JPS61191588A - 電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法 - Google Patents
電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法Info
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- JPS61191588A JPS61191588A JP60027540A JP2754085A JPS61191588A JP S61191588 A JPS61191588 A JP S61191588A JP 60027540 A JP60027540 A JP 60027540A JP 2754085 A JP2754085 A JP 2754085A JP S61191588 A JPS61191588 A JP S61191588A
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B7/12—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by electrolysis
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- B01D61/422—Electrodialysis
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高出力レーザー用非線形光学結晶の作成方法、
さらに詳しくはＫＤＰ （リン酸第１カリウム）、［）
ＫＤＰ（重水素化リン酸第１カリウム）ＡＤＰ（リン酸
第１アンモニウム〉等の水溶性結晶の作成方法に関する
ものである。
さらに詳しくはＫＤＰ （リン酸第１カリウム）、［）
ＫＤＰ（重水素化リン酸第１カリウム）ＡＤＰ（リン酸
第１アンモニウム〉等の水溶性結晶の作成方法に関する
ものである。
（従来の技術）
従来水溶性単結晶を育成する方法として、温度降下法、
蒸発法、二槽式濃度一定法、電気透析法等が提案されて
いる。このうち、本発明者等が開発した電気透析法は、
槽の温度を一定とし電流のみで結晶の成長率が容易に制
御できる。育成途中で結晶材料が追加できる。従って育
成槽の寸法が小さくできる９等の多くの長所を有してい
る。
蒸発法、二槽式濃度一定法、電気透析法等が提案されて
いる。このうち、本発明者等が開発した電気透析法は、
槽の温度を一定とし電流のみで結晶の成長率が容易に制
御できる。育成途中で結晶材料が追加できる。従って育
成槽の寸法が小さくできる９等の多くの長所を有してい
る。
第２図は従来の電気透析法による結晶育成の原理を示す
縮図である。ここでは育成の一例としてＫＤＰ結晶の育
成法について説明する。第２図において、育成槽５１は
例えばＡ〜Ｅの５槽に分割され、その外槽は陰イオン交
換膜α１．α２と陽イオン交換膜β１．β２により仕切
られ、ている。ここで５槽構造をとった理由は、Ａ、Ｅ
槽の溶液のＰＨが育成と共に変化するため、この影響が
結晶育成槽Ｃ槽に及ぼされる恐れがあるためである。
縮図である。ここでは育成の一例としてＫＤＰ結晶の育
成法について説明する。第２図において、育成槽５１は
例えばＡ〜Ｅの５槽に分割され、その外槽は陰イオン交
換膜α１．α２と陽イオン交換膜β１．β２により仕切
られ、ている。ここで５槽構造をとった理由は、Ａ、Ｅ
槽の溶液のＰＨが育成と共に変化するため、この影響が
結晶育成槽Ｃ槽に及ぼされる恐れがあるためである。
両端のＡ槽およびＥ槽には、それぞれ正および負の電流
を供給するためのプラス電極５２およびマイナス電極５
３を設ける。育成槽５１の外槽に同一濃度のＫＤＰ溶液
