灯１の駆動用電源回
路部、４は水銀灯ｌの光ｔ−遮断するためのシャッター
、５，６．７は反射鏡。
８はインテグレータ、９はフィルター、１０はコンデン
サレンズ、 １ｌｔｌ！フォトマスク％ １２は縮小
レンズであり、ａｉ小度は通常１０−〜丁とされる。
サレンズ、 １ｌｔｌ！フォトマスク％ １２は縮小
レンズであり、ａｉ小度は通常１０−〜丁とされる。
露光量の親制御Ｃ：Ｆｄいては、シャッター４の開いて
いる時間を適宜設定することに工って、半導体ウェハー
材Ｐｒ２の薇露元部［Ｘける露光量を必要な規定値に適
合させる。即ち、消費電力が高レベルとなる島１のステ
ップ八によって水銀０１が点灯され℃いる状態において
シャッター４全設定された時間だけ開いた状態とするこ
とに、より露光量全規定されたものとする。そして消費
電力が低レベルとなる第２のステップＢＶｃ工って水銀
灯が点灯される状ＩＩＶＣ，移行され、この間はずっと
シャッター４が閉じている。
いる時間を適宜設定することに工って、半導体ウェハー
材Ｐｒ２の薇露元部［Ｘける露光量を必要な規定値に適
合させる。即ち、消費電力が高レベルとなる島１のステ
ップ八によって水銀０１が点灯され℃いる状態において
シャッター４全設定された時間だけ開いた状態とするこ
とに、より露光量全規定されたものとする。そして消費
電力が低レベルとなる第２のステップＢＶｃ工って水銀
灯が点灯される状ＩＩＶＣ，移行され、この間はずっと
シャッター４が閉じている。
前記ｊｇｌのステップＡと纂２のステップＢの繰返しは
、半導体９エノ・−材料２のステップ移動の態様との関
連におい℃互に連動するよう行なう。
、半導体９エノ・−材料２のステップ移動の態様との関
連におい℃互に連動するよう行なう。
１即ち第３図に示すように中導体つニノ・−材料２の複
露光部全縦横に並ぶ多数の微小区域ＰＫ区画して、これ
らの微小区域Ｐの１個１１１ｋＪ１次ＩＩ元位置にステ
ップ的に移動し℃その位置に一旦静止せしめた状態で露
光を行なう。シャッター４が開閉することによって１回
の露光が終了し、半導体ウェハー材料の１つの微小区域
ＰＫ・セターンが焼付汀られる。そしてシャッター４が
閉じて−する期間中に次に露光丁べき微小区域Ｐ’ｋ１
元位置にまでステップ移動せしめ、そして同様にして露
ｆＩＳｋ繰返す。
露光部全縦横に並ぶ多数の微小区域ＰＫ区画して、これ
らの微小区域Ｐの１個１１１ｋＪ１次ＩＩ元位置にステ
ップ的に移動し℃その位置に一旦静止せしめた状態で露
光を行なう。シャッター４が開閉することによって１回
の露光が終了し、半導体ウェハー材料の１つの微小区域
ＰＫ・セターンが焼付汀られる。そしてシャッター４が
閉じて−する期間中に次に露光丁べき微小区域Ｐ’ｋ１
元位置にまでステップ移動せしめ、そして同様にして露
ｆＩＳｋ繰返す。
このよう和してｗ４１のステップＡ及び＃！２のステッ
プＢと、シャッター４の開閉動作と、半導体ウェハー材
料２のステップ移動とｔ連係δぜて露光？行なうが、水
銀灯１１ｆＣＨける第２のステップＢから第１のステッ
プＡへの切換えｔ＃！４図に拡大して示すように水銀灯
ｌの消費電力が１〜３０ｍｓｅｃＱ関ＫＩ！ｌのステッ
プＡＫ？ける高レベルの９５％に這する状態で行なう。
プＢと、シャッター４の開閉動作と、半導体ウェハー材
料２のステップ移動とｔ連係δぜて露光？行なうが、水
銀灯１１ｆＣＨける第２のステップＢから第１のステッ
プＡへの切換えｔ＃！４図に拡大して示すように水銀灯
ｌの消費電力が１〜３０ｍｓｅｃＱ関ＫＩ！ｌのステッ
プＡＫ？ける高レベルの９５％に這する状態で行なう。
具体的には駆動用電源回路部３に８いて、水銀灯ｌの消
費電力が低レベルから高Ｖペルへ立上がるときに当該高
レベルの９５％に達する１でのいわば立上がｐ時間Ｔが
１〜３０ ｍｓｅｃの範囲内となるような従来公知の電
源回路全採用丁ればよい。
費電力が低レベルから高Ｖペルへ立上がるときに当該高
レベルの９５％に達する１でのいわば立上がｐ時間Ｔが
１〜３０ ｍｓｅｃの範囲内となるような従来公知の電
源回路全採用丁ればよい。
前記立上がｐ時間Ｔが３Ｑｍｓｅｃｔ−越える場合には
、シャッター４の開閉動作は通常２０〜３ Ｑ ｍ５ｅ
Ｃ程度の時間内で行なうことが可能であるところ。
、シャッター４の開閉動作は通常２０〜３ Ｑ ｍ５ｅ
Ｃ程度の時間内で行なうことが可能であるところ。
このシャッター４の高速開閉動作に対応して水銀灯１の
第２のステップＢから第１のステップＡへの切換えが追
随できず、このため露光処理の高速化が阻害され、一方
立上がり時間Ｔが１ ｍｓｅｃ未満の場合１ｃは、消費
電力の変化が急激丁ぎるため水銀灯ｌの電極の摩耗が大
きくなる。
第２のステップＢから第１のステップＡへの切換えが追
随できず、このため露光処理の高速化が阻害され、一方
立上がり時間Ｔが１ ｍｓｅｃ未満の場合１ｃは、消費
電力の変化が急激丁ぎるため水銀灯ｌの電極の摩耗が大
きくなる。
