JPS5871694A - セラミツク多層回路基板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラミック多層回路基板の製造法に関する。

従来セラミック多層回路基板は、予め焼結されたセラミ
ック基板上に導体ペーストを印刷後。

絶縁ペーストを印刷し、これを複数回くり返して多層回
路を形成した後焼成して製造していたが、この方法によ
ると予め焼結されたセラミック基板の焼成収縮率とセラ
ミックグリーンシート（以下グリーンシートという）の
焼成収縮率が異なるため絶縁層にクラックが生じたり１
反りなどが発生する欠点があった。

この欠点を補うためグリーンシート上に前述のごとく導
体ペーストと絶縁ペーストとを用いて多層回路を形成し
、同時焼成する方法が試みられたが、この方法でも多層
印刷した絶縁ペーストが焼結される際にクラックを生ず
る欠点があった。

本発明はかかる欠点のない藝ラミック多層回路基板の製
造法を提供することを目的とするものである。

本発明者らは絶縁層に発生するクラック、反りなどは絶
縁層の焼結不足に起因することに着目し９種々検討を行
なった結果、下層と上層とで別々の絶縁ペーストを使用
し、下層の絶縁ペーストにはグリーンシートに含まれる
フラックスと同一のフラックスでかつフラックスの含有
量もグリーンシートに含まれるフラックスと同量かまた
はそれ以上含有する絶縁ペーストを使用し、上層の絶縁
ペーストには下層の絶縁ペーストに含まれるフラックス
よυ低融点でかつフラックスの含有量も下層の絶縁ペー
ストに含まれるフラックスと同量か−またはそれ以上含
有するｉｔＡ縁ペーストを使用することにより、絶縁層
の焼結不足が解消し、クラック、反りなどのないセラミ
ック多層回路・基板が製造できることを見出した。

本発明は導体ペーストとセラミック質の絶縁ペーストと
をグリーンシート上に複数回印刷し。

同時に焼成してセラミック多層回路基板を製造する方法
において、下層と上層とでは別々の絶縁ベース）を使用
し、下層の絶縁ペーストにはグリーン７−トに含まれる
フラックスと同一の７ラツクスをグリーンシートに含ま
れるフラックスと同量かまたはそれ以上含有する絶縁ペ
ーストを使用し、上層の絶縁ペーストには下層の絶縁ペ
ーストに含まれるフラックスより低融点でかつフラック
スの含有量も下層の絶縁ペーストに含まれるフラックス
と同量かまたはそれ以上含有する絶縁ペーストを使用す
るセラミック多層回路基板の製造法に関する。

なお本発明において下層に使用される絶縁ペーストは基
体となるグリーンシートに含まれるフラックスと同一で
あればその配合は何ら制限されず、また絶縁ペーストに
含まれるフラックスの含有量はグリーンシートに含まれ
るフラックスと同量かまたはグリーンシートよシ多いこ
とが必要である。もしグリーンシートより少ない場合は
絶縁層の焼結不足を解消することはできず１本発明の目
的を達成することはできない。

上層に使用される絶縁ペーストは下層に使用される絶縁
ペーストより低融点であれは良く七の配合は何ら制限さ
れず、また絶縁ペーストに含まれるフラックスの含有量
は下層絶縁ペーストに含まれるフラックスと同量かマｆ
Ｃはグリーンシートより多いことが必要である。もし下
層用絶縁ペーストより少ない場合は、絶縁層の焼結不足
を解消することはできず本発明の目的を達成することは
できない。下層とは基体となるグリーンシート側の一層
望ましくは層数の１／２以下をさし９両面に絶縁層を印
刷する場合も同一概念である。

本発明において印刷される導体ペーストの種類等は制限
されず、また印刷される絶縁ペーストの厚さも制限され
ない。

以下実施例により本発明を説明する。

実施例１ 平均結晶粒径２μｍの高純度アルミナ（アルミナ純度９
９．５１以上）９６．２重量部に第１表に示すフラック
ス１を３．８重量部添加し、均一に混合して原料粉Ａと
した。