を満たした後、電極５２．５３間に電流を流すと、陽イ
オン（Ｋ１）はＢ槽からＣ槽へ。
を供給するためのプラス電極５２およびマイナス電極５
３を設ける。育成槽５１の外槽に同一濃度のＫＤＰ溶液
を満たした後、電極５２．５３間に電流を流すと、陽イ
オン（Ｋ１）はＢ槽からＣ槽へ。
陰イオン（Ｈ２ＰＯ４−）はＤ槽からＣ槽へ流れ込み、
Ｃ槽ではＫＤＰの濃縮が、Ｂ、Ｄ槽ではＫＤＰの希薄化
が生じる。同様な現象がＡ、Ｂ種間およびり、Ｅ種間で
起こり、Ａ槽中の過飽和のＨ２ＰＯ４−は電極５２で０
２として消費されると共に、Ｅ槽中の過飽和のに１は電
極５３でＨ２として消費される。そのためＣ槽ではＫＤ
Ｐ溶液が過飽和となり、Ｃ槽中にＫＤＰ種結晶５４を設
ければＫＤＰ結晶の育成が可能となる。また、Ｂ、Ｄ槽
にＫＤＰ粉末を追加して減少分を補えば、継続して結晶
育成が可能となる。
Ｃ槽ではＫＤＰの濃縮が、Ｂ、Ｄ槽ではＫＤＰの希薄化
が生じる。同様な現象がＡ、Ｂ種間およびり、Ｅ種間で
起こり、Ａ槽中の過飽和のＨ２ＰＯ４−は電極５２で０
２として消費されると共に、Ｅ槽中の過飽和のに１は電
極５３でＨ２として消費される。そのためＣ槽ではＫＤ
Ｐ溶液が過飽和となり、Ｃ槽中にＫＤＰ種結晶５４を設
ければＫＤＰ結晶の育成が可能となる。また、Ｂ、Ｄ槽
にＫＤＰ粉末を追加して減少分を補えば、継続して結晶
育成が可能となる。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した電気透析法では、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ外槽すべ
ての温度が３０〜８０℃の温度領域の一定値に設定され
ているために、結晶育成中濃度の濃い部分に存在するイ
オン交換膜β１．α２に雑品が生じる欠点があった。そ
のため、イオン交換膜に生じた雑品は成長していき、つ
いには膜全体を覆うこととなり現実には結晶の長期育成
ができない欠点があった。
ての温度が３０〜８０℃の温度領域の一定値に設定され
ているために、結晶育成中濃度の濃い部分に存在するイ
オン交換膜β１．α２に雑品が生じる欠点があった。そ
のため、イオン交換膜に生じた雑品は成長していき、つ
いには膜全体を覆うこととなり現実には結晶の長期育成
ができない欠点があった。
本発明の目的は上述した不具合を解消して、イオン交換
膜への雑品の発生を防ぐことにより長期間にわたり結晶
の育成をするこができる電気透析法を用いた水溶性イオ
ン結晶の育成法を提供しようとするものである。
膜への雑品の発生を防ぐことにより長期間にわたり結晶
の育成をするこができる電気透析法を用いた水溶性イオ
ン結晶の育成法を提供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法
は、外槽と、陽イオン交換膜と陰イオン交換膜とにより
仕切られた複数層の育成槽とを使用して結晶を育成する
電気透析法を用いた水溶性結晶の育成法において、少な
くとも外槽と結晶育成槽と結晶育成槽の両側の槽との温
度状態ＴＯ＞ＴＣ＞ＴＷ ここで ＴＯ二両側の槽の溶液濃度 ＴＣ：結晶育成槽の溶液温度 ＴＷ：外槽の水の温度 の状態を常に維持しながら電気透析を行ない水溶性結晶
を得ることを特徴とするものである。
は、外槽と、陽イオン交換膜と陰イオン交換膜とにより
仕切られた複数層の育成槽とを使用して結晶を育成する
電気透析法を用いた水溶性結晶の育成法において、少な
くとも外槽と結晶育成槽と結晶育成槽の両側の槽との温
度状態ＴＯ＞ＴＣ＞ＴＷ ここで ＴＯ二両側の槽の溶液濃度 ＴＣ：結晶育成槽の溶液温度 ＴＷ：外槽の水の温度 の状態を常に維持しながら電気透析を行ない水溶性結晶
を得ることを特徴とするものである。
（作 用）
本発明は、結晶育成槽とその両側の槽の５槽から成る育