第５図に、水銀灯１の具体的構成の一例を示し、１０１
は石英ガラス製の封体、１０２Ａ、１０２Ｂは口金、１
０３．１０４はそれぞれ電極棒、１０５，１０６はそれ
ぞれ陽極体、＠極体である。封体１０１の内部には水銀
が封入されてｊｄり、その封入量は、＠２のステップＢ
ＩＣ＊いて水銀灯ｌが点灯されているときに水銀が凝縮
しない程度の童である。
は石英ガラス製の封体、１０２Ａ、１０２Ｂは口金、１
０３．１０４はそれぞれ電極棒、１０５，１０６はそれ
ぞれ陽極体、＠極体である。封体１０１の内部には水銀
が封入されてｊｄり、その封入量は、＠２のステップＢ
ＩＣ＊いて水銀灯ｌが点灯されているときに水銀が凝縮
しない程度の童である。
前記陽極体１０５は、纂６図に拡大して示すように、大
径゛円柱状の胴部５１と、この胴部５１からテーパ状に
伸びてその先端面５２が平坦面である先端部５３とによ
り構成され、−万陰極体１０６は、同じ（第６図に拡大
して示す！５１Ｃ柱状部６１とこの柱状部６１からコー
ン状に形成され工伸びる先端部６２とにより構成されて
いる。
径゛円柱状の胴部５１と、この胴部５１からテーパ状に
伸びてその先端面５２が平坦面である先端部５３とによ
り構成され、−万陰極体１０６は、同じ（第６図に拡大
して示す！５１Ｃ柱状部６１とこの柱状部６１からコー
ン状に形成され工伸びる先端部６２とにより構成されて
いる。
斯かる水銀灯ｌの具体的設計の一例を下記に示すＯ
定格消費電力 ５００Ｗ （５０Ｖ、ｌ０Ａ）
陽極体形状 胴部５１の外＠Ｄ１ ４．０＋ｗ先端
面５２の直径Ｄ２ ２．０ｍ先端部５３
の開き角α ９０度陰極体形状 柱状部６１の外径ＤＢ ２．０＋ｓｓ
電極間距離Ｌ ３．０１１
ｍ定格消費電力で点灯しているときの 對体内圧力 １３気圧斯か
る構成の水銀灯音用いて上記の如き方法に基いて、半導
体ウェハー材料の露光會下記の条件で実際に行なったと
ころ、約６００時間の長期間に亘る１で初期の露光量が
安定して得られ、しかも１時間当たシウエハー６０枚の
露光全行なうことができ、結局半導体ウェハー材料の露
光金高速でしかも長期間に亘夛良好に行なうことができ
た。
陽極体形状 胴部５１の外＠Ｄ１ ４．０＋ｗ先端
面５２の直径Ｄ２ ２．０ｍ先端部５３
の開き角α ９０度陰極体形状 柱状部６１の外径ＤＢ ２．０＋ｓｓ
電極間距離Ｌ ３．０１１
ｍ定格消費電力で点灯しているときの 對体内圧力 １３気圧斯か
る構成の水銀灯音用いて上記の如き方法に基いて、半導
体ウェハー材料の露光會下記の条件で実際に行なったと
ころ、約６００時間の長期間に亘る１で初期の露光量が
安定して得られ、しかも１時間当たシウエハー６０枚の
露光全行なうことができ、結局半導体ウェハー材料の露
光金高速でしかも長期間に亘夛良好に行なうことができ
た。
ｗ４１のステップへの時間間隔 ４００ ｍｓｅｃ
第２のステップＢの時間間隔 ４００ｍｓｅｃ纂ｌ
のステップＡ［ｊｄける消費電力 初期から３００時間経過する１で７５０ＷＫ−足に維持
し、３００時間経過後から６００時間経過するまでは随
時増加せしめてｌＫＷ筐で上昇せしめた。
第２のステップＢの時間間隔 ４００ｍｓｅｃ纂ｌ
のステップＡ［ｊｄける消費電力 初期から３００時間経過する１で７５０ＷＫ−足に維持
し、３００時間経過後から６００時間経過するまでは随
時増加せしめてｌＫＷ筐で上昇せしめた。
Ｗ４２のステップＢｌｃｓける消費電力初期から６００
時間経過する筐で５００ＷＫ一定に維持した。
時間経過する筐で５００ＷＫ一定に維持した。
第２のステップＢからＭｌのステップＡＫ切換わるとき
の立上がり時間Ｔ ２Ｑｍｓｅｃまた第２
のステップＢから第１のステップＡＫ切換わるときの立
上がり時間ＴＩ下記第１表に示すように穫々の値に変え
た他は上記と同様にして露光実験全行なったところ、立
上が９時間Ｔが１ｍｓｅｃ未満の場合は水銀灯の実用使
用可能時間が著しく短いものであった。また立上がり時
間Ｔが３０ｍｓｅｃｔ−越える場合には半導体ウェハー
材料の単位時間白たりの処理枚数が少ないものでめった
。
の立上がり時間Ｔ ２Ｑｍｓｅｃまた第２
のステップＢから第１のステップＡＫ切換わるときの立
上がり時間ＴＩ下記第１表に示すように穫々の値に変え
た他は上記と同様にして露光実験全行なったところ、立
上が９時間Ｔが１ｍｓｅｃ未満の場合は水銀灯の実用使
用可能時間が著しく短いものであった。また立上がり時
間Ｔが３０ｍｓｅｃｔ−越える場合には半導体ウェハー
材料の単位時間白たりの処理枚数が少ないものでめった
。
第１表
〔発明の作用効果〕
以上詳細に説明したように１不発明方法によれば、次の
ような作用効果が奏される。
ような作用効果が奏される。
（１１水銀灯の放射元が露光に利用されない期間に８い
ては、水銀灯の消費電力が低レベルとなる第２のステッ
プにより白眼水銀灯を点灯するため、水銀灯による電力
の浪費全大幅に小さくすることができるうえシャッター
の過熱損傷全防止することができ、しかも水銀灯は第２
