JP4026870B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種の画像等を表示する液晶表示装置に用いられる液晶表示素子に関するもので、開口率が高く、単純な製造方法で低コストで製造が可能なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置は、軽量化、小型化、薄型化が可能な表示装置として広く用いられており、中でも、ツイステッドネマティックモード(TNモード)のアクティブマトリックス型液晶表示装置は、駆動電圧が低く、消費電力が少ない上に、コントラストが高く、高画質化が可能な表示装置として広く知られている。
この種の一般的なTNモードの液晶表示素子は、偏光板と透明な電極と配向膜を具備した2枚のガラス基板を互いの配向膜の配向方向が90゜異なるように間隔をあけて対向配置し、その間にネマティック液晶を90゜ねじって配列できるように設けて構成されている。即ち、例えば、図6(a)に示されるように偏光板を備えた一方の基板1を透過した偏光光線は、90゜ねじれた液晶3に沿ってその偏光方向αを90゜変換させて偏光方向βの偏光板を備えた他方の基板2を透過することができるので、この状態は液晶表示素子としては明状態となる。一方、基板1、2間に電圧を印加することにより図6(b)に示すように電界に沿って液晶3を配向させることができ、これにより偏光光線の偏光方向αを変えないようにすることで基板2の偏光板で光を遮ることができ、液晶表示素子としての暗状態を得ることができる。
【0003】
ところが、近年、この種のTNモードの液晶表示素子にあっては、その視野角依存性が問題となっている。図7は、TNモードの液晶表示素子の一般的な視野角依存性を示すもので、図7の斜線部分がコントラスト(CR)10以上の範囲を示している。図7によれば、TNモードの液晶表示素子は、左右方向からの視認性は良好であるものの、上下方向、特に上方向からの視認性が極端に悪いことが明らかである。この理由について以下に説明する。
図6(a)あるいは図8(a)に示すように、全ての液晶分子が倒れて配列方向が同じ状態においては、どの方向から入射して出射する光線も条件は大差ないために、図8(a)に示す屈折率n1とn2はほぼ等しくなり、視野角依存性は目立たない。ところが、液晶分子は、その長軸方向と短軸方向とで屈折率が異なるので、図6(b)あるいは図8(b)に示すように液晶分子が電界に沿って配向した場合に個々の液晶分子の傾きが変わるために、透過光線の角度によって屈折率n1’とn2’が異なることになり、結果的にノーマリーホワイト表示モードであると、電圧印加時の透過率の値が視野角依存性によって大きく変動することになり、コントラストとしては視野角によって著しい変化を示すことになる。
【0004】
そこで本出願人は、このような問題点を解決できる画期的な構造の液晶表示素子を特願平7―1579号あるいは特願平7―306276号明細書において特許出願している。
これらの特許出願に係る技術によれば、液晶を挟む上下両側の基板にそれぞれ液晶駆動用の電極を設けるのではなく、図9に示す下方の基板(第1の基板)11のみに異なる極の2種の線状電極12…、13…を互いに離間させて設け、上方の基板(第2の基板)10に電極を設けない構成とし、電圧の印加により、両線状電極12、13間に発生した電界の方向に沿って液晶分子36…を配向させることができるようになっている。更に詳しくは、線状電極12…どうしを基線部14で接続して櫛刃状の電極16を構成し、線状電極13…どうしを基線部15で接続して櫛刃状の電極17を構成し、両櫛刃状電極16、17の線状電極12、13を交互に隣接させて接触しないように噛み合わせ状態に配置し、基線部14、15に電源18とスイッチング素子19を接続して構成される。また、図11(a)に示すように上の基板10の液晶側の面に配向膜を形成してβ方向に液晶分子36が並ぶように配向処理が施され、下の基板11の液晶側の面に配向膜を形成して前記β方向と平行なγ方向に配向処理が施され、それぞれの基板10、11に従来と同様の偏光板が配置される。
【0005】
