JPS5915124Y2 - power amplifier circuit - Google Patents

power amplifier circuit

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JPS5915124Y2
JPS5915124Y2 JP4328677U JP4328677U JPS5915124Y2 JP S5915124 Y2 JPS5915124 Y2 JP S5915124Y2 JP 4328677 U JP4328677 U JP 4328677U JP 4328677 U JP4328677 U JP 4328677U JP S5915124 Y2 JPS5915124 Y2 JP S5915124Y2
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JP
Japan
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transistor
power supply
supply voltage
voltage
base
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Application number
JP4328677U
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Japanese (ja)
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JPS53139262U (en
Inventor
博 小井沼
Original Assignee
パイオニア株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本案は電力増幅器に関し、特にステレオパワーアンプ等
に用いられる5EPP回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a power amplifier, and particularly to a 5EPP circuit used in a stereo power amplifier or the like.

ステレオパワーアンプにおいて、前段の電圧増幅器から
の信号を受け、スピーカを駆動する場合電力増幅器の出
力信号は電源電圧によって決まる所定のレベル以上にな
ると出力波形にクリップを生じる。
In a stereo power amplifier, when a signal from a voltage amplifier in the previous stage is received to drive a speaker, the output signal of the power amplifier clips in the output waveform when it exceeds a predetermined level determined by the power supply voltage.

又、同時に出力トランジスタのコレクタエミッタ間が飽
和し、この飽和により寄生発振等の異状動作が起こる為
、安定な帰還が掛からないという問題があった。
Furthermore, at the same time, the output transistor becomes saturated between its collector and emitter, and this saturation causes abnormal operations such as parasitic oscillation, resulting in the problem that stable feedback cannot be achieved.

この上述の問題を解決する手段として、従来は第1図に
示す回路が用いられていた。
As a means to solve the above-mentioned problem, a circuit shown in FIG. 1 has conventionally been used.

すなわち、第1図はトランジスタQ2,3及びQ4,5
により構成される純コンプリメンタリ5EPP回路であ
り、共通コレクタ端子には各々電源電圧VCC2、V
EE2が供給される。
That is, in FIG. 1, transistors Q2,3 and Q4,5
It is a pure complementary 5EPP circuit composed of
EE2 is supplied.

又、トランジスタQ1は電圧増幅トランジスタであり、
その出力信号をトランジスタQ2.Q4のベースに加え
、前記5EPP回路により増幅し、出力端子に接続され
たスピーカを駆動する。
Further, the transistor Q1 is a voltage amplification transistor,
The output signal is transferred to the transistor Q2. In addition to the base of Q4, it is amplified by the 5EPP circuit and drives a speaker connected to the output terminal.

又、トランジスタQ2のベース・コレクタ間に、抵抗R
t 、ダイオードD1が直列に接続され、該ダイオード
D1のカソードはトランジスタQ2のコレクタに、アノ
ードは抵抗R1との接続点aに接続されている。
In addition, a resistor R is connected between the base and collector of the transistor Q2.
t, a diode D1 is connected in series, the cathode of the diode D1 is connected to the collector of the transistor Q2, and the anode is connected to the connection point a with the resistor R1.

又、トランジスタQ4のベース・コレクタ間に抵抗R2
,ダイオードD2が直列に接続され該ダイオードD2の
アノードがトランジスタQ4のコレクタに、カソードが
抵抗R2との接続点すに各々接続されており、前記接続
点aからはバイアス回路1及び抵抗R1,R2に供給す
る電源電圧VCC1が接続され、接続点すからは電圧増
幅トランジスタQ1のコレクタ出力端が接続されている
Also, a resistor R2 is connected between the base and collector of the transistor Q4.
, and a diode D2 are connected in series, and the anode of the diode D2 is connected to the collector of the transistor Q4, and the cathode is connected to the connection point with the resistor R2. A power supply voltage VCC1 supplied to is connected to the connection point Sukara, and a collector output terminal of a voltage amplification transistor Q1 is connected to the connection point Sukara.

