JPS61192033A - 磁気デイスク媒体の製造方法 - Google Patents

磁気デイスク媒体の製造方法

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JPS61192033A
JPS61192033A JP3305085A JP3305085A JPS61192033A JP S61192033 A JPS61192033 A JP S61192033A JP 3305085 A JP3305085 A JP 3305085A JP 3305085 A JP3305085 A JP 3305085A JP S61192033 A JPS61192033 A JP S61192033A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
substrate
target
magnetic
sputtering
Prior art date
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Pending
Application number
JP3305085A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekazu Kanda
英一 神田
Masaki Shinohara
正喜 篠原
Hiroaki Wakamatsu
若松 弘晃
Tomio Kume
久米 富美夫
Katsumi Kiuchi
木内 克己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS61192033A publication Critical patent/JPS61192033A/ja
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置に用いられる磁気ディスク媒
体の製造方法に係り、特に保磁力の温度特性を損なわず
に耐久性及びS/N特性の良好な磁気ディスク媒体の製
造方法に関するものである。
スパッタリング法等の薄膜形成工程によって形成される
γ−Fe 203などの金属酸化物系の連続薄膜型磁気
ディスク媒体は、塗布法により形成される磁気ディスク
媒体のようにバインダ等を含まないので、残留磁束密度
Brが大きく高出力が得られ、又極めて薄い磁性膜も得
られるので、高密度記録化に有利である。
このような連続薄膜型磁気ディスク媒体には、■高出力
で、かつ高密度記録が得られることは勿論のこと、■信
号記録の均−性及び記録信号出力の安定性が高く、しか
もS/N特性が良好なこと、■機械的強度に優れ、耐摩
耗性等の耐久性の向上などが要求される。
〔従来の技術〕
ところで従来、スパッタリング法等の薄膜形成工程によ
って、例えばγ−Fe 203からなる金属酸化物系の
連続薄膜型磁気ディスク媒体を作成するには、非、磁性
のディスク基板上に、熱処理温度マージンの拡大と磁気
・再生特性の向上を図るために、Ti、Co、Cuを各
々数%づつ添加したFeを主成分とするターゲットを用
いた反応性スパッタリング法によ―てα−Fe203か
らなる連続薄膜を被着形成し、該α−Fe203連続薄
膜を湿潤H2雰囲気中で熱処理(還元)を行って、Fe
304薄膜を形成する。
その後、このFe304薄膜を更に大気中において熱処
理(M化)することによって、γ Fe203からなる
磁性WI膜が形成された磁気ディスク媒体を得る方法が
知られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが上記のような製造方法によって形成されたγ−
Fe203からなる磁性薄膜に含まれる前記各添加物の
内、Tiは前記基板に対する該薄膜の密着性を高め、C
uと共に前記還元、酸化熱処理時の温度マージンを拡げ
ることに!与する。またGoはその添加量に比例して保
磁力(Hc)が大きくなる。
更にCuはその添加量に比例して結晶粒径を小さくし、
S/N特性を向上させることができるが、その反面、該
結晶粒径が小さくなると、結晶粒界が増加し、この結晶
粒界の増加に起因して薄膜の機械的強度が低下して耐久
性が悪くなる。また更にCuの添加により保磁力(Hc
)の温度特性が悪くなるといった問題がある。
このような関係から、従来の製造方法によって形成され
たγ−Fe203からなる磁性薄膜を有する磁気ディス
ク媒体においては、該磁性薄膜の膜厚方向に小さい結晶
粒径が均一に分布していることから、該薄膜の機械的強
度が低下して耐久性が悪く、また膜厚方向の保磁力(H
c)が磁気ヘッドからの記録磁界強度分布と対応しない
ことから、充分な記録・再生特性が得られない欠点があ
