JPS61196229A - 改良されたアクテイブマトリクス液晶デイスプレイ及びその製法 - Google Patents
改良されたアクテイブマトリクス液晶デイスプレイ及びその製法Info
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- JPS61196229A JPS61196229A JP61036491A JP3649186A JPS61196229A JP S61196229 A JPS61196229 A JP S61196229A JP 61036491 A JP61036491 A JP 61036491A JP 3649186 A JP3649186 A JP 3649186A JP S61196229 A JPS61196229 A JP S61196229A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般的には光作用
（１ｉｏｈｔ １ｎｆｌｕｅｎｃｉｎａ）すなわち光に
対して影響を及ぼすディスプレイに係り、より特定的に
はディスプレイの液晶材料が実質的固相材料中に分散さ
れているような能動マトリクス（アクティブマトリック
ス）液晶ディスプレイに係る。
対して影響を及ぼすディスプレイに係り、より特定的に
はディスプレイの液晶材料が実質的固相材料中に分散さ
れているような能動マトリクス（アクティブマトリック
ス）液晶ディスプレイに係る。
液晶ディスプレイは先行技術で良く知られている。一般
的な形態のディスプレイは、対応する一対のガラス板に
支持された一対の光透過画素電極の間に配置される捩れ
ネマチック液晶材料を有する複数の画素（ビクセル）を
含む。前記電極の上には、液晶材料の互に対向する面の
近傍にあ°る液晶分子の整列（ａ＋＋ｇｎ■ｅｎｔ）を
促進してこれら分子の主軸が互に平行になるようにする
ための適切に処理された整列Ｗ （ａｌｔｏｎｓｅｎｔ
１ａｙｅｒｓ）が形成される。捩れネマチック液晶材
料を使用すると、一方の電極の近傍の液晶分子の軸が他
方の電極の近傍の分子の軸に対して１７４回転即ち９０
”回転し、そのためネマチック液晶分子が連続的に方向
転換し、従ってこれら分子が螺旋状に又は捩れた状態に
変位する。この種のディスプレイは更に一対の偏光子を
夫々ガラス板の互に対向する側面上に有する。
的な形態のディスプレイは、対応する一対のガラス板に
支持された一対の光透過画素電極の間に配置される捩れ
ネマチック液晶材料を有する複数の画素（ビクセル）を
含む。前記電極の上には、液晶材料の互に対向する面の
近傍にあ°る液晶分子の整列（ａ＋＋ｇｎ■ｅｎｔ）を
促進してこれら分子の主軸が互に平行になるようにする
ための適切に処理された整列Ｗ （ａｌｔｏｎｓｅｎｔ
１ａｙｅｒｓ）が形成される。捩れネマチック液晶材
料を使用すると、一方の電極の近傍の液晶分子の軸が他
方の電極の近傍の分子の軸に対して１７４回転即ち９０
”回転し、そのためネマチック液晶分子が連続的に方向
転換し、従ってこれら分子が螺旋状に又は捩れた状態に
変位する。この種のディスプレイは更に一対の偏光子を
夫々ガラス板の互に対向する側面上に有する。
液晶材料が非励起状態にある場合は、偏光子の軸ｌ（光
軸）相互間の相対的整列状態とディスプレイとに応じて
、入射光の透過又は吸収が生じ得る。電極に電界を加え
ると液晶分子が回転して互いに一列に並び、その結果デ
ィスプレイの光透過状態が反転する。
軸）相互間の相対的整列状態とディスプレイとに応じて
、入射光の透過又は吸収が生じ得る。電極に電界を加え
ると液晶分子が回転して互いに一列に並び、その結果デ
ィスプレイの光透過状態が反転する。
この種のディスプレイの画素は通常、マトリクスアレイ
を規定するＭ個の行とＮ個の列とに配置される。各画素
はＭ＋Ｎ個のアドレス線を用いる従来のＸ−Ｙアドレス
指定法によってアドレス指定される。即ち各画素はマト
リクス内に単一のＸ−Ｙ位置を有し、この位置が対応Ｘ
−Ｙアドレス線組合わせへの適切な電圧印加によってア
ドレス指定され得る。
を規定するＭ個の行とＮ個の列とに配置される。各画素
はＭ＋Ｎ個のアドレス線を用いる従来のＸ−Ｙアドレス
指定法によってアドレス指定される。即ち各画素はマト
リクス内に単一のＸ−Ｙ位置を有し、この位置が対応Ｘ
−Ｙアドレス線組合わせへの適切な電圧印加によってア
ドレス指定され得る。
液晶画素を異なる光学的状態に転換させる電圧の大きさ
は通常、液晶材料の閾値電圧と称される。
は通常、液晶材料の閾値電圧と称される。
多数の画素を含む大型マトリクスアレイの場合には隣接
画素間のアドレス回路に、かなりのレベルの電気的クロ
ストークが存在し得る。電圧閾値が十分にシャープでな
いと、このクロストークは、場合によっては、アドレス
指定すべきではない画素を励起させる程大きくなり得る
。そこで、隣接画素間の電気的分離を向上させるべく各
画素を回路クロストークから成る程度分離する８手段を
得るために能動マトリクスが開発された。このような能
動マトリクスでは液晶材料の有効閾値をよりシャープに
すべく、ダイオードの如き非直線閾値デバイス、又はト
ランジスタの如きスイッチングデバイスが各画素と直列
に接続される。
画素間のアドレス回路に、かなりのレベルの電気的クロ
ストークが存在し得る。電圧閾値が十分にシャープでな
いと、このクロストークは、場合によっては、アドレス
指定すべきではない画素を励起させる程大きくなり得る
。そこで、隣接画素間の電気的分離を向上させるべく各
画素を回路クロストークから成る程度分離する８手段を
得るために能動マトリクスが開発された。このような能
動マトリクスでは液晶材料の有効閾値をよりシャープに
すべく、ダイオードの如き非直線閾値デバイス、又はト
ランジスタの如きスイッチングデバイスが各画素と直列
に接続される。
先行技術のディスプレイは商業化されて実際に使用され
てはいるものの、幾つかの欠点を有する。
てはいるものの、幾つかの欠点を有する。
例えば、ガラス板相互閤に配置される液晶材料の厚みを
正確に調節するために、これらガラス板の間にスペーサ
を用いる必要がある。このようなスペーサは取扱いが難
しく、製造中にディスプレイに組込むことも難しい。ま