以上のような構成によれば、線状電極12、13間に電圧が印加されていない状態で液晶分子36…は、図11(a)(b)に示すように一律に同方向にホモジニアス配向する。そして、この状態で下の基板11を通過した光線は、偏光板によりα方向に偏光されており、液晶分子36の層をそのまま透過し、上の基板10の異なる偏光方向βの偏光板に到達するので、その偏光板で遮断され、光線は液晶表示素子を透過することがないので、液晶表示素子は暗状態となる。
次に、線状電極12、13間に電圧を印加すると、液晶分子のうち、下の基板11に接近した液晶分子36ほどその配向方向が線状電極12の長手方向に対して垂直に変換される。即ち、線状電極12、13の長手方向に対し垂直な方向の電気力線が発生し、下の基板11に形成されていた配向膜によってγ方向に長手方向を向けて配向していた液晶分子36が、配向膜の規制力よりも強い電界の規制力によってγ方向とは垂直な方向に配向方向が変換される。
よって、線状電極12、13間に電圧が印加されると、図12(a)(b)に示すように90゜ツイスト配向がなされる。この状態であると、下の基板11を透過し、α方向に偏光した偏光光線は、ツイストした液晶15…によってその偏光方向が変換され、α方向とは異なるβ方向の偏光板の設けられた上の基板10を透過できるようになり、液晶表示素子は明状態となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記構造の線状電極12、13を実際のアクティブマトリックス液晶駆動回路に適用した場合に想定される構造を図13と図14に示す。
図13に示す構造において、ガラス基板等の透明基板20上に金属電極からなるゲート電極21と第1の線状電極22、22が離間して平行に形成され、これらを覆ってゲート絶縁膜24が形成され、ゲート電極21上のゲート絶縁膜24上に半導体膜26を左右両側から挟むようにソース電極27とドレイン電極28が設けられ、前記第1の線状電極22、22の間の上方のゲート絶縁膜24上に金属電極からなる第2の線状電極29が設けられる。また、図13に示す構造の平面構造を図14に示すが、マトリックス状に組まれたゲート配線30・・・と信号配線31・・・が透明基板20上に形成されていて、ゲート配線30と信号配線31とに囲まれた各領域の隅部にゲート配線30から引き出してゲート電極21が形成され、前記のドレイン電極28に基線部33を介して第2の線状電極29が接続され、この第2の線状電極29の両側を挟むように前記第1の線状電極22、22が平面配置され、第1の線状電極22、22がそれぞれ基線部34で接続されるとともに、基線部33と基線部34は図13に示すゲート絶縁膜24を介して上下に重ねられ、この部分で容量を確保できるように構成されている。
【0007】
前記例の構造においては、図13と図14の矢印aに示す方向に電気力線を形成するように電界が作用するので、この電界に従って液晶分子36…は図13に示すように配向される。
ところが、この例の液晶表示素子の構造にあっては、第1の線状電極22と第2の線状電極29がいずれも遮光性の金属電極からなるために、光を遮光する部分の面積が大きくなり易く、液晶表示素子としてみた場合の開口率が低下する問題がある。
また、ゲート電極21が半導体膜26の下方に設けられていると、ゲート電極21とソース電極27とドレイン電極28の重なり部分(オーバーラップ部分)が多くなり、それらの間に形成されているゲート絶縁膜24を介して寄生容量を形成し、液晶駆動時の容量が目的の値からずれるために表示品質の低下を招くおそれがあった。
【0008】
本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、広視野角特性を有する上に開口率を高くすることができ、寄生容量の問題も生じにくいとともに、製造が容易な液晶表示素子を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は前記課題を解決するために、配向膜を備えた第1の基板と、第1の基板に対向して配置され第1の基板側に配向膜が形成された第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間に配置されたネマチック液晶からなる液晶層と、第1の基板上に間隔をあけて互いに平行に配置された複数の線状電極と、複数の線状電極間に電圧を印加するスイッチング素子とを具備して構成され、前記第1の基板と第2の基板の配向膜に前記線状電極の長手方向に平行な配向処理が施されるとともに、前記スイッチング素子が、第1の基板上に形成された