成槽内に温度差を設定することにより、従来の電気透析
法の最大の欠点であるイオン交換膜への雑品の発生を防
止することができ、長期間にわたって電気透析法を実施
することができることを見出したことによる。なお、本
発明で使用する電気透析法は各段定濡度を一定にして結
晶の育成を行なうため、温度の制御が容易であると共に
電流湧のみにより結晶の成長率を簡単に制御でき、しか
も育成中に原材料を追加できる。従って、一般に用いら
れている温度降下法に較べ装置全体を小型にでき、育成
に必要な原材料が少なくてすむ。
成槽内に温度差を設定することにより、従来の電気透析
法の最大の欠点であるイオン交換膜への雑品の発生を防
止することができ、長期間にわたって電気透析法を実施
することができることを見出したことによる。なお、本
発明で使用する電気透析法は各段定濡度を一定にして結
晶の育成を行なうため、温度の制御が容易であると共に
電流湧のみにより結晶の成長率を簡単に制御でき、しか
も育成中に原材料を追加できる。従って、一般に用いら
れている温度降下法に較べ装置全体を小型にでき、育成
に必要な原材料が少なくてすむ。
特に断面が数■〜数１０ＣＩＲに至る大型の結晶や、Ｄ
ＫＤＰ （重水素置換ＫＤＰ＞のように原材料費が極め
て高価な結晶の育成に適する。
ＫＤＰ （重水素置換ＫＤＰ＞のように原材料費が極め
て高価な結晶の育成に適する。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の育成法を実施するのに好適な育成槽の
一実施例を示す線図である。ここでは水溶性結晶として
Ｋ［）Ｐ（第１リン酸カリウム）結晶の育成の例を説明
する。
一実施例を示す線図である。ここでは水溶性結晶として
Ｋ［）Ｐ（第１リン酸カリウム）結晶の育成の例を説明
する。
ＫＤＰ結晶を含む水溶性結晶は、一般に３０〜８０℃の
温度範囲で育成される。この温度は室温に近いため、一
般に二重構造の槽により温度制御特性を良好に保つ必要
がある。そのため、育成槽であるＡ槽２．Ｂ槽３．Ｃ槽
４．Ｄ槽５．Ｅ槽６のまわりに保温材３１を取り付けた
外槽１を設け、水７を水循環用ポンプ２９により循環し
、温度コントロ−ル用センサ１９とヒータ１２により外
槽１の温度を一定に保っている。結晶育成槽の両側の槽
であるＢ槽３とＤ槽５には、各々温度コントロール用セ
ンサ１６．１８とヒータ１３．１５および溶液を攪拌す
るための攪拌プロペラ２６．２８を設けて、各槽内の温
度を一定に保っている。さらに、Ａ槽２とＥ槽６にはプ
ラス電極２４とマイナス電極２５を設け、この両電極２
４および２５に電流を供給して電気透析法を実施する。
温度範囲で育成される。この温度は室温に近いため、一
般に二重構造の槽により温度制御特性を良好に保つ必要
がある。そのため、育成槽であるＡ槽２．Ｂ槽３．Ｃ槽
４．Ｄ槽５．Ｅ槽６のまわりに保温材３１を取り付けた
外槽１を設け、水７を水循環用ポンプ２９により循環し
、温度コントロ−ル用センサ１９とヒータ１２により外
槽１の温度を一定に保っている。結晶育成槽の両側の槽
であるＢ槽３とＤ槽５には、各々温度コントロール用セ
ンサ１６．１８とヒータ１３．１５および溶液を攪拌す
るための攪拌プロペラ２６．２８を設けて、各槽内の温
度を一定に保っている。さらに、Ａ槽２とＥ槽６にはプ
ラス電極２４とマイナス電極２５を設け、この両電極２
４および２５に電流を供給して電気透析法を実施する。
結晶育成槽であるＣ槽４にも、温度コントロール用セン
サ１７とヒータ１４および溶液を攪拌するための攪拌プ
ロペラ２７を設けて、槽内の温度を一定に保っている。
サ１７とヒータ１４および溶液を攪拌するための攪拌プ
ロペラ２７を設けて、槽内の温度を一定に保っている。
Ａ槽２とＢ槽３およびＣ槽４とＤ槽５の間には、陰イオ