った。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、Ti、Co、Cuの内の少なくとも1種
以上を含有するFeを主成分とするターゲットを用いた
スパッタリング工程により、ディスク基板上に磁性薄膜
を形成する構成において、上記ターゲットを、前記含有
成分量の異なる少なくとも2枚のFe板状部材を円板状
に組み合わせて構成し、該ターゲットを微小回転しなが
らスパッタリングを行って、ディスク基板上に含有成分
量が膜厚の厚さ方向に連続的に変化するように磁性薄膜
を形成する本発明による磁気ディスク媒体の製造方法に
よって解決される。
〔作用〕
即ち、スパッタリング工程に用いるターゲットとしては
、例えばTi、Go、Cuをそれぞれ微量に添加含有さ
せた一方のFe板状部材と微量なTi、 CoとCuを
多く添加含有させた他方のFe板状部材とを陰極上に貼
り合わせて配置した円板状ターゲットを用意し、該円板
状ターゲットを磁性薄膜を形成すべきディスク基板面に
対向配置して、該ディスク基板を一定速度で回転させる
と共に、前記ターゲットをCu含有量が多い領域面より
少ない領域面方向に微速回転させた状態でスパッタリン
グを行うことにより、該ディスク基板上にCu含有成分
量が基板面側で多く、膜表面側で少なくなるように膜厚
の厚さ方向に連続的に変化した磁性薄膜を形成すること
が可能となる。
従って、耐久性、記録・再生特性及びS/N特性の良好
な磁気ディスク媒体を容易に製作することができる。
〔実施例〕
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明子
る。
第1図は本発明に係る磁気ディスク媒体の製造方法に用
いるスパッタリング用のターゲットの一実施例を示す斜
視図、第2図は本発明の製造方法に通用するスパッタリ
ング装置の概略構成図である。
本発明の製造方法の第1実施例としては、先ずスパッタ
リング用のターゲットとして第1図に示すように、例え
ばTi、Co、Cuをそれぞれ微量に添加含有させた一
方のFe板状部材2と、微量なTi、 C。
とCuを多く添加含有させた他方のFe板状部材3とを
極板4上に貼り合わせて構成した円板状ターゲット1を
用意する。
上記円板状ターゲ□ソト1において、2枚のFe板状部
材2と3とを図示のように互いにテーパ一部分A同士を
重ね合わせて接合している所以は、スバッタリング中に
極板4がスバフタされて、極板部材が不純物として、形
成される薄膜に混入することを防止するためである。
次に、上記のように構成された円板状ターゲット1を第
2図に示すように配設されたディスク基板22面に対し
て、マスク板23を介し、Cu含有量が多い領域面を対
向する形に配置する。
即ち、上記円板状ターゲット1とマスク板23及びディ
スク基板22との配置関係は第3図に示すようにする。
次に、装置21内を一定の酸素(02)ガスが添加され
た例えばアルゴン(Ar)雰囲気とし、該雰囲気中で前
記基板22を回転機構24により5 PPM程度の回転
速度で回転させると共に、対向する前記円板状ターゲッ
ト1もターゲット回転機構25によりCu含有口が多い
領域面より少ない領域面方向に微速回転させた状態でス
パッタリングを行って、第4図に示すように該基板22
上に、所定の膜厚を有するα−Fe203からなる連続
薄膜31を被着形成する。
次に、この該α−Fe203連続薄膜31を湿潤H2雰
囲気中で熱処理(還元)を行って、第5図に示すように
Fe304薄膜32を形成し、更にこのFe304薄膜
32を大気中において熱処理(酸化)することによって
、第6図に示すようにCu含有成分量が基板面側で多く
、膜表面側で少なくなるように膜厚の厚さ方向に連続的
に変化したγ−Fe203からなる磁性薄膜33を形成
することが可能となる。
従って、耐久性及びS/N特性の良好な磁気ディスク媒
体を容易に得ることができる。
第7図は本発明に係る磁気ディスク媒体の製造方法の第
2実施例を説明ための要部平面図である。
本実施例ではスパッタリング工程に用いられるターゲッ
トとして、例えばTi、Co、Cuの添加物の内のCu
添加含有量が多く、かつCo添加含有量の少ない第1F
e板状部材42と、同じ< Ti、Co、Cuの添加物
の内のCu添加含有量が少なく、かつCo添加含有量が
中位程度とした第2Fe板状部材43と、同じ< Ti
Co、 Cuの添加物の内のCu添加含有量が少なく、
かつCo添加含有量の多い第3Fe板状部材44とを極
板上に貼り合わせて配置した円板状ターゲット41を用
意する。
しかして、このように構成された円板状ターゲ、:zl
−41を、図示のようにディスク基板22面に対し、マ
スク板23を介してCu含有量が多く、かつCO添加含