た、液晶材料の損失を防止するために、ガラス板の周り
を適切にシールする必要もある。
正確に調節するために、これらガラス板の間にスペーサ
を用いる必要がある。このようなスペーサは取扱いが難
しく、製造中にディスプレイに組込むことも難しい。ま
た、液晶材料の損失を防止するために、ガラス板の周り
を適切にシールする必要もある。
物理的性質に間して言えば、これらディスプレイはガラ
ス板を使用するという理由から比較的脆い。また、ガラ
ス板が合成物質であることから、ディスプレイは最終的
に環境への設備の闇に受は得る曲げ応力によって破壊さ
れ易い。
ス板を使用するという理由から比較的脆い。また、ガラ
ス板が合成物質であることから、ディスプレイは最終的
に環境への設備の闇に受は得る曲げ応力によって破壊さ
れ易い。
機能に関して言えば、これらディスプレイは画素と共に
１つ以上の偏光子を使用しなければならない。これらの
偏光子はディスプレイのコンポーネントコスト及びレー
バーコストのかなりの部分を占める。
１つ以上の偏光子を使用しなければならない。これらの
偏光子はディスプレイのコンポーネントコスト及びレー
バーコストのかなりの部分を占める。
本発明は複数の画素を有する能動マトリクス光作用ディ
スプレイを提供する。このディスプレイでは少なくとも
１つの画素が一対の電極を含み、これら電極の少なくと
も一方が光透過性であり、これら電極に駆動電位（ｄｒ
ｉｖｉｎｇ ｐｏｔｅｎｔｉａ＋）を選択的に印加すべ
く一方の電極に分離手段が接続され、且つこれら電極間
に実質的固相材料層が配置される。この実質的固相材料
は光作用材料を分散状に含む。この光作用材料は好まし
くは液晶材料であり、例えばネマチック液晶材料であっ
てよい。
スプレイを提供する。このディスプレイでは少なくとも
１つの画素が一対の電極を含み、これら電極の少なくと
も一方が光透過性であり、これら電極に駆動電位（ｄｒ
ｉｖｉｎｇ ｐｏｔｅｎｔｉａ＋）を選択的に印加すべ
く一方の電極に分離手段が接続され、且つこれら電極間
に実質的固相材料層が配置される。この実質的固相材料
は光作用材料を分散状に含む。この光作用材料は好まし
くは液晶材料であり、例えばネマチック液晶材料であっ
てよい。
前記実質的固相材料は好ましくは光透過性であり、選択
された波長の光を透過せしめるようにするための染料を
含み得る。
された波長の光を透過せしめるようにするための染料を
含み得る。
本発明の特徴の１一つとしてば、前記光作用材料は液晶
材料である。
材料である。
本発明は更に、能動マトリクス光作用ディスプレイの画
素の製法にも係る。この製法は、絶縁性基板を用意し、
この基板上に第１画素電極を形成し、この第１電極に電
気接続される少なくとも１つの分離デバイスを形成し、
光年用材料を分散状に含む実質的固相材料の層を少なく
とも第１電極を覆うように形成し、且つこの実質的固相
材料層上に第２画素電極を形成することからなる。
素の製法にも係る。この製法は、絶縁性基板を用意し、
この基板上に第１画素電極を形成し、この第１電極に電
気接続される少なくとも１つの分離デバイスを形成し、
光年用材料を分散状に含む実質的固相材料の層を少なく
とも第１電極を覆うように形成し、且つこの実質的固相
材料層上に第２画素電極を形成することからなる。
以下添付図面に基づき、本発明の好ましい非限定的具体
例を説明する。
例を説明する。
尚、本発明の第１の目的は、複数の画素を有し、少なく
とも１つの画素が一対の電極を含み、少なくとも一方の
電極が光透過性であり、且つこれら電極に駆動電位を選
択的に印加すべく分離手段が一方の電極に接続されるよ
うな能動マトリクス光作用ディスプレイであって、前記
電極間に実質的固相材料層が配置され、この材料中に光
年用材料が分散されていることを特徴とするディスプレ
イを提供することにある。
とも１つの画素が一対の電極を含み、少なくとも一方の
電極が光透過性であり、且つこれら電極に駆動電位を選
択的に印加すべく分離手段が一方の電極に接続されるよ
うな能動マトリクス光作用ディスプレイであって、前記
電極間に実質的固相材料層が配置され、この材料中に光
年用材料が分散されていることを特徴とするディスプレ
イを提供することにある。
本発明の第２の目的は能動マトリクス光作用ディスプレ
イの画素の製法であって、絶縁性基板を用意し、この基
板上に第１画素電極を形成し、この第１電極に電気接続
される少なくとも１つの分離デバイスを形成する諸ステ
ップからなり、光年用材料を分散状に含む実質的固相材
料の層を少なくとも前記第１電極だけは被覆するように
形成し、且つこの実質的固相材料層の上に第２画素電極
を形成することを特徴とする製法を提供することにある
。
イの画素の製法であって、絶縁性基板を用意し、この基
板上に第１画素電極を形成し、この第１電極に電気接続
される少なくとも１つの分離デバイスを形成する諸ステ
ップからなり、光年用材料を分散状に含む実質的固相材
料の層を少なくとも前記第１電極だけは被覆するように
形成し、且つこの実質的固相材料層の上に第２画素電極
を形成することを特徴とする製法を提供することにある
。
第１図は本発明の液晶ディスプレイの一興体例における
表示画素１０を示し、第２図は製造中の第１図のディス
プレイを示している。ここで画素１０を１つしか示さな
かったが、１つの完全なディスプレイを得るにはこの種
の画素を多数用いて例えばマトリクス状に配置し得る。
表示画素１０を示し、第２図は製造中の第１図のディス
プレイを示している。ここで画素１０を１つしか示さな
かったが、１つの完全なディスプレイを得るにはこの種
の画素を多数用いて例えばマトリクス状に配置し得る。
尚、これら添付図面はいずれも一定の比例に応じて描か
れたものではない。また図面簡明化のため、電子構造体
の中には他と比べてより拡大して示したものもあること
に留意されたい。
れたものではない。また図面簡明化のため、電子構造体
の中には他と比べてより拡大して示したものもあること
に留意されたい。
画素１０は、例えばガラス、又は好ましくはカプトン（
Ｋ ａｐｔｏｎ）の如き可動性絶縁材で形成し得る絶縁
性基板１２を含む。基板１２上には第１電極４及び第１
アドレスリード１６が形成される。電極１４及びアドレ
スリード１６は例えばアルミニウム、モリブデンもしく
