JPH01224727A - アクティブマトリクスパネル - Google Patents
アクティブマトリクスパネルInfo
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- JPH01224727A JPH01224727A JP63051300A JP5130088A JPH01224727A JP H01224727 A JPH01224727 A JP H01224727A JP 63051300 A JP63051300 A JP 63051300A JP 5130088 A JP5130088 A JP 5130088A JP H01224727 A JPH01224727 A JP H01224727A
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- Japan
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- light
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に使
用されるアクティブマトリクスパネルに関する。
用されるアクティブマトリクスパネルに関する。
液晶テレビ等に使用される液晶表示装置としては、高コ
ントラスト及び高時分割駆動が要求されるため、アクテ
ィブマトリクス型を用いることが提案されている。この
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、絶縁性の基
板上に画素電極及びこの画素電極にスイッチング素子と
して接続され ゛たＴＦＴをマトリクス状に複数配列し
てなるＴＰＴアクティブマトリクスパネル（以下、ＴＰ
Ｔパネルと称す）と、このパネルに配列された上記複数
の画素電極に対向する共通電極を前記基板上に設けてな
る対向パネルと、これらパネル間に封入された液晶とを
備えている。
ントラスト及び高時分割駆動が要求されるため、アクテ
ィブマトリクス型を用いることが提案されている。この
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、絶縁性の基
板上に画素電極及びこの画素電極にスイッチング素子と
して接続され ゛たＴＦＴをマトリクス状に複数配列し
てなるＴＰＴアクティブマトリクスパネル（以下、ＴＰ
Ｔパネルと称す）と、このパネルに配列された上記複数
の画素電極に対向する共通電極を前記基板上に設けてな
る対向パネルと、これらパネル間に封入された液晶とを
備えている。
従来のＴＰＴパネルでは、各ＴＰＴのソース電極がそれ
ぞれの画素電極に接続され、ドレイン電極がマトリクス
配列の各行毎にそれぞれのデータ線に接続され、またゲ
ート電極がマトリクス配列の各列毎にそれぞれのゲート
線に接続されている。
ぞれの画素電極に接続され、ドレイン電極がマトリクス
配列の各行毎にそれぞれのデータ線に接続され、またゲ
ート電極がマトリクス配列の各列毎にそれぞれのゲート
線に接続されている。
そして、各ゲート線にＴＰＴの動作信号として電気的な
パルス信号が順次印加されることにより、各ＴＰＴを各
列毎に順次オンさせていき、それに伴い各データ線から
の画像信号が各画素電極に順次取込まれる。
パルス信号が順次印加されることにより、各ＴＰＴを各
列毎に順次オンさせていき、それに伴い各データ線から
の画像信号が各画素電極に順次取込まれる。
上述した従来のＴＰＴパネルを用いた液晶表示装置にお
ける１本のデータ線に沿った等価回路を第５図に示す。
ける１本のデータ線に沿った等価回路を第５図に示す。
同図において、データ線１には各ＴＦＴ３のドレインＤ
が接続され、ゲート線２には各ＴＦＴ３のゲートＧが接
続され、また各ＴＦＴ３のソースＳには液晶（容ＩＣＬ
Ｃ）を介して対向パネル側の共通電極４が接続されてい
る。そして上記ゲート線２が金属配線であることから、
ゲ−ＨＭ２に配線抵抗ｒ９が生じると共に、ゲート線２
とＴＰＴ３のドレインＤ及びソースＳ並びに □共通電
極４との間にはそれぞれ浮遊容量Ｃ１、ＣＣＳ、ＣＣＣ
が生じている。
が接続され、ゲート線２には各ＴＦＴ３のゲートＧが接
続され、また各ＴＦＴ３のソースＳには液晶（容ＩＣＬ
Ｃ）を介して対向パネル側の共通電極４が接続されてい
る。そして上記ゲート線２が金属配線であることから、
ゲ−ＨＭ２に配線抵抗ｒ９が生じると共に、ゲート線２
とＴＰＴ３のドレインＤ及びソースＳ並びに □共通電
極４との間にはそれぞれ浮遊容量Ｃ１、ＣＣＳ、ＣＣＣ
が生じている。
このような等価回路となる液晶表示装置において、最近
は一段と高画質化が望まれるようになったことから、Ｔ
ＰＴパネル内の素子数の増大化、あるいは画素の開口率
を確保するための各配線（ゲート線及びデータ線）の微
細化等が図られている。そのため、微細化により各配線
