JPS6050083B2 - power amplifier circuit - Google Patents

power amplifier circuit

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JPS6050083B2
JPS6050083B2 JP7642379A JP7642379A JPS6050083B2 JP S6050083 B2 JPS6050083 B2 JP S6050083B2 JP 7642379 A JP7642379 A JP 7642379A JP 7642379 A JP7642379 A JP 7642379A JP S6050083 B2 JPS6050083 B2 JP S6050083B2
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JP
Japan
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transistor
resistor
diode
emitter
transistors
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JP7642379A
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JPS56727A (en
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和正 太田尾
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Torio KK
Original Assignee
Torio KK
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3217Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in single ended push-pull amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3066Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the collectors of complementary power transistors being connected to the output

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  • Power Engineering (AREA)
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  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はB級動作の場合とほぼ同様の電力効率で作動
し、かつスイッチング歪の発生しない電力増幅回路に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a power amplifier circuit that operates with almost the same power efficiency as in class B operation and does not generate switching distortion.

従来、オーディオ用の電力増幅回路にはシングルエン
デツドプツシユプル(以1ゝEPPと略記する。
Conventionally, power amplifier circuits for audio use single-ended push-pull (hereinafter abbreviated as EPP).

)回路が多用され、特に電力効率の良好なために所定の
アイドリング電流を流す様にはするがB級動作をするよ
うにバイアスしたB級SEPP電力増幅回路が採用され
ている。 しかるにB級SEPP電力増幅回路は、入力
信号の正の半サイクルの期間と、入力信号の負の半サイ
クルの期間とにおいて、アイドリング電流を無視すれば
、それぞれ負荷に電力を供給するトランジスタは異なり
、入力信号の正の半サイクルの期間と負の半サイクルの
期間との切替りに応じてトランジスタのスイッチングが
行われ、トランジスタのキャリヤ蓄積効果などに寄因し
てスイッチング歪が発生する欠点があた。
) circuits are often used, and in particular, a class B SEPP power amplifier circuit that allows a predetermined idling current to flow but is biased to perform class B operation is employed because of its good power efficiency. However, in a class B SEPP power amplifier circuit, if the idling current is ignored during the positive half-cycle period of the input signal and during the negative half-cycle period of the input signal, the transistors that supply power to the load are different, The transistor is switched according to the switching between the positive half-cycle period and the negative half-cycle period of the input signal, and there is a drawback that switching distortion occurs due to the carrier accumulation effect of the transistor. .

本発明は上記にかんがみなされたもので、上記の欠点
を解消してB級動作の場合とほぼ同様の電力効率で動作
し、入力信号の正、負の半サイクルの期間の切替りに応
じてトランジスタのスイッチングをさせない様にすると
ともに、低インピーダンス負荷に対しても大出力電力時
まで総てのトランジスタをオン状態に維持してスイッチ
ング歪の発生しない電力増幅回路を提供することを目的
とするものであつて、以下本発明を実施例により説明す
る。
The present invention has been made in view of the above, and eliminates the above-mentioned drawbacks, operates with almost the same power efficiency as class B operation, and operates in accordance with switching between the positive and negative half-cycle periods of the input signal. The purpose of the present invention is to provide a power amplifier circuit that prevents switching of transistors and maintains all transistors in the on state even when a low impedance load is applied until high output power is generated, thereby causing no switching distortion. The present invention will be explained below with reference to Examples.

第1図は本発明の一実施例の回路図てある。 FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention.