はモリブデン−タンタル合金の如き金属のような導電性
不透明材料、又はインジウムスズ酸化物の如き導電性透
明材料で形成し得る。
Ｋ ａｐｔｏｎ）の如き可動性絶縁材で形成し得る絶縁
性基板１２を含む。基板１２上には第１電極４及び第１
アドレスリード１６が形成される。電極１４及びアドレ
スリード１６は例えばアルミニウム、モリブデンもしく
はモリブデン−タンタル合金の如き金属のような導電性
不透明材料、又はインジウムスズ酸化物の如き導電性透
明材料で形成し得る。
他の適切な金属としてはクロム、タンタル、タングステ
ン、パラジウム及びプラチナが挙げられる。
ン、パラジウム及びプラチナが挙げられる。
電極１４及びアドレスリード１６は例えば、Ｓ−ガンマ
グネトロンスパッタングにより金属を基板１２の表面積
全体に亘ってデポジットし、次いでこのデポジット金属
の選択部分をマスクと当業者に公知のホトリトグラフィ
技術とを用いて除去するという方法により形成し得る。
グネトロンスパッタングにより金属を基板１２の表面積
全体に亘ってデポジットし、次いでこのデポジット金属
の選択部分をマスクと当業者に公知のホトリトグラフィ
技術とを用いて除去するという方法により形成し得る。
画素１０は更に一対のダイオード１８及び２０も含む。
これらダイオードは夫々電極１４上及びアドレスリード
１６上に形成される。ダイオード１８及び２０は好まし
くは半導体材料をデポジットし′たもので構成する。デ
ポジットする半導体材料としてはシリコンを含むアモル
ファス半導体合金が好ましい。このようなアモルファス
シリコン合金は水素及び／又はフッ素も含み得、プラズ
マを用いる化学的蒸着、即ち例えば、１９８０年１０月
７日付スタンフォード・アール・オプシンスキー（Ｓ
ｔａｎｆｏｒｄ Ｒ。
１６上に形成される。ダイオード１８及び２０は好まし
くは半導体材料をデポジットし′たもので構成する。デ
ポジットする半導体材料としてはシリコンを含むアモル
ファス半導体合金が好ましい。このようなアモルファス
シリコン合金は水素及び／又はフッ素も含み得、プラズ
マを用いる化学的蒸着、即ち例えば、１９８０年１０月
７日付スタンフォード・アール・オプシンスキー（Ｓ
ｔａｎｆｏｒｄ Ｒ。
Ｑ ｖｓｈｉｎｓｋｙ）及びアルン・マダラ（Ａ ｒｕ
ｎ Ｍ ａｄａｎ）名義米国特許第４．２２６．８９８
号「グロー放電法によって得られる結晶半導体と透過の
アモルファス半導体（，６，ｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｅ
ｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ Ｅｑｕｉｖ−ａｌｅｎｔ
Ｔｏ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｅｌｌｉＣＯ
ｎｄｕＣｔＯｒＳＰｒｏｄｕｃｅｄ ＢＶ Ａ Ｇｌ
ｏｗ ＤｉＳＣｈａｒりｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）」に開
示されている如きグロー放電法によりデポジットし得る
。
ｎ Ｍ ａｄａｎ）名義米国特許第４．２２６．８９８
号「グロー放電法によって得られる結晶半導体と透過の
アモルファス半導体（，６，ｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｅ
ｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ Ｅｑｕｉｖ−ａｌｅｎｔ
Ｔｏ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ５ｅｌｌｉＣＯ
ｎｄｕＣｔＯｒＳＰｒｏｄｕｃｅｄ ＢＶ Ａ Ｇｌ
ｏｗ ＤｉＳＣｈａｒりｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）」に開
示されている如きグロー放電法によりデポジットし得る
。
前記米国特許は参考として本明細書に包含される。ダイ
オード１８及び２０は、ｐ形であり得る第１ドープト領
域と、その上の真性領域と、その上のｎ−形であり得る
第２ドープト領域とで構成されるｐ−＋−ｎ構造を有す
るのが好ましい。このようなダイオードとこれを用いる
液晶ディスプレイζは１９８４年１２月３日出願の同時
係属米国特許出願筒６７５，９４１号「アモルファスシ
リコン合金ダイオードにより作動する液晶ディスプレイ
（Ｌ １ｑｕｉｄｃｒｙｓｔａ＋ Ｄｉｓｐｌａｙｓ
０ｆ）ｅｒａｔｅｄ ｂｙ Ａｌ０ｒｐｈＯｔｌＳ
Ｓ １ｌｉｃｏｎ Ａ ｌ１ｏｙ Ｄ １ｏｄｅｓ
） Ｊに詳述されている。
オード１８及び２０は、ｐ形であり得る第１ドープト領
域と、その上の真性領域と、その上のｎ−形であり得る
第２ドープト領域とで構成されるｐ−＋−ｎ構造を有す
るのが好ましい。このようなダイオードとこれを用いる
液晶ディスプレイζは１９８４年１２月３日出願の同時
係属米国特許出願筒６７５，９４１号「アモルファスシ
リコン合金ダイオードにより作動する液晶ディスプレイ
（Ｌ １ｑｕｉｄｃｒｙｓｔａ＋ Ｄｉｓｐｌａｙｓ
０ｆ）ｅｒａｔｅｄ ｂｙ Ａｌ０ｒｐｈＯｔｌＳ
Ｓ １ｌｉｃｏｎ Ａ ｌ１ｏｙ Ｄ １ｏｄｅｓ
） Ｊに詳述されている。
この出願も参考として本明細書に包含される。
ダイオード１８及び２０はより特定的には、前述のアモ
ルファスシリコン合金を基板１２、電極１４及びアドレ
スリード１６の表面全体に亘ってデポジットし、次いで
このアモルファスシリコン合金領域の特定部分を適切な
マスクと従来のホトリソグラフィ技術とを用いて選択的
にエツチングすることにより形成し得る。エツチングの
間使用されるマスクは、各ダイオードの一辺が約１０〜
５０ミクロンであるようなダイオード構造を規定するも
のが好ましい。アモルファスシリコン合金領域の典型的
厚みは例えば、ｐ影領域で３００〜ｉ 、 ｏｏｏ人、
好ましくハｓｏｏ人、真性領域ｒ １．Ｇｏｏ 〜１０
，０００人、好ましくはｓ、ｏｏｏ人、ｎ影領域でｉｏ
ｏ 〜ｓｏｏ人、好ましくは２００人である。
ルファスシリコン合金を基板１２、電極１４及びアドレ
スリード１６の表面全体に亘ってデポジットし、次いで