の幅が小さくなるので第５図に示した配線抵抗ｒ９が大
きくなり、また、高画質化により１つのゲート線に接続
されるトランジスタの数が増加するので浮遊容ＭｋＣａ
ｏ、 Ｃｒ、ｓ、 Ｃｃｃの影響による伝播信号の
歪みが極めて大きくなる。例えば、第５図に示したゲー
ト線２の入力端子に矩形波状のパルス信号が印加された
場合、上記ｒ９及びＣＯＤの影響で波形が徐々に歪んで
いき、ゲート線２の入力端子からある程度離れた箇所に
あるＴＰＴ３まで伝播された前記パルス信号は、そのＴ
ＰＴを正常にスイッチングさせることが不可能な程度に
大きく歪んでしまうという問題が生じた。
は一段と高画質化が望まれるようになったことから、Ｔ
ＰＴパネル内の素子数の増大化、あるいは画素の開口率
を確保するための各配線（ゲート線及びデータ線）の微
細化等が図られている。そのため、微細化により各配線
の幅が小さくなるので第５図に示した配線抵抗ｒ９が大
きくなり、また、高画質化により１つのゲート線に接続
されるトランジスタの数が増加するので浮遊容ＭｋＣａ
ｏ、 Ｃｒ、ｓ、 Ｃｃｃの影響による伝播信号の
歪みが極めて大きくなる。例えば、第５図に示したゲー
ト線２の入力端子に矩形波状のパルス信号が印加された
場合、上記ｒ９及びＣＯＤの影響で波形が徐々に歪んで
いき、ゲート線２の入力端子からある程度離れた箇所に
あるＴＰＴ３まで伝播された前記パルス信号は、そのＴ
ＰＴを正常にスイッチングさせることが不可能な程度に
大きく歪んでしまうという問題が生じた。
そこで、このような問題を防止するため、配線材料を選
択し、また厚みを増加させることによって配線の低抵抗
化及び積層構造を改良してゲートとソース、ドレイン間
等の容量を低減させることが検討されているが、この場
合配線の厚みの増加に伴う平坦化技術及び、マスクの位
置合わせ精度の向上という新たな問題が生じ、製造プロ
セスが非常に複雑化するという欠点がある。
択し、また厚みを増加させることによって配線の低抵抗
化及び積層構造を改良してゲートとソース、ドレイン間
等の容量を低減させることが検討されているが、この場
合配線の厚みの増加に伴う平坦化技術及び、マスクの位
置合わせ精度の向上という新たな問題が生じ、製造プロ
セスが非常に複雑化するという欠点がある。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、配線抵抗や浮遊容
量による歪みを受けることのない高速動作のアクティブ
マトリクスパネルを提供することを目的とする。
量による歪みを受けることのない高速動作のアクティブ
マトリクスパネルを提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するため、基板上に光により
スイッチング可能なスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を動作させるための光信号を導く導光路とを備
え、光信号で前記スイッチング素子を動作させるように
したことを要点とする。
スイッチング可能なスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を動作させるための光信号を導く導光路とを備
え、光信号で前記スイッチング素子を動作させるように
したことを要点とする。
以下、本発明の実施例についそ、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例のアクティブマトリクスパ
ネルの平面図である。
ネルの平面図である。
同図において、ガラスでできた透明な基板１１上には、
クロムや銅等でできた複数のデータ線１３と、導光路１
４とが互いに交差して配列されている。
クロムや銅等でできた複数のデータ線１３と、導光路１
４とが互いに交差して配列されている。
上記データ線１３と導光路１４との交差部分の近傍には
、光によりスイッチングの可能なスイッチング素子１５
がそれぞれ形成されており、その出力電極１５ａが前記
基板１１上にマトリクス状に複数配列されたＩＴＯ等か
らなる透明な画素電極１２に接続され、入力電極１５ｂ
がデータ線１３に接続され、更に半導体膜１５ｃが導光
路１４を通る光信号により導通ずるように形成されてい
る。次に第１図のＡ−Ａ ’線に沿ったスイッチング素
子１５の断面構成を第２図に示す。同図において、基板
１１には、その一部に不純物イオン等を注入、拡散する
ことによって基板の他の部分より屈折率の高い導光路１
４が形成されており、この導光路１４を挟んで基板１１
上には出力電極１５ａ及び入力電極１５ｂが形成されて
いる。また、導光路１４上と出力電極１５ａ及び入力電
極１５ｂ上の一部とを覆って、１−ａ−３ｔ（イントリ
ンシック アモルファス シリコン）からなる半導体膜
１５ｃが形成されている。更に、画素電極１２が、基板
１１上から出力電極１５ａ上の一部にかけて形成されて
いる。上記構成からなるスイッチング素子１５は、１−
