JPS6119543Y2 - - Google Patents

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JPS6119543Y2
JPS6119543Y2 JP8521879U JP8521879U JPS6119543Y2 JP S6119543 Y2 JPS6119543 Y2 JP S6119543Y2 JP 8521879 U JP8521879 U JP 8521879U JP 8521879 U JP8521879 U JP 8521879U JP S6119543 Y2 JPS6119543 Y2 JP S6119543Y2
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resistor
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resistors
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はB級動作の場合とほぼ同じ電力効率で
動作し、かつスイツチング歪の発生しない電力増
幅回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a power amplifier circuit that operates with almost the same power efficiency as in class B operation and does not generate switching distortion.

従来、オーデイオ用の電力増幅回路にはシング
ルエンデツドプツシユプル(以下SEPPと略記す
る。)回路が多用され、特に電力効率の良好なた
めに所定のアイドリング電流を流す様にはするが
B級動作をするようにバイアスしたB級SEPP電
力増幅回路が採用されている。
Conventionally, single-ended push-pull (hereinafter abbreviated as SEPP) circuits have been frequently used in audio power amplifier circuits, and class B circuits, which allow a specified idling current to flow, are particularly effective in achieving good power efficiency. A class B SEPP power amplifier circuit biased for operation is employed.

しかるにB級SEPP電力増幅回路は正の半サイ
クルの入力信号の入力期間と負の半サイクルの入
力信号の入力期間とでは、アイドリング電流を無
視すれば、それぞれ負荷に電力を供給するトラン
ジスタは異なり、入力信号の正負の半サイクルの
期間の切替りに応じてトランジスタのスイツチン
グが行われ、トランジスタのキヤリヤ蓄積効果な
どに寄因してスイツチング歪が発生する欠点があ
つた。
However, in the B-class SEPP power amplifier circuit, the transistors that supply power to the load are different between the positive half-cycle input signal input period and the negative half-cycle input signal input period, if the idling current is ignored. Switching of the transistor is performed in accordance with the switching of the positive and negative half-cycle periods of the input signal, and there is a drawback that switching distortion occurs due to the carrier accumulation effect of the transistor.

本考案は上記にかんがみなされたもので、上記
の欠点を解消してB級増幅動作の場合とほぼ同じ
電力効率で動作し、入力信号の正、負の半サイク
ルの期間の切替りに応じてトランジスタをスイツ
チングさせないようにするとともに、低インピー
ダンス負荷に対しても大出力電力時まで総てのト
ランジスタをオン状態に維持してスイツチング歪
の発生しない電力増幅回路を提供することを目的
とするものであつて、以下本考案を実施例により
説明する。
The present invention has been developed in consideration of the above, and eliminates the above drawbacks, operates with almost the same power efficiency as class B amplifier operation, and operates in accordance with the switching of the positive and negative half-cycle periods of the input signal. The purpose of this is to provide a power amplifier circuit that prevents transistors from switching and maintains all transistors in the on state even during low impedance loads until high output power is applied, and does not generate switching distortion. The present invention will now be explained by way of examples.

第1図は本考案の一実施例の回路図である。 FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

本考案の一実施例の電力増幅回路は、トランジ
スタ1のエミツタとトランジスタ2のコレクタと
の間にダイオード12と抵抗6と抵抗5との直列
回路を接続して、トランジスタ1とトランジスタ
2とをインバーテツドダーリントン接続し、ダイ
オード12と抵抗6との共通接続点を抵抗7を通
して負荷8に接続し、同様にトランジスタ3のエ
ミツタとトランジスタ4のコレクタとの間にダイ
オード15と抵抗10と抵抗11との直列回路を
接続して、トランジスタ3とトランジスタ4とを
インバーテツドダーリントン接続し、ダイオード
15と抵抗10との共通接続点を抵抗9を通して
負荷8に接続し、トランジスタ1と3とのベース
間に一定電圧のバイアス電圧を印加してSEPP電
力増幅回路を構成する。このSEPP電力増幅回路
にさらにトランジスタ1のエミツタとトランジス
タ2のコレクタとの間におよびトランジスタ1の
エミツタと、抵抗10と11との共通接続点との
間にそれぞれ抵抗13および14を各別に接続
し、かつトランジスタ3のエミツタとトランジス
タ4のコレクタとの間におよびトランジスタ3の
エミツタと、抵抗5と6との共通接続点との間に
それぞれ抵抗16および17を各別に接続する。
A power amplifier circuit according to an embodiment of the present invention connects a series circuit of a diode 12, a resistor 6, and a resistor 5 between the emitter of a transistor 1 and the collector of a transistor 2, thereby inverting the transistors 1 and 2. The common connection point of diode 12 and resistor 6 is connected to load 8 through resistor 7, and similarly diode 15, resistor 10, resistor 11 are connected between the emitter of transistor 3 and the collector of transistor 4. The series circuit of transistors 3 and 4 is connected in an inverted Darlington connection, the common connection point of diode 15 and resistor 10 is connected to load 8 through resistor 9, and the base of transistors 1 and 3 is connected. A constant bias voltage is applied to the SEPP power amplifier circuit. Resistors 13 and 14 are further connected to this SEPP power amplifier circuit between the emitter of transistor 1 and the collector of transistor 2, and between the emitter of transistor 1 and the common connection point of resistors 10 and 11, respectively. , and resistors 16 and 17 are respectively connected between the emitter of transistor 3 and the collector of transistor 4 and between the emitter of transistor 3 and a common connection point of resistors 5 and 6, respectively.

