JPS6223133Y2 - - Google Patents

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JPS6223133Y2
JPS6223133Y2 JP2067280U JP2067280U JPS6223133Y2 JP S6223133 Y2 JPS6223133 Y2 JP S6223133Y2 JP 2067280 U JP2067280 U JP 2067280U JP 2067280 U JP2067280 U JP 2067280U JP S6223133 Y2 JPS6223133 Y2 JP S6223133Y2
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transistor
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【考案の詳細な説明】 本考案はB級増幅動作とほぼ同様の電力効率で
増幅動作をし、かつスイツチング歪の発生しない
電力増幅回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a power amplifier circuit that performs an amplification operation with power efficiency substantially similar to that of a class B amplification operation and does not generate switching distortion.

従来、たとえば第1図に示す如く正および負電
源+Bおよび−Bとの間に、トランジスタ1とエ
ミツタ抵抗3と、トランジスタ2とエミツタ抵抗
4とを直列に接続し、エミツタ抵抗3と4との共
通接続点すなわち出力端Aに一端を接地した負荷
5を接続して構成したシングルエンデツドプツシ
ユプル(以下単にSEPPと略記する)電力増幅回
路において、出力端Aとトランジスタ1のベース
およびトランジスタ2のベースとの間の電圧を入
力とし、それぞれ抵抗3および4に流れる電流の
変化を検出する増幅率1の増幅器6および7を各
別に設け、正半サイクルの入力信号の変化に応じ
て増幅器6の出力でトランジスタ1のバイアス電
圧を、負半サイクルの入力信号の変化に応じて増
幅器7の出力でトランジスタ2のバイアス電圧を
変化させて、常にトランジスタ1および2をオン
状態に維持してスイツチング歪を発生させないよ
うにした電力増幅回路がある。
Conventionally, for example, as shown in FIG. 1, a transistor 1 and an emitter resistor 3, and a transistor 2 and an emitter resistor 4 are connected in series between positive and negative power supplies +B and -B, and the emitter resistors 3 and 4 are connected in series. In a single-ended push-pull (hereinafter simply abbreviated as SEPP) power amplifier circuit configured by connecting a load 5 with one end grounded to the common connection point, that is, the output terminal A, the output terminal A, the base of the transistor 1, and the base of the transistor 2 are connected. Amplifiers 6 and 7 each having an amplification factor of 1 are provided for inputting the voltage between the base of The bias voltage of transistor 1 is changed by the output of , and the bias voltage of transistor 2 is changed by the output of amplifier 7 according to the change in the input signal in the negative half cycle, and transistors 1 and 2 are always kept in the on state to avoid switching distortion. There is a power amplification circuit designed to prevent this from occurring.

しかるに上記の従来の電力増幅回路においては
増幅器6および7の増幅率を+1として出力端A
の電位とトランジスタのベースの電位との間の電
圧変化を、トランジスタのベース側に正帰還して
いるので、バイアスの安定度が良くない欠点があ
つた。
However, in the conventional power amplifier circuit described above, the amplification factors of amplifiers 6 and 7 are set to +1, and the output terminal A
Since the voltage change between the potential of the transistor and the potential of the base of the transistor is positively fed back to the base of the transistor, the bias stability is not good.

本考案は上記の欠点にかんがみなされたもの
で、上記の欠点を解消した電力増幅回路を提供す
ることを目的とするものである。
The present invention has been made in consideration of the above-mentioned drawbacks, and it is an object of the present invention to provide a power amplifier circuit that eliminates the above-mentioned drawbacks.

以下、本考案を実施例により説明する。 The present invention will be explained below with reference to examples.

第2図は本考案の一実施例の電力増幅回路の回
路図である。本実施例の電力増幅回路は次の如く
構成されている。
FIG. 2 is a circuit diagram of a power amplifier circuit according to an embodiment of the present invention. The power amplifier circuit of this embodiment is configured as follows.