ａ−３ｔにおける暗導電率と光導電率の比が約６桁と大
きいことから、極めて高感度な光トランジスタである。
、光によりスイッチングの可能なスイッチング素子１５
がそれぞれ形成されており、その出力電極１５ａが前記
基板１１上にマトリクス状に複数配列されたＩＴＯ等か
らなる透明な画素電極１２に接続され、入力電極１５ｂ
がデータ線１３に接続され、更に半導体膜１５ｃが導光
路１４を通る光信号により導通ずるように形成されてい
る。次に第１図のＡ−Ａ ’線に沿ったスイッチング素
子１５の断面構成を第２図に示す。同図において、基板
１１には、その一部に不純物イオン等を注入、拡散する
ことによって基板の他の部分より屈折率の高い導光路１
４が形成されており、この導光路１４を挟んで基板１１
上には出力電極１５ａ及び入力電極１５ｂが形成されて
いる。また、導光路１４上と出力電極１５ａ及び入力電
極１５ｂ上の一部とを覆って、１−ａ−３ｔ（イントリ
ンシック アモルファス シリコン）からなる半導体膜
１５ｃが形成されている。更に、画素電極１２が、基板
１１上から出力電極１５ａ上の一部にかけて形成されて
いる。上記構成からなるスイッチング素子１５は、１−
ａ−３ｔにおける暗導電率と光導電率の比が約６桁と大
きいことから、極めて高感度な光トランジスタである。
なお、導光路１４の前記スイッチング素子１５の半導体
膜１５ｃに対応する部分は、前記導光路１４で導かれた
光が効率良く半導体膜１５ｃに照射されるように表面が
荒く処理されている。
膜１５ｃに対応する部分は、前記導光路１４で導かれた
光が効率良く半導体膜１５ｃに照射されるように表面が
荒く処理されている。
また、第１図において、データ線１３のそれぞれの入力
端にはデータ信号電極端子１６が設けられ、導光路１４
のそれぞれの入力端にはＬＥＤ（発光ダイオード）１７
が形成されている。ＬＥＤ１７のそれぞれのアノード側
にはゲート信号電極１８を介してゲート信号電極端子１
９が接続され、一方、カソード側には共通の接地電極２
０を介して接地電極端子２１が接続されている。第１図
のＢ−Ｂ’線に沿ったＬＥＤ１７の断面構成を第３図に
示す。同図において、基板１１には、第２図に示した導
光路１４が延長して形成されており、これを挟んで基板
１１上には接地電極２０が形成されている。この接地電
極２０は第２図の出力及び入力電極１５ａ、１５ｂ等と
同様に形成される。また、導光路１４上には例えばｓ＋
ＸＣ，−ｘｚＨ系のａ−３ｉからなるｐｉｎ構造０ＬＥ
Ｄ１７が形成され、その上には更に発光信号電極１８が
形成されている。上記構成からなるＬ Ｅ Ｄ１７は、
Ｓｌ ｘ ＣＩ−Ｘ ”系のａ−３ｉが比較的低温で
作製でき、室温でもかなり明るく発光し、輝度が極めて
高い。なお、導光路１４とＬＥＤＩ７とが接する表面は
ＬＥＤ１７からの光がその表面を介して容易にゲート線
導波路１４中に入っていくことができるように処理され
ている。
端にはデータ信号電極端子１６が設けられ、導光路１４
のそれぞれの入力端にはＬＥＤ（発光ダイオード）１７
が形成されている。ＬＥＤ１７のそれぞれのアノード側
にはゲート信号電極１８を介してゲート信号電極端子１
９が接続され、一方、カソード側には共通の接地電極２
０を介して接地電極端子２１が接続されている。第１図
のＢ−Ｂ’線に沿ったＬＥＤ１７の断面構成を第３図に
示す。同図において、基板１１には、第２図に示した導
光路１４が延長して形成されており、これを挟んで基板
１１上には接地電極２０が形成されている。この接地電
極２０は第２図の出力及び入力電極１５ａ、１５ｂ等と
同様に形成される。また、導光路１４上には例えばｓ＋
ＸＣ，−ｘｚＨ系のａ−３ｉからなるｐｉｎ構造０ＬＥ
Ｄ１７が形成され、その上には更に発光信号電極１８が
形成されている。上記構成からなるＬ Ｅ Ｄ１７は、
Ｓｌ ｘ ＣＩ−Ｘ ”系のａ−３ｉが比較的低温で
作製でき、室温でもかなり明るく発光し、輝度が極めて
高い。なお、導光路１４とＬＥＤＩ７とが接する表面は
ＬＥＤ１７からの光がその表面を介して容易にゲート線
導波路１４中に入っていくことができるように処理され
ている。
以上のように構成された本実施例のアクティブマトリク
スパネルを用いた液晶表示装置の等価回路を第４図に示
す。同図を参照しながら、上記アクティブマトリクスパ
ネルの動作を説明する。まず、各ＬＥＤ１７のアノード
側に接続された発光信号電極端子１９に対し発光信号（
走査信号）を順次印加すると、その信号に応じてＬＥＤ
１７が順次発光していく。各ＬＥＤ１７から出力された
光は、それぞれに対応する導光路１４中を伝播していく
。すると、その導光路１４に沿って配列されている各ス
イッチング素子１５は、伝播されてきた光で半導体膜１
５ｃの導電率が変化することにより、オンする。このよ
うにスイッチング素子１５が各導光路１４毎に順次オン
すると、そのオンしたスイッチング素子１５を介し、各