のステップに８ける低レベルの消費電力に応じて設計さ
れる大きさのもの音用いることができるうえ第１のステ
ップでは水銀灯の消費電力が高レベルとなるためこのと
き必要な露光童會得ることができ従って半導体ウェハー
材料の露光會よｐ小型な水銀灯で行なうことができ、こ
の結果１１元装置の占Ｍ容槓が小さくなりクリーンルー
ムなどのメンテナンスに必要なコストが小で（、紹局半
導体デ・マイスの製造コスト全大輪に低減化することが
可能となる。
ては、水銀灯の消費電力が低レベルとなる第２のステッ
プにより白眼水銀灯を点灯するため、水銀灯による電力
の浪費全大幅に小さくすることができるうえシャッター
の過熱損傷全防止することができ、しかも水銀灯は第２
のステップに８ける低レベルの消費電力に応じて設計さ
れる大きさのもの音用いることができるうえ第１のステ
ップでは水銀灯の消費電力が高レベルとなるためこのと
き必要な露光童會得ることができ従って半導体ウェハー
材料の露光會よｐ小型な水銀灯で行なうことができ、こ
の結果１１元装置の占Ｍ容槓が小さくなりクリーンルー
ムなどのメンテナンスに必要なコストが小で（、紹局半
導体デ・マイスの製造コスト全大輪に低減化することが
可能となる。
（２）セして、水銀灯Ｔ／ｃ３いて、第２のステップか
ら第１のステップへの切換え會、水銀灯の消費電力が１
〜３ＱｍｓｅｃＱ間に第１のステップに８ける高レベル
の９５％に達する状態で行なうため、水銀灯の電極の早
期摩耗？防止することができ、しかも第２のステップか
ら第１のステップへの移行を短い時間間隔で行なうこと
ができ、この結果第１のステップと第２のステップとｒ
ｇＩｌい時間間隔で繰返しながら、長期間忙亘り安定し
た放射光量で半導体ウェハー０・材料の露光全行なうこ
とができる。
ら第１のステップへの切換え會、水銀灯の消費電力が１
〜３ＱｍｓｅｃＱ間に第１のステップに８ける高レベル
の９５％に達する状態で行なうため、水銀灯の電極の早
期摩耗？防止することができ、しかも第２のステップか
ら第１のステップへの移行を短い時間間隔で行なうこと
ができ、この結果第１のステップと第２のステップとｒ
ｇＩｌい時間間隔で繰返しながら、長期間忙亘り安定し
た放射光量で半導体ウェハー０・材料の露光全行なうこ
とができる。
第１図は露光装置の一例の概略を模式的に示す説明図、
第２図に第１のステップと第２のステップの繰返しによ
って変化する水銀灯の消費電力の波形の一例會示す説明
図、第３図は半導体ウェハー材料の仮露元部の一部會示
す説明図、第４因は水銀灯の消費電力の第２のステップ
に２ける低レベルから第１のステップに８Ｖｆる高レベ
ルへ達するまでの立上がり状ａ會示す説明図、第５図は
水銀灯の一例を示す説明図、纂６図は凧５図に示した水
銀灯の要部を拡大して示す説明図である。 ｌ・・・水銀灯 ２用午導体ワエハー材料
３・・・駆動用電源回路部 ４川シヤツター５．６．
７・・・反射鏡 ８川インテグレータ９・・・フィ
ルター １０・・・コンデンサレンズ１１・・
・フォトマスク １２・・・縮小Ｖンズ１０１ ・・
・封体 １０２Ａ、 １０２Ｂ＝・口金１０３
．１０４・・・電極棒 １０５川陽極体５１・・・胴
部 ５２・・・先端面５３・・・先端部
１０６・・・陰極体６１・・柱状部 ６
２・・・先端部ｆｚＩ図 鍍２囮 羊３囮 第４図 時間（ｍｓｅＣ）
第２図に第１のステップと第２のステップの繰返しによ
って変化する水銀灯の消費電力の波形の一例會示す説明
図、第３図は半導体ウェハー材料の仮露元部の一部會示
す説明図、第４因は水銀灯の消費電力の第２のステップ
に２ける低レベルから第１のステップに８Ｖｆる高レベ
ルへ達するまでの立上がり状ａ會示す説明図、第５図は
水銀灯の一例を示す説明図、纂６図は凧５図に示した水
銀灯の要部を拡大して示す説明図である。 ｌ・・・水銀灯 ２用午導体ワエハー材料
３・・・駆動用電源回路部 ４川シヤツター５．６．
７・・・反射鏡 ８川インテグレータ９・・・フィ
ルター １０・・・コンデンサレンズ１１・・
・フォトマスク １２・・・縮小Ｖンズ１０１ ・・
・封体 １０２Ａ、 １０２Ｂ＝・口金１０３
．１０４・・・電極棒 １０５川陽極体５１・・・胴
部 ５２・・・先端面５３・・・先端部
１０６・・・陰極体６１・・柱状部 ６
２・・・先端部ｆｚＩ図 鍍２囮 羊３囮 第４図 時間（ｍｓｅＣ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）水銀灯を連続点灯した状態で前記水銀灯の消費電力
が高レベルとなる第１のステップと前記水銀灯の消費電
力が低レベルとなる第２のステップとを交互に繰返し、
前記第１のステップにおいて前記水銀灯から放射される
光により半導体ウェハー材料を露光する露光方法であつ
て、 水銀灯において前記第２のステップから前記第１のステ
ップへの切換えを、水銀灯の消費電力が１〜３０ｍｓｅ
ｃの間に前記高レベルの９５％に達する状態で行なうこ