トランジスタ1および2、エミツタ抵抗3およ
び4、負荷5とからなるSEPP電力増幅回路にお
いて、トランジスタ1のエミツタとトランジスタ
2のエミツタとの間に抵抗8と9との直列回路を
接続し、抵抗8と9との共通接続点Bにおいてト
ランジスタ1のエミツタとトランジスタ2のエミ
ツタとの間の電位差を分圧して第1の電圧を得
る。一方、A1は帰還抵抗14,20と演算増幅
器10とからなる非反転増幅器であり、A2は帰
還抵抗15,21と演算増幅器11とからなる非
反転増幅器である。非反転増幅器A1の非反転入
力端子には入力断用のダイオード16を通して前
記第1の電圧を、非反転増幅器A1の反転入力端
子にはダイオード12と抵抗14とを通して出力
端Aの電圧を印加して、出力端Aの電圧が前記第
1の電圧以下のとき非反転増幅器A1が働く様に
構成する。また非反転増幅器A1の出力電圧はト
ランジスタ1のベースに接続した定電圧回路から
なるバイアス回路18の電圧に重畳するようにバ
イアス回路18に直列に印加する。また同様に、
非反転増幅器A2の非反転入力端子には入力遮断
用のダイオード17を通して前記第1の電圧を、
非反転増幅器A2の反転入力端子にはダイオード
13と抵抗15を通して出力端Aの電圧を印加し
て、出力端Aの電圧が前記第1の電圧以上のとき
非反転増幅器A2が働く様に構成する。また非反
転増幅器A2の出力電圧はトランジスタ2のベー
スに接続した定電圧回路からなるバイアス回路1
9の電圧に重畳するようにバイアス回路19に直
列に印加する。
In an SEPP power amplifier circuit consisting of transistors 1 and 2, emitter resistors 3 and 4, and a load 5, a series circuit of resistors 8 and 9 is connected between the emitters of transistor 1 and the emitter of transistor 2, and A first voltage is obtained by dividing the potential difference between the emitter of transistor 1 and the emitter of transistor 2 at a common connection point B with transistor 9. On the other hand, A 1 is a non-inverting amplifier consisting of feedback resistors 14 and 20 and an operational amplifier 10, and A 2 is a non-inverting amplifier consisting of feedback resistors 15 and 21 and an operational amplifier 11. The first voltage is applied to the non-inverting input terminal of the non-inverting amplifier A 1 through an input cutoff diode 16, and the voltage at the output terminal A is applied to the inverting input terminal of the non-inverting amplifier A 1 through a diode 12 and a resistor 14. The configuration is such that the non-inverting amplifier A1 operates when the voltage at the output terminal A is equal to or lower than the first voltage. Further, the output voltage of the non-inverting amplifier A1 is applied in series to the bias circuit 18 so as to be superimposed on the voltage of the bias circuit 18, which is a constant voltage circuit connected to the base of the transistor 1. Similarly,
The first voltage is applied to the non-inverting input terminal of the non-inverting amplifier A2 through an input cutoff diode 17.
The voltage at the output terminal A is applied to the inverting input terminal of the non-inverting amplifier A2 through the diode 13 and the resistor 15, so that the non-inverting amplifier A2 operates when the voltage at the output terminal A is higher than the first voltage. Configure. In addition, the output voltage of the non-inverting amplifier A 2 is determined by the bias circuit 1 consisting of a constant voltage circuit connected to the base of the transistor 2.
It is applied in series to the bias circuit 19 so as to be superimposed on the voltage of 9.

なお、ダイオード12および13は入力遮断用
のダイオード16および17の順方向電圧降下を
補償するために接続したもので、常に順方向に電
流を流すようにバイアスしてある。
Note that the diodes 12 and 13 are connected to compensate for the forward voltage drop of the input cutoff diodes 16 and 17, and are biased so that current always flows in the forward direction.

いまエミツタ抵抗3と4との抵抗値R3とR4
は等しく、また抵抗8と9との抵抗値R8とR9
は等しく選択してある。
The resistance values R 3 and R 4 of the emitter resistors 3 and 4 are selected to be equal, and the resistance values R 8 and R 9 of the resistors 8 and 9 are selected to be equal.

上記の如く構成した実施例の電力増幅回路にお
いて、無入力信号時にはバイアス回路18および
19の電圧によりトランジスタ1および2はオン
状態となり、トランジスタ1および2には所定の
アイドリング電流が流れる。この場合、出力端A
の電圧と前記第1の電圧との間に電位差はなく、
非反転増幅器A1およびA2の入力は零である。
In the power amplifier circuit of the embodiment configured as described above, when there is no input signal, transistors 1 and 2 are turned on by the voltages of bias circuits 18 and 19, and a predetermined idling current flows through transistors 1 and 2. In this case, output end A
There is no potential difference between the voltage of and the first voltage,
The inputs of non-inverting amplifiers A 1 and A 2 are zero.

ついで本実施例の電力増幅回路に正の半サイク
ルの入力信号が印加されているときは、トランジ
スタ1のエミツタ電流は前記アイドリング電流に
前記入力信号を増幅した電流が加わつた電流とな
り、この増加したトランジスタ1のエミツタ電流
は負荷5に流れ込み、負荷5に入力信号を増幅し
た電力を発生する。
Next, when a positive half-cycle input signal is applied to the power amplifier circuit of this embodiment, the emitter current of transistor 1 becomes a current obtained by adding the current that amplified the input signal to the idling current, and this increased The emitter current of the transistor 1 flows into the load 5, and generates power in the load 5 by amplifying the input signal.