なお+Bおよび−Bはそれぞれ正および負の電
源端子であり、18はバイアス回路である。バイ
アス回路18はトランジスタ1と3のベース間に
一定電圧のバイアスを与える。
Note that +B and -B are positive and negative power supply terminals, respectively, and 18 is a bias circuit. Bias circuit 18 applies a constant voltage bias between the bases of transistors 1 and 3.

そこで上記の本考案の一実施例の電力増幅回路
において、無入力信号時にバイアス回路18は抵
抗13,14,16および17に流れる電流によ
つてトランジスタ1から4がオンできる様に、か
つアイドリング電流を無視すればB級増幅動作を
するようにバイアス電圧を設定する。従つて無入
力信号時においてはトランジスタ1,2,3およ
び4はオン状態で、抵抗7および9に流れる電流
はトランジスタ1および3のベース・エミツタ間
の電圧VBEとダイオード12および15のオン電
圧との和をトランジスタ1と3との間のバイアス
電圧から差引いた電圧にて定まる。
Therefore, in the power amplifier circuit according to the embodiment of the present invention described above, when there is no input signal, the bias circuit 18 is configured so that the transistors 1 to 4 can be turned on by the current flowing through the resistors 13, 14, 16, and 17, and the idling current If this is ignored, the bias voltage is set so that class B amplification operation is performed. Therefore, when there is no input signal, transistors 1, 2, 3, and 4 are on, and the current flowing through resistors 7 and 9 is equal to the base-emitter voltage V BE of transistors 1 and 3 and the on-voltage of diodes 12 and 15. The sum is determined by the voltage subtracted from the bias voltage between transistors 1 and 3.

つぎに正の半サイクルの入力信号が印加されて
いるときは、入力信号はトランジスタ1および2
により増幅されて、トランジスタ1のエミツタ電
流およびトランジスタ2のコレクタ電流は抵抗7
を通して負荷8に流れ込み、負荷8に電力を供給
する。そこで抵抗7の電圧降下がアイドリング電
流による値から増加し、ダイオード15はそのオ
ン電圧を維持することができなくなり、ダイオー
ド15はオフ状態となる。しかし抵抗6と7との
共通接続点の電位に対して抵抗5と6との共通接
続点の電位は+側に、トランジスタ4のコレクタ
の電位は−側に変化し、抵抗16および抵抗17
に流れる電流によりトランジスタ3のエミツタ電
位は上昇し、トランジスタ3はオン状態に維持さ
れ、トランジスタ4もオン状態に維持される。
Next, when a positive half-cycle input signal is applied, the input signal is applied to transistors 1 and 2.
The emitter current of transistor 1 and the collector current of transistor 2 are amplified by resistor 7.
Flows into the load 8 through the power supply and supplies power to the load 8. Therefore, the voltage drop across the resistor 7 increases from the value due to the idling current, and the diode 15 is no longer able to maintain its on voltage, and the diode 15 becomes off. However, with respect to the potential at the common connection point between resistors 6 and 7, the potential at the common connection point between resistors 5 and 6 changes to the + side, the potential at the collector of transistor 4 changes to the - side, and the potential at the common connection point between resistors 16 and 17 changes to the + side.
The emitter potential of transistor 3 rises due to the current flowing through, transistor 3 is maintained in an on state, and transistor 4 is also maintained in an on state.