遮光膜と、遮光膜上に形成された絶縁膜と、遮光膜上の絶縁膜上に形成された半導体層と、半導体層の中央部上方に絶縁部を介して設けられたゲート電極と、半導体層の両側に形成されたシリサイド層と、これらのシリサイド層を介して半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極とを具備して構成され、前記複数の線状電極のうち少なくとも1本は、前記第1の基板上の遮光層と同一平面上に形成され、遮光層と同一平面上の前記線状電極が遮光層を覆う絶縁膜により覆われるとともに、この絶縁膜上に前記の線状電極と異なる電位が印加される残りの線状電極が、前記スイッチング素子のドレイン電極に接続させて形成されてなるものである。
【0010】
請求項2記載の発明は前記課題を解決するために、第1の基板上にマトリックス状にゲート配線と信号配線が形成され、ゲート配線と信号配線の交差部分の近傍にゲート電極が形成され、ゲート配線と信号配線に囲まれた領域に線状電極が配置されてなるものである。
請求項3記載の発明は、第1の基板上の遮光層と同一平面上に形成された線状電極の一部、あるいは、これらの線状電極と絶縁膜を介して対峙する他の線状電極の一部が延出されて対峙する他の線状電極の一部とオーバーラップされ、容量が形成されてなるものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一例について説明する。
図1と図2は本発明に係る液晶表示素子に適用される液晶駆動回路パターンの一例を示すもので、図1は配線パターンの要部を示す平面図、図2は断面構造を示す。
この例の構造にあっては、透明基板(第1の基板)40の上にマトリックス状に複数のゲート配線41と信号配線42が形成され、ゲート配線41と信号配線42によって囲まれた領域に櫛刃状の電極43と、電極44が配置されている。前記電極43はこの例では信号配線42に隣接させて平行に配置した2本の線状電極45をそれらの基端部側においてゲート配線41に隣接させて平行に配置した基線部46で接続して櫛刃状に形成されている。また、電極44は、前記2本の線状電極45の中間部にそれらと平行に配置された線状電極47と、線状電極47の基端部側に接続してゲート配線41と平行に配置された基線部48と、線状電極47の先端部に接続してゲート配線41と隣接する線状の容量生成部49とからなり、容量生成部49は前記基線部46の上方にオーバーラップするように形成されている。更に、前記ゲート配線41において信号配線42に近い部分には、スイッチング素子50が設けられている。
【0012】
この回路部分の実際の積層構造は、図2に示すように、透明の基板40の上にアイランド状の遮光膜52が設けられ、その上に絶縁膜53を介して半導体膜54が形成され、半導体膜54の中央部分の上に絶縁部55を介してゲート電極56が形成され、絶縁部55の両側にシリサイド層57、57が形成され、これらのシリサイド層57、57にそれぞれ接触してソース電極58とドレイン電極59が設けられ、これらを覆って絶縁膜60が形成されたトップゲート構造とされている。ここで前記ゲート電極56はゲート配線41の一部を利用して形成されている。なお、前記線状電極45・・・は基板40の上において遮光層52と同一面上になるように形成され、それらを覆って絶縁膜53が設けられるとともに、この絶縁膜53上に線状電極47が形成されていて、線状電極47の基線部48がドレイン電極59に接続されている。また、前記の線状電極45、47はいずれもITO(インジウムスズ酸化物)の透明導電層、あるいは金属電極層から形成され、遮光膜52は遮光導電性の金属膜から形成されている。
【0013】
次に、図1と図2に示す回路は、図11と図12を基に先に説明した液晶表示素子に適用されるので、図11に示す下の基板11を図2に示す基板40として構成することで前記回路を液晶表示素子に組み込むことができるとともに、この基板40の上方には液晶層を介して図11と図12に示す構造で用いられた対向側の基板10と同等の構成の基板(第2の基板)39が設けられて液晶素子が構成される。
また、基板40の絶縁膜60の上に実際には配向膜が形成されてその配向膜には図11のγ方向の配向処理が施され、基板39の液晶層側の面にも配向膜が形成されてその配向膜にはβ方向の配向処理が施されている。なお、図11と図12に示した左右方向の配向方向γは図1においては上下方向となる。