ン交換［９２２，２１を、Ｂ槽３とＣ槽４およびＤ槽５
とＥ槽６の間には陽イオン交換膜２０．２３を各々設け
ているため、プラス電極２４およびマイナス電極２５の
各々に正および負の電流を供給すればに＋イオンおよび
Ｈ２ＰＯ４−イオンがイオン交換膜２０および２１を介
してＣ槽４に浸透し、結晶育成槽であるＣ槽４中のＫＤ
Ｐ溶液８の濃度は過飽和の状態になる。この状態で各種
間に一定の温度差をつけて保持し、Ｃ槽４中の種結晶取
付台１１上に種結°晶９を載置して結晶の育成を行えば
、所望のＫＤＰ結晶を得ることができる。このとき、Ｂ
槽３およびＤ槽５内のＫＤＰ溶液濃度は減少してゆくた
め、適宜ＫＤＰ粉末原料３０を追加する必要がある。以
下、結晶育成の方法について詳述する。
ン交換［９２２，２１を、Ｂ槽３とＣ槽４およびＤ槽５
とＥ槽６の間には陽イオン交換膜２０．２３を各々設け
ているため、プラス電極２４およびマイナス電極２５の
各々に正および負の電流を供給すればに＋イオンおよび
Ｈ２ＰＯ４−イオンがイオン交換膜２０および２１を介
してＣ槽４に浸透し、結晶育成槽であるＣ槽４中のＫＤ
Ｐ溶液８の濃度は過飽和の状態になる。この状態で各種
間に一定の温度差をつけて保持し、Ｃ槽４中の種結晶取
付台１１上に種結°晶９を載置して結晶の育成を行えば
、所望のＫＤＰ結晶を得ることができる。このとき、Ｂ
槽３およびＤ槽５内のＫＤＰ溶液濃度は減少してゆくた
め、適宜ＫＤＰ粉末原料３０を追加する必要がある。以
下、結晶育成の方法について詳述する。
まず、Ａ槽２．Ｂ槽３．Ｃ槽４．Ｄ槽５．Ｅ槽６内に育
成予定温度に相当するＫＤＰ飽和溶液を作る。このとき
外槽１の温度は外槽１の水７と同一の温度に保っておく
。次に、ヒータ１４を加熱して結晶育成槽であるＣ槽４
の温度を数度上昇させた状態で、種結晶９を種結晶取付
台１１に設置する。
成予定温度に相当するＫＤＰ飽和溶液を作る。このとき
外槽１の温度は外槽１の水７と同一の温度に保っておく
。次に、ヒータ１４を加熱して結晶育成槽であるＣ槽４
の温度を数度上昇させた状態で、種結晶９を種結晶取付
台１１に設置する。
その後ヒータ１４の加熱を中止して、Ｃ槽４の温度を元
の状態に戻す。この状態でＣ槽４の溶液は飽和状態に戻
る。次に、温度コントロール用センサ１６、１８．１９
およびヒータ１３．１５．１２を用いて各種間の溶液温
度を以下の状態になるように保つ。
の状態に戻す。この状態でＣ槽４の溶液は飽和状態に戻
る。次に、温度コントロール用センサ１６、１８．１９
およびヒータ１３．１５．１２を用いて各種間の溶液温
度を以下の状態になるように保つ。
Ｔ８＝ＴＤ ＞ＴＯ＞Ｔｗ
ここで、ＴＢ：Ｂ槽３の溶液温度
ＴＤ：Ｄ槽５の溶液温度
Ｔｏ：Ｃ槽４の溶液温度
ＴＷ：水７の温度
これがイオン交換膜２０．２１に雑品を生じさせないた
めの条件であり、実用上 ＴＢ−Ｔｃ＝ ０．８〜１．５℃ Ｔｏ−Ｔｗ＝４〜７℃ の範囲に保つと好適である。
めの条件であり、実用上 ＴＢ−Ｔｃ＝ ０．８〜１．５℃ Ｔｏ−Ｔｗ＝４〜７℃ の範囲に保つと好適である。
次に、Ｂ槽３とＤ槽５にＫＤＰ粉末原料３０を導入し、
攪拌プロペラ２６と２８によりＢ槽３およびＤ（何５内
のＫＤＰ溶液を常に飽和状態になるよう保つ。攪拌プロ
ペラ２７は結晶育成槽であるＣ槽４内の温度分布を一定
に保つものである。その後、電極２４．２５間に直流電
流を流すことにより電気透析を開始する。この結果、Ｂ
槽３からＣ槽４へに４″イオンが、Ｄ槽５からＣ槽４へ
Ｈ２ＰＯ４−イオンが移動し、Ｃ槽４の溶液は過飽和と
なり結晶の成長が始まる。結晶が育成されるにつれＢ槽
３およびＤ槽５内のＫＤＰ粉末原料３０は消費されてい
くが、新たにＫＤＰ原料３０を追加することにより育成
を続行することができる。また、徐々にＡ槽２はアルカ
リ性に、Ｅ槽６は酸性になっていくが、１ケ月に一度溶
