JPS61196599A - 結晶化ガラス多層回路基板 - Google Patents
結晶化ガラス多層回路基板Info
- Publication number
- JPS61196599A JPS61196599A JP3715785A JP3715785A JPS61196599A JP S61196599 A JPS61196599 A JP S61196599A JP 3715785 A JP3715785 A JP 3715785A JP 3715785 A JP3715785 A JP 3715785A JP S61196599 A JPS61196599 A JP S61196599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- paste
- glass
- multilayer circuit
- crystallized glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明結晶化ガラス多層回路基板は、特に＾周波領域で
高速信号伝播に好適に利用される。
高速信号伝播に好適に利用される。
「従来の技術」
多層回路基板は、予め焼結されたセラミック基板上に導
体ペーストを印刷後、絶縁ベースドを印刷し、これを複
数回〈シ返して多層配線パターンを形成した後焼成して
製造されたものとセラミックグリーンシート上に前述の
如く導体ペーストと絶縁ペーストを複数回交互に印刷し
同時焼成して製造されたものが知られている。
体ペーストを印刷後、絶縁ベースドを印刷し、これを複
数回〈シ返して多層配線パターンを形成した後焼成して
製造されたものとセラミックグリーンシート上に前述の
如く導体ペーストと絶縁ペーストを複数回交互に印刷し
同時焼成して製造されたものが知られている。
「発明が解決しようとする問題点」
上記いずれの多層回路基板も、セラミック基板又はセラ
ミックグリーンシートの焼成収縮率と絶縁ペーストの焼
成収縮率とが異なるため、絶縁層にクラックが生じたシ
、反り１．ピンホールなどが発生する、。これを解決す
る虎め、絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にセ
ラミックグリーンシートを構成するセラミック質粉体よ
シ粒径の小さい粉体を使用することを特徴とするセラミ
ック多層回路基板の製造法が提案され、特開昭５９−１
０１８９６号公報に開示されたが、粒径制御という面倒
を有する。かかる製造上の問題点に加えてセラミックス
は焼成温度が高いため導体材料がタングステン、モリブ
デン等の高融点高抵抗金属に限られ、高速信号伝播に適
さない。
ミックグリーンシートの焼成収縮率と絶縁ペーストの焼
成収縮率とが異なるため、絶縁層にクラックが生じたシ
、反り１．ピンホールなどが発生する、。これを解決す
る虎め、絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にセ
ラミックグリーンシートを構成するセラミック質粉体よ
シ粒径の小さい粉体を使用することを特徴とするセラミ
ック多層回路基板の製造法が提案され、特開昭５９−１
０１８９６号公報に開示されたが、粒径制御という面倒
を有する。かかる製造上の問題点に加えてセラミックス
は焼成温度が高いため導体材料がタングステン、モリブ
デン等の高融点高抵抗金属に限られ、高速信号伝播に適
さない。
本発明は以上の問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
「問題点を解決する九めの手段」
解決手段は、導体ペーストと結晶性ガラス質の絶縁ペー
ストとを該結晶性ガラス質と同質の結晶性ガラスグリー
ンシート上に複数回交互に厚膜印刷し、同時焼成してな
る結晶化ガラス多層回路基板である。ここで結晶性ガラ
ス質とは焼成時に結晶化し得るガラス成分を意味し、同
質とはこのガラス成分に関しての同質をいい、樹脂、粘
結剤等焼失し得る有機成分については同質性を問わない
。
ストとを該結晶性ガラス質と同質の結晶性ガラスグリー
ンシート上に複数回交互に厚膜印刷し、同時焼成してな
る結晶化ガラス多層回路基板である。ここで結晶性ガラ
ス質とは焼成時に結晶化し得るガラス成分を意味し、同
質とはこのガラス成分に関しての同質をいい、樹脂、粘
結剤等焼失し得る有機成分については同質性を問わない
。
「作用」
絶縁ペースト及びグリーンシートに主として含まれる無
機成分がいずれも結晶性ガラス質であることから、ガラ
ス特有の軟化現象を経て結晶化するため、クラック、ピ
ンホールなどを生じることがない。而して絶縁ペースト
中の結晶性ガラス質とグリーンシート中のそれとが同質
であるので、焼成収縮率の差による反りが生じることが
なく且つ両者が強固に密着したものとなる。また結晶性
ガラス質の焼成温度は１０５０℃以下であるので、導体
材料として金、銀、銅。
機成分がいずれも結晶性ガラス質であることから、ガラ
ス特有の軟化現象を経て結晶化するため、クラック、ピ
ンホールなどを生じることがない。而して絶縁ペースト
中の結晶性ガラス質とグリーンシート中のそれとが同質
であるので、焼成収縮率の差による反りが生じることが
なく且つ両者が強固に密着したものとなる。また結晶性
ガラス質の焼成温度は１０５０℃以下であるので、導体
材料として金、銀、銅。
パラジウム、白金又はこれらの混合物等低抵抗金属を用
いることができ、同時焼成しても金属成分のダレ等問題
を生じることがない。
いることができ、同時焼成しても金属成分のダレ等問題
を生じることがない。
「実施例」
重量基準”ｔ’ ＳｉＯ！５６ ％、ＡｈＯｓ ２８．
５％ 、 ＭｇＯ１５％ 、ＺｎＯ８，５％ 、 Ｂｔ
ｕｓ １ ％及びＰ２Ｏ５Ｉ Ｔｏ ヨりなる平均粒径
２μ調のガラス粉末１００部に分散剤１部、結合剤１５
部、可塑剤１５部、溶剤５０部を添加混練し、ドクター
ブレード法にてグリーンシートＡを成形した。別途、上
記ガラス粉末に溶剤等上記有機成分を粘度６００ボイズ