データ線１３からのデータ信号（画像信号）が画素電極
１２に印加される。
スパネルを用いた液晶表示装置の等価回路を第４図に示
す。同図を参照しながら、上記アクティブマトリクスパ
ネルの動作を説明する。まず、各ＬＥＤ１７のアノード
側に接続された発光信号電極端子１９に対し発光信号（
走査信号）を順次印加すると、その信号に応じてＬＥＤ
１７が順次発光していく。各ＬＥＤ１７から出力された
光は、それぞれに対応する導光路１４中を伝播していく
。すると、その導光路１４に沿って配列されている各ス
イッチング素子１５は、伝播されてきた光で半導体膜１
５ｃの導電率が変化することにより、オンする。このよ
うにスイッチング素子１５が各導光路１４毎に順次オン
すると、そのオンしたスイッチング素子１５を介し、各
データ線１３からのデータ信号（画像信号）が画素電極
１２に印加される。
以上に述べたように、本実施例のアクティブマトリクス
パネルでは、従来の金属配線の代りに導光路を用い、各
スイ・ノチング素子１５をＬＥＤ１７からの光信号によ
ってスイッチングさせるようにしたので、第５図に示し
た配線抵抗ｒ、や浮遊容ｆＪＣａｏ、Ｃｃｓ、ＣＣＣが
生じない。そのため、パネル内の素子数の増大化や各配
線の微細化が図られた場合であっても、従来のように上
記の配線抵抗や浮遊容量の影響で生じていた伝播信号の
波形歪みが全くなくなり、よってＬＥＤ１７から最も離
れて配置されているスイッチング素子をも適切かつ高速
にスイッチングできる。
パネルでは、従来の金属配線の代りに導光路を用い、各
スイ・ノチング素子１５をＬＥＤ１７からの光信号によ
ってスイッチングさせるようにしたので、第５図に示し
た配線抵抗ｒ、や浮遊容ｆＪＣａｏ、Ｃｃｓ、ＣＣＣが
生じない。そのため、パネル内の素子数の増大化や各配
線の微細化が図られた場合であっても、従来のように上
記の配線抵抗や浮遊容量の影響で生じていた伝播信号の
波形歪みが全くなくなり、よってＬＥＤ１７から最も離
れて配置されているスイッチング素子をも適切かつ高速
にスイッチングできる。
また、第２図及び第３図にも示したように、スイッチン
グ素子１５及びＬＥＤ１７はほとんど同様の工程で作製
できるので、全体的な製造プロセスは極めて簡単になる
。
グ素子１５及びＬＥＤ１７はほとんど同様の工程で作製
できるので、全体的な製造プロセスは極めて簡単になる
。
なお、第１図に示したパネルの平面配置構成や、第２図
及び第３図に示したスイッチング素子１５及びＬＥＤ１
７の断面構成はほんの一例であり、本発明がこれらの構
成に限定されることはない。
及び第３図に示したスイッチング素子１５及びＬＥＤ１
７の断面構成はほんの一例であり、本発明がこれらの構
成に限定されることはない。
以上説明したように、本発明によれば、各ゲート線を導
光路で構成し、各スイッチング素子を従来の電気信号に
代えて光信号でスイッチングするようにしたことから、
従来のＴＰＴパネルにおける伝播信号の歪みをなくすこ
とができる。従って、パネル内の素子数の増大化、及び
画素の開口率確保のための各配線の微細化を図ったとし
ても、スイッチング素子の適切かつ高速なスイッチング
動作が可能になり、よって−段と高画質の液晶表示装置
を実現することができる。
光路で構成し、各スイッチング素子を従来の電気信号に
代えて光信号でスイッチングするようにしたことから、
従来のＴＰＴパネルにおける伝播信号の歪みをなくすこ
とができる。従って、パネル内の素子数の増大化、及び
画素の開口率確保のための各配線の微細化を図ったとし
ても、スイッチング素子の適切かつ高速なスイッチング
動作が可能になり、よって−段と高画質の液晶表示装置
を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例のアクティブマトリクスパネ
ルの平面図、 第２図は第１図に示したスイッチング素子１５のＡ−Ａ
’拡大断面図、 第３図は第１図に示したＬＥＤ１７のＢ−Ｂ’拡大断面
図、 第４図は第１図のアクティブマトリクスパネルを用いた
液晶表示装置の等価回路を示す回路図、第５図は従来の
ＴＰＴパネルを用いた液晶表示装置における１本のデー
タ線に沿った等価回路を示す回路図である。 １１・・・基板、 １２・・・画素電極、 − １３・・・データ線、 １４・・・導光路、 １５・・・スイッチング素子、 １７・・・ＬＥＤ。 特許出願人 カシオ計算機株式会社
ルの平面図、 第２図は第１図に示したスイッチング素子１５のＡ−Ａ
’拡大断面図、 第３図は第１図に示したＬＥＤ１７のＢ−Ｂ’拡大断面
図、 第４図は第１図のアクティブマトリクスパネルを用いた
液晶表示装置の等価回路を示す回路図、第５図は従来の
ＴＰＴパネルを用いた液晶表示装置における１本のデー
タ線に沿った等価回路を示す回路図である。 １１・・・基板、 １２・・・画素電極、 − １３・・・データ線、 １４・・・導光路、 １５・・・スイッチング素子、 １７・・・ＬＥＤ。 特許出願人 カシオ計算機株式会社