いまダイオード15がオフ状態となると抵抗
6,7,9,10,11,16および17は第2
図に示す如くブリツジ回路が構成される。抵抗
9,10および11に流れる電流は微少なために
抵抗9,10および11を無視すれば前記のブリ
ツジ回路は抵抗6,7,16および17からなる
ブリツジ回路となり、抵抗6,7,16および1
7の抵抗値をR6,R7,R16およびR17とすれば、
抵抗6,7,16および17の抵抗値の間に
R6・R16=R7・R17の関係が成立するように設定
したとき、上記のブリツジ回路は平衡し、抵抗6
と7に流れる電流が如何に増大しても抵抗6と7
との共通接続点とトランジスタ3のエミツタとの
間の電圧は無入力信号時における抵抗6と7との
共通接続点とトランジスタ3のエミツタとの間の
電圧と同一で変化は無くなる。従つてトランジス
タ3は無入力信号時のトランジスタ3のエミツタ
電流と同一のエミツタ電流を流した状態のオン状
態となる。
Now, when the diode 15 is turned off, the resistors 6, 7, 9, 10, 11, 16 and 17 are turned off.
A bridge circuit is constructed as shown in the figure. Since the current flowing through resistors 9, 10, and 11 is small, if resistors 9, 10, and 11 are ignored, the bridge circuit described above becomes a bridge circuit consisting of resistors 6, 7, 16, and 17; 1
If the resistance values of 7 are R 6 , R 7 , R 16 and R 17 ,
Between the resistance values of resistors 6, 7, 16 and 17
When set so that the relationship R 6・R 16 = R 7・R 17 is established, the above bridge circuit is balanced and the resistance 6
No matter how much the current flowing through resistors 6 and 7 increases,
The voltage between the common connection point of the resistors 6 and 7 and the emitter of the transistor 3 is the same as the voltage between the common connection point of the resistors 6 and 7 and the emitter of the transistor 3 when no signal is input, and there is no change. Therefore, the transistor 3 is in an on state in which the same emitter current as the emitter current of the transistor 3 when no input signal is applied flows through the transistor 3.

また、抵抗6,7,16および17の抵抗値の
間にR6・R16=R7・R17の関係が成立しないとき
においても前記の如くトランジスタ3はオン状態
が維持されるが、この場合のトランジスタ3のエ
ミツタ電流は無入力信号時のトランジスタ3のエ
ミツタ電流とは異なつたエミツタ電流の値でオン
状態となる。
Further, even when the relationship R 6 · R 16 = R 7 · R 17 does not hold between the resistance values of the resistors 6, 7, 16, and 17, the transistor 3 is maintained in the on state as described above. In this case, the emitter current of the transistor 3 is turned on at a value different from the emitter current of the transistor 3 when no input signal is applied.

また負の半サイクルの入力信号が印加されてい
るときの動作も上記の場合と同様であり、トラン
ジスタ1および2はオン状態に維持される。その
詳細な説明は上記の場合と同様のために省略する
が、この場合、入力信号はトランジスタ3および
4により増幅され、負荷8はトランジスタ3およ
び4から電力が供給される。また抵抗9,10,
13および14(抵抗5,6および7は流れる電
流が微少なために省略する。)でブリツジ回路が
構成され、その平衡条件は抵抗9,10,13お
よび14の抵抗値をR9,R10,R13およびR14とす
れば、R9・R14=R10・R13である。
The operation when a negative half-cycle input signal is applied is also similar to the above case, and transistors 1 and 2 are maintained in the on state. A detailed explanation thereof will be omitted since it is similar to the above case, but in this case, the input signal is amplified by transistors 3 and 4, and power is supplied to load 8 from transistors 3 and 4. Also, resistors 9, 10,
13 and 14 (resistors 5, 6, and 7 are omitted because the current flowing therein is small) constitute a bridge circuit, and the equilibrium condition is to set the resistance values of resistors 9, 10, 13, and 14 to R 9 , R 10 , R 13 and R 14 , R 9 · R 14 = R 10 · R 13 .