このアモルファスシリコン合金領域の特定部分を適切な
マスクと従来のホトリソグラフィ技術とを用いて選択的
にエツチングすることにより形成し得る。エツチングの
間使用されるマスクは、各ダイオードの一辺が約１０〜
５０ミクロンであるようなダイオード構造を規定するも
のが好ましい。アモルファスシリコン合金領域の典型的
厚みは例えば、ｐ影領域で３００〜ｉ 、 ｏｏｏ人、
好ましくハｓｏｏ人、真性領域ｒ １．Ｇｏｏ 〜１０
，０００人、好ましくはｓ、ｏｏｏ人、ｎ影領域でｉｏ
ｏ 〜ｓｏｏ人、好ましくは２００人である。
基板１２上のダイオード１８及び２０と電極１４との闇
に絶縁材料層２２を形成する。この１１２２は任意の絶
縁材、例えばシリコン酸化物（ＳｔｘＯ，）もしくはシ
リコン窒化物（ＳｔｘＮ、）、又はポリイミドをデポジ
ットすることによって形成し得る。
に絶縁材料層２２を形成する。この１１２２は任意の絶
縁材、例えばシリコン酸化物（ＳｔｘＯ，）もしくはシ
リコン窒化物（ＳｔｘＮ、）、又はポリイミドをデポジ
ットすることによって形成し得る。
層２２の形態は例えばポリイミドをローラーコーティン
グ、押出コーティング又はスピンコーティングによって
表面全体にデポジットし、このポリイミド層の上にホト
レジスト層をスピンコーティングし、次いでマスクを用
いてホトレジスト及びポリイミドの双方を露出し発現さ
せることにより得られる。このステップによってダイオ
ード１８及び２０の上方表面部分と電［１４の上方表面
部分とが露出する。
グ、押出コーティング又はスピンコーティングによって
表面全体にデポジットし、このポリイミド層の上にホト
レジスト層をスピンコーティングし、次いでマスクを用
いてホトレジスト及びポリイミドの双方を露出し発現さ
せることにより得られる。このステップによってダイオ
ード１８及び２０の上方表面部分と電［１４の上方表面
部分とが露出する。
画素１０は更に、ダイオード１８に電気接触する第２ア
ドレスリード２６と、ダイオード２０に電極１４を接続
する相互接続リード２４とをも含む。相互接続リード２
４及び第２アドレスリード２６は、第１電極１４と第１
アドレスリード１６とに関して説明した金属のうち任意
のものを部分的に完成したディスプレイマトリクスの表
面全体に亘ってスパッタリングによりデポジットし、次
で適切なマスクと従来のホトリソグラフィ技術とを用い
て前記金属に所望の形態を与えることにより形成し得る
。
ドレスリード２６と、ダイオード２０に電極１４を接続
する相互接続リード２４とをも含む。相互接続リード２
４及び第２アドレスリード２６は、第１電極１４と第１
アドレスリード１６とに関して説明した金属のうち任意
のものを部分的に完成したディスプレイマトリクスの表
面全体に亘ってスパッタリングによりデポジットし、次
で適切なマスクと従来のホトリソグラフィ技術とを用い
て前記金属に所望の形態を与えることにより形成し得る
。
アドレスリード１６及び２６はデポジットした金属から
、互いが本質的に平行になるように形成する。
、互いが本質的に平行になるように形成する。
アドレスリード１６及び２６を交差し合わないように形
成することは、製造上の観点から見て有利なことである
。アドレス線を交差させる場合には二酸化シリコンの如
き絶縁材料層をこれら線の間に配置してアドレス線相互
の分離を図る必要があるが、このような絶縁材は時々ピ
ンホール欠陥と共に形成され、その結果２つのアドレス
ラインが互に電気接触するからである。交差をなくせば
このような欠陥の可能性が減少すると共に、ディスプレ
イの全体的構造がより簡単なものになる。
成することは、製造上の観点から見て有利なことである
。アドレス線を交差させる場合には二酸化シリコンの如
き絶縁材料層をこれら線の間に配置してアドレス線相互
の分離を図る必要があるが、このような絶縁材は時々ピ
ンホール欠陥と共に形成され、その結果２つのアドレス
ラインが互に電気接触するからである。交差をなくせば
このような欠陥の可能性が減少すると共に、ディスプレ
イの全体的構造がより簡単なものになる。
前述の如きアドレス線の交差をなくすとアドレス指定速
度も向上する。各交差はキャパシタを構成し、絶縁材が
各アドレス線近傍領域相互間で誘導体を構成する。所定
アレイは複数の交差点を有し得るから、キャパシタンス
は実質的に減少し得ることになる。
度も向上する。各交差はキャパシタを構成し、絶縁材が
各アドレス線近傍領域相互間で誘導体を構成する。所定
アレイは複数の交差点を有し得るから、キャパシタンス
は実質的に減少し得ることになる。
第１図及び第２図は一定の比例に応じて描かれたもので
はなく、また電極１４は画素１０の表示領域を規定する
ことに留意されたい。電極１４は第２図に示す如く正方
形の形状を有し得、且つ完成後のディスプレイマトリク
スの全体的大きさと所望の縦横比とに応じて一辺が例え
ば１００〜２，０００ミクロンであり得る。第２図の如
き前記構造体の上に、光年用材料３０を分散状に含む実
質的固相材料の層２８を形成する。「光年用材料」なる
用語は光を発する任意の材料、又はその材料によって反
射される光もしくはその材料を介して透過される光の強
さ、相もしくは偏りを選択的に変化させるために使用し
得る任意の材料を意味する。液晶材料はこのような物質
の１つに過ぎない。光年用材料３０は従来から使用され
ている任意の種類、例えばネマチック液晶表示材料であ
ってよい。
はなく、また電極１４は画素１０の表示領域を規定する
ことに留意されたい。電極１４は第２図に示す如く正方
形の形状を有し得、且つ完成後のディスプレイマトリク
スの全体的大きさと所望の縦横比とに応じて一辺が例え
ば１００〜２，０００ミクロンであり得る。第２図の如
き前記構造体の上に、光年用材料３０を分散状に含む実
質的固相材料の層２８を形成する。「光年用材料」なる
用語は光を発する任意の材料、又はその材料によって反
射される光もしくはその材料を介して透過される光の強
さ、相もしくは偏りを選択的に変化させるために使用し
得る任意の材料を意味する。液晶材料はこのような物質
の１つに過ぎない。光年用材料３０は従来から使用され
ている任意の種類、例えばネマチック液晶表示材料であ
ってよい。
実質的固相材料２８は光に対して透明又は半透明のポリ
