JPS61194655A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS61194655A JPS61194655A JP60032726A JP3272685A JPS61194655A JP S61194655 A JPS61194655 A JP S61194655A JP 60032726 A JP60032726 A JP 60032726A JP 3272685 A JP3272685 A JP 3272685A JP S61194655 A JPS61194655 A JP S61194655A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- org
- light
- recording medium
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はレーザ光の照射によシ、照射部の相変態または
形状変化を促して光照射による信号記録痕跡をつくる光
記録媒体と、それを搭載したディスク、カード、テープ
などの製法に関する。
形状変化を促して光照射による信号記録痕跡をつくる光
記録媒体と、それを搭載したディスク、カード、テープ
などの製法に関する。
［発明の背景〕
光記録媒体を通覧すると、既に実用域に到達しているか
、または実用域到達が間近かのテルル、セレンなどによ
る媒体と鉄、テルビウムにコバルトまたはガドリニウム
などを加えた光磁気媒体があり、これらに加えて５年程
前から染料や顔料などの有機物またはこれに他の有機高
分子材料、金属材料を加えるかあるいはそれらと複合化
してなる媒体がある。
、または実用域到達が間近かのテルル、セレンなどによ
る媒体と鉄、テルビウムにコバルトまたはガドリニウム
などを加えた光磁気媒体があり、これらに加えて５年程
前から染料や顔料などの有機物またはこれに他の有機高
分子材料、金属材料を加えるかあるいはそれらと複合化
してなる媒体がある。
有機物の染料や顔料を光の感応体として使うことはふる
くからあり、電子写真、プリンタ類ではその応用例は多
い。然し、テルル系材料や元磁性体に見るような元記録
媒体用の材料への導入例は５年程前に始まる。（Ａ、Ｅ
、Ｅａｌｌ ａｔ。αｌ。
くからあり、電子写真、プリンタ類ではその応用例は多
い。然し、テルル系材料や元磁性体に見るような元記録
媒体用の材料への導入例は５年程前に始まる。（Ａ、Ｅ
、Ｅａｌｌ ａｔ。αｌ。
： ＡｒＬｔｉｒｇｆｒｔｃｔｉｏｎ Ｓｔｒｕｃｔｗ
ｒｅ ｆｏｒ ＯｐｔｉｃａｌＲｇｃｏｒｔＬｉｒ＆ｇ
： ＩＥＥＥ 、 Ｊ、Ｑｕａｎｔｗｍ Ｅｌｓｅ、
、 Ｖｏｌ、ＱＥ。
ｒｅ ｆｏｒ ＯｐｔｉｃａｌＲｇｃｏｒｔＬｉｒ＆ｇ
： ＩＥＥＥ 、 Ｊ、Ｑｕａｎｔｗｍ Ｅｌｓｅ、
、 Ｖｏｌ、ＱＥ。
１４ 、Ｎｏ、 ７ 、 ｐａｇｅ ４８７ 、１９７
８ ） Ｌ、たがって現状における有機物応用に係る従
来技術は、開発の歴史が浅く、その故に最適材料・構成
の選び方には、まだこれからと言えるａ題が多い。
８ ） Ｌ、たがって現状における有機物応用に係る従
来技術は、開発の歴史が浅く、その故に最適材料・構成
の選び方には、まだこれからと言えるａ題が多い。
即ち、有機物の染料、顔料の光吸収−記録の材料の光吸
収帯域は、何れもアルゴンレーザ光。
収帯域は、何れもアルゴンレーザ光。
ヘリウム−ネオンレーザ元の波長域にあるものが使われ
ていて、記録光源として汎用されている半導体レーザ光
の波長域である８３０１＄ｌｌＩまたは７８０ｓｙａに
吸収帯をもつものは僅少例しか見出していない。即ち、
一部では吸収帯波長８００ ｎｒｎであるε形銅・フタ
ロシアニンが採られているが、この染料の結晶形は不安
定であって、加熱・加圧もしくは溶剤に遭遇すると容易
に安定β形に結晶転位して元の吸収波長が６００１に移
る。
ていて、記録光源として汎用されている半導体レーザ光
