JPS59101896A - セラミツク多層回路基板の製造法 - Google Patents
セラミツク多層回路基板の製造法Info
- Publication number
- JPS59101896A JPS59101896A JP21163882A JP21163882A JPS59101896A JP S59101896 A JPS59101896 A JP S59101896A JP 21163882 A JP21163882 A JP 21163882A JP 21163882 A JP21163882 A JP 21163882A JP S59101896 A JPS59101896 A JP S59101896A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- multilayer circuit
- ceramic
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック多層回路基板の製造法に関する。
従来セラミック多層回路基板は、予め焼結されたセラミ
ック基板上に導体ペーストを印刷後。
ック基板上に導体ペーストを印刷後。
絶縁ペーストを印刷し、これを複数回くり返して多層回
路を形成した後焼成して製造していたが、この方法によ
ると予め焼結されたセラミック基板の焼成収縮率とセラ
ミックグリーンシート（以下グリーンシートという）の
焼成収縮率が異なるため絶縁層にクラックが生じたり９
反りなどが発生する欠点があった。
路を形成した後焼成して製造していたが、この方法によ
ると予め焼結されたセラミック基板の焼成収縮率とセラ
ミックグリーンシート（以下グリーンシートという）の
焼成収縮率が異なるため絶縁層にクラックが生じたり９
反りなどが発生する欠点があった。
この欠点を補うためグリーンシート上に前述のごとく導
体ペーストと絶縁ペーストとを用いて多層回路を形成し
、同時焼成する方法が試みられたが、この方法でも多層
印刷した絶縁ペーストが焼結される際にクラックが発生
するという欠点があった。
体ペーストと絶縁ペーストとを用いて多層回路を形成し
、同時焼成する方法が試みられたが、この方法でも多層
印刷した絶縁ペーストが焼結される際にクラックが発生
するという欠点があった。
本発明はかかる欠点のないセラミック多層回路基板の製
造法を提供することを目的とするものである。
造法を提供することを目的とするものである。
本発明者らは絶縁層に発生するクラック反りなどは絶縁
層の焼結不足に起因することに着目し１種々横付を行な
った結果、従来使用していた絶縁ペースト１／ｃ代えて
、絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にグリーン
シートを構成するセラミック質粉体より粒径の小さい粉
体を使用したところ焼結不足が解消し、クラック。
層の焼結不足に起因することに着目し１種々横付を行な
った結果、従来使用していた絶縁ペースト１／ｃ代えて
、絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にグリーン
シートを構成するセラミック質粉体より粒径の小さい粉
体を使用したところ焼結不足が解消し、クラック。
反りなどのないセラミック多層回路基板が製造できるこ
とを見い出した。
とを見い出した。
本発明は導体ペーストとセラミック質の絶縁ペーストと
をグリーンシート上に複数回印刷し。
をグリーンシート上に複数回印刷し。
同時焼成してセラミック多層回路基板を製造する方法に
おいて、絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にグ
リーンシートを構成するセラミック質粉体より粒径の小
さい粉体を使用するセラミック多層回路基板の製造法に
関する。
おいて、絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にグ
リーンシートを構成するセラミック質粉体より粒径の小
さい粉体を使用するセラミック多層回路基板の製造法に
関する。
本発明において使用されるセラミック質粉体の材質は何
ら制限はなく９例えばアルミナが多く使用される。また
グリーンシートは厚さ、材質、スラックスなど何ら制限
はない。
ら制限はなく９例えばアルミナが多く使用される。また
グリーンシートは厚さ、材質、スラックスなど何ら制限
はない。
本発明において使用する導体ペーストの材質。
配合などは何ら制限されずまた印刷厚さなども何ら制限
はない。
はない。
絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体はグリーンシ
ートを構成するセラミック質粉体より粒径の小さいこと
が必要であり、グリーンシートと同等若しくはそれ以上
の粒径のセラミック質粉体を使用すると前述と同様絶縁
層の焼結不足を解消することはできず２本発明の目的を
達成することができない。絶縁ペーストを構成するセラ
ミック質粉体とグリーンシートを構成するセラミック質
粉体との粒径の差については特に制限はないが、その差
が０．２μｍさらに好ましくは０．３μｍ以上であるこ