マー又はゼラチン材料であるのが好ましい。
マー又はゼラチン材料であるのが好ましい。
液晶材料３０はネマチック液晶材料であってよく、前記
実質的固相材料中に分散されると多数の液晶小球の形状
をとる。印加エネルギが無い場合には液晶分子は、当該
材料を包囲する内部球状壁面に対して、液晶分子の主軸
が平行にならないような向きをとる。従って液晶材料は
非等方性になり、入射光を散乱又は反射させる。その結
果、液晶材料３０を分散状に含む実質的固相材料２８は
反射モードでは明るい色、例えば白色に見え、透過モー
ドでは不透明もしくは暗い感じに見える。これに対し、
第１１！ｌのディスプレイで使用するような電界の印加
などによってエネルギを加えると、液晶分子は主軸が印
加電界に対して平行になるように配向される。従って液
晶材料は等方性となり、入射光を散乱又は反射しなくな
る。その結果この液晶材料を分散状に含む実質的固相材
料２８は透明になる。反射モードではその下の層での反
射又は吸光が生じ、透過モードでは入射光がディスプレ
イを透過する。
実質的固相材料中に分散されると多数の液晶小球の形状
をとる。印加エネルギが無い場合には液晶分子は、当該
材料を包囲する内部球状壁面に対して、液晶分子の主軸
が平行にならないような向きをとる。従って液晶材料は
非等方性になり、入射光を散乱又は反射させる。その結
果、液晶材料３０を分散状に含む実質的固相材料２８は
反射モードでは明るい色、例えば白色に見え、透過モー
ドでは不透明もしくは暗い感じに見える。これに対し、
第１１！ｌのディスプレイで使用するような電界の印加
などによってエネルギを加えると、液晶分子は主軸が印
加電界に対して平行になるように配向される。従って液
晶材料は等方性となり、入射光を散乱又は反射しなくな
る。その結果この液晶材料を分散状に含む実質的固相材
料２８は透明になる。反射モードではその下の層での反
射又は吸光が生じ、透過モードでは入射光がディスプレ
イを透過する。
液晶材料３０を分散状に含む実質的固相材料層２８は下
記の如く製造し得且つ第２図の構造体に使用し得る。先
ず、水中４５％ＨＩ耗液体ゼラチン３ｇと、Ｅ−７液晶
１Ｑと、水１−中の重クロム酸アンモニウム０．２ＣＩ
との混合物を調製する。ＨＩ純液体ゼラチンはニュジャ
ジー、ニューブランズウィック（Ｎ ｅＶ Ｂ ｒｕ
ｎｓｗｉｃｋ）のノーランドプロダクツ社（Ｎｏｒｌａ
ｎｄ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｉｎｃ、）から入手し得、
Ｅ−７液晶は英国プール（Ｐｏｏｌｅ）のピーディーエ
ッチケミカル社（ＢＤＨＣｈｅｍｉｃａｌｓ ｌｔｄ
、）から入手し得る。前記混合物を室温で３時間子分に
混合する。次いでこの混合物を第２図の部分的に完成し
たマトリクスディスプレイ上に塗布し、室温で３０分間
放置し、次いで５分間８０℃に加熱する。
記の如く製造し得且つ第２図の構造体に使用し得る。先
ず、水中４５％ＨＩ耗液体ゼラチン３ｇと、Ｅ−７液晶
１Ｑと、水１−中の重クロム酸アンモニウム０．２ＣＩ
との混合物を調製する。ＨＩ純液体ゼラチンはニュジャ
ジー、ニューブランズウィック（Ｎ ｅＶ Ｂ ｒｕ
ｎｓｗｉｃｋ）のノーランドプロダクツ社（Ｎｏｒｌａ
ｎｄ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｉｎｃ、）から入手し得、
Ｅ−７液晶は英国プール（Ｐｏｏｌｅ）のピーディーエ
ッチケミカル社（ＢＤＨＣｈｅｍｉｃａｌｓ ｌｔｄ
、）から入手し得る。前記混合物を室温で３時間子分に
混合する。次いでこの混合物を第２図の部分的に完成し
たマトリクスディスプレイ上に塗布し、室温で３０分間
放置し、次いで５分間８０℃に加熱する。
その結果形成された膜を紫外光に３０〜１２０秒露光す
る。層２８をパターン処理したい場合には前記露光の間
前記膜をマスクし得る。マスクしなかった部分は非水溶
性になり、マスクした部分は水で洗い流すことができる
。
る。層２８をパターン処理したい場合には前記露光の間
前記膜をマスクし得る。マスクしなかった部分は非水溶
性になり、マスクした部分は水で洗い流すことができる
。
第１図では層２８はパターン処理されず、部分的に完成
したマトリクスディスプレイの表面全体を被覆している
。勿論層２８は少なくとも電極１４部分だけは被覆する
必要がある。
したマトリクスディスプレイの表面全体を被覆している
。勿論層２８は少なくとも電極１４部分だけは被覆する
必要がある。
画素１０は更に、例えばインジウムスズ酸化物であって
よい透明導電材料からなる第２電極３２と、透明ポリイ
ミドであってよい透明保護層３４とをも備える。前記イ
ンジウムスズ酸化物１１１！極は固相材料２８に接する
。この電極は電極１４と同じ大きさを有するように形成
され、電極１４と調心的に配置される。
よい透明導電材料からなる第２電極３２と、透明ポリイ
ミドであってよい透明保護層３４とをも備える。前記イ
ンジウムスズ酸化物１１１！極は固相材料２８に接する
。この電極は電極１４と同じ大きさを有するように形成
され、電極１４と調心的に配置される。
第３図は第１図の画素１０の等価回路図を示している。
この図から明らかなように、画素はアドレスリード１６
及び２６と、これらアドレスリードの間に連結される一
対の直列接続ダイオード１８及び２０と、これらダイオ
ードの間に連結される第１導電性電極１４とを有する。
及び２６と、これらアドレスリードの間に連結される一
対の直列接続ダイオード１８及び２０と、これらダイオ
ードの間に連結される第１導電性電極１４とを有する。
この画素１０は更に、第１電極１４から距離をおいて配
置される第２電極３２も有する。これら電極１４及び３
２の間には液晶材料３０を分散状に含む固相材料２８が
配置される。
置される第２電極３２も有する。これら電極１４及び３
２の間には液晶材料３０を分散状に含む固相材料２８が
配置される。
周知の如く、ネマチック液晶ディスプレイの有効耐用年
数は、印加電圧電位の極性を複数の交番フレームの間に
反転させることによって延ばすことができる。これは第
１図の画素１０では、成るフレームの間にアドレスリー
ド１６に正の電位、電極３２に負の電位を印加してダイ