の波長域である８３０１＄ｌｌＩまたは７８０ｓｙａに
吸収帯をもつものは僅少例しか見出していない。即ち、
一部では吸収帯波長８００ ｎｒｎであるε形銅・フタ
ロシアニンが採られているが、この染料の結晶形は不安
定であって、加熱・加圧もしくは溶剤に遭遇すると容易
に安定β形に結晶転位して元の吸収波長が６００１に移
る。
本発明の目的は、半導体レーザ元波長域に吸収帯頂上値
をもつ染料による光記録媒体およびその製造法を提供す
る。
をもつ染料による光記録媒体およびその製造法を提供す
る。
本発明では上記目的を達成するため、光記録層としてア
ントラキノン誘導体単独又はアントラキノン誘導体を生
成とし、光波長が７０叶罵から９ＱＱｎｍの範囲に分光
吸収性をもつ有機物を用いる。
ントラキノン誘導体単独又はアントラキノン誘導体を生
成とし、光波長が７０叶罵から９ＱＱｎｍの範囲に分光
吸収性をもつ有機物を用いる。
該有機物は半導体レーザ光の出力波長範囲内に分光吸収
性をもつとともに、加熱、溶剤、衝撃による吸収波長の
変化は少なく、もとの吸収波長を保持する有利さがある
。
性をもつとともに、加熱、溶剤、衝撃による吸収波長の
変化は少なく、もとの吸収波長を保持する有利さがある
。
ここでは、この発明の要点を先づ概述し、次いで実施例
によシ図表を用いて詳記する。
によシ図表を用いて詳記する。
この発明では、半導体レーザ光波長域に吸収帯頂上値を
もつアントラキノン誘導体を光吸収−熱変換体として、
該有機物単独もしくは該布耳 接物に低温度で融解し、さらに該右接物相互間シよび該
有機物と基板を接着する別種の有機物を加えて混練し、
これを有機溶剤に溶かして塗料化するか、または該有機
物とそれとは別種の有機物を夫々単独に塗料化する。次
にここで得た塗料を回転または浸漬法によって基板面上
に塗布する。製品形態は、光吸収体単独、光吸収体に別
種の有機物を加えたものによる単独層、また、光吸収体
と別種の有機物の逐次塗工になる積層構造体になる。
もつアントラキノン誘導体を光吸収−熱変換体として、
該有機物単独もしくは該布耳 接物に低温度で融解し、さらに該右接物相互間シよび該
有機物と基板を接着する別種の有機物を加えて混練し、
これを有機溶剤に溶かして塗料化するか、または該有機
物とそれとは別種の有機物を夫々単独に塗料化する。次
にここで得た塗料を回転または浸漬法によって基板面上
に塗布する。製品形態は、光吸収体単独、光吸収体に別
種の有機物を加えたものによる単独層、また、光吸収体
と別種の有機物の逐次塗工になる積層構造体になる。
アントラキノン誘導体の分子構造は第１図に示す通りで
あり、この図において、（ＮＲの）Ｒには水素（Ｈ）ま
たはアルキル基があげられる。
あり、この図において、（ＮＲの）Ｒには水素（Ｈ）ま
たはアルキル基があげられる。
またその示差熱分析曲線は第２図に示されるものであっ
て、図中のＴ１点は含有する不純物の溶解点を、以下Ｔ
、；融解、Ｔ、；一部気化開始＋ Ｔ４；分解に伴う温
度上昇の開始点を示している。
て、図中のＴ１点は含有する不純物の溶解点を、以下Ｔ
、；融解、Ｔ、；一部気化開始＋ Ｔ４；分解に伴う温
度上昇の開始点を示している。
また、第３図ばは、（第１図中の）Ｒに水素が付加され
た場合の分光吸収スペクトルであり、小形で汎用的な半
導体レーザの出力波長に合致する吸収特性をもっている
。なお、この分光吸収性は、先掲第１図の分子構造を変
えることなく、７００〜９００絹に調整できる。
た場合の分光吸収スペクトルであり、小形で汎用的な半
導体レーザの出力波長に合致する吸収特性をもっている
。なお、この分光吸収性は、先掲第１図の分子構造を変
えることなく、７００〜９００絹に調整できる。
上に概述した状況を、以下に図面を用いて詳述する。
実施例１
第４図には、この発明で見出した波長８５０〜ｓａａｎ
ｍに吸収帯頂上値をもつ先に第１図に分子構造を示した
アントラキノン化合物をテトラヒドロフラン（Ｃ２Ｈ８
０）に溶かし粘度が８０乃至１５０センチポイズの塗液