本発明の一実施例の電力増幅回路は、トランジスタ1の
エミッタとトランジスタ2のコレクタとの間に、タイオ
ート3と抵抗4との並列回路に抵抗5を直列接続した第
1の回路を接続してトランジス夕1と2とをインバーテ
ツドダーリントン接続し、ダイオード3と抵抗5との共
通接続点Cを抵抗6を通して負荷7に接続し、同様にト
ランジスタ8のエミッタとトランジスタ9のコレクタと
の間に、ダイオード10と抵抗11との並列回路に抵抗
12を直列接続した第2の回路を接続してトランジスタ
8と9とをインバーテツドダーリントン接続し、ダイオ
ード10と抵抗12との共通接続点Bを抵抗13を通し
て負荷7に接続してSEPP電力増幅回路を構成する。
このSEPP電力増幅回路にさらにトランジスタ1のエ
ミッタとトランジスタ9のコレクタ点Dとの間にダイオ
ード14と抵抗15との直列回路を、またトランジスタ
2のコレクタとトランジスタ8のエミッタとの間にダイ
オード16と抵抗17との直列回路を接続する。なお+
Bおよび−Bは正および負の電源端子であり、19はト
ランジスタ2と9のベース間に接続し、トランジスタ2
と9のベースにバイアス電流を流す定電流回路である。
A power amplifier circuit according to an embodiment of the present invention has a first circuit in which a resistor 5 is connected in series with a parallel circuit of a tie-out 3 and a resistor 4 between the emitter of the transistor 1 and the collector of the transistor 2. Transistors 1 and 2 are connected in an inverted Darlington connection, and a common connection point C between diode 3 and resistor 5 is connected to load 7 through resistor 6, and similarly between the emitter of transistor 8 and the collector of transistor 9. , a second circuit in which a resistor 12 is connected in series to a parallel circuit of a diode 10 and a resistor 11 is connected, and transistors 8 and 9 are connected in an inverted Darlington manner, and a common connection point B between the diode 10 and the resistor 12 is connected. is connected to the load 7 through the resistor 13 to form a SEPP power amplification circuit.
This SEPP power amplifier circuit further includes a series circuit of a diode 14 and a resistor 15 between the emitter of transistor 1 and the collector point D of transistor 9, and a series circuit of a diode 16 and a resistor 15 between the collector of transistor 2 and the emitter of transistor 8. A series circuit with resistor 17 is connected. In addition +
B and -B are positive and negative power supply terminals, 19 is connected between the bases of transistors 2 and 9, and transistor 2
This is a constant current circuit that flows a bias current to the bases of 9 and 9.

またバイアス回路18はトランジスタ1および8のベー
ス間に一定のバイアス電圧を与え、無人力信号時、所定
のアイドリング電流を流し、トランジスタ1,2,8お
よび9をオン状態とし、かつ電力増幅回路がB級動作を
するように設定してある。なお定電流回路19はトラン
ジスタ1および8のアイドリング電流の小さく設定した
場合においてもトランジスタ2および9をオン状態にす
るためのものである。いま上記の電力増幅回路に負の半
サイクルの入力信号を印加したとき、トランジスタ8お
よび9のコレクタ電流は増加し負荷7に電力を供給する
。入力信号の増大に従つてトランジスタ8および9のコ
レクタ電流は増大し、トランジスタ8のエミッタ電流は
抵抗13およびダイオード10を通つて、トランジスタ
9のコレクタ電流は抵抗13および12を通つて負荷7
に流入する。このときトランジスタ8のエミッタ電流の
増大にかかわらず、トランジスタ8のベース・エミッタ
間電圧■BOおよびダイオード10の両端の電圧は殆ん
ど変化しない。そこでトランジスタ8のベース点A,に
対する点Bの電位は変化しない。また、トランジスタ9
のコレクタ電流により、点Bを中心として点Cと点Dと
の電位はそれぞれ(+)側と(−)側に変化する。
In addition, the bias circuit 18 applies a constant bias voltage between the bases of the transistors 1 and 8, and when an unmanned power signal is issued, a predetermined idling current is caused to flow, transistors 1, 2, 8, and 9 are turned on, and the power amplifier circuit is turned on. It is set to perform class B operation. Note that the constant current circuit 19 is for turning on the transistors 2 and 9 even when the idling current of the transistors 1 and 8 is set to be small. Now, when a negative half-cycle input signal is applied to the power amplifier circuit described above, the collector currents of transistors 8 and 9 increase to supply power to load 7. As the input signal increases, the collector currents of transistors 8 and 9 increase, the emitter current of transistor 8 passes through resistor 13 and diode 10, and the collector current of transistor 9 passes through resistors 13 and 12 to load 7.
flows into. At this time, regardless of the increase in the emitter current of the transistor 8, the base-emitter voltage BO of the transistor 8 and the voltage across the diode 10 hardly change. Therefore, the potential of the point B with respect to the base point A of the transistor 8 does not change. Also, transistor 9
Due to the collector current, the potentials at points C and D centering on point B change to the (+) side and the (-) side, respectively.