液を中和することで育成に支障はきたさない。
攪拌プロペラ２６と２８によりＢ槽３およびＤ（何５内
のＫＤＰ溶液を常に飽和状態になるよう保つ。攪拌プロ
ペラ２７は結晶育成槽であるＣ槽４内の温度分布を一定
に保つものである。その後、電極２４．２５間に直流電
流を流すことにより電気透析を開始する。この結果、Ｂ
槽３からＣ槽４へに４″イオンが、Ｄ槽５からＣ槽４へ
Ｈ２ＰＯ４−イオンが移動し、Ｃ槽４の溶液は過飽和と
なり結晶の成長が始まる。結晶が育成されるにつれＢ槽
３およびＤ槽５内のＫＤＰ粉末原料３０は消費されてい
くが、新たにＫＤＰ原料３０を追加することにより育成
を続行することができる。また、徐々にＡ槽２はアルカ
リ性に、Ｅ槽６は酸性になっていくが、１ケ月に一度溶
液を中和することで育成に支障はきたさない。
！１目１
第１図に示す育成槽を使用して、以下に示す育成条件で
育成種間に温度差をつけない方法と本発明による温度差
をつけた育成法とにより結晶を育成して、ＫＤＰ結晶育
成の比較を行った。
育成種間に温度差をつけない方法と本発明による温度差
をつけた育成法とにより結晶を育成して、ＫＤＰ結晶育
成の比較を行った。
（育成条件）
・育成槽（Ｃ槽）温度 ４０．０℃・両端槽（Ｂ
、Ｄ槽）温度 ４１．２℃・外槽内の水の温度
３５．０℃・育成槽母液 ２５ρ −ＫＤＰ種結晶寸法 １０（ｍ Ｘ １０Ｃｍ Ｘ ２
０１１（２カット板） ・育成速度 ３ｍｍ ／ｄａｙ （Ｃ軸方向
）・イオン交換膜寸法 １０ｃｍ ｘ １５ｃｙｎその
結果を第１表に示す。
、Ｄ槽）温度 ４１．２℃・外槽内の水の温度
３５．０℃・育成槽母液 ２５ρ −ＫＤＰ種結晶寸法 １０（ｍ Ｘ １０Ｃｍ Ｘ ２
０１１（２カット板） ・育成速度 ３ｍｍ ／ｄａｙ （Ｃ軸方向
）・イオン交換膜寸法 １０ｃｍ ｘ １５ｃｙｎその
結果を第１表に示す。
第１表から明らかなように、本発明の方法では雑品の発
明が全くなく長期間安定してＫＤＰ結晶を育成すること
ができた。
明が全くなく長期間安定してＫＤＰ結晶を育成すること
ができた。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく
、幾多の変形、変更が可能である。例えば上述した実施
例では、５槽の例を示したが、３槽やその他の槽数の場
合でも本発明を実施することができる。
、幾多の変形、変更が可能である。例えば上述した実施
例では、５槽の例を示したが、３槽やその他の槽数の場
合でも本発明を実施することができる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したところから明らかなように、本発明
の電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法によれ
ば、育成槽内に温度差を設けることにより電気透析法の
最大の欠点であるイオン交換膜への雑品の発生を防止し
て、長期間にわたり結晶の連続的な育成を実施すること
ができる。
の電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法によれ
ば、育成槽内に温度差を設けることにより電気透析法の
最大の欠点であるイオン交換膜への雑品の発生を防止し
て、長期間にわたり結晶の連続的な育成を実施すること
ができる。
第１図は本発明の育成法を実施するのに好適な育成槽の
一実施例の線図、 第２図は従来の電気透析法による結晶育成の原理を示す
線図である。 １・・・外槽 ２・・・Ａ槽３・・・Ｂ槽
４・・・Ｃ槽５・・・Ｄ槽 ６・
・・Ｅ槽７・・・水 ８・・・ＫＤＰ溶液
９・・・種結晶 １０・・・ＫＤＰ結晶１１・
・・種結晶取付台 １２．１３．１４．１５・・・ヒ
ータ１６、１７．１８．１９・・・温度コントロール用