をつくシ、これをスピナによシ、厚さ０．２ｍの合成樹
脂基板としてのポリカーボネート基板１面上に回転塗布
して厚さが０．６μｍの塗膜２を得た。塗膜２と基板１
との接着強さは、３ｕ角のナイフによる割目をつけ、セ
ロテープによる角度１８０°のビール試験シよびｌ径１
５謂の回転軸に巻付は解き放しの繰返し試験でも塗膜２
〜基板１間のはく離は僅少であり、相互比較した市販の
オーデオ用磁気テープと同等以上の強さをもっていた。
ｍに吸収帯頂上値をもつ先に第１図に分子構造を示した
アントラキノン化合物をテトラヒドロフラン（Ｃ２Ｈ８
０）に溶かし粘度が８０乃至１５０センチポイズの塗液
をつくシ、これをスピナによシ、厚さ０．２ｍの合成樹
脂基板としてのポリカーボネート基板１面上に回転塗布
して厚さが０．６μｍの塗膜２を得た。塗膜２と基板１
との接着強さは、３ｕ角のナイフによる割目をつけ、セ
ロテープによる角度１８０°のビール試験シよびｌ径１
５謂の回転軸に巻付は解き放しの繰返し試験でも塗膜２
〜基板１間のはく離は僅少であり、相互比較した市販の
オーデオ用磁気テープと同等以上の強さをもっていた。
また、塗膜２０光吸収帯は第３図に示したスペクトルに
一致していた。
一致していた。
また塗膜２の分光反射”ＪＡＣｒｎ）は、波長８３０ｒ
Ｌｍの点において１５乃至１７％であり、これを５２０
ｎ７７ｘｉｎの速度で滑走させて瞬時的に温度３５０″
Ｃの回転ロール１上に接触した塗膜面の反射率（ｒＩ）
は２５〜２８１．ｆ−０とｒｌとの差（記録感度Δｒ）
は約１５％であった。
Ｌｍの点において１５乃至１７％であり、これを５２０
ｎ７７ｘｉｎの速度で滑走させて瞬時的に温度３５０″
Ｃの回転ロール１上に接触した塗膜面の反射率（ｒＩ）
は２５〜２８１．ｆ−０とｒｌとの差（記録感度Δｒ）
は約１５％であった。
実施例２
実施例１で用いた元吸収材、これとは別種の活性化材と
して重合度８０〜８５（分子量８０００〜ａｓｏｏ）の
微粉末・ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＩｄＡ ）
を夫々１：１の相対比容で混じ、この混合物をアセトン
に溶かし粘度１００乃至１１０センチボイズの塗液を得
て、この塗液中に厚さ１１５Ｍ のポリエチレンテレフ
タレートの板を浸し、引き上げ、これをスピナで回転・
風乾して０．６μ隅の塗膜３を得た。構成を第５図に示
した。
して重合度８０〜８５（分子量８０００〜ａｓｏｏ）の
微粉末・ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＩｄＡ ）
を夫々１：１の相対比容で混じ、この混合物をアセトン
に溶かし粘度１００乃至１１０センチボイズの塗液を得
て、この塗液中に厚さ１１５Ｍ のポリエチレンテレフ
タレートの板を浸し、引き上げ、これをスピナで回転・
風乾して０．６μ隅の塗膜３を得た。構成を第５図に示
した。
実施例１に示した方法によりセロテープはく離試験、ド
ラム巻き取シー解き放しによる接着力試験の結果では、
相互比較試料のオーディオ用磁気テープと同等の強さを
もっていた。また塗膜３の元吸収帯頂上値は８２０ｒＬ
ｍであった。
ラム巻き取シー解き放しによる接着力試験の結果では、
相互比較試料のオーディオ用磁気テープと同等の強さを
もっていた。また塗膜３の元吸収帯頂上値は８２０ｒＬ
ｍであった。
波長８３Ｑｓｍの点にシけるｒｏは１８〜２０％であり
、３００ｍ／ｒｇ ｉ ｎ の速度で温度３４０″″
Ｃの回転ロール頂上に接触した塗膜面のｒｌは２８％で
あった。また塗膜には回転ロールとの接触に由来する微
細凹凸の発生も検出された。この凹凸は塗膜面の瞬時的
な温度上昇により ＰＨＭＡが融解して生じたものであ
る。これを応用すれば塗膜３の形状変化をレーザ光照射
痕として利用できることは論をまたない。
、３００ｍ／ｒｇ ｉ ｎ の速度で温度３４０″″
Ｃの回転ロール頂上に接触した塗膜面のｒｌは２８％で