オード２０に順方向バイアスをかけ、且つ次のフレーム
の闇にアドレスリード２６に負の電位、電極１４に正の
電位を印加するという方法によって達成される。このシ
ーケンスを繰返えせば液晶表示材料に印加される電位が
これら交番フレームの閤に反転することになる。
数は、印加電圧電位の極性を複数の交番フレームの間に
反転させることによって延ばすことができる。これは第
１図の画素１０では、成るフレームの間にアドレスリー
ド１６に正の電位、電極３２に負の電位を印加してダイ
オード２０に順方向バイアスをかけ、且つ次のフレーム
の闇にアドレスリード２６に負の電位、電極１４に正の
電位を印加するという方法によって達成される。このシ
ーケンスを繰返えせば液晶表示材料に印加される電位が
これら交番フレームの閤に反転することになる。
第４図は本発明の別の具体例に従って構成した別の液晶
表示画素４０を示している。この画素４０は後述の如く
、隣接画素を分離させるために薄膜電界効果トランジス
タを含む。第５図は、液晶材料を分散状に含む固相材料
を導入する前の、部分的に完了したー製造段階における
画素４Ｇを示している。
表示画素４０を示している。この画素４０は後述の如く
、隣接画素を分離させるために薄膜電界効果トランジス
タを含む。第５図は、液晶材料を分散状に含む固相材料
を導入する前の、部分的に完了したー製造段階における
画素４Ｇを示している。
第４図及び第５図から明らかなように、画素４０はガラ
スか、又は好ましくはカプトンの如き絶縁材料の可撓性
シートで構成し得る基板４２を有する。
スか、又は好ましくはカプトンの如き絶縁材料の可撓性
シートで構成し得る基板４２を有する。
この基板４２上にゲート電極４４を形成する。ゲート４
４は電界効果トランジスタ４６のゲートであり、例えば
アルミニウム又はクロムで形成し得る。表面全体に亘っ
て絶縁体４８をデポジットする。絶縁体４８は電界効果
トランジスタ４６のゲート絶縁体を構成し、例えばシリ
コン酸化物（ＳｔｘＯ，）で形成され得る。ゲート電極
４４領域の絶縁体４８の上には半導体デポジット層５Ｇ
を形成する。デポジットする半導体は前述のアモルファ
スシリコン合金であって良く、ゲルマニウムも含み得る
。
４は電界効果トランジスタ４６のゲートであり、例えば
アルミニウム又はクロムで形成し得る。表面全体に亘っ
て絶縁体４８をデポジットする。絶縁体４８は電界効果
トランジスタ４６のゲート絶縁体を構成し、例えばシリ
コン酸化物（ＳｔｘＯ，）で形成され得る。ゲート電極
４４領域の絶縁体４８の上には半導体デポジット層５Ｇ
を形成する。デポジットする半導体は前述のアモルファ
スシリコン合金であって良く、ゲルマニウムも含み得る
。
半導体層５０は前出の米国特許第４，２２６，８９８に
記載の方法でデポジットし得る。
記載の方法でデポジットし得る。
電界効果トランジスタ４６を完成すべく、半導体層５０
の上にドレイン電極５２及びソース電極５４を互に離し
て形成する。ドレイン５２及びソース５４はクロムの如
き金属で形成し得る。半導体５０とドレイ゛ン及びソー
ス電極５２及び５４との藺のオーム接触を十分にすべく
、これら電極と半導体との間にｎ＋半導体材料の薄層５
６及び５８を形成する。
の上にドレイン電極５２及びソース電極５４を互に離し
て形成する。ドレイン５２及びソース５４はクロムの如
き金属で形成し得る。半導体５０とドレイ゛ン及びソー
ス電極５２及び５４との藺のオーム接触を十分にすべく
、これら電極と半導体との間にｎ＋半導体材料の薄層５
６及び５８を形成する。
第５図に示すように、反射モードで動作するディスプレ
イの場合は、ドレイン５２を構成する金属をこのドレイ
ンから更に延ばして画素の第１電極６０を構成せしめ得
る。透過モードで動作するディスプレイの場合には、電
極６０をインジウムスズ酸化物の如き透明導電材料で形
成し得る。ソース５４を構成する金属も更に広く延ばし
て第１アドレスリード６２を構成するようにしてよい。
イの場合は、ドレイン５２を構成する金属をこのドレイ
ンから更に延ばして画素の第１電極６０を構成せしめ得
る。透過モードで動作するディスプレイの場合には、電
極６０をインジウムスズ酸化物の如き透明導電材料で形
成し得る。ソース５４を構成する金属も更に広く延ばし
て第１アドレスリード６２を構成するようにしてよい。
第２アドレスリード６４はゲート４４から延在し、やは
りこのゲートと一体的に形成され得る。
りこのゲートと一体的に形成され得る。
前述の第５図の構造体の上に゛、液晶材料６８を分散状
に含む実質的固相材料層６６を配置する。この層６６は
既述の方法で形成し得る。
に含む実質的固相材料層６６を配置する。この層６６は
既述の方法で形成し得る。
電界効果トランジスタの半導体５０を入射光から遮蔽す
べく、トランジスタ４６領域内の層６６上にシールド７
Ｇを配置する。このシールドはシリコン酸化物（Ｓｉｘ
Ｏ，）の如き絶縁材と、金属と、ポリマ一層と金属とを
順次積重したものか、又は単一の不透明絶縁ポリマ一層
で構成し得る。
べく、トランジスタ４６領域内の層６６上にシールド７
Ｇを配置する。このシールドはシリコン酸化物（Ｓｉｘ
Ｏ，）の如き絶縁材と、金属と、ポリマ一層と金属とを
順次積重したものか、又は単一の不透明絶縁ポリマ一層
で構成し得る。
層６６の上には透明又は半透明第２導電電極７２も配置
する。電極７２は第１電極６０と同じ形状及び構造を有
し、第１電極と調心的に配置される。
する。電極７２は第１電極６０と同じ形状及び構造を有
し、第１電極と調心的に配置される。
画素を完成すべく前記構造体全体に亘って透明絶縁材７
４を塗布する。この透明絶縁材は例えば透明ポリマーで
あってよい。
４を塗布する。この透明絶縁材は例えば透明ポリマーで
あってよい。
第６図は画素４０の透過回路図を示している。この図か
ら明らかなように、画素４０はアドレスリード６４に連
結されるゲート４４と、アドレスリード６２に連結され
るソース５４と、第１電極に連結されるドレイン５２と
を有する電界効果トランジスタ４６を含む。この画素は
更に、第３アドレスリード７６（第４図及び第５図には
図示せず）に連結される第２電極１２も含む。第３アド
レスリードは層６６上で電極７２から延在する。電極６
０及び電極７２間に、液晶材料６８を分散状に含む実質