そこで点Cとトランジスタ1のエミッタ点Eとの間の電
圧がダイオード3をオン状態に維持するための電圧0.
6■を維持できなくなり、ダイオード3はカットオフ状
態となる。入力信号が増大してダイオード3がカットオ
フ状態となつても、このときにおいて仮りにダイオード
14および抵抗15を無視すればトランジスタ1のエミ
ッタ点Eの電位は上昇しトランジスタ1をオフ方向にす
るが、ダイオード14と抵抗15の存在により、抵抗1
5を通して流れる電流が増加し、トランジスタ1のエミ
ッタの電位を下げ、トランジスタ1はオン状態に維持さ
れる。
Therefore, the voltage between the point C and the emitter point E of the transistor 1 is 0.0 to keep the diode 3 in the on state.
6■ can no longer be maintained, and the diode 3 enters the cut-off state. Even if the input signal increases and the diode 3 goes into the cutoff state, if the diode 14 and the resistor 15 are ignored at this time, the potential at the emitter point E of the transistor 1 will rise and turn the transistor 1 off. , due to the presence of the diode 14 and the resistor 15, the resistor 1
The current flowing through 5 increases and lowers the potential at the emitter of transistor 1, keeping transistor 1 on.

いま、ダイオード3がカットオフ状態となつたとき、抵
抗4,6,12,13および15は第2図に示す如くブ
リツヂ回路を構成する。抵抗6を流れる電流値は極めて
小さいために抵抗6を無視すればこのブリツヂ回路は抵
抗4,12,13および15からなることになる。いま
抵抗4,5,6,11,12,13,15および17の
抵抗値をR4,R5,R6,Rll,Rl2,Rl39
Rl5およびRl7とし、抵抗値R49Rl。
Now, when diode 3 is in the cut-off state, resistors 4, 6, 12, 13 and 15 form a bridge circuit as shown in FIG. Since the value of the current flowing through resistor 6 is extremely small, if resistor 6 is ignored, this bridge circuit will consist of resistors 4, 12, 13 and 15. Now the resistance values of resistors 4, 5, 6, 11, 12, 13, 15 and 17 are R4, R5, R6, Rll, Rl2, Rl39
Rl5 and Rl7, and the resistance value is R49Rl.

9Rl39Rl5の間においてR4lRl2、Rl3R
Rl5に設定すれば前記ブリツヂ回路は平衡し、抵抗1
2および13に流れる電流が如何に増大しても点Bと点
Eとの間の電圧は無人力信号時における点Bと点Eとの
間の電圧と同一で変化はなくなる。
Between 9Rl39Rl5, R4lRl2, Rl3R
If set to Rl5, the bridge circuit will be balanced and the resistor 1
No matter how much the currents flowing through 2 and 13 increase, the voltage between points B and E remains the same as the voltage between points B and E at the time of the unmanned power signal and will not change.

従つてトランジスタ1はオフ状態となることはなく無信
号状態のときのトランジスタ1のエミッタ電流と同一の
エミッタ電流を流した状態のオン状態となる。また抵抗
4,12,13および15の間に前記のR4・Rl。=
Rl3・Rl5の関係が無い場合においても前記の如く
トランジスタ1のエミッタ電位は下つてトランジスタ1
はオン状態となるが、この場合のトランジスタ1のエミ
ッタ電流は無人力信号時のトランジスタ1のエミッタ電
流と異なつた値の状態でオン状態となることになる。ま
たトランジスタ2もオン状態である。また正の半サイク
ルの入力信号が印加された場合の動作も上記と同様であ
つて発明の詳細な説明は省略するが、この場合、負荷7
はトランジスタ1および2から電力が供給され、前記の
平衡条件はR5びRll:R6供Rl7であるOなお無
人力信号時のトランジスタ1および8のアイドリング電
流を大きく設定すれば定電流回路19および抵抗20お
よび21は省略しても差支えない。
Therefore, the transistor 1 is not turned off, but is turned on with the same emitter current flowing through the transistor 1 as the emitter current of the transistor 1 when there is no signal. Further, the above-mentioned R4 and Rl are connected between the resistors 4, 12, 13 and 15. =
Even when there is no relationship between Rl3 and Rl5, the emitter potential of transistor 1 decreases as described above, and transistor 1
However, in this case, the emitter current of the transistor 1 is turned on with a value different from the emitter current of the transistor 1 at the time of the unmanned power signal. Further, transistor 2 is also in an on state. Further, the operation when a positive half-cycle input signal is applied is the same as that described above, and a detailed explanation of the invention will be omitted, but in this case, the load 7
is supplied with power from transistors 1 and 2, and the above equilibrium condition is R5 and Rll: R6 and Rl7. Note that if the idling current of transistors 1 and 8 is set large during the unattended signal, the constant current circuit 19 and the resistor 20 and 21 may be omitted.