となるまで添加混合して絶縁ペース）ａｔ調製した。グ
リーンシートＡ上に金ペースト（住友金属鉱山■製Ｃ−
５０２５）を厚膜印刷して膜厚２５μｍの配線パターン
を形成し、その上に絶縁ペース）ａを厚膜印刷して絶縁
層を形成し、この印刷操作をくシ返した後、大気中温度
９３００で焼成することによって配線層５層、膜厚４ｏ
μ屑の結晶化ガラス絶縁層４層、基板厚２１１１＋の本
発明結晶化ガラス多層回路基板を製造した。
５％ 、 ＭｇＯ１５％ 、ＺｎＯ８，５％ 、 Ｂｔ
ｕｓ １ ％及びＰ２Ｏ５Ｉ Ｔｏ ヨりなる平均粒径
２μ調のガラス粉末１００部に分散剤１部、結合剤１５
部、可塑剤１５部、溶剤５０部を添加混練し、ドクター
ブレード法にてグリーンシートＡを成形した。別途、上
記ガラス粉末に溶剤等上記有機成分を粘度６００ボイズ
となるまで添加混合して絶縁ペース）ａｔ調製した。グ
リーンシートＡ上に金ペースト（住友金属鉱山■製Ｃ−
５０２５）を厚膜印刷して膜厚２５μｍの配線パターン
を形成し、その上に絶縁ペース）ａを厚膜印刷して絶縁
層を形成し、この印刷操作をくシ返した後、大気中温度
９３００で焼成することによって配線層５層、膜厚４ｏ
μ屑の結晶化ガラス絶縁層４層、基板厚２１１１＋の本
発明結晶化ガラス多層回路基板を製造した。
比較のために平均粒径２μ屑のＡ１＊Ｏｉ ９６ Ｔｏ
。
。
残部ＣａＯｅ ５ｉ（ｈ ｓ ＭｇＯよりなる配合粉末
１００部に結合剤８部、可塑剤４部、溶剤７０部を添加
混練し、ドクターブレード法にてグリーンシー）Ｂを成
形した。別途、上記配合粉末に溶剤等上記有機成分を粘
度６００ポイズとなるまで添加混合して絶縁ペース）ｂ
″ｆ：調製した。グリーンシー）Ｂ上にタングステンペ
ースト（アサヒ化学■製８ＴＷ−１０００）を厚膜印刷
して膜厚２６μ肩の配線パターンを形成し、その上に絶
縁ベースドｂを厚膜印刷して絶縁層を形成し、この印刷
操作をくシ返した後、水素雰囲気中温度１５００℃で焼
成することによって配線層５層、膜厚４０μｍのセラミ
ック絶縁層４層、基板厚２ｍのセラミック多層回路基板
を製造した。
１００部に結合剤８部、可塑剤４部、溶剤７０部を添加
混練し、ドクターブレード法にてグリーンシー）Ｂを成
形した。別途、上記配合粉末に溶剤等上記有機成分を粘
度６００ポイズとなるまで添加混合して絶縁ペース）ｂ
″ｆ：調製した。グリーンシー）Ｂ上にタングステンペ
ースト（アサヒ化学■製８ＴＷ−１０００）を厚膜印刷
して膜厚２６μ肩の配線パターンを形成し、その上に絶
縁ベースドｂを厚膜印刷して絶縁層を形成し、この印刷
操作をくシ返した後、水素雰囲気中温度１５００℃で焼
成することによって配線層５層、膜厚４０μｍのセラミ
ック絶縁層４層、基板厚２ｍのセラミック多層回路基板
を製造した。
前記本発明結晶化ガラス多層回路基板及び上記セラミッ
ク多層回路基板について緒特性を評価した結果を表に示
す。
ク多層回路基板について緒特性を評価した結果を表に示
す。
以上のように本発明結晶化ガラス多層回路基板は不良発
生率が低く、層間絶縁性の優れたものである。
生率が低く、層間絶縁性の優れたものである。
「発明の効果」
不良発生率が低いので廉価に製造できる。層間絶縁性が
優れているので絶縁層の膜厚が薄くて済み、印刷段階の
工数が向上する。導体材料に低抵抗材料を適用できるの
で信号伝播速度が向上する。以上の効果は、上記実施例
に限ることはなく特開昭５９−９２９４８号公報特許請
求の範囲記載のＳ ｔｏ２− ＡｌｚＯｓ −ＭｇＯ−
ＺｎＯ−Ｂ２０３−ＰｚＯｓ系結晶化ガラス体、特開昭
５９−８８９５７号公報特許請求の範囲記載の５ｔ（ｈ
−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｂ２０３− ＣａＯ−ＺｒＣ
ｈ系結晶化ガラス体等公知の結晶化ガラスを適用しても
同様に奏する。
優れているので絶縁層の膜厚が薄くて済み、印刷段階の
工数が向上する。導体材料に低抵抗材料を適用できるの
で信号伝播速度が向上する。以上の効果は、上記実施例
に限ることはなく特開昭５９−９２９４８号公報特許請
求の範囲記載のＳ ｔｏ２− ＡｌｚＯｓ −ＭｇＯ−
ＺｎＯ−Ｂ２０３−ＰｚＯｓ系結晶化ガラス体、特開昭
５９−８８９５７号公報特許請求の範囲記載の５ｔ（ｈ
−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｂ２０３− ＣａＯ−ＺｒＣ
ｈ系結晶化ガラス体等公知の結晶化ガラスを適用しても
同様に奏する。
Claims (3)
- （１）導体ペーストと結晶性ガラス質の絶縁ペーストと
を該結晶性ガラス質と同質の結晶性ガラスグリーンシー
ト上に複数回交互に厚膜印刷し、同時焼成してなる結晶
化ガラス多層回路基板。 - （２）導体ペーストが金、銀、銅、パラジウム、白金又
はこれらの混合物のペーストである特許請求の範囲第１
項記載の結晶化ガラス多層回路基板。 - （３）絶縁ペーストの膜厚が３０〜４０μｍである特許
請求の範囲第１項記載の結晶化ガラス多層回路基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3715785A JPS61196599A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