以上のような構成において、電源電圧vCC1はVCC
2及びVEE2より大きい値に設定すると、電圧増幅ト
ランジスタQ1のベースに加えられた信号が負の場合は
トランジスタQ2.Q3により増幅されるが、該信号レ
ベルが大きくなればa点電位もそれに伴って上昇する。
In the above configuration, the power supply voltage vCC1 is equal to VCC
2 and VEE2, if the signal applied to the base of voltage amplifying transistor Q1 is negative, transistor Q2 . It is amplified by Q3, and as the signal level increases, the potential at point a also increases accordingly.

a点電位が電源電圧■C02以下であればダイオードD
1はオフであり、トランジスタQ2.Q3は動作領域で
動作している。
If the potential at point a is below the power supply voltage ■C02, diode D
1 is off, transistor Q2 . Q3 is operating in the operating region.

信号が過大になり、a点電位が電源電圧vCC2より大
きくなればダイオードD1が導通し、a点電位はVCC
2にクランプされ、抵抗R1の電圧降下をVR□とすれ
ば、トランジスタQ2のベース電位は(VCC2−VR
□)ベース・コレクタ間電位はVRIとなり、トランジ
スタQ2.Q3の飽和を防止できる。
If the signal becomes excessive and the potential at point a becomes larger than the power supply voltage vCC2, diode D1 becomes conductive, and the potential at point a becomes VCC.
2 and the voltage drop across resistor R1 is VR□, the base potential of transistor Q2 is (VCC2-VR
□) The base-collector potential becomes VRI, and the transistor Q2. Saturation of Q3 can be prevented.

信号が正の場合は、トランジスタQ4.Q5により増幅
されb点電位はダイオードD2によりクランプされ上述
の正側の信号と同様の動作によりトランジスタQ、、Q
5の飽和を防止できる。
If the signal is positive, transistor Q4. The potential at point b, which is amplified by Q5, is clamped by diode D2, and transistors Q, , Q operate in the same manner as the positive side signal described above.
5 saturation can be prevented.

しかしながら、第1図の回路においてはトランジスタQ
2.Q4のベース・コレクタ間電圧及びa、l)点電位
は抵抗R1,R2の電圧降下により決まり、この電圧降
下は信号レベルに応じて変動するため、トランジスタQ
2.Q4のコレクタベース間容量が変化し、飽和現象は
抑えることができても、容量変化により帰還量が変動し
、常に安定な出力特性を得ることはできなかった。
However, in the circuit of FIG.
2. The base-collector voltage of Q4 and the potential at points a and l) are determined by the voltage drop across resistors R1 and R2, and this voltage drop varies depending on the signal level, so transistor Q
2. Even if the collector-base capacitance of Q4 changes and the saturation phenomenon can be suppressed, the amount of feedback fluctuates due to the capacitance change, making it impossible to always obtain stable output characteristics.

本案はこの点に鑑みてなされたものであり、以下実施例
を第2図を参照して説明する(第1図と同一部分は同一
符号を記しである)。
This proposal has been made in view of this point, and an embodiment will be described below with reference to FIG. 2 (the same parts as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals).

第2図において、a点とトランジスタQ2のベース間及
びb点とトランジスタQ4のベース間には各々適当数の
ダイオードD3.D4(実施例では各々4個)が接続さ
れており、定電圧源を構成している。
In FIG. 2, an appropriate number of diodes D3, . D4 (four each in the embodiment) are connected to constitute a constant voltage source.

トランジスタQ1のベースに負の信号が入力された場合
において該信号レベルが過大となり、a点電位が電源電
圧VCC2より大きくなるとダイオ−!’Dtが導通し
a点電位はクランプされ電源電圧VCC2より高くなる
ことはない。
When a negative signal is input to the base of the transistor Q1, the signal level becomes excessive and the potential at point a becomes higher than the power supply voltage VCC2. 'Dt becomes conductive, and the potential at point a is clamped and never becomes higher than the power supply voltage VCC2.