Claims (1)
- 基板と、この基板上にマトリクス状に複数配列された
画素電極と、これら画素電極のそれぞれに接続され光信
号によりスイッチング動作するスイッチング素子と、前
記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する前記
光信号を導く導光路と、前記画素電極に印加されるデー
タ信号を前記スイッチング素子に供給するデータ線とを
備えたことを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5130088A JP2518345B2 (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | アクティブマトリクスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5130088A JP2518345B2 (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | アクティブマトリクスパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01224727A true JPH01224727A (ja) | 1989-09-07 |
| JP2518345B2 JP2518345B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=12883069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5130088A Expired - Lifetime JP2518345B2 (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | アクティブマトリクスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2518345B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0595647A2 (en) * | 1992-10-29 | 1994-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical address type display device |
| EP0621645A1 (en) * | 1993-04-19 | 1994-10-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical switching element and optical scanning display using it |
| US5452385A (en) * | 1993-03-09 | 1995-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical scanning device an optical scanning type display and an image data input/output device |
| US5535027A (en) * | 1990-11-09 | 1996-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with a photoconductor at each intersection of a linear luminous source and a linear electrode |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196229A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-30 | オボニック・イメ−ジング・システムズ・インコ−ポレイテッド | 改良されたアクテイブマトリクス液晶デイスプレイ及びその製法 |
| JPH01173016A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Toray Ind Inc | 光導電体を用いた液晶表示装置 |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP5130088A patent/JP2518345B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2518345B2 (ja) | 1996-07-24 |
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