とを特徴とする水銀灯による半導体ウェハー材料の露光
方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139775A JPS6120324A (ja) | 1984-07-07 | 1984-07-07 | 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 |
| US06/705,646 US4605301A (en) | 1984-07-07 | 1985-02-26 | Exposure method of semiconductor wafer by mercury-vapor lamp |
| FR8502942A FR2567280B1 (fr) | 1984-07-07 | 1985-02-28 | Procede d'exposition d'une pastille de semi-conducteur par une lampe a vapeur de mercure |
| GB8506123A GB2161284B (en) | 1984-07-07 | 1985-03-08 | Method of exposing a semiconductor wafer to light from a mercury-vapor lamp |
| DE3510478A DE3510478C2 (de) | 1984-07-07 | 1985-03-22 | Verfahren zur aufeinanderfolgenden Belichtung kleiner Abschnitte eines Halbleiterwafers |
| NLAANVRAGE8501933,A NL190495C (nl) | 1984-07-07 | 1985-07-05 | Belichtingsstelsel voor het achtereenvolgens belichten van halfgeleiderplakken. |
| GB888808723A GB8808723D0 (en) | 1984-07-07 | 1988-04-13 | Method of exposing semiconductor wafer to light from mercury-vapour lamp |
| GB8810523A GB2203849B (en) | 1984-07-07 | 1988-05-04 | Method of exposing a semiconductor wafer to light from a mercury-vapor lamp |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139775A JPS6120324A (ja) | 1984-07-07 | 1984-07-07 | 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120324A true JPS6120324A (ja) | 1986-01-29 |
| JPH0254654B2 JPH0254654B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=15253123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139775A Granted JPS6120324A (ja) | 1984-07-07 | 1984-07-07 | 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120324A (ja) |
| GB (2) | GB8808723D0 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313014A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Olympus Optical Co Ltd | 電子スコ−プ用光源装置 |
| JPS6446719A (en) * | 1988-07-28 | 1989-02-21 | Olympus Optical Co | Xenon lamp lighting device |
| JPS6446718A (en) * | 1988-07-28 | 1989-02-21 | Olympus Optical Co | Light source unit for electronic scope |
| DE4402611A1 (de) * | 1994-01-28 | 1995-08-10 | Wack O K Chemie Gmbh | Waschanlage für Motorräder |