的固相材料６６を配置する。
ら明らかなように、画素４０はアドレスリード６４に連
結されるゲート４４と、アドレスリード６２に連結され
るソース５４と、第１電極に連結されるドレイン５２と
を有する電界効果トランジスタ４６を含む。この画素は
更に、第３アドレスリード７６（第４図及び第５図には
図示せず）に連結される第２電極１２も含む。第３アド
レスリードは層６６上で電極７２から延在する。電極６
０及び電極７２間に、液晶材料６８を分散状に含む実質
的固相材料６６を配置する。
本発明の実施に当たっては、固相材料の厚みを液晶材料
の閾値電圧を制御すべく選択し得る。大部分の低閾値電
圧液晶材料では、閾値電圧は層の厚み１ミクロン当り０
．３〜０．５ボルトである。また、液晶材料の屈折率は
、等方性モードでは、この材料を分散状に含む固相材料
の屈折率にほぼ適合することが好ましい。
の閾値電圧を制御すべく選択し得る。大部分の低閾値電
圧液晶材料では、閾値電圧は層の厚み１ミクロン当り０
．３〜０．５ボルトである。また、液晶材料の屈折率は
、等方性モードでは、この材料を分散状に含む固相材料
の屈折率にほぼ適合することが好ましい。
本発明は新規の改良され能動マトリクス光作用ディスプ
レイを提供する。このディスプレイでは液晶材料が実質
的固相材料中に分散されるため、液晶の厚みを制御する
のに必要なスペーサも、ディスプレイ周縁での液晶のシ
ーリングも全く不要である。また、前記固相材料がディ
スプレイに構造上の一体性を与えるため、可撓性基板を
使用することができる。従ってこのディスプレイは破損
させずに曲げることができる。
レイを提供する。このディスプレイでは液晶材料が実質
的固相材料中に分散されるため、液晶の厚みを制御する
のに必要なスペーサも、ディスプレイ周縁での液晶のシ
ーリングも全く不要である。また、前記固相材料がディ
スプレイに構造上の一体性を与えるため、可撓性基板を
使用することができる。従ってこのディスプレイは破損
させずに曲げることができる。
ガラス板を用いる必要がないため、より頑丈でもある。
また、液晶材料が非励起状態では非等方性を示し、且つ
励起状態では等方性を示すため、ディスプレイの適切な
動作を得るために偏光子を用いる必要もない。
励起状態では等方性を示すため、ディスプレイの適切な
動作を得るために偏光子を用いる必要もない。
第１図は本発明の液晶ディスプレイの一興体例を示す部
分断面側面図、第２図は製造の中間段階における第１図
のディスプレイの部分平面図、第３図は第１図の構造の
等何回路線図、第４図は本発明の液晶ディスプレイの別
の具体例を示す部分断面側面図、第５図は製造の中間段
階における第４図のディスプレイの部分平面図、第６図
は第４図の構造の等何回路線図である。 １０、４０・・・・・・画素、１２．４２・・・・・・
基板、１４．６０・・・・・・第１電極、１６．６２・
・・・・・第１アドレスリード、１８．２０・・・・・
・ダイオード、２２，４８．７４・・・・・・絶縁材料
層、２４・・・・・・相互接続リード、２６．６４・・
・・・・第２アドレスリード、２８．６６・・・・・・
同相材料層、３０．６８・・・・・・光年用材料、３２
．７２・・・・・・第２電極、３４・・・・・・保護層
、４４・・・・・・ゲート電極、４６・・・・・・電界
効果トランジスタ、５０・・・・・・半導体層、５２・
・・・・・ドレイン、５４・・・・・・ソース、５６．
５８・・・・・・ｎ士卒導体層、７０・・・・・・シー
ルド、７６・・・・・・第３アドレスリード。 ＦＩＧ、４
分断面側面図、第２図は製造の中間段階における第１図
のディスプレイの部分平面図、第３図は第１図の構造の
等何回路線図、第４図は本発明の液晶ディスプレイの別
の具体例を示す部分断面側面図、第５図は製造の中間段
階における第４図のディスプレイの部分平面図、第６図
は第４図の構造の等何回路線図である。 １０、４０・・・・・・画素、１２．４２・・・・・・
基板、１４．６０・・・・・・第１電極、１６．６２・
・・・・・第１アドレスリード、１８．２０・・・・・
・ダイオード、２２，４８．７４・・・・・・絶縁材料
層、２４・・・・・・相互接続リード、２６．６４・・
・・・・第２アドレスリード、２８．６６・・・・・・
同相材料層、３０．６８・・・・・・光年用材料、３２
．７２・・・・・・第２電極、３４・・・・・・保護層
、４４・・・・・・ゲート電極、４６・・・・・・電界
効果トランジスタ、５０・・・・・・半導体層、５２・
・・・・・ドレイン、５４・・・・・・ソース、５６．
５８・・・・・・ｎ士卒導体層、７０・・・・・・シー
ルド、７６・・・・・・第３アドレスリード。 ＦＩＧ、４
Claims (21)
- （１）複数の画素を含み、少なくとも１つの画素が一対
の電極を有し、これら電極の少なくとも一方が光透過性
であり、且つこれら電極に駆動電位を選択的に印加せし
めるべく一方の電極に分離手段が結合されているような
アクティブマトリクス光作用ディスプレイであつて、前
記電極相互の間に実質的に固相の材料が配置されており
、この実質的固相材料が光作用材料を分散状に含むこと
を特徴とするディスプレイ。 - （２）実質的固相材料が光透過性であることも特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載のディスプレイ。 - （３）実質的固相材料がポリマー材料を含むことを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のディプ
レイ。 - （４）光作用材料が液晶材料であることも特徴とする特
許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載のディ
スプレイ。 - （５）前記分離手段がデポジットされた半導体材料を含
むことも特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項の
いずれかに記載のディスプレイ。 - （６）デポジットされた半導体材料がアモルファス半導
体合金であることも特徴とする特許請求の範囲第５項に
記載のディスプレイ。 - （７）アモルファス半導体合金がシリコンを含むことも
特徴とする特許請求の範囲第６項に記載のディスプレイ