この原料粉Ａ１００重量部にバインダーとしてポリビニ
ルブチラール樹脂を８重量部、可塑剤としてフタル酸エ
ステル４重量部、溶剤としてブタノール２０Ｍｆ＃部、
　　トリクロルエチレン５０重量部を添加し、ボールミ
ルにて均一に混合してセラミックスリップとした後、テ
ープキャスティング法により厚み０．８１のグリーンシ
ートを得た。

次いで前述の高純度アルミナ９５ｇ量部に前述の７ラツ
クス１を５重量部添加し、均一に混合して原料粉Ｂとし
、さらに上記と同じ工程を経て絶縁ペースト１を得た。

また上記とは別に前述の高純度アルミナ９４５重量部に
第１表に示す７ラツクス２を５．５１量部添加し、均一
に混合させて原料粉Ｃとし、さらに上記と同じ工程を経
て絶縁ペースト２を得た。

矢に前述のグリーンシート上にＷ（夕／ゲステン）導体
ペースト（アサヒ化学製、商品名３ＴＷ−１０００）を
印刷して回路を形成した後その上部に前述の絶縁ペース
ト１を３０μｍの厚さに印刷し。

この工程を２回すなわち導体ペーストおよび絶縁ペース
ト１の印刷を交互に２回くシ返し、さらにその上部に絶
縁ペースト２を使用して上記と同様に導体ペーストおよ
び絶縁ペースト２の印刷を交互に２回くり返し、４層の
多層回路を形成した。

その後空気中で３００℃まで５０℃／時間の昇温速度で
加熱し、３００℃からは水素雰囲気で３０℃／時間の昇
温速度で１５００℃まで昇温させてグリーンシート、導
体ペーストおよび絶縁ペースト１．２を同時焼成し、セ
ラミック多層回路基板を得た。

このセラミック多層回路基板について外−を観察したが
クラックおよび反りは発生しなかった。

比較例１ 実施例１で使用したグリーンシート上に実施例！で使用
した導体ペーストを印刷して回路を形成した後その上部
に第１表に示すフラックスｌを３．８電量部含有するセ
ラミックスリップヲ絶縁ペーストしたものを３０μｍｎ
の厚さに印刷しこの工程を４回く９返して４層の多項目
を形成した後、以下実施例１と同様の条件でグリーンシ
ート、導体ペーストおよび絶縁ペーストを同時焼成して
セラミック多層回路基板を得た。

このセラミック多層回路基板について外観を観察したと
ころ絶縁層に微少なりラックが発生した。

第１表 本発明は絶縁層を形成する絶縁ペーストを下層と上層で
使いわけ、下層の絶縁ペーストにはグリーンシートに含
まれるフラックスと同一のフラックスをグリーンシート
に含まれるフラックスと同量かまたはそれ以上含有する
絶縁ベニ−ストを使用し、上層の絶縁ペーストには下層
の絶縁ペーストに含まれるフラックスよ）低融点でかつ
フラックスの含有量も下層の絶縁ペーストに含まれるフ
ラックスと同量かまたはそれ以上含有する絶縁ペースト
を使用するので絶縁層を十分に焼結することができ、ク
ラック、反りなどの発生を皆無にすることがで酋る。

手続補正書１発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１７０５２７号 ２、発明の名称 セラミック多層回路基板の製造法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 名　称　（ｏｓ＋　８立化成工業株式会社４、代　理　
Å 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、導体ペーストとセラミック質の絶縁ペーストとをセ
   ラミックグリーンシート上に複数回印刷し、同時に焼成
   してセラミック多層回路基板を製造する方法において、
   下層と上層とでは別々の絶縁ペーストを使用し、下層の
   絶縁ペーストにはセラミックグリーンシートに含まれる
   ７ラツクスと同一の７ラツクスをセラミックグリーンシ
   ートに含まれるフラックスと同量かまたはそれ以上含有
   する絶縁ペーストを使用し、上層の絶縁ペーストには下
   層の絶縁ペーストに含まれるフラックスよシ低融点でか
   つフラックスの含有量も下層の絶縁ペーストに含まれる
   フラックスと回置かまたはそれ以上含有する絶縁ペース
   トを使用することを特徴とするセラミック多層回路基板
   の製造法。