いまエミツタ抵抗3の抵抗値をR3、エミツタ
抵抗3に流れるトランジスタ1のエミツタ電流の
増加分をI3とすれば、エミツタ抵抗3の電圧降下
の増加分はR3・I3となる。したがつて出力端Aか
ら見た前記第1の電圧はアイドリング電流を無視
すればエミツタ抵抗3の電圧降下R3・I3を抵抗
8、抵抗9、抵抗4で分圧した電圧となる。ここ
で抵抗8と抵抗9は抵抗値が等しく、また抵抗4
の抵抗値は通常小さい値であるから、出力端Aか
ら見た前記第1の電圧はI・R/2となる。そこで
負 荷5の抵抗値をRLとすれば、出力端Aの電圧は
I3・RL、前記第1の電圧はアイドリング電流を
無視すればI3・RL+I・R/2となる。従つて出
力端 Aの電圧は前記第1の電圧より低く、非反転増幅
器A1の入力はI・R/2となる。それはエミツタ抵
抗 3の電圧降下の増加分の1/2である。従つて非反
転増幅器A1の出力電圧は抵抗14および20の
抵抗値R14およびR20をR14=R20とするとI3・R3
なる。そこでバイアス回路18の電圧にI3・R3
電圧が加えられる。
Now, if the resistance value of the emitter resistor 3 is R3 , and the increase in the emitter current of the transistor 1 flowing through the emitter resistor 3 is I3 , then the increase in the voltage drop across the emitter resistor 3 is R3 · I3 . Therefore, the first voltage seen from the output terminal A becomes the voltage obtained by dividing the voltage drop R 3 ·I 3 of the emitter resistor 3 by the resistors 8, 9, and 4, if the idling current is ignored. Here, resistor 8 and resistor 9 have the same resistance value, and resistor 4
Since the resistance value of is normally a small value, the first voltage seen from the output terminal A becomes I 3 ·R 3 /2. Therefore, if the resistance value of load 5 is R L , the voltage at output terminal A is
I 3 ·R L , and the first voltage becomes I 3 ·R L +I 3 ·R 3 /2 if the idling current is ignored. Therefore, the voltage at the output terminal A is lower than the first voltage, and the input of the non-inverting amplifier A 1 becomes I 3 ·R 3 /2. It is 1/2 of the increase in voltage drop across the emitter resistor 3. Therefore, the output voltage of the non-inverting amplifier A 1 becomes I 3 ·R 3 when the resistance values R 14 and R 20 of the resistors 14 and 20 are set as R 14 =R 20 . Therefore, the voltage of I 3 ·R 3 is added to the voltage of the bias circuit 18.

一方、このとき非反転増幅器A2の非反転入力
端子への入力は入力遮断用のダイオード17によ
り遮断されているためA2の出力には無信号時と
同じ出力が出され、バイアス回路19の電圧が加
えられトランジスタ2のバイアスは無信号時と同
様になる。従つてエミツタ抵抗3の電圧降下の増
加分は補償されてトランジスタ1および2はオフ
状態となることはなく常にオン状態で動作する。
この場合のトランジスタ2のアイドリング電流値
は無入力信号時の場合とほぼ等しい。
On the other hand, at this time, the input to the non-inverting input terminal of the non-inverting amplifier A 2 is cut off by the input cut-off diode 17, so the output of A 2 is the same as when there is no signal, and the bias circuit 19 A voltage is applied and the bias of transistor 2 becomes the same as when there is no signal. Therefore, the increase in the voltage drop across the emitter resistor 3 is compensated for, and the transistors 1 and 2 are never turned off but always operate in the on state.
The idling current value of the transistor 2 in this case is approximately equal to that in the case of no input signal.

また非反転増幅器A1およびA2の利得が2を越
える場合は上記に説明した以上にトランジスタ1
および2のバイアス電圧が増加することになる。
Also, if the gains of non-inverting amplifiers A 1 and A 2 exceed 2, transistor 1
and 2 bias voltages will increase.

また、本実施例の電力増幅回路に負の半サイク
ルの入力信号が印加されているときの作用も上記
の場合と同様であるため、その詳細な説明は省略
する。
Further, since the operation when a negative half-cycle input signal is applied to the power amplifier circuit of this embodiment is the same as that in the above case, a detailed explanation thereof will be omitted.

なお、以上の実施例においては、第1の電圧を
抵抗8と9との直列回路でトランジスタ1と2の
エミツタ間の電圧を分圧して得た場合について説
明した。しかし前記第1の電圧はトランジスタ1
のベースとトランジスタ2のベース間の電圧を分
圧してもよく、この場合は入力信号によつて生ず
るトランジスタ1および2のベース・エミツタ間
の電圧の変化も含めて補償することができること
になり、より好結果を得ることができる。
In the above embodiments, a case has been described in which the first voltage is obtained by dividing the voltage between the emitters of transistors 1 and 2 using a series circuit of resistors 8 and 9. However, the first voltage is
The voltage between the base of transistor 2 and the base of transistor 2 may be divided, and in this case, it is possible to compensate for changes in the voltage between the base and emitter of transistors 1 and 2 caused by the input signal. You can get better results.