とが望ましい。また絶縁ペーストを構成するセラミック
質粉体はグリーンノートを構成するセラミック質粉体と
同材質のものが望ましいが９本発明では絶縁ペーストに
コープイライト、ムライトなどを添加してもさしつかえ
ない。
ートを構成するセラミック質粉体より粒径の小さいこと
が必要であり、グリーンシートと同等若しくはそれ以上
の粒径のセラミック質粉体を使用すると前述と同様絶縁
層の焼結不足を解消することはできず２本発明の目的を
達成することができない。絶縁ペーストを構成するセラ
ミック質粉体とグリーンシートを構成するセラミック質
粉体との粒径の差については特に制限はないが、その差
が０．２μｍさらに好ましくは０．３μｍ以上であるこ
とが望ましい。また絶縁ペーストを構成するセラミック
質粉体はグリーンノートを構成するセラミック質粉体と
同材質のものが望ましいが９本発明では絶縁ペーストに
コープイライト、ムライトなどを添加してもさしつかえ
ない。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１
平均粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純度９９、
５ ％以上）９６重量部に第１表に示すフラックスを４
重量部添加し均一に混合して原料粉Ａとした。
５ ％以上）９６重量部に第１表に示すフラックスを４
重量部添加し均一に混合して原料粉Ａとした。
また上記とは別に平均粒径１．７μｍの高純度アルミナ
（アルミナ純度９９．５ ％以上）９６重量部に第１表
に示すフラックスを４重量部添加し均一に混してポリビ
ニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤としてフタル酸エ
ステル４重量部、溶剤としてブタノール２０重量部、ト
リクロルエチレン５０重量部を添加し、ボールミルにて
５０時間均一に混合してセラミックスリップとした後テ
ープキャスティング法により厚さ０．８閣のグリーンシ
ートを得た。
（アルミナ純度９９．５ ％以上）９６重量部に第１表
に示すフラックスを４重量部添加し均一に混してポリビ
ニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤としてフタル酸エ
ステル４重量部、溶剤としてブタノール２０重量部、ト
リクロルエチレン５０重量部を添加し、ボールミルにて
５０時間均一に混合してセラミックスリップとした後テ
ープキャスティング法により厚さ０．８閣のグリーンシ
ートを得た。
また上記で得だ原料粉Ｂ１００重量部にバインダーとし
てポリビニルブチラール樹脂８重量部。
てポリビニルブチラール樹脂８重量部。
可塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール２０重量部、パークロルエチレン４０重歓部を
添加し、ボールミルにて１００時間均一に混合して絶縁
ペースト１とした。
タノール２０重量部、パークロルエチレン４０重歓部を
添加し、ボールミルにて１００時間均一に混合して絶縁
ペースト１とした。
次いで前述のグリーンシートに直径０．３１１１１１の
スルーホールを形成した後このスルーホールにＷ（タン
グステン）導体ペースト（ア丈と化学製。
スルーホールを形成した後このスルーホールにＷ（タン
グステン）導体ペースト（ア丈と化学製。
商品名３ＴＷ−１０００）を充填し、さらにグリーンシ
ートの表、裏それぞれに前述と同様のＷ導体ペーストを
印刷して回路を形成し、その上部に前述の絶縁ペースト
１を７０±１０μｍの厚さに印刷し、この工程を表側４
回、裏側２回くり返し６層の多層回路を形成し、さらに
量外側にメタライズ佛子を印刷した。その後空気中で２
００℃まで５０℃／時間昇温し、２００℃で５時間保持
した後２００℃からは水素雰囲気中で３０℃／時間の昇
温速度で１５００℃まで昇温させて焼成しセラミック多
層回路基板を得た。
ートの表、裏それぞれに前述と同様のＷ導体ペーストを
印刷して回路を形成し、その上部に前述の絶縁ペースト
１を７０±１０μｍの厚さに印刷し、この工程を表側４
回、裏側２回くり返し６層の多層回路を形成し、さらに
量外側にメタライズ佛子を印刷した。その後空気中で２
００℃まで５０℃／時間昇温し、２００℃で５時間保持
した後２００℃からは水素雰囲気中で３０℃／時間の昇
温速度で１５００℃まで昇温させて焼成しセラミック多
層回路基板を得た。
このセラミック多層回路基板について外観を観察したが
、絶縁層にクランク、反りなどは発生しなかった。
、絶縁層にクランク、反りなどは発生しなかった。
実施例２
平均粒径１．５μｍの高純度アルミナ（アルミナ純族９
９．５％以上）９６重量部に第１表に示すフラックスを
４重量部添加し均一に混合して原料粉Ｃとした。次にこ
の原料粉Ｃ１００重量部にバインダーとしてポリビニル
ブチラール樹脂８重量部。
９．５％以上）９６重量部に第１表に示すフラックスを
４重量部添加し均一に混合して原料粉Ｃとした。次にこ
の原料粉Ｃ１００重量部にバインダーとしてポリビニル
ブチラール樹脂８重量部。
可塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール２０重量部、パークロルエチレン４０重量部を
添加し、ボールミルにて１００時間均一に混合して絶縁
ペースト２とした。次にこの絶縁ペースト２を実施例１
に示す絶縁ペースト１の替りに使用し、それ以外は実施
例１と同様の方法によってセラミック多層回路基板を得
た。
タノール２０重量部、パークロルエチレン４０重量部を
添加し、ボールミルにて１００時間均一に混合して絶縁
ペースト２とした。次にこの絶縁ペースト２を実施例１
に示す絶縁ペースト１の替りに使用し、それ以外は実施
例１と同様の方法によってセラミック多層回路基板を得
た。
このセラミック多層回路基板について外観を観察したが
、絶縁層にクラック、反りなどは発生しなかった。
、絶縁層にクラック、反りなどは発生しなかった。
実施例３
実施例１で得た原料粉Ｂ １００！量部にコープイライ
ト１５重量部、バインダーとしてポリビニルブチラール
樹脂８重量部、可塑剤としてフタル酸エステル４重量部
、溶剤としてブタノニル２０重量部、パークロルエチレ
ン４０重量部を添加し。
ト１５重量部、バインダーとしてポリビニルブチラール
樹脂８重量部、可塑剤としてフタル酸エステル４重量部
、溶剤としてブタノニル２０重量部、パークロルエチレ
ン４０重量部を添加し。
ボールミルにて１００時間均一に混合して絶縁ペースト
３とした。次にこの絶縁ペースト３を実施例１に示す絶
縁ペースト１の替りに使用し、それ以外は実施例１と同
様の方法によってセラミック多層回路基板を得だ。
３とした。次にこの絶縁ペースト３を実施例１に示す絶
縁ペースト１の替りに使用し、それ以外は実施例１と同
様の方法によってセラミック多層回路基板を得だ。
このセラミック多層回路基板について外観を観察したが
、絶縁層にクラック、反りなどは発生しなかった。
、絶縁層にクラック、反りなどは発生しなかった。
実施例４
実施例２で得た原料粉Ｃ１００重量部にムライト２０重
量部、バインダーとしてポリビニルブチラール樹脂８重
量部、０］′塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶
剤としてプタール２０重量部。
量部、バインダーとしてポリビニルブチラール樹脂８重
量部、０］′塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶
剤としてプタール２０重量部。
パークロルエチレン４０重量部を添加し、ボールミルに
て１００時間均一に混合して絶縁ペースト４とした。次
にこの絶縁ペースト４を実施例１に示す絶縁ペースト１
の替りに使用し、それ以外は実施例１と同様の方法によ
ってセラミック多層回路基板を得た。
て１００時間均一に混合して絶縁ペースト４とした。次
にこの絶縁ペースト４を実施例１に示す絶縁ペースト１
の替りに使用し、それ以外は実施例１と同様の方法によ
ってセラミック多層回路基板を得た。
このセラミック多層回路基板について外観を観察しだが
、絶縁層にクラック、反りなどは発生しなかった。
、絶縁層にクラック、反りなどは発生しなかった。
比較例１
実施例１の原料粉Ａ１００重量部にバインダーとしてポ
リビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤としてフタル
酸エステル４重量部、溶剤としてブタノール２ｏ重を部
、パークロルエチレン４０重量部を添加し、ボールミル
にて１００時間均一に混合して絶縁ペースト５とした。
リビニルブチラール樹脂８重量部、可塑剤としてフタル
酸エステル４重量部、溶剤としてブタノール２ｏ重を部
、パークロルエチレン４０重量部を添加し、ボールミル
にて１００時間均一に混合して絶縁ペースト５とした。
次いでこの絶縁ペースト５を実施例１に示す絶縁ペース
ト１の替りに使用し、それ以外は実施例１と同様の方法
によってセラミック多層回路基板を得た。
ト１の替りに使用し、それ以外は実施例１と同様の方法
によってセラミック多層回路基板を得た。
このセラミック多層回路基板について外観を観察したと
ころ絶縁層にマイクロクラックが発生した。
ころ絶縁層にマイクロクラックが発生した。
比較例２
平均粒径２，５μｍの高純度アルミナ（アルミナ純度９
９．５ ％以上）９６重量部に第１表に示すフラックス
を４重量部添加し均一に混合して原料粉りとした。次に
この原料粉Ｄ１００重量部にバインダーとしてポリビニ
ルブチラール樹脂８重量部。
９．５ ％以上）９６重量部に第１表に示すフラックス
を４重量部添加し均一に混合して原料粉りとした。次に
この原料粉Ｄ１００重量部にバインダーとしてポリビニ
ルブチラール樹脂８重量部。
可塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶剤としてブ
タノール２０重量部、パークロルエチレン４０重量部を
添加し、ボールミルにて１００時間均一に混合して絶縁
ペースト６とした。次いでこの絶縁ペースト６を実施例
１に示す絶縁ペースト１の替りに使用し、それ以外は実
施例１と同様の方法によってセラミック多層回路基板を
得た。
タノール２０重量部、パークロルエチレン４０重量部を