【0014】
前記構造の回路においては、スイッチング素子50の作動によって線状電極45、47間に電圧を印加するか否かを切り換えることができる。
従って、スイッチング素子50を作動させて線状電極45、47間に電圧を印加することで、図1の矢印e方向に電界を印加することができ、これにより図12に示した場合と同様に液晶分子36を上下の基板間で90゜ねじれた状態(明状態)とすることができる。また、線状電極45、47間に電圧を印加しない状態とすることによって、液晶分子36…を図11に示した場合と同様に基板と平行なねじれのない状態(暗状態)とすることができる。従って図1と図2に示す回路を用いて図11と図12に示すように液晶分子36…の配向制御を行うことができ、図2の基板40の下側からバックライトの光線を導入することにより、このバックライトの光線を液晶分子の配向制御状態により暗状態と明状態に切り換えることができる。なお、スイッチング素子50における導通時には、ゲート電極56が生成させた電界によって絶縁部55の下方側の半導体層54の部分に電子とホールが生成されてその部分がチャネル部とされ、生成された電子がこのチャネル部を移動することで導通がなされる。
【0015】
また、前記の構造によれば、基板40の下側から入射されたバックライトの光線を遮光層52が遮るのでバックライトの光線が半導体層54側に到達することがなくなり、半導体層54の部分に余分な光電流を流すことがなくなるので、応答性が向上する。また、液晶分子36は電界が印加される場合もされない場合も基本的に基板に平行に配置され、そのねじれ状態が変化するのみであるので、高速応答が可能であり、視野角依存性も少なくなる。
更に、線状電極45、47を透明電極膜から構成し、ノーマリーブラックタイプの表示形式とすると、線状電極45、47に電圧を印加した場合に線状電極45、47上の液晶分子36・・・が図10に示す場合と同様に立ち上がる状態となるが、この部分もバックライトからの光線を通過させる明状態となるので、線状電極45、47の上方の部分も表示に寄与することになり、これにより液晶表示素子としての開口率を高くすることができる。これに対して線状電極45、47を遮光性の金属電極から構成すると、金属電極が遮光して金属電極部分の領域が表示に寄与しなくなるので、開口率が低下することになる。また、線状電極45、47に電圧を印加しない状態において表示は暗状態となるので、線状電極45、47上の液晶の状態は特に暗状態表示に悪影響を与えない。
【0016】
前記構造の回路を製造するには、透明基板40上にバックライト遮光用の金属膜を成膜してからパターニングして図2に示す遮光膜52を形成する。ここで、遮光膜52と同一平面上に電極43を形成するので、遮光膜52と電極43を同一材料で形成する場合は前記パターニング処理の場合に遮光膜52と電極43を同時に形成することができる。また、遮光膜52と電極43を別種の材料から形成する場合は成膜処理とパターニング処理を複数回行って基板40上の同一面上に遮光膜52と電極43を形成することができる。遮光膜52と電極43を形成したならば、それらを覆う絶縁膜53と半導体膜を形成してパターニング処理を施し、遮光膜52上の絶縁層53上に半導体層54を形成する。次いでそれらの上に絶縁膜とゲート電極膜を連続成膜し、パターニングして絶縁部55とその上のゲート電極56およびゲート配線41を形成する。次に半導体膜54の上からイオンドーピング処理を行って半導体膜54上の絶縁部55の両側にシリサイド層57、57を形成する。続いてそれらの上に電極膜を形成してパターニング処理することでソース電極58とドレイン電極59と信号配線42を形成し、最後に絶縁膜60を成膜することで図1と図2に示す構造の回路を製造することができる。なお、前記の構造に加えて接続パッドを設ける場合は、パッド接続用のコンタクトホールを絶縁膜60に適宜形成すれば良い。
【0017】
以上のような製造方法によれば、半導体膜54の上にゲート電極56を設けたトップゲート構造の液晶表示素子用の駆動回路であって、液晶分子を基板に平行なままで90゜ねじることで表示非表示の切り換えを行うものを製造することができる。このトップゲート構造であれば、ゲート電極56とドレイン電極59およびソース電極58の重なり部分を狭くすることができ、寄生容量を小さくできる効果がある。この結果、画素毎に形成する補助容量、即ち、容量生成部49を小さくすることができ、補助容量生成のために線状電極の面積を広くする必要がなくなる。従って、線状電極45…、47…を用いて液晶分子の90゜ねじれを実現する方式の液晶表示素子において高い開口率を実現できる特徴がある。