又、ダイオードD3の両端の電圧を■D3とすればトラ
ンジスタQ2のベース電位は(VCC2−■D3)、ベ
ース・コレクタ間電圧はVD3となりVD3は信号レベ
ルの変化に対しても一定であるので、ダイオードD3に
よりVD3を適当な値に設定すればl−ランジスタQ2
のベース・コレクタ間電圧は一定であるので、信号レベ
ルの変化に対してもベースコレクタ間容量は変動せず、
常時安定した帰還が掛けられる。
Also, if the voltage across the diode D3 is D3, the base potential of the transistor Q2 is (VCC2-D3), and the base-collector voltage is VD3, which remains constant even when the signal level changes. If VD3 is set to an appropriate value by diode D3, l-transistor Q2
Since the base-collector voltage of is constant, the base-collector capacitance does not change even when the signal level changes.
Stable return is always applied.

又、正の信号の場合はダイオードD2により電源電圧V
EE2にクランプされ、定電圧ダイオードD4により上
述と同様な効果が得られる。
In addition, in the case of a positive signal, the power supply voltage V is
It is clamped to EE2, and the same effect as described above can be obtained by the constant voltage diode D4.

以上の如く、本案によれば過大信号時における出力トラ
ンジスタの飽和による寄生発振を防止できるばかりでな
く、出力トランジスタのベース・コレクタ間に挿入され
た定電圧回路により、信号レベルの変化に対しても常に
安定した出力特性を得ることができ、信号系にかける帰
還量を一定に保つことができる。
As described above, according to the present invention, it is possible not only to prevent parasitic oscillation due to saturation of the output transistor when an excessive signal is present, but also to prevent changes in the signal level due to the constant voltage circuit inserted between the base and collector of the output transistor. It is possible to always obtain stable output characteristics, and the amount of feedback applied to the signal system can be kept constant.

尚、実施例では定電圧回路としてダイオードを用いたが
、トランジスタ、バリスタ等の可変インピーダンス素子
を用いても同等の効果が得られる。
In the embodiment, a diode was used as the constant voltage circuit, but the same effect can be obtained by using a variable impedance element such as a transistor or a varistor.

更に、本案は5EPP回路に限定することなく、プッシ
ュプル増幅回路、シングル増幅回路等の増幅回路におい
ても適応できるものである。
Furthermore, the present invention is not limited to 5EPP circuits, but can also be applied to amplifier circuits such as push-pull amplifier circuits and single amplifier circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の電力増幅回路、第2図は本案の実施例で
ある電力増幅回路である。 Q1〜5・・・・・・トランジスタ、DI〜4・・・・
・・ダイオード、1・・・・・・バイアス回路、R1,
2・・・・・・抵抗。
FIG. 1 shows a conventional power amplifier circuit, and FIG. 2 shows a power amplifier circuit according to an embodiment of the present invention. Q1~5...transistor, DI~4...
...Diode, 1...Bias circuit, R1,
2...Resistance.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 電力増幅トランジスタのコレクタへ供給する第1の電源
電圧と、電圧増幅トランジスタへ供給する前記第1の電
源電圧より大きい第2の電源電圧とを有し、該電力増幅
トランジスタの前記第1の電源電圧側端子から前記電圧
増幅トランジスタの出力信号が印加される信号入力端子
であるベースに通常はオフであり、前記電力増幅トラン
ジスタのベースに入力される出力信号のレベルが前記第
1の電源電圧により決まる所定のレベルを越えた時にオ
ンとなるよう接続されたダイオードを介して定電圧回路
を挿入したことを特徴とする電力増幅回路。
a first power supply voltage supplied to the collector of the power amplification transistor; and a second power supply voltage larger than the first power supply voltage supplied to the voltage amplification transistor, the first power supply voltage of the power amplification transistor; A base, which is a signal input terminal to which an output signal of the voltage amplification transistor is applied from a side terminal, is normally off, and the level of the output signal input to the base of the power amplification transistor is determined by the first power supply voltage. A power amplifier circuit characterized in that a constant voltage circuit is inserted through a diode connected to turn on when a predetermined level is exceeded.
JP4328677U 1977-04-07 1977-04-07 power amplifier circuit Expired JPS5915124Y2 (en)

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JPS53139262U JPS53139262U (en) 1978-11-04
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JPS54147764A (en) * 1978-05-12 1979-11-19 Hitachi Ltd Low frequency power amplifier
JPS60242707A (en) * 1985-04-19 1985-12-02 Hitachi Ltd Low frequency power amplifier

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JPS53139262U (en) 1978-11-04

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