またダイオード14および16は無人力信号時に抵抗1
5,17に流れる電流値を小さくするために接続したも
ので省略しても差支えない。
In addition, the diodes 14 and 16 are connected to the resistor 1 at the time of unmanned power signal.
5 and 17, and may be omitted.

さらにダイオード3と抵抗4との並列回路の接続点を点
Cに代つて抵抗4のみをトランジスタ2のコレクタに、
ダイオード10と抵抗11との並列回路の接続点を点B
に代つて抵抗11のみをトランジスタ9のコレクタに接
続しても前記と同様の作用をする。以上説明した如く本
発明によれば、入力信号の極性にかかわらず、また負荷
のインピーダンスの大小、および出力電力の大小にかか
わらず、総てのトランジスタはスイッチングすることは
なく、スイッチング歪が発生することはない。
Furthermore, the connection point of the parallel circuit of diode 3 and resistor 4 is replaced by point C, and only resistor 4 is connected to the collector of transistor 2.
Point B is the connection point of the parallel circuit of diode 10 and resistor 11.
Even if only the resistor 11 is connected to the collector of the transistor 9 instead, the same effect as described above is obtained. As explained above, according to the present invention, regardless of the polarity of the input signal, the magnitude of load impedance, and the magnitude of output power, all transistors do not switch, and switching distortion occurs. Never.

また各トランジスタのアイドリング電流を無視すれば入
力信号の極性により負荷に電力を供給するトランジスタ
は入れ替り、その電力効率もB級増幅動作の場合とほぼ
同一である。
Furthermore, if the idling current of each transistor is ignored, the transistors that supply power to the load are switched depending on the polarity of the input signal, and the power efficiency is almost the same as in the case of class B amplification operation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の回路図。 第2図は本発明の一実施例の作用の説明に供する図。1
,2,8および9・・・・・・トランジスタ、3,】0
,14および16・・・・・・ダイオード、18・・・
・・・バイアス回路。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of an embodiment of the present invention. 1
, 2, 8 and 9...transistor, 3, ]0
, 14 and 16...diode, 18...
...Bias circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1のトランジスタのコレクタを第1のおよび第2
の抵抗の直列回路を通して負荷に接続し、第2のトラン
ジスタのエミッタと第1および第2の抵抗の共通接続点
との間に第1のダイオードを接続し、第1のダイオード
に並列にもしくは第2のトランジスタのエミッタと第1
のトランジスタのコレクタとの間に第3の抵抗を接続し
て第1のおよび第2のトランジスタをインバーテッドダ
ーリントン接続し、第3のトランジスタのコレクタを第
4のおよび第5の抵抗の直列回路を通して負荷に接続し
、第4のトランジスタのエミッタと第4のおよび第5の
抵抗の共通接続点との間に第2のダイオードを接続し、
第2のダイオードに並列にもしくは第4のトランジスタ
のエミッタと第3のトランジスタのコレクタとの間に第
6の抵抗を接続して第3のおよび第4のトランジスタを
インバーテッドダーリントン接続し、第2および第4の
トランジスタのベース間に一定電圧のバイアス電圧を印
加してシングルエンデツドプツシユプル電力増幅回路を
構成し、第2のトランジスタのエミッタを第7の抵抗を
通して第3のトランジスタのコレクタに接続し、第4の
トランジスタのエミッタを第8の抵抗を通して第1のト
ランジスタのコレクタに接続してなることを特徴とする
電力増幅回路。
1 Connect the collector of the first transistor to the first and second transistors.
A first diode is connected between the emitter of the second transistor and a common connection point of the first and second resistors, and a first diode is connected in parallel to the first diode or a first diode is connected to the load through a series circuit of resistors. the emitter of the second transistor and the first
A third resistor is connected between the collectors of the transistors to form an inverted Darlington connection between the first and second transistors, and the collectors of the third transistors are connected through a series circuit of fourth and fifth resistors. a second diode connected to the load and between the emitter of the fourth transistor and a common connection point of the fourth and fifth resistors;
A sixth resistor is connected in parallel to the second diode or between the emitter of the fourth transistor and the collector of the third transistor to form an inverted Darlington connection between the third and fourth transistors; and a constant bias voltage is applied between the bases of the fourth transistor to form a single-ended push-pull power amplifier circuit, and the emitter of the second transistor is connected to the collector of the third transistor through the seventh resistor. and the emitter of a fourth transistor is connected to the collector of the first transistor through an eighth resistor.
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