あった。また塗膜には回転ロールとの接触に由来する微
細凹凸の発生も検出された。この凹凸は塗膜面の瞬時的
な温度上昇により ＰＨＭＡが融解して生じたものであ
る。これを応用すれば塗膜３の形状変化をレーザ光照射
痕として利用できることは論をまたない。
なお、この例で活性化材として用いｆ＜ ＰＭＭＡ低重
合体を、重合ｖＯ〜１００のスチロール樹脂低重合体１
重合度８０〜１２０のニトロセルロース樹脂低重合体に
変えてもこの実施例と同様の結果を得ている。
合体を、重合ｖＯ〜１００のスチロール樹脂低重合体１
重合度８０〜１２０のニトロセルロース樹脂低重合体に
変えてもこの実施例と同様の結果を得ている。
実施例３
実施例１と同方法で調整してつくった光吸収塗料と、重
合度８０〜８５のＰＨＭＡ低重合体をそれぞれアセトン
に溶かして、粘度１２０〜１３０センチボイズの塗料を
つくり、これを実施例１に示したスピナによる回転塗布
で、活性化材料、光吸収塗料の順序でそれぞれ厚さ０．
０８ ｎｍになるようにポリエチレンテレフタレート板
１面上に塗膜、第６図に示す構成、すなわち、基板１．
活性化材層４２元吸収材層２からなる構成の塗工品を得
た。得られた塗膜は、スピナ回転数によって変る。状況
を＠１表に示す。ここでは試料番号・２について示す。
合度８０〜８５のＰＨＭＡ低重合体をそれぞれアセトン
に溶かして、粘度１２０〜１３０センチボイズの塗料を
つくり、これを実施例１に示したスピナによる回転塗布
で、活性化材料、光吸収塗料の順序でそれぞれ厚さ０．
０８ ｎｍになるようにポリエチレンテレフタレート板
１面上に塗膜、第６図に示す構成、すなわち、基板１．
活性化材層４２元吸収材層２からなる構成の塗工品を得
た。得られた塗膜は、スピナ回転数によって変る。状況
を＠１表に示す。ここでは試料番号・２について示す。
実施例１に示したセロテープはく離試験、ドラム巻き取
シー解き放しによる接着力試験の結果では、相互比較試
料のオーディオ用磁気テープと同等の強さをもち、２層
の塗膜面間の界面はく離も検出できなかった。波長８３
イ贋の点におけるｒｏは１５％、実施例１と同条件によ
るＴＩは２８％であった。また加熱ロールとの接触痕跡
は明瞭ではないが、局所的には第２層に生じていた。
シー解き放しによる接着力試験の結果では、相互比較試
料のオーディオ用磁気テープと同等の強さをもち、２層
の塗膜面間の界面はく離も検出できなかった。波長８３
イ贋の点におけるｒｏは１５％、実施例１と同条件によ
るＴＩは２８％であった。また加熱ロールとの接触痕跡
は明瞭ではないが、局所的には第２層に生じていた。
実施例４
実施例３と同方法１条件で光吸収材層２と活性化材層４
の積層順序を変えて第７図に構成を示す塗工品を得た。
の積層順序を変えて第７図に構成を示す塗工品を得た。
塗膜の状況は実施例３内の第１表と同等である。ここで
は試料番号＄２について示す。実施例１および３と同じ
方法、条件による塗膜の接着強さ試験の結果は実施例３
と同等であった。波長８３０Ｗｍの点にかけるｒ。は１
７〜１８％、ｒ、は２８〜３２％であった。また、加熱
ロールとの接触痕は各所に明瞭に検出できた。
は試料番号＄２について示す。実施例１および３と同じ
方法、条件による塗膜の接着強さ試験の結果は実施例３
と同等であった。波長８３０Ｗｍの点にかけるｒ。は１
７〜１８％、ｒ、は２８〜３２％であった。また、加熱
ロールとの接触痕は各所に明瞭に検出できた。
〔発明の効果コ
この発明によれば塗膜−基板間の接着強が高く、かつ半
導レーザ光に十分に感光して分光反射率が変るか、もし
くはレーザ光照射痕を残す、新しい媒体を得た。可とう
性基板上へも成膜出来るので、従来からある硬質ディス
クは勿論のこと、軟質ディスク、カード類、テープ類も
できるので、今後の光記録媒体の多様化に対応できる。
導レーザ光に十分に感光して分光反射率が変るか、もし
くはレーザ光照射痕を残す、新しい媒体を得た。可とう
性基板上へも成膜出来るので、従来からある硬質ディス