また、前記の製造方法においては、パターニング工程を最小4工程で行うことができ、その場合に少ない工程で製造できる特徴を有する。
【0018】
図3は本発明に係る液晶表示素子に適用される駆動用回路パターンの第2の例を示すもので、この例においては、ゲート配線41の信号配線42近くの部分から信号配線42に平行に延出されたゲート電極56’が形成され、このゲート電極56’を両側から挟むようにソース電極58’とドレイン電極59’が設けられている。また、先の例では線状電極47の先端部側に形成された容量生成部49はこの例では省略されている。その他の構成は先の構成と同等であり、同一の構成要素については同一の符号を付してそれら部分の説明は省略する。
図2に示す構成においては、先の例において得られた容量生成部49の効果を除いたものとほぼ同等の効果を得ることができる。
【0019】
図4と図5は本発明に係る液晶表示素子に適用される駆動用回路パターンの第3の例を示すもので、この例においては、図1と図2に示す構成において線状電極45を3本線状電極47を2本設けた例である。その他の構成は第1の例の構成と同等であり、同一の構成要素については同一の符号を付してそれら部分の説明は省略する。
図4と図5に示す構成においても先の第1の例で説明した構成と同等の効果を得ることができる。なお、この例においては、線状電極45、47の本数が多いので、より広い領域で強制的に液晶分子36・・・を基板と平行に配向させることができ、視野角依存性の少ない良好な表示品質を得ることができる。
【0020】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、各々配向膜を備えた第1の基板と第2の基板を有し、半導体層の上にゲート電極を設けたトップゲート構造において、第1の基板に複数の線状電極を形成し、複数の線状電極間に電圧を印加できる構成とし、第1の基板の配向膜に線状電極の長手方向に平行に配向処理を施して構成したので、電圧無印加時に液晶分子を第1の基板の配向方向に平行に配向させ、電圧印加時に第1の基板側の液晶分子を第1の基板の線状電極の長手方向と直交する方向、即ち、第1の基板の配向処理処理方向と直角な方向に変更できるので、電圧無印加と電圧印加に応じて液晶を両基板に平行な状態でねじれていない状態と90゜ねじれの状態に変更することができる。従って、半導体膜の上にゲート電極を設けたトップゲート構造において、液晶の旋回のみの操作で暗状態と明状態を切り換えできるので、視野角依存性の少ない、切り換え速度の高い液晶表示素子を提供することができる。また、トップゲート構造であれば、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極の重なり部分を少なくすることができ、重なり部分の間に絶縁膜が存在することによってその部分に従来形成されていた寄生容量を少なくすることができる。
【0021】
また、線状電極の一部と、これに絶縁膜を介して対峙する他の極側の線状電極の一部をオーバーラップさせて容量を形成することで、この容量で寄生容量を打ち消すことができる。また、前記トップゲート構造を採用して寄生容量を少なくしておけば、前記オーバーラップ部分で形成する容量を少なくできるので、線状電極の幅を狭くしても良くなり、線状電極の幅を小さくした分だけ開口率を向上させることができる。従って、液晶の旋回のみの操作で暗状態と明状態を切り換えることができ、視野角依存性が少ないとともに、切り換え速度の高い、寄生容量の少ない、開口率の高い液晶表示素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶表示素子に用いられる液晶駆動回路パターンの第1の例を示す平面図である。
【図2】図1に示す液晶駆動回路パターンが基板上に形成された構造の断面図である。
【図3】本発明に係る液晶表示素子に用いられる液晶駆動回路パターンの第2の例を示す平面図である。
【図4】本発明に係る液晶表示素子に用いられる液晶駆動回路パターンの第3の例を示す平面図である。