| JP2007201410A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外線照射装置 |
| JP2008281934A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外線照射装置 |
| JP2013003281A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Ushio Inc | 光源装置およびランプ点灯方法 |
| WO2022224576A1 (ja) * | 2021-04-23 | 2022-10-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 照明装置の制御方法及び露光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54108478A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-25 | Ushio Electric Inc | Printing or transcribing method of semiconductor and discharge lamp suitable for printing or transcription |
-
1984
- 1984-07-07 JP JP59139775A patent/JPS6120324A/ja active Granted
-
1988
- 1988-04-13 GB GB888808723A patent/GB8808723D0/en active Pending
- 1988-05-04 GB GB8810523A patent/GB2203849B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54108478A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-25 | Ushio Electric Inc | Printing or transcribing method of semiconductor and discharge lamp suitable for printing or transcription |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6313014A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Olympus Optical Co Ltd | 電子スコ−プ用光源装置 |
| JPS6446719A (en) * | 1988-07-28 | 1989-02-21 | Olympus Optical Co | Xenon lamp lighting device |
| JPS6446718A (en) * | 1988-07-28 | 1989-02-21 | Olympus Optical Co | Light source unit for electronic scope |
| DE4402611A1 (de) * | 1994-01-28 | 1995-08-10 | Wack O K Chemie Gmbh | Waschanlage für Motorräder |
| JP2007201410A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外線照射装置 |
| JP2008281934A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | 紫外線照射装置 |
| JP2013003281A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Ushio Inc | 光源装置およびランプ点灯方法 |
| WO2022224576A1 (ja) * | 2021-04-23 | 2022-10-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 照明装置の制御方法及び露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8810523D0 (en) | 1988-06-08 |
| JPH0254654B2 (ja) | 1990-11-22 |
| GB2203849A (en) | 1988-10-26 |
| GB2203849B (en) | 1989-05-24 |
| GB8808723D0 (en) | 1988-05-18 |
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