クは勿論のこと、軟質ディスク、カード類、テープ類も
できるので、今後の光記録媒体の多様化に対応できる。
第１図は、この発明のもとになっている光吸収材料の分
子構造、物質名称を示す図、第２図には該吸収材料の示
差熱分析曲線を示す図、第３図には該光吸収材料の分光
吸収スペクトルを示す図、第４図〜第７図は、該光吸収
材料を光吸収効率よく使うに必要な塗膜の構成を示す図
である。 １は合成樹脂基板、２は光吸収材からなる記録層、３は
光吸収材と活性化材とが混合された記録層、シよび４は
活性化材層。 °・、−ノ 第 Ｚ 図 粋 月ｄ （分り 疲 長 （外仄ジ
子構造、物質名称を示す図、第２図には該吸収材料の示
差熱分析曲線を示す図、第３図には該光吸収材料の分光
吸収スペクトルを示す図、第４図〜第７図は、該光吸収
材料を光吸収効率よく使うに必要な塗膜の構成を示す図
である。 １は合成樹脂基板、２は光吸収材からなる記録層、３は
光吸収材と活性化材とが混合された記録層、シよび４は
活性化材層。 °・、−ノ 第 Ｚ 図 粋 月ｄ （分り 疲 長 （外仄ジ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板と、少くともその一面にレーザ光の照射を受け
て、相変態または形状変化などの受光痕跡を残す光記録
層、受光効果を上げ、かつ該痕跡の明瞭度を促す熱吸収
または活性化層および反射層を夫々機能毎に個別的に積
層形成し、またはそれらの機能材料を混ぜて単層形成し
てなる光記録媒体において、前記基板が光透過性の良い
合成樹脂であり、また前記光記録層は接着性のよい有機
物であることを特徴とする光記録媒体。 ２、前記有機物がアントラキノン誘導体単独またはアン
トラキノン誘導体を主成分として光波長が７００ｎｍか
ら９００ｎｍの範囲内に分光吸収性をもつことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 ３、前記合成樹脂は、硬質または軟質で可とう性をもつ
合成樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032726A JPS61194655A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032726A JPS61194655A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194655A true JPS61194655A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12366842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60032726A Pending JPS61194655A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194655A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325734A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-04 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP60032726A patent/JPS61194655A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325734A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-04 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
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