| US07/320,796 US4943470A (en) | 1985-01-11 | 1989-03-09 | Ceramic substrate for electrical devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3715785A JPS61196599A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196599A true JPS61196599A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12489762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3715785A Pending JPS61196599A (ja) | 1985-01-11 | 1985-02-26 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196599A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147395A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 高密度配線多層基板の製造法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162393A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Hitachi Ltd | Multilayer circuit board |
| JPS59101896A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 日立化成工業株式会社 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
| JPS605597A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | 新光電気工業株式会社 | セラミツク複合焼成体の製造方法 |
| JPS6175595A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | 株式会社日立製作所 | 厚膜多層板 |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP3715785A patent/JPS61196599A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162393A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Hitachi Ltd | Multilayer circuit board |
| JPS59101896A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 日立化成工業株式会社 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
| JPS605597A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | 新光電気工業株式会社 | セラミツク複合焼成体の製造方法 |
| JPS6175595A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | 株式会社日立製作所 | 厚膜多層板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147395A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 高密度配線多層基板の製造法 |
| JPH0455557B2 (ja) * | 1986-12-10 | 1992-09-03 | Ngk Spark Plug Co |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4812422A (en) | Dielectric paste and method of manufacturing the paste | |
| GB1565421A (en) | Manufacture of electrical devices | |
| KR900004344B1 (ko) | 마이크로 전자회로를 위한 세라믹 기판의 제조방법 | |
| US5407473A (en) | Conductive ink | |
| JPH11251723A (ja) | 回路基板 | |
| JPS61196599A (ja) | 結晶化ガラス多層回路基板 | |
| JPH06334351A (ja) | 導体ペーストおよびそれを用いたセラミック多層配線基板 | |
| CN1207249C (zh) | 陶瓷零件及其制造方法 | |
| JPH0685466A (ja) | 多層回路基板 | |
| JPS61274399A (ja) | 多層セラミック基板用組成物および多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH0260236B2 (ja) | ||
| JPS61278195A (ja) | 多層回路基板及びその製造方法 | |
| JPH01112605A (ja) | 導体ペースト組成物 | |
| JP2002198624A (ja) | 回路基板 | |
| JP2007287974A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPS62209895A (ja) | セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト | |
| JPS622597A (ja) | セラミツク配線基板の製造方法 | |
| JPH0350149A (ja) | セラミックグリーンシートの製造方法 | |
| JPS60171781A (ja) | 低誘電率多層基板の製造方法 | |
| JPH0588557B2 (ja) | ||
| JPH0554718B2 (ja) | ||
| JPS6323394A (ja) | 複合焼結体の製造法 | |
| JPS63293899A (ja) | 多層配線板 | |
| JPH06313137A (ja) | 導電性インキ | |
| JPS62232191A (ja) | セラミツク多層配線基板の製造方法 |