以上説明した如く本考案によれば、入力信号の
極性にかかわらず入力信号の全周期において総て
のトランジスタは常にオン状態で動作しスイツチ
ングすることはなく、スイツチング歪の発生する
ことはない。
As explained above, according to the present invention, all the transistors operate in an on state at all times during the entire cycle of the input signal regardless of the polarity of the input signal, and no switching occurs, so that switching distortion does not occur.

また負荷に電流を供給するトランジスタは入力
信号の極性に応じて切替り、アイドリング電流は
小さく設定することができるため、その電力効率
はB級増幅動作の場合とほぼ同様である。
Further, the transistor that supplies current to the load is switched according to the polarity of the input signal, and the idling current can be set to a small value, so the power efficiency is almost the same as in the case of class B amplification operation.

また、非反転増幅器は無入力信号時にはその入
力が平衝し、入力信号の印加中のみその出力をト
ランジスタの入力側に帰還するように構成したた
め、無入力信号時のバイアスの安定性は従来の電
力増幅回路の場合よりも向上する。
In addition, the non-inverting amplifier is configured so that its input is balanced when no input signal is applied, and its output is fed back to the input side of the transistor only when an input signal is applied, so the bias stability when no input signal is applied is lower than that of the conventional one. This is an improvement over the case of a power amplifier circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の電力増幅回路の回路図。第2図
は本考案の一実施例の電力増幅回路の回路図。 1および2……トランジスタ、3および4……
エミツタ抵抗、5……負荷、18および19……
バイアス回路、A1およびA2……非反転増幅器。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional power amplifier circuit. FIG. 2 is a circuit diagram of a power amplifier circuit according to an embodiment of the present invention. 1 and 2...transistor, 3 and 4...
Emitter resistance, 5...Load, 18 and 19...
Bias circuit, A 1 and A 2 ... non-inverting amplifier.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 第1の固定バイアス回路でバイアスされ、エミ
ツタが第1の抵抗を介して出力端に接続された第
1の出力トランジスタと、第2の固定バイアス回
路でバイアスされ、エミツタが第2の抵抗を介し
て出力端に接続された第2の出力トランジスタを
有するシングルエンデツドプツシユプル電力増幅
回路において、前記第1のおよび第2のトランジ
スタのエミツタ間の、もしくはベース間の電圧を
分圧する分圧手段と、前記分圧した第1の電圧が
第1、第2のダイオードを介して非反転入力端子
に、前記シングルエンデツドプツシユプル電力増
幅回路の出力端の電圧が常にオンにバイアスされ
た第3、第4のダイオードを介して反転入力端子
にそれぞれ印加され、かつ前記出力端の電圧が前
記第1の電圧以下のとき前記第1のダイオードが
オンすることにより作動する第1の非反転増幅器
および前記出力端の電圧が前記第1の電圧以上の
とき前記第2のダイオードがオンすることにより
作動する第2の非反転増幅器とを備え、前記第1
の非反転増幅器の出力電圧を第1の固定バイアス
回路の電圧に重畳して第1の出力トランジスタの
入力側に帰還し、前記第2の非反転増幅器の出力
電圧を第2の固定バイアス回路の電圧に重畳して
第2の出力トランジスタの入力側に帰還するよう
にしてなることを特徴とする電力増幅回路。
A first output transistor is biased by a first fixed bias circuit and has its emitter connected to the output terminal through a first resistor, and a first output transistor is biased by a second fixed bias circuit and has its emitter connected to the output terminal through a second resistor. In a single-ended push-pull power amplifier circuit having a second output transistor connected to an output terminal thereof, voltage dividing means divides the voltage between the emitters or bases of the first and second transistors. The divided first voltage is applied to the non-inverting input terminal via the first and second diodes, and the voltage at the output terminal of the single-ended push-pull power amplifier circuit is always biased on. 3. A first non-inverting amplifier that is applied to each inverting input terminal via a fourth diode and operates when the first diode is turned on when the voltage at the output terminal is equal to or lower than the first voltage. and a second non-inverting amplifier that operates by turning on the second diode when the voltage at the output terminal is equal to or higher than the first voltage.
The output voltage of the non-inverting amplifier is superimposed on the voltage of the first fixed bias circuit and fed back to the input side of the first output transistor, and the output voltage of the second non-inverting amplifier is superimposed on the voltage of the first fixed bias circuit. A power amplification circuit characterized in that the power amplification circuit is configured to be superimposed on a voltage and fed back to the input side of a second output transistor.
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