【図5】図4に示す液晶駆動回路パターンが基板上に形成された構造の断面図である。
【図6】図6(a)は電界を印加していない状態の液晶分子の配向状態を示す図、図6(b)は電界を印加した状態の液晶分子の配向状態を示す図である。
【図7】液晶の視野角依存性を示す図である。
【図8】図8(a)は従来の液晶において電界を印加していない状態の光線の透過状態を示す図、図8(b)は従来の液晶において電界を印加した状態の光線の透過状態を示し図である。
【図9】先に特許出願した明細書に記載された電極を備えた基板の平面図である。
【図10】線状電極に電圧を印加した場合の液晶分子の配向状態を示す断面図である。
【図11】図11(a)は先に特許出願した明細書に記載された暗状態の液晶配列を示す図、図11(b)は図11(a)の側面図である。
【図12】図12(a)は先に特許出願した明細書に記載された明状態の液晶配列を示す図、図12(b)は図11(a)の側面図である。
【図13】液晶表示素子の断面構造の一例を示す図である。
【図14】図13に示す構造の平面図である。
【符号の説明】
39 第2の基板
40 第1の基板
41 ゲート配線
42 信号配線
45、47 線状電極
49 容量生成部
50 スイッチング素子
52 遮光膜
53、60 絶縁膜
55 絶縁部
56、56’ ゲート電極
57 シリサイド層
58、58’ ソース電極
59、59’ ドレイン電極
Claims (2)
- 配向膜を備えた第1の基板と、第1の基板に対向して配置され、第1の基板側に配向膜が形成された第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間に配置された液晶層と、前記第1の基板上に一定の間隔をあけて平行に配置された複数の線状電極を含んで構成される液晶表示装置の製造方法において、
前記第1の基板上に遮光用金属膜を成膜してパターニングし、一定の間隔をあけるように遮光膜と線状電極とを同時に形成する段階と、
前記遮光膜および線状電極を覆うように基板上に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記遮光膜上の第1絶縁膜上に半導体層を形成し、該半導体層をパターニングする段階と、
前記半導体層の中央部上方に第2の絶縁膜を介してゲート電極を形成し、さらに第2の絶縁膜と前記ゲート電極とを一括してパターニングする段階と、
前記第2の絶縁膜の両側の半導体層上にシリサイド層を形成する段階と、
前記シリサイド層の上に電極膜を形成してパターニング処理することで前記シリサイド層に接続するソース電極と、ドレイン電極とを形成する段階
とを含んでいることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 配向膜を備えた第1の基板と、第1の基板に対向して配置され、第1の基板側に配向膜が形成された第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間に配置された液晶層と、前記第1の基板上に一定の間隔をあけて平行に配置された複数の線状電極を含んで構成される液晶表示装置の製造方法において、
前記第1の基板上に遮光用金属膜を成膜してパターニングし、一定の間隔を有するように遮光膜と第1の線状電極とを同時に形成する段階と、
前記遮光膜および第1の線状電極を覆うように基板上に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記遮光膜上の第1の絶縁膜上に半導体層を形成し、該半導体層をパターニングする段階と、
前記半導体層の中央部上方に第2の絶縁膜を介してゲート電極を含むゲート配線を形成し、さらに第2の絶縁膜と前記ゲート電極とを一括してパターニングする段階と、
前記第2の絶縁膜の両側の半導体層上にシリサイド層を形成する段階と、
前記シリサイド層の上に電極膜を形成してパターニング処理することで前記シリサイド層に接続するソース電極と、ドレイン電極とを形成するとともに前記第1の線状電極の間の第1の絶縁膜上に第2の線状電極を形成する段階とを含んでいることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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