センサ２０、２３・・・陽イオン交換膜 ２１、２２・・・陰イオン交換膜 ２４・・・プラス雪掻 ２５・・・マイナス電極２
６゜２７．’ ２８・・・攪拌プロペラ２９・・・水循
環用ボ・ンブ ３０・・・ＫＤＰ粉末原料３１・・・保
温材
一実施例の線図、 第２図は従来の電気透析法による結晶育成の原理を示す
線図である。 １・・・外槽 ２・・・Ａ槽３・・・Ｂ槽
４・・・Ｃ槽５・・・Ｄ槽 ６・
・・Ｅ槽７・・・水 ８・・・ＫＤＰ溶液
９・・・種結晶 １０・・・ＫＤＰ結晶１１・
・・種結晶取付台 １２．１３．１４．１５・・・ヒ
ータ１６、１７．１８．１９・・・温度コントロール用
センサ２０、２３・・・陽イオン交換膜 ２１、２２・・・陰イオン交換膜 ２４・・・プラス雪掻 ２５・・・マイナス電極２
６゜２７．’ ２８・・・攪拌プロペラ２９・・・水循
環用ボ・ンブ ３０・・・ＫＤＰ粉末原料３１・・・保
温材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外槽と、陽イオン交換膜と陰イオン交換膜とにより
仕切られた複数層の育成槽とを使用して結晶を育成する
電気透析法を用いた水溶性結晶の育成法において、少な
くとも外槽と結晶育成槽と結晶育成槽の両側の槽との温
度状態を常に Ｔｏ＞Ｔｃ＞Ｔｗ ここでＴｏ：両側の槽の溶液温度 Ｔｃ：結晶育成槽の溶液温度 Ｔｗ：外槽の水の温度 に維持しながら電気透析を行ない水溶性結晶を得ること
を特徴とする電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育
成法。 ２、前記各槽の温度差を Ｔｏ−Ｔｃ＝０．８〜１．５℃ Ｔｃ−Ｔｗ＝４〜７℃ に設定することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027540A JPS61191588A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法 |
| US06/828,246 US4670117A (en) | 1985-02-16 | 1986-02-11 | Electrodialytic method of growing water-soluble ionic crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027540A JPS61191588A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191588A true JPS61191588A (ja) | 1986-08-26 |
| JPH0243716B2 JPH0243716B2 (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=12223917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60027540A Granted JPS61191588A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 電気透析法を用いた水溶性イオン結晶の育成法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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1986
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| US4670117A (en) | 1987-06-02 |
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