。 - （８）アモルファス半導体合金が水素を含むことも特徴
とする特許請求の範囲第６項に記載のディスプレイ。 - （９）アモルファス半導体合金がフッ素を含むことも特
徴とする特許請求の範囲第６項に記載のディスプレイ。 - （１０）前記分離手段が電界効果トランジスタからなる
ことも特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第９項のい
ずれかに記載のディスプレイ。 - （１１）前記分離手段が少なくとも１つのダイオードを
含むことも特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第９項
のいずれかに記載のディスプレイ。 - （１２）アクティブマトリクス光作用ディスプレイの画
素の製法であって、絶縁性基板を用意し、この基板の上
に第１画素電極を形成し、この第１電極に電気接続され
る少なくとも１つの分離デバイスを形成する諸ステップ
を有しており、光作用材料を分散状に含む実質的に固相
の材料の層を少なくとも第１電極上に形成し、且つこの
実質的固相材料層の上に第２画素電極を形成することを
特徴とする製法。 - （１３）実質的固相材料が光透過性材料であることも特
徴とする特許請求の範囲第１２項に記載の方法。 - （１４）実質的固相材料がポリマー材料であることも特
徴とする特許請求の範囲第１２項又は第１３項のいずれ
かに記載の方法。 - （１５）光作用材料が液晶材料であることも特徴とする
特許請求の範囲第１２項乃至第１４項のいずれかに記載
の方法。 - （１６）第２画素電極を透明導電性材料で形成すること
も特徴とする特許請求の範囲第１２項乃至第１５項のい
ずれかに記載の方法。 - （１７）前記透明導電性材料がインジウムスズ酸化物を
含むことも特徴とする特許請求の範囲第１６項に記載の
方法。 - （１８）前記分離デバイスを少なくとも１種類の半導体
材料をデポジットすることによって形成することも特徴
とする特許請求の範囲第１２項乃至第１７項のいずれか
に記載の方法。 - （１９）デポジットする半導体材料がアモルファス半導
体合金であることも特徴とする特許請求の範囲第１８項
に記載の方法。 - （２０）前記分離デバイスを電界効果トランジスタを形
成することによって作ることも特徴とする特許請求の範
囲第１２項乃至第１９項のいずれかに記載の方法。 - （２１）前記分離デバイスを少なくとも１つのダイオー
ドを形成することによって作ることも特徴とする特許請
求範囲第１２項乃至第１８項のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US70403485A | 1985-02-21 | 1985-02-21 | |
| US704034 | 1985-02-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196229A true JPS61196229A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=24827790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61036491A Pending JPS61196229A (ja) | 1985-02-21 | 1986-02-20 | 改良されたアクテイブマトリクス液晶デイスプレイ及びその製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0198168A1 (ja) |
| JP (1) | JPS61196229A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133122A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Fujitsu Ltd | 液晶光制御素子の製造方法 |
| JPS63137211A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Takiron Co Ltd | 調光材及びその製造方法 |
| JPH01224727A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-07 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリクスパネル |
| JPH01307728A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Ube Ind Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0296714A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-09 | Asahi Glass Co Ltd | 投射型アクティブマトリクス液晶表示装置及びその製造方法 |
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| JPH03289617A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-19 | Fujitsu General Ltd | 配線接続バンプ |
| JPH04233513A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH0534716A (ja) * | 1991-02-06 | 1993-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH05134242A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-28 | Samsung Electron Devices Co Ltd | プラズマアドレス方式の液晶表示素子とその製造方法 |
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