添加し、ボールミルにて１００時間均一に混合して絶縁
ペースト６とした。次いでこの絶縁ペースト６を実施例
１に示す絶縁ペースト１の替りに使用し、それ以外は実
施例１と同様の方法によってセラミック多層回路基板を
得た。
このセラミック多層回路基板について外観を観察したと
ころ絶縁層にクラック、反りなどが発生した。
ころ絶縁層にクラック、反りなどが発生した。
以上の実施例および比較例において、高純度アルミナを
ボールミルで１００時間混合しても粒径の変化は見られ
なかった。
ボールミルで１００時間混合しても粒径の変化は見られ
なかった。
本発明は絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にグ
リーンシートを構成するセラミック質粉体より粒径の小
さい粉体を使用するので、絶縁層の焼結不足が解消され
クラック、反りなどの発生のないセラミック多層回路基
板を製造することができる。
リーンシートを構成するセラミック質粉体より粒径の小
さい粉体を使用するので、絶縁層の焼結不足が解消され
クラック、反りなどの発生のないセラミック多層回路基
板を製造することができる。
Claims (1)
- １、導体ペーストとセラミック質の絶縁ペーストとをセ
ラミックグリーンシート上に複数回印刷し、同時焼成し
てセラミック多層回路基板を製造する方法において、絶
縁ペーストを構成するセラミック質粉体にセラミックグ
リンシートを構成するセラミック質粉体より粒径の小さ
い粉体を使用することを特徴とするセラミック多層回路
基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21163882A JPS59101896A (ja) | 1982-12-02 | 1982-12-02 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21163882A JPS59101896A (ja) | 1982-12-02 | 1982-12-02 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101896A true JPS59101896A (ja) | 1984-06-12 |
| JPS6258680B2 JPS6258680B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=16609085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21163882A Granted JPS59101896A (ja) | 1982-12-02 | 1982-12-02 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101896A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196599A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379986U (ja) * | 1989-12-01 | 1991-08-15 | ||
| JP2998206B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2000-01-11 | コクヨ株式会社 | リングとじ具 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4883105A (ja) * | 1972-02-09 | 1973-11-06 | ||
| JPS57118079A (en) * | 1980-12-15 | 1982-07-22 | Coors Porcelain Co | Ceramic substrate for fine wire distribution electric circuit and manufacture |
-
1982
- 1982-12-02 JP JP21163882A patent/JPS59101896A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4883105A (ja) * | 1972-02-09 | 1973-11-06 | ||
| JPS57118079A (en) * | 1980-12-15 | 1982-07-22 | Coors Porcelain Co | Ceramic substrate for fine wire distribution electric circuit and manufacture |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196599A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258680B2 (ja) | 1987-12-07 |
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