つぎに無入力信号時には抵抗5,6,7,9,
10,13および14からなるブリツジ回路およ
び抵抗6,7,9,10,11,16および17
からなるブリツジ回路において、抵抗5および1
1の抵抗値R5,R11とすれば、 R14・(R5+R6)=R13・(R7+R9+R10)、 R17・(R10+R11)=R16・(R6+R7+R9) の関係が成立するように各抵抗値を設定したと
き、抵抗13,14,16および17によるバイ
アス電流はトランジスタ2および4のアイドリン
グ電流に影響されることは無くなり、バイアスの
安定性が向上する。
Next, when there is no input signal, resistors 5, 6, 7, 9,
Bridge circuit consisting of 10, 13 and 14 and resistors 6, 7, 9, 10, 11, 16 and 17
In the bridge circuit consisting of resistors 5 and 1
If the resistance values R 5 and R 11 of 6 +R 7 +R 9 ) When each resistance value is set so that the relationship of Improved stability.

以上説明した如く本考案によれば入力信号の極
性にかかわらず、また負荷インピーダンスの大
小、出力電力の大小にかかわらず総てのトランジ
スタはスイツチングすることはなく常にオン状態
でスイツチング歪が発生することはない。
As explained above, according to the present invention, regardless of the polarity of the input signal, the magnitude of load impedance, and the magnitude of output power, all transistors do not switch and are always on, causing switching distortion. There isn't.

また各トランジスタのアイドリング電流を無視
すれば入力信号の極性により増幅作用を行い、負
荷に電力を供給するトランジスタは入れ替り、そ
の電力効率もB級増幅動作の場合とほぼ同一であ
る。
Moreover, if the idling current of each transistor is ignored, the amplification effect is performed depending on the polarity of the input signal, the transistors that supply power to the load are replaced, and the power efficiency is almost the same as in the case of class B amplification operation.

またさらにバイアスの安定性が良い効果もあ
る。
Furthermore, there is also the effect of improving bias stability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の一実施例の回路図。第2図は
本考案の一実施例の作用の説明に供する図。 1,2,3および4……トランジスタ、8……
負荷、12および15……ダイオード、18……
バイアス回路。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of an embodiment of the present invention. 1, 2, 3 and 4...transistor, 8...
Load, 12 and 15... Diode, 18...
bias circuit.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 第1のトランジスタのエミツタと第2のトラン
ジスタのコレクタとの間に第1のダイオード、第
1の抵抗および第2の抵抗を直列接続した回路を
接続して第1のトランジスタと第2のトランジス
タとをインバーテツドダーリントン接続し、第1
のダイオードと第1の抵抗との共通接続点を第3
の抵抗を通して負荷に接続し、第3のトランジス
タのエミツタと第4のトランジスタのコレクタと
の間に第2のダイオード、第4の抵抗および第5
の抵抗を直列接続した回路を接続して第3のトラ
ンジスタと第4のトランジスタとをインバーテツ
ドダーリントン接続し、第2のダイオードと第4
の抵抗との共通接続点を第6の抵抗を通して負荷
に接続し、第1のおよび第3のトランジスタのベ
ース間に一定電圧のバイアス電圧を印加してシン
グルエンデツドプツシユプル電力増幅回路を構成
し、さらに第1のトランジスタのエミツタと第2
のトランジスタのコレクタとの間に第7の抵抗
を、第4の抵抗と第5の抵抗との共通接続点と、
第1のトランジスタのエミツタとの間に第8の抵
抗を接続し、第3のトランジスタのエミツタと第
4のトランジスタのコレクタとの間に第9の抵抗
を、第1の抵抗と第2の抵抗との共通接続点と、
第3のトランジスタのエミツタとの間に第10の抵
抗を接続してなることを特徴とする電力増幅回
路。
A circuit in which a first diode, a first resistor, and a second resistor are connected in series is connected between the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor. Connect the inverted Darlington and connect the first
The common connection point between the diode and the first resistor is connected to the third
A second diode, a fourth resistor and a fifth transistor are connected between the emitter of the third transistor and the collector of the fourth transistor.
The third transistor and the fourth transistor are connected in an inverted Darlington connection by connecting a circuit in which resistors of
A common connection point with the resistor is connected to the load through the sixth resistor, and a constant bias voltage is applied between the bases of the first and third transistors to form a single-ended push-pull power amplifier circuit. Furthermore, the emitter of the first transistor and the second
a seventh resistor between the collector of the transistor; a common connection point between the fourth resistor and the fifth resistor;
An eighth resistor is connected between the emitter of the first transistor, a ninth resistor is connected between the emitter of the third transistor and the collector of the fourth transistor, and an eighth resistor is connected between the emitter of the third transistor and the collector of the fourth transistor. A common connection point with
A power amplifier circuit characterized in that a tenth resistor is connected between the emitter of the third transistor.
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JPS566116U JPS566116U (en) 1981-01-20
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