有最の少ない第1Fe板状部材42面が対向する形に配
置して、第2図に示すように装置21内を一定のr!I
素(02)ガスが添加された、例えばアルゴン(Ar)
雰囲気にして前記基板22を回転機構24により5 P
PM程度の回転速度で回転させると共に、対向する前記
円板状ターゲット1も、ターゲット回転機構25により
時計針の回転方向とは逆方向に微速回転させた状態でス
パッタリングを行って、該基板22上に所定の膜厚を有
するα−Fe203からなる連続薄膜を被着形成する。
以下、第1実施例と同様の製造工程により、Cu含有成
分量が基板面側で多く、膜表面側で少ない、又、Co含
有成分量が基板面側で少なく、膜表面側で多くなるよう
に膜厚の厚さ方向に連続的に変化したγ−Fe203か
らなる磁性薄膜を形成することが可能となる。
従って、耐久性、S/N特性及び膜厚方向に保磁力分布
の良好な磁気ディスク媒体を容易に得ることができる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気ディ
スク媒体の製造方法によれば、スパッタリング法によっ
てディスク基板上に添加物Ti、Co。
C’uの内の少なくとも1種以上の含有成分量を膜厚の
厚さ方向に連続的に変化するように磁性薄膜を形成する
ことが可能となり、該磁性薄膜の保磁力の温度特性を劣
化させることなく、S/N特性及び記録・再生特性の優
れた高耐久性の磁気ディスク媒体を容易に得ることが出
来る利点を有する。
従って、スパッタリング法によってディスク基板上に、
複数種の添加物の内の少なくとも1種以上の含有成分量
を膜厚の厚さ方向に連続的に変化するように磁性薄膜を
形成する各種磁気ディスク媒体の製造方法に適用して極
めて有利である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る磁気ディスク媒体の製造方法に用
いるスパンタリング用ターゲ ・/1・の一実施例を示す斜視図、 第2図は本発明の製造方法に適用するスパッタリング装
置の概略構成図、 第3図は円板状ターゲットとマスク板及びディスク基板
との配置関係を示す要部平面 図、 第4図乃至第6図は本発明に係る磁気ディスク媒体の製
造方法の一実施例を工程順に 示す要部断面図、 第7図は本発明に係る磁気ディスク媒体の製造方法の第
2実施例を説明するための要 部平面図である。 図中、1.41は円板状ターゲ7)、2は一方のFe板
状部材、3は他方のFe板状部材、4は極板、21はス
パッタリング装置、22はディスク基板、23はマスク
板、24は基板回転機構、25はターゲット回転機構、
31はα−Fe203.32はFe304薄膜、33は
γ−Fe203磁性薄膜、42は第1Fe板状部材、4
3は第2Fe板状部材、44は第3Fe板状部材をそれ
ぞれ示す。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ti、Co、Cuの内の少なくとも1種以上を含有する
    Feを主成分とするターゲットを用いたスパッタリング
    工程により、ディスク基板上に磁性薄膜を形成する磁気
    ディスク媒体の製造方法であって、上記ターゲットを、
    前記含有成分量の異なる少なくとも2枚のFe板状部材
    を円板状に組み合わせて構成し、該ターゲットを微小回
    転しながらスパッタリングを行って、上記ディスク基板
    上に含有成分量が、膜厚の厚さ方向に連続的に変化する
    磁性薄膜を形成することを特徴とする磁気ディスク媒体
    の製造方法。
JP3305085A 1985-02-20 1985-02-20 磁気デイスク媒体の製造方法 Pending JPS61192033A (ja)

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JP (1) JPS61192033A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232963A (ja) * 1990-02-08 1991-10-16 Nippon Steel Corp セラミックス膜被覆方法
WO2009154213A1 (ja) * 2008-06-19 2009-12-23 東京エレクトロン株式会社 マグネトロンスパッタ方法及びマグネトロンスパッタ装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232963A (ja) * 1990-02-08 1991-10-16 Nippon Steel Corp セラミックス膜被覆方法
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